液晶显示装置及电源电路转让专利
申请号 : CN200710180985.0
文献号 : CN100590485C
文献日 : 2010-02-17
发明人 : 堀端浩行
申请人 : 爱普生映像元器件有限公司
摘要 :
液晶显示装置及电源电路。本发明的目的在于缩小液晶显示装置的电源电路的电路规模，并谋求电路效率的提升。本发明在液晶面板的TFT衬底上形成电源电路，并将其输出供应至垂直驱动电路。电源电路是由产生正电源电位的DC-DC变换器、及产生负电源电位的DC-DC变换器所构成。这些DC-DC变换器是由共通电极信号VCOM所驱动。产生正电源电位的DC-DC变换器的输出为VCOMH×2，产生负电源电位的DC-DC变换器的输出为VCOMH×-1，而可获得适于使像素晶体管导通、不导通的电位。
权利要求 :
1.一种液晶显示装置，具备： 像素晶体管； 经由该像素晶体管被施加影像信号的像素电极； 被施加有反复高电位与低电位的共通电极信号的共通电极； 依据该共通电极与前述像素电极之间的电场而被配向的液晶；以及 产生用以控制前述像素晶体管的切换的电源电位的电源电路； 该液晶显示装置的特征在于，： 前述电源电路具有： 第一电荷传输组件和第二电荷传输组件，经串联连接，且依据前述共通电极信号互补地进行切换； 第三电荷传输组件和第四电荷传输组件，经串联连接，且依据前述共通电极信号互补地进行切换；以及 第一电容器，一端连接于前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点，另一端被施加有前述共通电极信号； 前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的栅极连接于前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的连接点，前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极连接于前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，前述电源25 第二电容器， 一端连接于前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的连接点，另一端被施加有前述共通电极信号的反转信号。
3. 根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，前述共通 电极信号经由缓冲电路而施加于前述第一电容器和前述第二电容器。30
4. 一种液晶显示装置，具备：形成在第一衬底上的像素晶体管；形成在前述第一衬底上且经由前述像素晶体管被施加影像信号的 像素电极；与前述第一衬底相对向而配置的第二衬底； 5 形成在前述第二衬底上，且被施加有反复高电位与低电位的共通电极信号的共通电极；依据该共通电极与前述像素电极之间的电场而被配向的液晶；以及产生用以控制前述像素晶体管的切换的电源电位的电源电路； 10 该液晶显示装置的特征在于： 前述电源电路具有：第一电荷传输组件和第二电荷传输组件，形成于前述第一衬底上 且经串联连接；第三电荷传输组件和第四电荷传输组件，经串联连接，且依据前 15 述共通电极信号互补地进行切换；电容器，具有第一端子和第二端子，且前述第一端子连接在前述 第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点；缓冲电路，形成在前述第一衬底上，且其输出被施加在前述电容 器的前述第二端子；以及 20 输入电容器，形成在前述缓冲电路的输入端子与相对向的前述共通电极之间；前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的栅极连接于前 述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的连接点，前述第三电 荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极连接于前述第一电荷传输 25组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
5. 根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，前述缓冲电路是串联连接多个反相器而形成，且在第一段反相器的输入端子与 前述共通电极之间形成有前述输入电容器。
6. 根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，前述输入电容器的电容值大于前述第一段反相器的寄生输入电容的电容值。
7. —种电源电路，具有：经串联连接的第一电荷传输组件和第二电荷传输组件； 5 经串联连接的第三电荷传输组件和第四电荷传输组件；电容器，具有第一端子和第二端子，且前述第一端子连接在前述 第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点；缓冲电路，其输出被施加于前述电容器的前述第二端子；以及输入电容器，具有第三端子及第四端子，且前述第三端子连接在 10 前述缓冲电路的输入端子，并且前述第四端子施加有频率信号；前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的栅极连接于前 述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的连接点，前述第三电 荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极连接于前述第一电荷传输 组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
说明书 :
液晶显示装置及电源电路
5技术领域
本发明涉及液晶显示装置，尤其是涉及一种具备有电源电路的液
晶显示装置，该电源电路产生用以控制像素晶体管的导通(ON)或不导 通(OFF)的电源电位。
io背景技术
以往，在利用低温多晶硅TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管) 制造方法（工艺）所制造的主动矩阵型液晶显示装置中，为了降低驱 动IC(集成电路)的成本，在液晶面板的TFT衬底上形成有产生用以控 制像素TFT的导通或不导通的电源电位的电源电路。电源电路一般使 15 用充电泵型的DC-DC变换器(converter)，并将分别使用于液晶面板的 水平移位缓存器、垂直移位缓存器的水平传输频率、垂直传输频率予 以使用作为其驱动信号。
该种主动矩阵型液晶显示装置已记载于专利文件1中。
专利文件1:日本特开2004-146082号公报
20
发明内容
(发明所欲解决的课题）
然而， 一般而言由于水平传输频率、垂直传输频率的振幅小至3V 左右，为了获得用以使像素TFT导通或不导通的足够电源电位，而必 25须进行+3倍升压、-2倍升压，因此存在电源电路的电路规模变大的问 题。
而且，将水平传输频率、垂直传输频率并用作为驱动电源电路用 的信号时，由于输出水平传输频率、垂直传输频率的放大器的驱动能 力较小，所以有必要在TFT衬底上设置缓冲电路，而有电路面积变大， 30 且电源电路的效率下降的问题。
再者，将水平传输频率予以分频而作为电源电路的驱动信号使用时，也会有由于分频频率的反转时序(timing)而对显示带来不良影响的 问题。
更且，使用水平传输频率或垂直传输频率时，因常有必要在玻璃 衬底上布设将这些频率传送到电源电路用的长配线的情况，而使液晶 5 面板的框缘面积增大，或者在将COG(Chip on glass:玻璃覆晶)安装在 玻璃衬底上等时，由于有图案布局的限制，而有无法形成该种配线的 情况。再者，在使用来自驱动IC的专用频率时，有液晶面板的端子数 增加的问题。
(解决课题的手段）
io 本发明的液晶显示装置是有鉴于上述的课题而研创，该液晶显示
装置具备有：像素晶体管；经由该像素晶体管被施加影像信号的像素 电极；被施加有反复高电位与低电位的共通电极信号的共通电极；依 据该共通电极及前述像素电极之间的电场而被配向的液晶；以及产生 用以控制前述像素晶体管的切换的电源电位的电源电路，该液晶显示
15 装置的特征为，前述电源电路具备：第一电荷传输组件及第二电荷传 输组件，经串联连接，并依据前述共通电极信号互补性地进行切换； 第三电荷传输组件和第四电荷传输组件，经串联连接，且依据前述共 通电极信号互补地进行切换；以及第一电容器， 一端连接于前述第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点，另一端被施加有前
20述共通电极信号；前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的 栅极连接于前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的连接 点，前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极连接于前 述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
此外，本发明的液晶显示装置具备有：形成在第一衬底上的像素
25晶体管；形成在前述第一衬底上，且经由前述像素晶体管被施加影像
信号的像素电极；与前述第一衬底相向而配置的第二衬底；形成在前
述第二衬底上，且被施加有反复高电位及低电位的共通电极信号的共
通电极；依据该共通电极与前述像素电极之间的电场而被配向的液晶； 以及产生用以控制前述像素晶体管的切换的电源电位的电源电路，该 30 液晶显示装置的特征为，前述电源电路具备：第一电荷传输组件及第 二电荷传输组件，形成在前述第一衬底上且经串联连接；第三电荷传
6输组件和第四电荷传输组件，经串联连接，且依据前述共通电极信号 互补地进行切换；电容器，具有第一端子及第二端子，且前述第一端 子连接到前述第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点； 缓冲电路，形成在前述第一衬底上，且其输出被施加在前述电容器的 5 前述第二端子；以及输入电容器，形成在前述缓冲电路的输入端子与 相对向的前述共通电极之间；前述第一电荷传输组件和前述第二电荷 传输组件的栅极连接于前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组 件的连接点，前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极 连接于前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
10 再者，本发明的电源电路的特征为，具备：经串联连接的第一电
荷传输组件及第二电荷传输组件；经串联连接的第三电荷传输组件和 第四电荷传输组件；电容器，具有第一端子及第二端子，且前述第一 端子连接到前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接 点；缓冲电路，其输出被施加到前述电容器的前述第二端子；以及输
15 入电容器，具有第三端子及第四端子，且前述第三端子连接到前述缓 冲电路的输入端子，并且前述第四端子被施加有频率信号；前述第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的栅极连接于前述第三电荷传 输组件和前述第四电荷传输组件的连接点，前述第三电荷传输组件和 前述第四电荷传输组件的栅极连接于前述第一电荷传输组件和前述第
20 二电荷传输组件的连接点。 (发明的效果）
根据本发明的液晶显示装置，由于利用了共通电极信号作为电源 电路的驱动信号，所以只要作+ 2倍升压、-l倍升压即足够，而可将电 源电路的电路规模縮小。再者，输出共通电极信号的放大器的驱动能
25力较大，所以不需要设置缓冲电路，而可削减电路面积并提升电路效 率。而且，由于共通电极信号的反转时序(从H电位迁移到L电位的时 序，或从L电位迁移到H电位的时序)在水平返驰期间进行，故也具有 不会对显示带来不良影响的优点。此外，供应共通电极信号的配线设 置在面板的整体外周，所以即使将电源电路配置在面板上的任何处，
30 也可利用该配线将共通电极信号供应至电源电路，故也具有图案布局 上的受限少的优点。导致 的电容耦合将共通电极信号当作驱动频率供应至电源电路，所以可减 少驱动频率用配线的图案布局的限制，且能防止液晶面板框缘面积的 增大及端子数的增加。 5 再者，根据本发明的电源电路，由于利用电容器所导致的电容器
耦合来接受驱动频率的供应，所以可减少驱动频率用配线的图案布局 限制，并能防止电路面积的增大。
然而， 一般而言由于水平传输频率、垂直传输频率的振幅小至3V 左右，为了获得用以使像素TFT导通或不导通的足够电源电位，而必 25须进行+3倍升压、-2倍升压，因此存在电源电路的电路规模变大的问 题。
而且，将水平传输频率、垂直传输频率并用作为驱动电源电路用 的信号时，由于输出水平传输频率、垂直传输频率的放大器的驱动能 力较小，所以有必要在TFT衬底上设置缓冲电路，而有电路面积变大， 30 且电源电路的效率下降的问题。
再者，将水平传输频率予以分频而作为电源电路的驱动信号使用时，也会有由于分频频率的反转时序(timing)而对显示带来不良影响的 问题。
更且，使用水平传输频率或垂直传输频率时，因常有必要在玻璃 衬底上布设将这些频率传送到电源电路用的长配线的情况，而使液晶 5 面板的框缘面积增大，或者在将COG(Chip on glass:玻璃覆晶)安装在 玻璃衬底上等时，由于有图案布局的限制，而有无法形成该种配线的 情况。再者，在使用来自驱动IC的专用频率时，有液晶面板的端子数 增加的问题。
(解决课题的手段）
io 本发明的液晶显示装置是有鉴于上述的课题而研创，该液晶显示
装置具备有：像素晶体管；经由该像素晶体管被施加影像信号的像素 电极；被施加有反复高电位与低电位的共通电极信号的共通电极；依 据该共通电极及前述像素电极之间的电场而被配向的液晶；以及产生 用以控制前述像素晶体管的切换的电源电位的电源电路，该液晶显示
15 装置的特征为，前述电源电路具备：第一电荷传输组件及第二电荷传 输组件，经串联连接，并依据前述共通电极信号互补性地进行切换； 第三电荷传输组件和第四电荷传输组件，经串联连接，且依据前述共 通电极信号互补地进行切换；以及第一电容器， 一端连接于前述第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点，另一端被施加有前
20述共通电极信号；前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的 栅极连接于前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的连接 点，前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极连接于前 述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
此外，本发明的液晶显示装置具备有：形成在第一衬底上的像素
25晶体管；形成在前述第一衬底上，且经由前述像素晶体管被施加影像
信号的像素电极；与前述第一衬底相向而配置的第二衬底；形成在前
述第二衬底上，且被施加有反复高电位及低电位的共通电极信号的共
通电极；依据该共通电极与前述像素电极之间的电场而被配向的液晶； 以及产生用以控制前述像素晶体管的切换的电源电位的电源电路，该 30 液晶显示装置的特征为，前述电源电路具备：第一电荷传输组件及第 二电荷传输组件，形成在前述第一衬底上且经串联连接；第三电荷传
6输组件和第四电荷传输组件，经串联连接，且依据前述共通电极信号 互补地进行切换；电容器，具有第一端子及第二端子，且前述第一端 子连接到前述第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点； 缓冲电路，形成在前述第一衬底上，且其输出被施加在前述电容器的 5 前述第二端子；以及输入电容器，形成在前述缓冲电路的输入端子与 相对向的前述共通电极之间；前述第一电荷传输组件和前述第二电荷 传输组件的栅极连接于前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组 件的连接点，前述第三电荷传输组件和前述第四电荷传输组件的栅极 连接于前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接点。
10 再者，本发明的电源电路的特征为，具备：经串联连接的第一电
荷传输组件及第二电荷传输组件；经串联连接的第三电荷传输组件和 第四电荷传输组件；电容器，具有第一端子及第二端子，且前述第一 端子连接到前述第一电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的连接 点；缓冲电路，其输出被施加到前述电容器的前述第二端子；以及输
15 入电容器，具有第三端子及第四端子，且前述第三端子连接到前述缓 冲电路的输入端子，并且前述第四端子被施加有频率信号；前述第一 电荷传输组件和前述第二电荷传输组件的栅极连接于前述第三电荷传 输组件和前述第四电荷传输组件的连接点，前述第三电荷传输组件和 前述第四电荷传输组件的栅极连接于前述第一电荷传输组件和前述第
20 二电荷传输组件的连接点。 (发明的效果）
根据本发明的液晶显示装置，由于利用了共通电极信号作为电源 电路的驱动信号，所以只要作+ 2倍升压、-l倍升压即足够，而可将电 源电路的电路规模縮小。再者，输出共通电极信号的放大器的驱动能
25力较大，所以不需要设置缓冲电路，而可削减电路面积并提升电路效 率。而且，由于共通电极信号的反转时序(从H电位迁移到L电位的时 序，或从L电位迁移到H电位的时序)在水平返驰期间进行，故也具有 不会对显示带来不良影响的优点。此外，供应共通电极信号的配线设 置在面板的整体外周，所以即使将电源电路配置在面板上的任何处，
30 也可利用该配线将共通电极信号供应至电源电路，故也具有图案布局 上的受限少的优点。导致 的电容耦合将共通电极信号当作驱动频率供应至电源电路，所以可减 少驱动频率用配线的图案布局的限制，且能防止液晶面板框缘面积的 增大及端子数的增加。 5 再者，根据本发明的电源电路，由于利用电容器所导致的电容器
耦合来接受驱动频率的供应，所以可减少驱动频率用配线的图案布局 限制，并能防止电路面积的增大。
附图说明
10 图1是显示本发明第一实施方式的液晶显示装置的电路图。
图2是本发明第一实施方式的液晶显示装置的动作波形图。 图3是本发明第一实施方式的DC-DC变换器的电路图。 图4是本发明第一实施方式的DC-DC变换器的动作波形图。 图5是本发明第二实施方式的DC-DC变换器的电路图。 15 图6是本发明第三实施方式的DC-DC变换器的电路图。
图7是本发明第四实施方式的DC-DC变换器的电路图。 图8是本发明第五实施方式的DC-DC变换器的电路图。 图9是本发明第五实施方式的DC-DC变换器的前段缓冲电路的电 路图。
20 图10是显示输入电容器的构造的剖面图。
图11是显示本发明第五实施方式的DC-DC变换器动作的波形图。
图12是本发明第六实施方式的DC-DC变换器的电路图。
图13是显示本发明第六实施方式的DC-DC变换器动作的波形图。
符号说明
25 10 TFT玻璃衬底 11 绝缘膜
12 密封树脂 20 对向玻璃衬底
100 液晶面板 110 水平驱动电路
120 垂直驱动电路 121 像素电极
122 共通电极 130 电源电路
30 131 前段缓冲电路 132 后段缓冲电路
133 输入端子 200 驱动IC10
BF缓冲电路
C2、 C12第二飞驰电容器
Cin输入电容器
DL数据线
GT像素晶体管
Cl、 Cll第一飞驰电容器 C3、 C13平流用电容器 Cout 平流用电容器 GL 栅极线 LC 液晶
INV1、 INV2、…CMOS反相器
INV反相器 M1N、 M2N N通道型电荷传输晶体管 M1P、 M2P P通道型电荷传输晶体管 MN1、 MN2、 MNll、 MN12 N通道型电荷传输晶体管 MP1、 MP2、 MPll、 MP12 P通道型电荷传输晶体管 R 负载电阻 VCOM 共通电极信号
图2是本发明第一实施方式的液晶显示装置的动作波形图。 图3是本发明第一实施方式的DC-DC变换器的电路图。 图4是本发明第一实施方式的DC-DC变换器的动作波形图。 图5是本发明第二实施方式的DC-DC变换器的电路图。 15 图6是本发明第三实施方式的DC-DC变换器的电路图。
图7是本发明第四实施方式的DC-DC变换器的电路图。 图8是本发明第五实施方式的DC-DC变换器的电路图。 图9是本发明第五实施方式的DC-DC变换器的前段缓冲电路的电 路图。
20 图10是显示输入电容器的构造的剖面图。
图11是显示本发明第五实施方式的DC-DC变换器动作的波形图。
图12是本发明第六实施方式的DC-DC变换器的电路图。
图13是显示本发明第六实施方式的DC-DC变换器动作的波形图。
符号说明
25 10 TFT玻璃衬底 11 绝缘膜
12 密封树脂 20 对向玻璃衬底
100 液晶面板 110 水平驱动电路
120 垂直驱动电路 121 像素电极
122 共通电极 130 电源电路
30 131 前段缓冲电路 132 后段缓冲电路
133 输入端子 200 驱动IC10
BF缓冲电路
C2、 C12第二飞驰电容器
Cin输入电容器
DL数据线
GT像素晶体管
Cl、 Cll第一飞驰电容器 C3、 C13平流用电容器 Cout 平流用电容器 GL 栅极线 LC 液晶
INV1、 INV2、…CMOS反相器
INV反相器 M1N、 M2N N通道型电荷传输晶体管 M1P、 M2P P通道型电荷传输晶体管 MN1、 MN2、 MNll、 MN12 N通道型电荷传输晶体管 MP1、 MP2、 MPll、 MP12 P通道型电荷传输晶体管 R 负载电阻 VCOM 共通电极信号
具体实施方式
以下， 一面参照菌示一面说明本发明的实施方式。 is (第一实施方式）
图1是显示液晶面板100的图。在TFT衬底上形成有水平驱动电 路110、垂直驱动电路120，并在显示区域矩阵式地配置有多个像素(在 图1仅显示四像素)。水平驱动电路110为根据水平传输频率CKH而 依序转送水平起动信号的移位缓存器，并按照其输出供应RGB的影像 20 信号至各个数据线DL。垂直驱动电路120为根据垂直传输频率CKV 依序转送垂直起动信号的移位缓存器，并按照其输出供应栅极信号至 各个栅极线GL。
由各像素的TFT所构成的像素晶体管GT的漏极连接到对应的数 据线DL，像素晶体管GT通过栅极信号控制其导通或不导通。像素晶 25 体管GT的源极连接到像素电极121 。此外，与TFT衬底相对向地设有 对向衬底，并在对向衬底上与像素电极121相对向地形成有共通电极 122。在TFT衬底与对向衬底之间封入有液晶LC。如图2所示，为了 进行线反转驱动，从液晶面板100的外部或设置在液晶面板100的TFT 衬底上的驱动IC200将于每一水平期间反复高(H)电位与低(L)电位的 30 共通电极信号VCOM施加至共通电极122。
当将像素晶体管GT设为N通道型时，若栅极信号变为H电位，
9像素晶体管GT即导通。由此，影像信号从数据线DL经由像素晶体管 GT施加到像素电极121，而通过产生在共通电极122与像素电极121 之间的电场使液晶LC被配向，由此进行液晶显示。
在此，由于共通电极信号VCOM反复H电位与L电位，所以像素 5 电极121的电位会因为隔着液晶LC的电容器耦合而产生变动。因此， 为了使像素晶体管GT导通，需要有其振幅两倍的VCOMHX2的正电 源电位作为栅极信号的H电位，而为了使像素晶体管GT不导通，需 要有其振幅负一倍的VCOMHX-l的负电源电位作为栅极信号的L电 位。其中，VCOMH在4.5V左右。
io 为了产生上述栅极信号，在液晶面板100的TFT衬底上利用
system-on-glass(简称SOG，即系统制作在玻璃面板上)技术形成电源电 路130，并将其输出供应至垂直驱动电路120。电源电路130是由：产 生正电源电位的DC-DC变换器、以及产生负电源电位的DC-DC变换 器所构成。在本发明中，使用共通电极信号VCOM作为这些DC-DC
15 变换器的驱动信号。
图3是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图。经由设置在 液晶面板100的输入端子PIN输入共通电极信号VCOM。所输入的共 通电极信号VCOM经由缓冲电路BF输入到第一飞驰电容器(flying capacitor)Cl的一侧端子以作为第一共通电极信号VCOM1 ，并将第一
20 共通电极信号VCOM1经反转的信号作为第二共通电极信号VCOM2 输入到第二飞驰电容器C2的一侧端子。另外，将N通道型电荷传输 晶体管M1N及P通道型电荷传输晶体管M1P串联连接，且将第二飞 驰电容器C2的另一侧端子连接至这些晶体管的栅极。而且，将N通 道型电荷传输晶体管M2N及P通道型电荷传输晶体管M2P串联连接，
25且将第一飞驰电容器Cl的另一侧端子连接至这些晶体管的栅极。第一 飞驰电容器Cl的另一侧端子连接到电荷传输晶体管M1N和电荷传输 晶体管M1P的连接点，而第二飞驰电容器C2的另一侧端子连接到电 荷传输晶体管M2N和电荷传输晶体管M2P的连接点。
N通道型电荷传输晶体管M1N、 M2N的共通源极施加有共通电极
30 信号VCOM的H电位的VCOMH。若不考虑晶体管导致的电压损失， 则从P通道型电荷传输晶体管M1P、 M2P的共通漏极会输出两倍VCOMH的VCOMHX2的正电源电位、输出电流Iout。此外，Cout 为平流用电容器，R为负载电阻，垂直驱动电路120对应于此负载电 阻R。再者，电荷传输晶体管是由TFT所构成。
参照图4的波形图说明此DC-DC变换器的平常状态的动作。在第 5 —共通电极信号VCOM1为H电位时，M1N、 M2P为不导通，M2N、 M1P为导通，M1N与M1P的连接节点电位VI被升压至VCOMHX2， 其电位经由M1P被输出。M2N与M2P的连接节点电位V2被充电至 VCOMH。其次，当第一共通电极信号VCOMl成为L电位时，M1N、 M2P为导通，M2N、 M1P为不导通，电位V2被升压至VCOMHX2，
io 其电位经由M2P被输出。电位V1被充电至VCOMH。 S卩，从DC-DC 变换器的左右的串联晶体管电路交替地输出VCOMHX2。不过，在此 忽略晶体管所导致的电压损失。
根据此DC-DC变换器，可获得适于使像素晶体管GT导通用的 VCOMHX2的电位。（设VCOMH=4.5V,若忽略电压损失则为9.0V)
15 因此，变得不需要如以往的3倍升压，而可縮小电路规模且能提高电 路效率。再者，由于共通电极信号VCOM的反转时序(从H电位迁移 到L电位的时序，或从L电位迁移到H电位的时序)在水平返驰期间进 行，故不会对显示带来不良影响。而且，由于供应共通电极信号VCOM 的配线设置在液晶面板100的整个外周，所以即使将电源电路130配
20 置在液晶面板100的TFT衬底上的任何处，也可利用该配线将共通电 极信号VCOM供应至电源电路130，因此也具有图案布局上的限制少 的优点。
再者，在如上述例所示的在对向衬底上相对向于像素电极121形 成共通电极122的液晶显示装置中，当将第一飞驰电容器C1及第二飞
25 驰电容器C2形成在液晶面板100上时，由于第一飞驰电容器C1的电 位变动和对向衬底上的共通电极的电位变动与共通电极信号VCOM形 成同电位，所以可防止因第一飞驰电容器C1所进行的电容分压所导致 的效率下降。另一方面，在如FFS(Field Fringe Switching;边缘场切换) 方式或IPS(In-Plane-Switching;平面切换)方式将像素电极与共通电极
30 形成在同一衬底上的液晶显示装置的情况中，由于在对向衬底没有电 极，所以不会产生电位变动。因此，根据本发明的构成，无论在任何一种方式的液晶显示装置中，均可实现不会产生效率下降的良好液晶 显示装置。
(第二实施方式）
图5是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图在该DC-DC 5 变换器中，由于用以输出共通电极信号VCOM的驱动IC200侧的放大 器的驱动能力大，所以削除了缓冲电路BF。如此一来，可削减电路面 积，且能提高电路效率。再者，设成为，削除第二飞驰电容器C2，并 仅对第一飞驰电容器Cl施加共通电极信号VCOM。
说明此DC-DC变换器平常状态的动作在共通电极信号VCOM为 io H电位时，M1N、 M2P不导通，M2N、 M1P导通，M1N与M1P的连 接节点的电位VI被升压至VCOMHX2，其电位经由M1P被输出。 M2N与M2P的连接节点的电位V2被充电至VCOMH。其次，当共通 电极信号VCOM变成L电位时，M1N、 M2P导通，M2N、 M1P不导 通。由于M2P导通，电位V2因来自输出侧的电荷移动而被充电至 15 VCOMHX2。因此，根据此DC-DC变换器，共通电极信号VCOM仅 在H电位时进行升压动作。
根据此DC-DC变换器，更可削减电路面积，并提高电路效率。再 者，在第二实施方式中，在对向衬底上，对向于像素电极121而形成 有共通电极122的液晶显示装置中，由于在液晶面板100上仅形成第 20 —飞驰电容器C1，所以较上述第一实施方式更能防止因电容分压所导 致的效率下降。
至于其它的构成与第一实施方式的电路相同，而可获得相同效果。 (第三实施方式）
图6是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图。在该DC-DC 25变换器中，与第二实施方式相同，削除了缓冲电路BF，不过设置有第 二飞驰电容器C2，且设置有将共通电极信号VCOM予以反转而施加 到第二飞驰电容器C2的反相器INV。在此，第二飞驰电容器C2的电 容值以较第一飞驰电容器C1的电容值小为宜。至于其它的构成与第二
实施方式的电路相同，而可获得相同效果。 邓 （第四实施方式）
在第一至第三实施方式中显示产生正电源电位的DC-DC变换器，而在本实施方式中就产生负电源电位的DC-DC变换器加以说明。如图
7所示，于此DC-DC变换器中，将共通电极信号VCOM施加至第一飞 驰电容器Cl，并将共通电极信号VCOM的反转信号施加至第二飞驰 电容器C2。在M1P与M2P的共通源极施加接地电位Vss(0V)，且从 5 M1N与M2N的共通漏极获得将VCOM乘上负一倍的VCOMX-1的电 位。如此一来，可作成适于用以使像素晶体管GT不导通的栅极信号。 因此，不需要如现有进行-2倍的升压，而可縮小电路规模并能提高电 路效率。至于其它的效果与第一至第三实施方式的效果一样。
就此DC-DC变换器的动作予以说明，在共通电极信号VCOM为 10 H电位时，M1N、 M2P不导通，M2N、 M1P导通，M1N与M1P的连 接节点的电位V3被充电至Vss， M2N与M2P的连接节点的电位V4 下降至VCOMHX-l的电位，且其电位经由M2N被输出。
当共通电极信号VCOM变成L电位时，M1N、 M2P导通，M2N、 M1P不导通，电位V3降至VCOMHX-l，且其电位经由M1N被输出。 15 电位V4被充电至Vss，即，从DC-DC变换器的左右的串联晶体管电 路交替地输出VCOMHX-l的电位。不过，晶体管所导致的电压损失 不加考虑。
(第五实施方式）
在本实施方式中，使用共通电极信号VCOM作为电源电路130的 20 DC-DC变换器的驱动信号这点虽与第一至第四实施方式相同，但将共 通电极信号VCOM经由输入电容输入到DC-DC变换器这点相异。
图8是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图。为了整形驱 动频率的波形，在DC-DC变换器的频率输入部设有前段缓冲电路131、 后段缓冲电路132，并在前段缓冲电路131的输入端子133与共通电极 25 122之间形成有输入电容器Cin。前段缓冲电路131串联连接多个 CMOS反相器INVl、 INV2、…而构成。
CMOS反相器INV1、 INV2、…如图9所示，由P通道型晶体管 与N通道型晶体管所构成，并在P通道型晶体管的源极施加有正电源 电位PVDD，在N通道型晶体管施加有接地电位PVSS(OV)。 P通道型 30 晶体管及N通道型晶体管是由TFT所形成。
输入电容Cin的构造显示于图10。图10是液晶面板100的局部剖
13面图，前段缓冲电路131的输入端子133形成在TFT玻璃衬底10上。 输入端子133是由铝等金属层形成，并由绝缘膜11所覆盖。在TFT玻 璃衬底10上配置有对向玻璃衬底20并于其间夹置液晶LC。
艮口，输入电容器Cin为将输入端子133作为一方的电容电极、并 5 将形成在对向玻璃衬底20上的共通电极122作为另一方电容电极、且 将绝缘膜11与液晶LC作为电容绝缘膜的电容器。依据电源电路130 的配置位置，也可隔在输入端子133与共通电极122之间设有用以密 封液晶LC的密封树脂12。在此情况下，密封树脂12成为电容绝缘膜 的一部分。
io 通过制作成上述构成，由于输入电容器Cin的耦合作用，与共通
电极信号VCOM同步的信号被输入至输入端子133。由于不需要用以 供应共通电极信号VCOM的长配线，而且，共通电极信号VCOM可 从形成在对向玻璃衬底20大致整个的共通电极122取出，故图案布局 的限制也较少。再者，由于利用了共通电极信号VCOM，所以也可防
15 止液晶面板的端子数增加。
前段缓冲电路131的第一段CMOS反相器INV1具有寄生输入电 容Cp(主要为P通道型晶体管与N通道型晶体管的栅极电容)。因此， 被输入到输入端子133的信号的电位因寄生输入电容Cp与输入电容器 Cin的电容分压而衰减其对应份。
20 因此，输入电容器Cin的电容值较宜设成较寄生输入电容Cp足够
地大。例如，在前述晶体管尺寸为W/L=20um/6um时，以设定成 CinX).5F为宜。为了加大输入电容器Cin的电容值，只要将输入端子 133的平面性图案尺寸设计成较大即可。
同歩于被输入到输入端子133的共通电极信号VCOM的驱动频率
25 经由前段缓冲电路131及后段缓冲电路132被输入到第一飞驰电容器 Cl的一方端子以作为第一驱动频率CPCLK，且被输入到第二飞驰电 容器C2的一方端子而作为将第一驱动频率CPCLK反转后的第二驱动 频率XCPCLK。第一驱动频率CPCLK及第二驱动频率XCPCLK虽为 逆相的频率，但这些频率的振幅为PVDD。
30 在充电泵部中，N通道型的电荷传输晶体管MN1与P通道型电荷
传输晶体管MP1为串联连接，且在这些晶体管的栅极连接有第二飞驰
14电容器C2的另一方端子。再者，N通道型的电荷传输晶体管MN2与 P通道型电荷传输晶体管MP2为串联连接，且在这些晶体管的栅极连 接有第一飞驰电容器C1的另一方端子。第一飞驰电容器C1的另一方 端子连接于电荷传输晶体管MN1与电荷传输晶体管MP1的连接点， 5 第二飞驰电容器C2的另一方端子连接于电荷传输晶体管MN2与电荷 传输晶体管MP2的连接点。
N通道型的电荷传输晶体管MN1、MN2的共通源极施加有电源电 位PVDD。若忽略晶体管所导致的电压损失，则从P通道型电荷传输 晶体管MP1、 MP2的共通漏极输出PVDD的两倍的2PVDD正电源电 io 位及输出电流IVPP，以作为输出电位VPP。此外，在P通道型电荷传 输晶体管MP1、 MP2的共通漏极连接有平流用电容器C3。再者，电荷 传输晶体管是由TFT所形成。
参照图11的波形图说明此DC-DC变换器的平常状态动作。在第 一驱动频率CPCLK为H电位(PVDD)时，MN1、 MP2不导通，MN2、 15 MP1导通，MN1与MP1的连接节点的电位VI通过第一飞驰电容器 Cl的电容耦合而被升压至2PVDD，并经由MP1输出该电位。MN2与 MP2的连接节点的电位V2被充电至PVDD。
接着，当第一驱动频率CPCLK下降至L电位(PVSS)时，MN1、 MP2导通，MN2、 MP1不导通，电位V2通过第二飞驰电容器C2的 20 电容耦合而被升压至2PVDD，并经由MP2输出该电位。电位VI被充 电至PVDD。即，从DC-DC变换器左右的串联晶体管电路交替地输出 2PVDD。不过，晶体管所导致的电压损失未予考虑。
(第六实施方式）
其次，就使用输入电容器Cin的产生负电源电位的DC-DC变换器 25 加以说明。如图12所示，在该DC-DC变换器中，与第五实施方式的 电路相同，可获得同步于被输入到输入端子133的共通电极信号 VCOM的驱动频率，并达到相同效果。驱动频率经由前段缓冲电路131 及后段缓冲电路132被输入到第一飞驰电容器Cll的一方端子以作为 第一驱动频率CPCLK，并被输入到第二飞驰电容器C12的一方端子以 30 作为第二驱动频率XCPCLK。
在充电泵部中，N通道型的电荷传输晶体管MNll与P通道型电荷传输晶体管MPll虽串联连接，但MPll与MP12的共通源极施加有 接地电位PVSS，这点与第五实施方式的电路不同，从MN11与MN12 的共通漏极获得将PVDD予以乘上-1倍的-PVDD电位。再者，在MN11 、 MN12的共通漏极连接有平流用电容器C13。 5 参照图13就此DC-DC变换器的动作予以说明。在第一驱动频率
CPCLK为H电位(PVDD)时，MNll、 MP12为不导通，MN12、 MP11 为导通，MN11与MPll的连接节点的电位V3被充电至PVSS， MN12 与MP12的连接节点的电位V4下降至-PVDD，并经由MN12输出其电 位。
10 当第一驱动频率CPCLK成为L电位(PVSS)时，MNll、 MP12为
导通，MN12、 MP11为不导通，电位V3下降至-PVDD，且其电位经 由MN11被输出。电位V4被充电至PVSS。也就是说，从负电源产生 电路左右的串联晶体管电路交替地输出-PVDD电位。
再者，只要DC-DC变换器是利用飞驰电容器及电荷传输组件来转
15 换输出输入电位的电路，就不限定于上述实施方式的电路，也可将其 变形，或使用其它型态的电路。再者，DC-DC变换器的前段缓冲电路 131、后段缓冲电路132并不限定于上述实施方式，也可将其变形，或 使用其它型态的缓冲电路。更且，缓冲电路也可共用于产生正电位的 DC-DC变换器、产生负电位的DC-DC变换器。
图1是显示液晶面板100的图。在TFT衬底上形成有水平驱动电 路110、垂直驱动电路120，并在显示区域矩阵式地配置有多个像素(在 图1仅显示四像素)。水平驱动电路110为根据水平传输频率CKH而 依序转送水平起动信号的移位缓存器，并按照其输出供应RGB的影像 20 信号至各个数据线DL。垂直驱动电路120为根据垂直传输频率CKV 依序转送垂直起动信号的移位缓存器，并按照其输出供应栅极信号至 各个栅极线GL。
由各像素的TFT所构成的像素晶体管GT的漏极连接到对应的数 据线DL，像素晶体管GT通过栅极信号控制其导通或不导通。像素晶 25 体管GT的源极连接到像素电极121 。此外，与TFT衬底相对向地设有 对向衬底，并在对向衬底上与像素电极121相对向地形成有共通电极 122。在TFT衬底与对向衬底之间封入有液晶LC。如图2所示，为了 进行线反转驱动，从液晶面板100的外部或设置在液晶面板100的TFT 衬底上的驱动IC200将于每一水平期间反复高(H)电位与低(L)电位的 30 共通电极信号VCOM施加至共通电极122。
当将像素晶体管GT设为N通道型时，若栅极信号变为H电位，
9像素晶体管GT即导通。由此，影像信号从数据线DL经由像素晶体管 GT施加到像素电极121，而通过产生在共通电极122与像素电极121 之间的电场使液晶LC被配向，由此进行液晶显示。
在此，由于共通电极信号VCOM反复H电位与L电位，所以像素 5 电极121的电位会因为隔着液晶LC的电容器耦合而产生变动。因此， 为了使像素晶体管GT导通，需要有其振幅两倍的VCOMHX2的正电 源电位作为栅极信号的H电位，而为了使像素晶体管GT不导通，需 要有其振幅负一倍的VCOMHX-l的负电源电位作为栅极信号的L电 位。其中，VCOMH在4.5V左右。
io 为了产生上述栅极信号，在液晶面板100的TFT衬底上利用
system-on-glass(简称SOG，即系统制作在玻璃面板上)技术形成电源电 路130，并将其输出供应至垂直驱动电路120。电源电路130是由：产 生正电源电位的DC-DC变换器、以及产生负电源电位的DC-DC变换 器所构成。在本发明中，使用共通电极信号VCOM作为这些DC-DC
15 变换器的驱动信号。
图3是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图。经由设置在 液晶面板100的输入端子PIN输入共通电极信号VCOM。所输入的共 通电极信号VCOM经由缓冲电路BF输入到第一飞驰电容器(flying capacitor)Cl的一侧端子以作为第一共通电极信号VCOM1 ，并将第一
20 共通电极信号VCOM1经反转的信号作为第二共通电极信号VCOM2 输入到第二飞驰电容器C2的一侧端子。另外，将N通道型电荷传输 晶体管M1N及P通道型电荷传输晶体管M1P串联连接，且将第二飞 驰电容器C2的另一侧端子连接至这些晶体管的栅极。而且，将N通 道型电荷传输晶体管M2N及P通道型电荷传输晶体管M2P串联连接，
25且将第一飞驰电容器Cl的另一侧端子连接至这些晶体管的栅极。第一 飞驰电容器Cl的另一侧端子连接到电荷传输晶体管M1N和电荷传输 晶体管M1P的连接点，而第二飞驰电容器C2的另一侧端子连接到电 荷传输晶体管M2N和电荷传输晶体管M2P的连接点。
N通道型电荷传输晶体管M1N、 M2N的共通源极施加有共通电极
30 信号VCOM的H电位的VCOMH。若不考虑晶体管导致的电压损失， 则从P通道型电荷传输晶体管M1P、 M2P的共通漏极会输出两倍VCOMH的VCOMHX2的正电源电位、输出电流Iout。此外，Cout 为平流用电容器，R为负载电阻，垂直驱动电路120对应于此负载电 阻R。再者，电荷传输晶体管是由TFT所构成。
参照图4的波形图说明此DC-DC变换器的平常状态的动作。在第 5 —共通电极信号VCOM1为H电位时，M1N、 M2P为不导通，M2N、 M1P为导通，M1N与M1P的连接节点电位VI被升压至VCOMHX2， 其电位经由M1P被输出。M2N与M2P的连接节点电位V2被充电至 VCOMH。其次，当第一共通电极信号VCOMl成为L电位时，M1N、 M2P为导通，M2N、 M1P为不导通，电位V2被升压至VCOMHX2，
io 其电位经由M2P被输出。电位V1被充电至VCOMH。 S卩，从DC-DC 变换器的左右的串联晶体管电路交替地输出VCOMHX2。不过，在此 忽略晶体管所导致的电压损失。
根据此DC-DC变换器，可获得适于使像素晶体管GT导通用的 VCOMHX2的电位。（设VCOMH=4.5V,若忽略电压损失则为9.0V)
15 因此，变得不需要如以往的3倍升压，而可縮小电路规模且能提高电 路效率。再者，由于共通电极信号VCOM的反转时序(从H电位迁移 到L电位的时序，或从L电位迁移到H电位的时序)在水平返驰期间进 行，故不会对显示带来不良影响。而且，由于供应共通电极信号VCOM 的配线设置在液晶面板100的整个外周，所以即使将电源电路130配
20 置在液晶面板100的TFT衬底上的任何处，也可利用该配线将共通电 极信号VCOM供应至电源电路130，因此也具有图案布局上的限制少 的优点。
再者，在如上述例所示的在对向衬底上相对向于像素电极121形 成共通电极122的液晶显示装置中，当将第一飞驰电容器C1及第二飞
25 驰电容器C2形成在液晶面板100上时，由于第一飞驰电容器C1的电 位变动和对向衬底上的共通电极的电位变动与共通电极信号VCOM形 成同电位，所以可防止因第一飞驰电容器C1所进行的电容分压所导致 的效率下降。另一方面，在如FFS(Field Fringe Switching;边缘场切换) 方式或IPS(In-Plane-Switching;平面切换)方式将像素电极与共通电极
30 形成在同一衬底上的液晶显示装置的情况中，由于在对向衬底没有电 极，所以不会产生电位变动。因此，根据本发明的构成，无论在任何一种方式的液晶显示装置中，均可实现不会产生效率下降的良好液晶 显示装置。
(第二实施方式）
图5是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图在该DC-DC 5 变换器中，由于用以输出共通电极信号VCOM的驱动IC200侧的放大 器的驱动能力大，所以削除了缓冲电路BF。如此一来，可削减电路面 积，且能提高电路效率。再者，设成为，削除第二飞驰电容器C2，并 仅对第一飞驰电容器Cl施加共通电极信号VCOM。
说明此DC-DC变换器平常状态的动作在共通电极信号VCOM为 io H电位时，M1N、 M2P不导通，M2N、 M1P导通，M1N与M1P的连 接节点的电位VI被升压至VCOMHX2，其电位经由M1P被输出。 M2N与M2P的连接节点的电位V2被充电至VCOMH。其次，当共通 电极信号VCOM变成L电位时，M1N、 M2P导通，M2N、 M1P不导 通。由于M2P导通，电位V2因来自输出侧的电荷移动而被充电至 15 VCOMHX2。因此，根据此DC-DC变换器，共通电极信号VCOM仅 在H电位时进行升压动作。
根据此DC-DC变换器，更可削减电路面积，并提高电路效率。再 者，在第二实施方式中，在对向衬底上，对向于像素电极121而形成 有共通电极122的液晶显示装置中，由于在液晶面板100上仅形成第 20 —飞驰电容器C1，所以较上述第一实施方式更能防止因电容分压所导 致的效率下降。
至于其它的构成与第一实施方式的电路相同，而可获得相同效果。 (第三实施方式）
图6是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图。在该DC-DC 25变换器中，与第二实施方式相同，削除了缓冲电路BF，不过设置有第 二飞驰电容器C2，且设置有将共通电极信号VCOM予以反转而施加 到第二飞驰电容器C2的反相器INV。在此，第二飞驰电容器C2的电 容值以较第一飞驰电容器C1的电容值小为宜。至于其它的构成与第二
实施方式的电路相同，而可获得相同效果。 邓 （第四实施方式）
在第一至第三实施方式中显示产生正电源电位的DC-DC变换器，而在本实施方式中就产生负电源电位的DC-DC变换器加以说明。如图
7所示，于此DC-DC变换器中，将共通电极信号VCOM施加至第一飞 驰电容器Cl，并将共通电极信号VCOM的反转信号施加至第二飞驰 电容器C2。在M1P与M2P的共通源极施加接地电位Vss(0V)，且从 5 M1N与M2N的共通漏极获得将VCOM乘上负一倍的VCOMX-1的电 位。如此一来，可作成适于用以使像素晶体管GT不导通的栅极信号。 因此，不需要如现有进行-2倍的升压，而可縮小电路规模并能提高电 路效率。至于其它的效果与第一至第三实施方式的效果一样。
就此DC-DC变换器的动作予以说明，在共通电极信号VCOM为 10 H电位时，M1N、 M2P不导通，M2N、 M1P导通，M1N与M1P的连 接节点的电位V3被充电至Vss， M2N与M2P的连接节点的电位V4 下降至VCOMHX-l的电位，且其电位经由M2N被输出。
当共通电极信号VCOM变成L电位时，M1N、 M2P导通，M2N、 M1P不导通，电位V3降至VCOMHX-l，且其电位经由M1N被输出。 15 电位V4被充电至Vss，即，从DC-DC变换器的左右的串联晶体管电 路交替地输出VCOMHX-l的电位。不过，晶体管所导致的电压损失 不加考虑。
(第五实施方式）
在本实施方式中，使用共通电极信号VCOM作为电源电路130的 20 DC-DC变换器的驱动信号这点虽与第一至第四实施方式相同，但将共 通电极信号VCOM经由输入电容输入到DC-DC变换器这点相异。
图8是显示产生正电源电位的DC-DC变换器电路图。为了整形驱 动频率的波形，在DC-DC变换器的频率输入部设有前段缓冲电路131、 后段缓冲电路132，并在前段缓冲电路131的输入端子133与共通电极 25 122之间形成有输入电容器Cin。前段缓冲电路131串联连接多个 CMOS反相器INVl、 INV2、…而构成。
CMOS反相器INV1、 INV2、…如图9所示，由P通道型晶体管 与N通道型晶体管所构成，并在P通道型晶体管的源极施加有正电源 电位PVDD，在N通道型晶体管施加有接地电位PVSS(OV)。 P通道型 30 晶体管及N通道型晶体管是由TFT所形成。
输入电容Cin的构造显示于图10。图10是液晶面板100的局部剖
13面图，前段缓冲电路131的输入端子133形成在TFT玻璃衬底10上。 输入端子133是由铝等金属层形成，并由绝缘膜11所覆盖。在TFT玻 璃衬底10上配置有对向玻璃衬底20并于其间夹置液晶LC。
艮口，输入电容器Cin为将输入端子133作为一方的电容电极、并 5 将形成在对向玻璃衬底20上的共通电极122作为另一方电容电极、且 将绝缘膜11与液晶LC作为电容绝缘膜的电容器。依据电源电路130 的配置位置，也可隔在输入端子133与共通电极122之间设有用以密 封液晶LC的密封树脂12。在此情况下，密封树脂12成为电容绝缘膜 的一部分。
io 通过制作成上述构成，由于输入电容器Cin的耦合作用，与共通
电极信号VCOM同步的信号被输入至输入端子133。由于不需要用以 供应共通电极信号VCOM的长配线，而且，共通电极信号VCOM可 从形成在对向玻璃衬底20大致整个的共通电极122取出，故图案布局 的限制也较少。再者，由于利用了共通电极信号VCOM，所以也可防
15 止液晶面板的端子数增加。
前段缓冲电路131的第一段CMOS反相器INV1具有寄生输入电 容Cp(主要为P通道型晶体管与N通道型晶体管的栅极电容)。因此， 被输入到输入端子133的信号的电位因寄生输入电容Cp与输入电容器 Cin的电容分压而衰减其对应份。
20 因此，输入电容器Cin的电容值较宜设成较寄生输入电容Cp足够
地大。例如，在前述晶体管尺寸为W/L=20um/6um时，以设定成 CinX).5F为宜。为了加大输入电容器Cin的电容值，只要将输入端子 133的平面性图案尺寸设计成较大即可。
同歩于被输入到输入端子133的共通电极信号VCOM的驱动频率
25 经由前段缓冲电路131及后段缓冲电路132被输入到第一飞驰电容器 Cl的一方端子以作为第一驱动频率CPCLK，且被输入到第二飞驰电 容器C2的一方端子而作为将第一驱动频率CPCLK反转后的第二驱动 频率XCPCLK。第一驱动频率CPCLK及第二驱动频率XCPCLK虽为 逆相的频率，但这些频率的振幅为PVDD。
30 在充电泵部中，N通道型的电荷传输晶体管MN1与P通道型电荷
传输晶体管MP1为串联连接，且在这些晶体管的栅极连接有第二飞驰
14电容器C2的另一方端子。再者，N通道型的电荷传输晶体管MN2与 P通道型电荷传输晶体管MP2为串联连接，且在这些晶体管的栅极连 接有第一飞驰电容器C1的另一方端子。第一飞驰电容器C1的另一方 端子连接于电荷传输晶体管MN1与电荷传输晶体管MP1的连接点， 5 第二飞驰电容器C2的另一方端子连接于电荷传输晶体管MN2与电荷 传输晶体管MP2的连接点。
N通道型的电荷传输晶体管MN1、MN2的共通源极施加有电源电 位PVDD。若忽略晶体管所导致的电压损失，则从P通道型电荷传输 晶体管MP1、 MP2的共通漏极输出PVDD的两倍的2PVDD正电源电 io 位及输出电流IVPP，以作为输出电位VPP。此外，在P通道型电荷传 输晶体管MP1、 MP2的共通漏极连接有平流用电容器C3。再者，电荷 传输晶体管是由TFT所形成。
参照图11的波形图说明此DC-DC变换器的平常状态动作。在第 一驱动频率CPCLK为H电位(PVDD)时，MN1、 MP2不导通，MN2、 15 MP1导通，MN1与MP1的连接节点的电位VI通过第一飞驰电容器 Cl的电容耦合而被升压至2PVDD，并经由MP1输出该电位。MN2与 MP2的连接节点的电位V2被充电至PVDD。
接着，当第一驱动频率CPCLK下降至L电位(PVSS)时，MN1、 MP2导通，MN2、 MP1不导通，电位V2通过第二飞驰电容器C2的 20 电容耦合而被升压至2PVDD，并经由MP2输出该电位。电位VI被充 电至PVDD。即，从DC-DC变换器左右的串联晶体管电路交替地输出 2PVDD。不过，晶体管所导致的电压损失未予考虑。
(第六实施方式）
其次，就使用输入电容器Cin的产生负电源电位的DC-DC变换器 25 加以说明。如图12所示，在该DC-DC变换器中，与第五实施方式的 电路相同，可获得同步于被输入到输入端子133的共通电极信号 VCOM的驱动频率，并达到相同效果。驱动频率经由前段缓冲电路131 及后段缓冲电路132被输入到第一飞驰电容器Cll的一方端子以作为 第一驱动频率CPCLK，并被输入到第二飞驰电容器C12的一方端子以 30 作为第二驱动频率XCPCLK。
在充电泵部中，N通道型的电荷传输晶体管MNll与P通道型电荷传输晶体管MPll虽串联连接，但MPll与MP12的共通源极施加有 接地电位PVSS，这点与第五实施方式的电路不同，从MN11与MN12 的共通漏极获得将PVDD予以乘上-1倍的-PVDD电位。再者，在MN11 、 MN12的共通漏极连接有平流用电容器C13。 5 参照图13就此DC-DC变换器的动作予以说明。在第一驱动频率
CPCLK为H电位(PVDD)时，MNll、 MP12为不导通，MN12、 MP11 为导通，MN11与MPll的连接节点的电位V3被充电至PVSS， MN12 与MP12的连接节点的电位V4下降至-PVDD，并经由MN12输出其电 位。
10 当第一驱动频率CPCLK成为L电位(PVSS)时，MNll、 MP12为
导通，MN12、 MP11为不导通，电位V3下降至-PVDD，且其电位经 由MN11被输出。电位V4被充电至PVSS。也就是说，从负电源产生 电路左右的串联晶体管电路交替地输出-PVDD电位。
再者，只要DC-DC变换器是利用飞驰电容器及电荷传输组件来转
15 换输出输入电位的电路，就不限定于上述实施方式的电路，也可将其 变形，或使用其它型态的电路。再者，DC-DC变换器的前段缓冲电路 131、后段缓冲电路132并不限定于上述实施方式，也可将其变形，或 使用其它型态的缓冲电路。更且，缓冲电路也可共用于产生正电位的 DC-DC变换器、产生负电位的DC-DC变换器。