液晶显示装置阵列基板转让专利
申请号 : CN200710170343.2
文献号 : CN100590504C
文献日 : 2010-02-17
发明人 : 钟德镇 , 简廷宪
申请人 : 昆山龙腾光电有限公司
摘要 :
本发明提供了一种具有新型像素结构的液晶显示装置阵列基板。该液晶显示装置阵列基板包括数据线；扫描线，扫描线与数据线交叉排列并限定多个像素区域，并且在扫描线上方设置有介质层；位于像素区域中的像素电极；与像素电极形成存储电容的存储电容电极线；所述液晶显示装置阵列基板的特征在于，在扫描线中与多个像素区域中的至少一个像素区域相对应部分的局部扫描线上方的介质层上设置有至少一个导电构件，并且该至少一个导电构件与存储电容电极线电性相通。根据本发明，导电构件的设置可以显著减小扫描线与公共透明电极之间的电场效应，由此可以减少感应电荷的产生，避免感应电荷对液晶分子排布的影响，从而可以显著改善显示质量。
权利要求 :
1.一种液晶显示装置阵列基板，其包括：
数据线；
扫描线，所述扫描线与所述数据线交叉排列并限定多个像素区域，并 且在所述扫描线上方设置有介质层；
位于所述像素区域中的像素电极；
与所述像素电极形成存储电容的存储电容电极线；
所述液晶显示装置阵列基板的特征在于，在所述扫描线中与所述多个 像素区域中的至少一个像素区域相对应部分的局部扫描线上方的介质层上 设置有至少一个导电构件，并且所述至少一个导电构件与所述存储电容电 极线电性相通。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于，在与 所述多个像素区域中的每个像素区域相对应部分的局部扫描线上方的介质 层上均设置所述导电构件，并且所述导电构件均与所述存储电容电极线电 性相通。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所 述导电构件的主体部分沿所述扫描线方向延伸。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述导 电构件的尺寸与所述扫描线中与一个像素区域相对应部分的局部扫描线的 尺寸相适应。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述介 质层包括栅极绝缘层。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述介 质层包括栅极绝缘层和钝化层。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述导 电构件与所述像素电极采用相同的材料，并且在相同的工序中被设置。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述液 晶显示装置阵列基板还包括所述存储电容电极线在相应的像素区域内沿所 述数据线方向延伸的存储电容电极线延伸部分，并且所述导电构件通过通 孔与其最接近的两个存储电容电极线延伸部分均电性连接。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述液 晶显示装置阵列基板还包括所述存储电容电极线在相应的像素区域内沿所 述数据线方向延伸的存储电容电极线延伸部分，并且所述导电构件仅通过 通孔与其最接近的一个存储电容电极线延伸部分电性连接。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置阵列基板，所述液晶显示装置 阵列基板还包括多个扫描信号引入线，并且所述多个扫描信号引入线中的 每个扫描信号引入线的一端与相应的所述扫描线相连接，用于将扫描信号 引入到所述扫描线，所述液晶显示装置阵列基板的特征在于，辅助导电层被设置在所述多 个扫描信号引入线上方以用于与所述多个扫描信号引入线形成辅助电容， 并且所述辅助导电层与所述存储电容电极线电性相通。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述 辅助导电层的形状与所述多个扫描信号引入线的布线长度相适应，以使得 所述辅助导电层与所述多个扫描信号引入线中的每个扫描信号引入线所形 成的辅助电容的大小基本相等。
12.如权利要求10所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述 液晶显示装置阵列基板还包括所述存储电容电极线在相应的像素区域内沿 所述数据线方向延伸的存储电容电极线延伸部分，并且所述辅助导电层通 过通孔与所述存储电容电极线延伸部分电性连接。
13.如权利要求10所述的液晶显示装置阵列基板，其特征在于所述 辅助导电层与所述像素电极采用相同的材料，并且在相同的工序中被设 置。
说明书 :
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，更具体地涉及一种具有新型像素结构的液 晶显示装置阵列基板。
背景技术
由于液晶显示装置具有轻、薄、低耗电等优点，因此被广泛应用于笔 记本计算机、移动电话及个人数字助理等现代化信息设备。
如图1所示的为现有技术中液晶显示装置的像素结构示意图，为了清 楚表示，图1中省略了液晶层和彩色滤光片一侧的布置，只示意了阵列基 板侧的像素结构。其中，11为扫描线，12为数据线，多条扫描线与多条 数据线垂直交叉排列，限定多个像素区域，在各条扫描线与数据线交叉附 近的位置设置薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，该TFT由源极 121、漏极14及栅极组成，其中源极121电连接到数据线12，漏极14通 过通孔15电连接到像素电极16，栅极电连接到扫描线11(如图所示，栅 极实际为扫描线的一部分)。13为存储电容电极线，其作用是与像素电极 16构成存储电容，以此来保持施加于像素电极上的电压，131为存储电容 电极线在像素区域内沿着数据线方向延伸的部分，其作用为：可以增大存 储电容，同时可以屏蔽像素电极与数据线相互间的电场影响。
在液晶显示装置工作状态下，通过TFT的开关控制来把数据信号从数 据线12传输到像素电极16上，并且通过存储电容保持像素电极16上的电 压。如图1所示，在沿着数据线方向排列的两个像素电极16和16’被扫描 线11分隔开。通常情况下，相邻像素电极上被施加的电压不同，因此在 相邻两个像素之间会产生电场效应。
图2是图1中沿着I-I方向的剖面图，为了表示的简单起见，图2中省 略了液晶层的布置，只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置。其中 101为下玻璃基板，扫描线11被设置于下玻璃基板上，在扫描线上方依次 为栅极绝缘膜102和钝化层103，像素电极16被设置于钝化层103上，但 是在扫描线正上方无像素电极的存在，配向膜104被设置于所有层的上 方。在与下玻璃基板相对的上玻璃基板108上，设置有滤色单元107和遮 光单元109，而后依次设置有公共透明电极106和配向膜105。如图所 示，一般情况下，在液晶显示装置工作时，在扫描线的正上方的配向膜 104上会产生感应电荷17，一方面是上面提到的相邻像素电极16和16’之 间的电场效应使得在扫描线上方产生感应电荷，另一方面是由于扫描线11 与公共透明电极106之间所存在的电压差所产生的感应电荷。需要注意的 是，这里感应电荷17被显示为正电荷，但是这只是示例性的，实际上感 应电荷17也可能是负电荷，感应电荷17的正负取决于产生感应电荷17的 电场方向。另外，在本发明的其它附图中，与图2中的情况相同，感应电 荷也都被显示为正电荷，但是都只是示例性的，感应电荷也同样可能是负 电荷。
一般情况下，这些感应电荷的存在，不会影响显示质量，然而当由于 画面显示的需要使得像素电极长时间处于如图3A所示的状态时，就会影 响后续的画面显示质量。具体而言，如图3A所示，扫描线11上方的像素 显示为高灰阶，其像素电极16’上的电压为低电压，扫描线11下方的像素 显示为低灰阶，其像素电极16上的电压为高电压。因此由于像素电极16 和16’之间存在的电场效应所引起的感应电荷17分布于像素电极16和16’ 之间的扫描线11的上方，并且在这种情况下，因为像素电极16上具有更 高电压，所以靠近像素电极16的感应电荷的数量与靠近像素电极16’的感 应电荷的数量相比要多一些。另外，箭头19示意性地表示配向膜的摩擦 方向，经过摩擦配向后，液晶分子按照预定的方向排列，液晶分子与配向 膜表面之间形成预倾角。
图3B是图3A沿着I-I方向的剖视图，为了表示的简单起见，图3B中 只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置和受到感应电荷17的影响 的一层液晶分子18。其中，在下玻璃基板101上设置扫描线11，在扫描 线11上方依次为栅极绝缘膜102和钝化层103，像素电极16和16’被置于 钝化层103上，配向膜104被设置于所有层的上方。在与下玻璃基板101 相对的上玻璃基板108上，设置有滤色单元107和遮光单元109，而后依 次为公共透明电极106和配向膜105。
如上所述，由于相邻像素电极16和16’之间存在电场效应，所以在像 素电极16和16’之间的扫描线11的上方会产生感应电荷。此外，在进行 显示驱动时，扫描线11的电压一般为-6V到-10V，而公共透明电极106 上的电压为+4.5V左右，两者之间存在较大的电压差，最大时接近 14.5V，因此在两者之间会产生较大的电场，同时也会产生较多的感应电 荷。因此，如图所示，在扫描线的正上方的配向膜104上，分布有感应电 荷17，并且如上所述，靠近像素电极16的感应电荷相对较多。另外，如 图所示，配向膜104经过配向处理后，使得液晶分子18按照一定方向排 列，并且液晶分子18与玻璃基板之间形成预倾角。
需要注意的是，感应电荷17的存在使得在感应电荷17与像素电极之 间形成电场，从而影响液晶分子的排列，改变液晶分子的预倾角。如图 3B所示，存在感应电荷的地方都可能影响液晶分子的排列(注意，为了表 示的简单起见，这里只示意了感应电荷对靠近像素电极16的液晶分子的 排列的影响)，而在靠近像素电极16的地方感应电荷最多，因此产生的 电场也相应的最大，在该电场作用下，位于像素电极16附近的那部分液 晶分子18’的预倾角被拉大，预倾角的增大会带来漏光等显示缺陷。例如 图3C中所示，当像素电极16和16’从图3A所示的显示状态转变为中等灰 阶显示状态时，在像素电极16靠近扫描线的部分区域31，会出现漏光的 现象，由此造成较差的显示画面品质。
如图1所示的为现有技术中液晶显示装置的像素结构示意图，为了清 楚表示，图1中省略了液晶层和彩色滤光片一侧的布置，只示意了阵列基 板侧的像素结构。其中，11为扫描线，12为数据线，多条扫描线与多条 数据线垂直交叉排列，限定多个像素区域，在各条扫描线与数据线交叉附 近的位置设置薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，该TFT由源极 121、漏极14及栅极组成，其中源极121电连接到数据线12，漏极14通 过通孔15电连接到像素电极16，栅极电连接到扫描线11(如图所示，栅 极实际为扫描线的一部分)。13为存储电容电极线，其作用是与像素电极 16构成存储电容，以此来保持施加于像素电极上的电压，131为存储电容 电极线在像素区域内沿着数据线方向延伸的部分，其作用为：可以增大存 储电容，同时可以屏蔽像素电极与数据线相互间的电场影响。
在液晶显示装置工作状态下，通过TFT的开关控制来把数据信号从数 据线12传输到像素电极16上，并且通过存储电容保持像素电极16上的电 压。如图1所示，在沿着数据线方向排列的两个像素电极16和16’被扫描 线11分隔开。通常情况下，相邻像素电极上被施加的电压不同，因此在 相邻两个像素之间会产生电场效应。
图2是图1中沿着I-I方向的剖面图，为了表示的简单起见，图2中省 略了液晶层的布置，只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置。其中 101为下玻璃基板，扫描线11被设置于下玻璃基板上，在扫描线上方依次 为栅极绝缘膜102和钝化层103，像素电极16被设置于钝化层103上，但 是在扫描线正上方无像素电极的存在，配向膜104被设置于所有层的上 方。在与下玻璃基板相对的上玻璃基板108上，设置有滤色单元107和遮 光单元109，而后依次设置有公共透明电极106和配向膜105。如图所 示，一般情况下，在液晶显示装置工作时，在扫描线的正上方的配向膜 104上会产生感应电荷17，一方面是上面提到的相邻像素电极16和16’之 间的电场效应使得在扫描线上方产生感应电荷，另一方面是由于扫描线11 与公共透明电极106之间所存在的电压差所产生的感应电荷。需要注意的 是，这里感应电荷17被显示为正电荷，但是这只是示例性的，实际上感 应电荷17也可能是负电荷，感应电荷17的正负取决于产生感应电荷17的 电场方向。另外，在本发明的其它附图中，与图2中的情况相同，感应电 荷也都被显示为正电荷，但是都只是示例性的，感应电荷也同样可能是负 电荷。
一般情况下，这些感应电荷的存在，不会影响显示质量，然而当由于 画面显示的需要使得像素电极长时间处于如图3A所示的状态时，就会影 响后续的画面显示质量。具体而言，如图3A所示，扫描线11上方的像素 显示为高灰阶，其像素电极16’上的电压为低电压，扫描线11下方的像素 显示为低灰阶，其像素电极16上的电压为高电压。因此由于像素电极16 和16’之间存在的电场效应所引起的感应电荷17分布于像素电极16和16’ 之间的扫描线11的上方，并且在这种情况下，因为像素电极16上具有更 高电压，所以靠近像素电极16的感应电荷的数量与靠近像素电极16’的感 应电荷的数量相比要多一些。另外，箭头19示意性地表示配向膜的摩擦 方向，经过摩擦配向后，液晶分子按照预定的方向排列，液晶分子与配向 膜表面之间形成预倾角。
图3B是图3A沿着I-I方向的剖视图，为了表示的简单起见，图3B中 只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置和受到感应电荷17的影响 的一层液晶分子18。其中，在下玻璃基板101上设置扫描线11，在扫描 线11上方依次为栅极绝缘膜102和钝化层103，像素电极16和16’被置于 钝化层103上，配向膜104被设置于所有层的上方。在与下玻璃基板101 相对的上玻璃基板108上，设置有滤色单元107和遮光单元109，而后依 次为公共透明电极106和配向膜105。
如上所述，由于相邻像素电极16和16’之间存在电场效应，所以在像 素电极16和16’之间的扫描线11的上方会产生感应电荷。此外，在进行 显示驱动时，扫描线11的电压一般为-6V到-10V，而公共透明电极106 上的电压为+4.5V左右，两者之间存在较大的电压差，最大时接近 14.5V，因此在两者之间会产生较大的电场，同时也会产生较多的感应电 荷。因此，如图所示，在扫描线的正上方的配向膜104上，分布有感应电 荷17，并且如上所述，靠近像素电极16的感应电荷相对较多。另外，如 图所示，配向膜104经过配向处理后，使得液晶分子18按照一定方向排 列，并且液晶分子18与玻璃基板之间形成预倾角。
需要注意的是，感应电荷17的存在使得在感应电荷17与像素电极之 间形成电场，从而影响液晶分子的排列，改变液晶分子的预倾角。如图 3B所示，存在感应电荷的地方都可能影响液晶分子的排列(注意，为了表 示的简单起见，这里只示意了感应电荷对靠近像素电极16的液晶分子的 排列的影响)，而在靠近像素电极16的地方感应电荷最多，因此产生的 电场也相应的最大，在该电场作用下，位于像素电极16附近的那部分液 晶分子18’的预倾角被拉大，预倾角的增大会带来漏光等显示缺陷。例如 图3C中所示，当像素电极16和16’从图3A所示的显示状态转变为中等灰 阶显示状态时，在像素电极16靠近扫描线的部分区域31，会出现漏光的 现象，由此造成较差的显示画面品质。
发明内容
为解决上述由于感应电荷的影响而造成的显示画面品质较差的问题， 本发明提供了一种具有新型像素结构的液晶显示装置阵列基板。该液晶显 示装置阵列基板包括像素电极；与所述像素电极形成存储电容的存储电容 电极线；数据线；以及扫描线，所述扫描线与所述数据线交叉排列并限定 多个像素区域，并且在所述扫描线上方设置有介质层，所述液晶显示装置 阵列基板的特征在于，在所述扫描线中与所述多个像素区域中的至少一个 像素区域相对应部分的局部扫描线上方的介质层上设置有至少一个导电构 件，并且所述至少一个导电构件与所述存储电容电极线电性相通。
在上述的液晶显示装置阵列基板中，可以根据需要，在与所述多个像 素区域中的每个像素区域或大多数像素区域相对应部分的局部扫描线上方 的介质层上均设置所述导电构件，并且所述导电构件均与所述存储电容电 极线电性相通。此外，所述导电构件优选地沿扫描线方向延伸，并且其尺 寸与所述扫描线中与一个像素区域相对应部分的局部扫描线的尺寸相适 应。
由于在扫描线的上方设置导电构件，因此可以屏蔽扫描线与公共透明 电极之间的电场效应，同时由于导电构件与接收公共电压的存储电容电极 线电性相通，使得其与公共透明电极具有相同电位，显著减小电场效应， 由此可以减少感应电荷的产生，避免感应电荷对液晶分子排布的影响，从 而可以显著改善显示质量。
另外，针对在扫描线的上方设置导电构件以后可能出现的显示画面闪 烁和粘连问题，本发明提供了进一步的改进结构，即在该液晶显示装置阵 列基板中与多个扫描线相连接并且用于引入扫描信号的多个扫描信号引入 线上方，设置辅助导电层以与所述多个扫描信号引入线形成辅助电容。该 辅助电容的引入使得在扫描信号引入线上承载了扫描线上的大部分负载， 从而减小了馈通电压效应对显示画面带来的影响，进一步改善显示画面的 质量。
在上述的液晶显示装置阵列基板中，可以根据需要，在与所述多个像 素区域中的每个像素区域或大多数像素区域相对应部分的局部扫描线上方 的介质层上均设置所述导电构件，并且所述导电构件均与所述存储电容电 极线电性相通。此外，所述导电构件优选地沿扫描线方向延伸，并且其尺 寸与所述扫描线中与一个像素区域相对应部分的局部扫描线的尺寸相适 应。
由于在扫描线的上方设置导电构件，因此可以屏蔽扫描线与公共透明 电极之间的电场效应，同时由于导电构件与接收公共电压的存储电容电极 线电性相通，使得其与公共透明电极具有相同电位，显著减小电场效应， 由此可以减少感应电荷的产生，避免感应电荷对液晶分子排布的影响，从 而可以显著改善显示质量。
另外，针对在扫描线的上方设置导电构件以后可能出现的显示画面闪 烁和粘连问题，本发明提供了进一步的改进结构，即在该液晶显示装置阵 列基板中与多个扫描线相连接并且用于引入扫描信号的多个扫描信号引入 线上方，设置辅助导电层以与所述多个扫描信号引入线形成辅助电容。该 辅助电容的引入使得在扫描信号引入线上承载了扫描线上的大部分负载， 从而减小了馈通电压效应对显示画面带来的影响，进一步改善显示画面的 质量。
附图说明
图1是现有技术中液晶显示装置阵列基板侧的像素结构的示意图；
图2是图1中沿I-I方向的剖面图；
图3A示意性地示出了液晶显示装置的像素电极的一种示例性工作状 态；
图3B是图3A中沿I-I方向的剖面图；
图3C示意性地示出了液晶显示装置的像素电极的另一种示例性工作 状态；
图4A是根据本发明的液晶显示装置阵列基板侧的像素结构的示意 图；
图4B是图4A中沿II-II方向的剖面图；
图4C是图4A中沿III-III方向的剖面图；
图5A是说明扫描信号的RC延迟对像素电极的ΔVp的影响的示意 图；
图5B示意了由于扫描信号的RC延迟所引起的像素电极的ΔVp沿扫 描线方向变化的曲线图；
图6A是根据本发明的液晶显示面板的整体示意图；
图6B是图6A中的扫描线连接区域56的局部放大图；
图6C是图6B中沿IV-IV方向的剖面图；
图7示意了在扫描信号引入线上设置辅助导电层前后像素电极的ΔVp 沿扫描线方向变化的对比图。
图2是图1中沿I-I方向的剖面图；
图3A示意性地示出了液晶显示装置的像素电极的一种示例性工作状 态；
图3B是图3A中沿I-I方向的剖面图；
图3C示意性地示出了液晶显示装置的像素电极的另一种示例性工作 状态；
图4A是根据本发明的液晶显示装置阵列基板侧的像素结构的示意 图；
图4B是图4A中沿II-II方向的剖面图；
图4C是图4A中沿III-III方向的剖面图；
图5A是说明扫描信号的RC延迟对像素电极的ΔVp的影响的示意 图；
图5B示意了由于扫描信号的RC延迟所引起的像素电极的ΔVp沿扫 描线方向变化的曲线图；
图6A是根据本发明的液晶显示面板的整体示意图；
图6B是图6A中的扫描线连接区域56的局部放大图；
图6C是图6B中沿IV-IV方向的剖面图；
图7示意了在扫描信号引入线上设置辅助导电层前后像素电极的ΔVp 沿扫描线方向变化的对比图。
具体实施方式
以下将参照附图详细说明本发明的示例性实施方式。
图4A为根据本发明的液晶显示装置的像素结构的示意图，为了清楚表 示，图4A中省略了液晶层和彩色滤光片一侧的布置，只示意了阵列基板 侧的像素布置。其中，41为扫描线，42为数据线，多条扫描线与数据线 垂直交叉排列，限定多个像素区域，在各条扫描线与数据线交叉附近的位 置设置有薄膜晶体管(TFT)，该TFT由源极421、漏极44及栅极组成， 其中源极421电连接到数据线42，漏极44通过通孔451电连接到像素电 极46，栅极电连接到扫描线41(图中所示，栅极实际为扫描线41的一部 分)。43为存储电容电极线，其作用是与像素电极46构成存储电容，以 此来保持施加于像素电极上的电压，431为存储电容电极线43在像素区域 内沿着数据线方向延伸的部分，其作用为：可以增大存储电容，同时可以 屏蔽像素电极与数据线相互间的电场影响。
在本发明的液晶显示装置的像素结构中，在扫描线41中与像素区域 相对应部分的局部扫描线的上方设置有一导电构件47，该导电构件47沿 扫描线方向延伸，并且通过通孔452与存储电容电极线延伸部分431电性 连接，因此存储电容电极线43的电信号可以通过通孔452传递到导电构 件47上。在本发明中，导电构件47优选地是由氧化铟锡(ITO)材料所 形成的导电薄层。当然，导电构件47并不局限于是这种导电薄层结构， 也可以是使用其它导电材料形成的其它结构。此外，如图4A所示，与一 个像素电极46相对应的存储电容电极线延伸部分431通过两个通孔452分 别与上下两条扫描线41上方的导电构件47相连接。为了与存储电容电极 线延伸部分相连接，导电构件47沿数据线方向有相应的延伸部分，但是 应当注意的是，这些延伸部分只是为了连接的目的，而导电构件47的主 体部分是沿扫描线方向延伸的。
另外，需要注意的是，上述连接方式只是示例性的，导电构件47与 存储电容电极线延伸部分431可以按其它方式相连接，例如上述存储电容 电极延伸部分431可以只与一条扫描线上方的导电构件通过通孔相连接。 换言之，只要导电构件47与存储电容电极线延伸部分431电性连接，也 就是导电构件47与存储电容电极线43电性连接即可，具体连接方式不局 限于图4A中所示的方式。另外，也可以采用除了通孔连接以外的连接方 式。
图4B为图4A中沿II-II方向的剖视图，为了表示的简单起见，图4B 中省略了液晶层的布置，只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置。 如图所示，在下玻璃基板401上设置了扫描线41，在扫描线41上方依次 为栅极绝缘膜402和钝化层403，像素电极46被设置于钝化层403上，导 电构件47被设置于扫描线41的上方，配向膜404被设置于所有层的上 方。在与下玻璃基板相对的上玻璃基板408上，设置有滤色单元407和遮 光单元409，而后依次为公共透明电极406和配向膜405。在本实施例 中，导电构件47优选的被设置在钝化层403上，并且与像素电极46使用 相同的材质(如透明导电材料氧化铟锡ITO)且在同一制程中完成。但是 应当注意，导电构件47也可以使用其它材料，并且也可以被设置在扫描 线41上方的其它层上，例如被设置在栅极绝缘膜402上，只要导电构件 47与扫描线41非电性相通即可。
图4C为图4A中沿着III-III方向的剖视图，同样，图4C中省略了液 晶层的布置，只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置。如图所示， 通孔452贯穿钝化层403与栅极绝缘膜402，使得导电构件47可以借助通 孔452与存储电容电极线延伸部分431电性连接。在本实施例中，通孔 452与通孔451优选在同一制程中实现。
在本发明中，将导电构件47置于扫描线41的上方，因此扫描线41与 公共透明电极406之间的电场被屏蔽。如图4B所示，导电构件47的尺寸 优选地与扫描线41中与像素区域相对应部分的局部扫描线的尺寸相适 应，即导电构件47应当尽可能地遮盖与像素区域相对应部分的扫描线， 从而最大程度地屏蔽扫描线41与公共透明电极406之间的电场。另外， 由于导电构件47与存储电容电极线延伸部分431电性相通，因此导电构 件47与存储电容电极线43的电压相同。在本领域中，存储电容电极线43 的电压一般大致为+4.5V，而公共透明电极406的电压也大致为+4.5V，因 此在导电构件47与公共透明电极406基本上等电位，所以这两者之间的 电场效应不会太明显，产生的感应电荷也相对少得多，这样就可以大大减 小感应电荷对液晶分子排列的影响，从而减少上述的漏光现象，可以显著 改善显示质量。
但是，根据本发明的如图4A所示的像素布置，由于导电构件47的存 在，会在导电构件47与扫描线41之间形成比较大的寄生电容，从而增大 了扫描线41上的布线电容，进而产生比较大的扫描信号延迟。
具体而言，由于实际上每根扫描线都具有一定布线电阻和布线电容， 因此扫描信号会受到扫描线的电阻电容(RC)效应的影响而改变扫描信号 的波形，也就是常说的产生扫描信号延迟。如图3B所示，在未设置导电 构件47的结构中，扫描线11的布线电容主要是扫描线11和与其相对的公 共透明电极106之间的寄生电容，该电容可以看作是以栅极绝缘层102和 钝化层103为介质所形成的第一电容C1与以配向膜104和105以及液晶 层为介质所形成的第二电容C2的串联。
而如图4B所示，在扫描线41的上方设置导电构件47，并且如上所 述，导电构件47与公共透明电极406基本上等电位，因而在这种情况 下，扫描线41与公共透明电极406之间的电场被屏蔽，所以此时扫描线 41的布线电容主要是扫描线41与导电构件47之间的寄生电容。如图所 示，扫描线41与导电构件47之间的寄生电容主要是以栅极绝缘层402和 钝化层403(实际上就是图3B中所示的栅极绝缘层102和钝化层103)为 介质所形成的第一电容C1。当然，由于导电构件47与存储电容电极线电 性连接，而且各个存储电容电极线通常是电性相通的，所以整个液晶显示 面板中的各个像素电极所对应的存储电容Cs的并联值Cs’会通过导电构件 47对扫描线41上的布线电容产生影响。另外，与导电构件47电性相通的 其它导电构件与相应的扫描线之间的电容C1’也会通过该导电构件47对扫 描线41上的布线电容产生影响。但是，由于上述Cs’和C1’对扫描线41上 的布线电容的影响相对于C1来说是很小的，所以此时扫描线41上的布线 电容实际上就近似等于C1。
从以上分析可以看出，在扫描线上设置导电构件47之后，使得扫描 线的布线电容增大(第一电容C1必然大于第一电容C1与第二电容C2的 串联值)，从而可能会引起较大的扫描信号延迟，而扫描信号延迟会带来 图像闪烁或者影像粘着等显示缺陷。为了克服这种显示缺陷，本发明下面 将提供改进的液晶显示面板结构。首先引入馈通电压ΔVp的概念来具体 说明扫描信号延迟所引起的显示缺陷。
如图5A所示，由于与像素电极相连接的薄膜晶体管存在馈通效应， 当扫描信号结束的瞬间，即薄膜晶体管的栅极关闭的瞬间，会使得像素电 极的电位降低，从而在薄膜晶体管关闭前后，像素电极的电位存在一个电 位差，这个电位差就被称为馈通电压ΔVp。由于馈通电压的存在，使得在 薄膜晶体管关闭前后，液晶显示面板具有不同的光通过率和亮度，亦即出 现闪烁，从而影响液晶显示面板的显示品质。另一方面，由于扫描线上存 在RC延迟，使得同一条扫描线上相连接的像素电极所接收到的扫描信号 存在差异，如图5A中所示，从而在同一条扫描线上，后面的像素电极 (例如，与第N像素相对应的像素电极)相对于前面的像素电极(例如， 与第1像素相对应的像素电极)而言，馈通电压ΔVp变小，因此前后像素 电极之间存在一定的馈通电压差ΔVpd，而馈通电压差的存在就很自然地 导致液晶显示面板上的图像粘连的问题。
图5B示意了由于扫描信号的RC延迟所引起的像素电极的ΔVp沿扫 描线方向变化的曲线图。如图5B所示，A、B和C分别表示沿扫描线方向 上的三个点，可以看出前面的像素电极之间(A到B)的ΔVp变化很明 显，而这种ΔVp变化沿扫描线方向逐渐减小，因而后面的像素电极之间 (B到C)的ΔVp变化很小。
下面具体描述为了解决上述结构所产生的问题，本发明对上述液晶显 示面板结构的改进。简单地说，就是在扫描信号引入区域同样设置一个与 存储电容电极线43电性相通的辅助导电层，如图6A所示。
图6A示意了液晶显示面板的整体示意图，为了清楚表示，图6A中省 略了液晶层和彩色滤光片一侧的结构，只示意了阵列基板侧的整体结构。 54为显示区域，55为非显示区域。图6B为图6A中扫描信号引入区56的 局部放大图，其中51为扫描信号接入端，52为扫描信号引入线，该扫描 信号引入线52的一端连接扫描信号接入端51，另一端连接扫描线41，扫 描信号经扫描信号接入端51接入，再经由扫描信号引入线52传递至扫描 线41上。
如图6B所示，将多个扫描信号引入线52作为一个整体，在其上方设 置辅助导电层57，该辅助导电层57与存储电容电极线43(未示出)电性 相通，优选的是该辅助导电层57通过通孔与存储电容电极线延伸部分431 或存储电容电极线43电性连接。另外，优选地，该辅助导电层57的形状 与扫描信号引入线52的布线长度相适应，以保证该辅助导电层57与每一 条扫描信号引入线52所形成的辅助电容的大小基本相等。如图6B所示， 多条扫描信号引入线52排列成扇形。位于两边的扫描信号引入线相较于 中间的扫描信号引入线来得长，因此辅助导电层的形状可以设计成 或者等，以保证针对每条扫描线信号引入线的辅助电容的大小大致 相同。
图6C是图6B沿着VI-VI方向的剖视图，在下玻璃基板401上设置了 扫描信号引入线52，在该引入线上方依次为栅极绝缘膜402、钝化层 403、辅助导电层57和配向膜404。在与下玻璃基板相对的上玻璃基板 408上，设置有遮光单元409，而后依次为公共透明电极406和配向膜 405。在本实施例中，辅助导电层57可以使用导电透明材料，并且优选的 被设置在钝化层403上。但是应当注意，辅助导电层57也可以使用其它 材料，并且也可以被设置在扫描信号引入线52上方的其它层上，例如被 设置在栅极绝缘膜402上，只要辅助导电层57与扫描信号引入线52非电 性相通即可。扫描信号引入线52与辅助导电层57之间形成辅助电容53。
与上述参考图4B所描述的在扫描线上方设置导电构件47并使其与存 储电容电极线电性连接之后使得扫描线上的布线电容增大的原理相类似， 在扫描信号引入线52上方设置辅助导电层57并使该辅助导电层与存储电 容电极线电性连接之后，扫描信号引入线52上的布线电容增大。
图7示意了在扫描信号引入线上设置辅助导电层前后像素电极的ΔVp 沿扫描线方向变化的对比图。其中，左边是设置辅助导电层之前像素电极 的ΔVp沿扫描线方向变化的曲线图，右边是设置辅助导电层之后像素电 极的ΔVp沿扫描线方向变化的曲线图。如图所示，由于辅助导电层的设 置导致扫描信号引入线52上的布线电容增大，使得扫描信号引入线52承 载了扫描线上的大部分负载，从而使得在扫描线的开始部分(如A所 示)，像素电极的ΔVp就比较小，而且ΔVp沿扫描线方向的变化ΔVpd 也很小。这样，由于ΔVp和ΔVpd的减小，从而减轻了上述液晶显示面板 显示图像的闪烁和粘连现象。
以上是对本发明的优选实施例的详细描述，但是对这些实施例的说明 只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而不希望限制本发明的范 围；同时，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施 方式及应用范围上还会有各种变化和改型，这些变化和改型均落入所附权 利要求所限定的本发明的范围内。
图4A为根据本发明的液晶显示装置的像素结构的示意图，为了清楚表 示，图4A中省略了液晶层和彩色滤光片一侧的布置，只示意了阵列基板 侧的像素布置。其中，41为扫描线，42为数据线，多条扫描线与数据线 垂直交叉排列，限定多个像素区域，在各条扫描线与数据线交叉附近的位 置设置有薄膜晶体管(TFT)，该TFT由源极421、漏极44及栅极组成， 其中源极421电连接到数据线42，漏极44通过通孔451电连接到像素电 极46，栅极电连接到扫描线41(图中所示，栅极实际为扫描线41的一部 分)。43为存储电容电极线，其作用是与像素电极46构成存储电容，以 此来保持施加于像素电极上的电压，431为存储电容电极线43在像素区域 内沿着数据线方向延伸的部分，其作用为：可以增大存储电容，同时可以 屏蔽像素电极与数据线相互间的电场影响。
在本发明的液晶显示装置的像素结构中，在扫描线41中与像素区域 相对应部分的局部扫描线的上方设置有一导电构件47，该导电构件47沿 扫描线方向延伸，并且通过通孔452与存储电容电极线延伸部分431电性 连接，因此存储电容电极线43的电信号可以通过通孔452传递到导电构 件47上。在本发明中，导电构件47优选地是由氧化铟锡(ITO)材料所 形成的导电薄层。当然，导电构件47并不局限于是这种导电薄层结构， 也可以是使用其它导电材料形成的其它结构。此外，如图4A所示，与一 个像素电极46相对应的存储电容电极线延伸部分431通过两个通孔452分 别与上下两条扫描线41上方的导电构件47相连接。为了与存储电容电极 线延伸部分相连接，导电构件47沿数据线方向有相应的延伸部分，但是 应当注意的是，这些延伸部分只是为了连接的目的，而导电构件47的主 体部分是沿扫描线方向延伸的。
另外，需要注意的是，上述连接方式只是示例性的，导电构件47与 存储电容电极线延伸部分431可以按其它方式相连接，例如上述存储电容 电极延伸部分431可以只与一条扫描线上方的导电构件通过通孔相连接。 换言之，只要导电构件47与存储电容电极线延伸部分431电性连接，也 就是导电构件47与存储电容电极线43电性连接即可，具体连接方式不局 限于图4A中所示的方式。另外，也可以采用除了通孔连接以外的连接方 式。
图4B为图4A中沿II-II方向的剖视图，为了表示的简单起见，图4B 中省略了液晶层的布置，只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置。 如图所示，在下玻璃基板401上设置了扫描线41，在扫描线41上方依次 为栅极绝缘膜402和钝化层403，像素电极46被设置于钝化层403上，导 电构件47被设置于扫描线41的上方，配向膜404被设置于所有层的上 方。在与下玻璃基板相对的上玻璃基板408上，设置有滤色单元407和遮 光单元409，而后依次为公共透明电极406和配向膜405。在本实施例 中，导电构件47优选的被设置在钝化层403上，并且与像素电极46使用 相同的材质(如透明导电材料氧化铟锡ITO)且在同一制程中完成。但是 应当注意，导电构件47也可以使用其它材料，并且也可以被设置在扫描 线41上方的其它层上，例如被设置在栅极绝缘膜402上，只要导电构件 47与扫描线41非电性相通即可。
图4C为图4A中沿着III-III方向的剖视图，同样，图4C中省略了液 晶层的布置，只示意了彩色滤光片一侧和阵列基板侧的布置。如图所示， 通孔452贯穿钝化层403与栅极绝缘膜402，使得导电构件47可以借助通 孔452与存储电容电极线延伸部分431电性连接。在本实施例中，通孔 452与通孔451优选在同一制程中实现。
在本发明中，将导电构件47置于扫描线41的上方，因此扫描线41与 公共透明电极406之间的电场被屏蔽。如图4B所示，导电构件47的尺寸 优选地与扫描线41中与像素区域相对应部分的局部扫描线的尺寸相适 应，即导电构件47应当尽可能地遮盖与像素区域相对应部分的扫描线， 从而最大程度地屏蔽扫描线41与公共透明电极406之间的电场。另外， 由于导电构件47与存储电容电极线延伸部分431电性相通，因此导电构 件47与存储电容电极线43的电压相同。在本领域中，存储电容电极线43 的电压一般大致为+4.5V，而公共透明电极406的电压也大致为+4.5V，因 此在导电构件47与公共透明电极406基本上等电位，所以这两者之间的 电场效应不会太明显，产生的感应电荷也相对少得多，这样就可以大大减 小感应电荷对液晶分子排列的影响，从而减少上述的漏光现象，可以显著 改善显示质量。
但是，根据本发明的如图4A所示的像素布置，由于导电构件47的存 在，会在导电构件47与扫描线41之间形成比较大的寄生电容，从而增大 了扫描线41上的布线电容，进而产生比较大的扫描信号延迟。
具体而言，由于实际上每根扫描线都具有一定布线电阻和布线电容， 因此扫描信号会受到扫描线的电阻电容(RC)效应的影响而改变扫描信号 的波形，也就是常说的产生扫描信号延迟。如图3B所示，在未设置导电 构件47的结构中，扫描线11的布线电容主要是扫描线11和与其相对的公 共透明电极106之间的寄生电容，该电容可以看作是以栅极绝缘层102和 钝化层103为介质所形成的第一电容C1与以配向膜104和105以及液晶 层为介质所形成的第二电容C2的串联。
而如图4B所示，在扫描线41的上方设置导电构件47，并且如上所 述，导电构件47与公共透明电极406基本上等电位，因而在这种情况 下，扫描线41与公共透明电极406之间的电场被屏蔽，所以此时扫描线 41的布线电容主要是扫描线41与导电构件47之间的寄生电容。如图所 示，扫描线41与导电构件47之间的寄生电容主要是以栅极绝缘层402和 钝化层403(实际上就是图3B中所示的栅极绝缘层102和钝化层103)为 介质所形成的第一电容C1。当然，由于导电构件47与存储电容电极线电 性连接，而且各个存储电容电极线通常是电性相通的，所以整个液晶显示 面板中的各个像素电极所对应的存储电容Cs的并联值Cs’会通过导电构件 47对扫描线41上的布线电容产生影响。另外，与导电构件47电性相通的 其它导电构件与相应的扫描线之间的电容C1’也会通过该导电构件47对扫 描线41上的布线电容产生影响。但是，由于上述Cs’和C1’对扫描线41上 的布线电容的影响相对于C1来说是很小的，所以此时扫描线41上的布线 电容实际上就近似等于C1。
从以上分析可以看出，在扫描线上设置导电构件47之后，使得扫描 线的布线电容增大(第一电容C1必然大于第一电容C1与第二电容C2的 串联值)，从而可能会引起较大的扫描信号延迟，而扫描信号延迟会带来 图像闪烁或者影像粘着等显示缺陷。为了克服这种显示缺陷，本发明下面 将提供改进的液晶显示面板结构。首先引入馈通电压ΔVp的概念来具体 说明扫描信号延迟所引起的显示缺陷。
如图5A所示，由于与像素电极相连接的薄膜晶体管存在馈通效应， 当扫描信号结束的瞬间，即薄膜晶体管的栅极关闭的瞬间，会使得像素电 极的电位降低，从而在薄膜晶体管关闭前后，像素电极的电位存在一个电 位差，这个电位差就被称为馈通电压ΔVp。由于馈通电压的存在，使得在 薄膜晶体管关闭前后，液晶显示面板具有不同的光通过率和亮度，亦即出 现闪烁，从而影响液晶显示面板的显示品质。另一方面，由于扫描线上存 在RC延迟，使得同一条扫描线上相连接的像素电极所接收到的扫描信号 存在差异，如图5A中所示，从而在同一条扫描线上，后面的像素电极 (例如，与第N像素相对应的像素电极)相对于前面的像素电极(例如， 与第1像素相对应的像素电极)而言，馈通电压ΔVp变小，因此前后像素 电极之间存在一定的馈通电压差ΔVpd，而馈通电压差的存在就很自然地 导致液晶显示面板上的图像粘连的问题。
图5B示意了由于扫描信号的RC延迟所引起的像素电极的ΔVp沿扫 描线方向变化的曲线图。如图5B所示，A、B和C分别表示沿扫描线方向 上的三个点，可以看出前面的像素电极之间(A到B)的ΔVp变化很明 显，而这种ΔVp变化沿扫描线方向逐渐减小，因而后面的像素电极之间 (B到C)的ΔVp变化很小。
下面具体描述为了解决上述结构所产生的问题，本发明对上述液晶显 示面板结构的改进。简单地说，就是在扫描信号引入区域同样设置一个与 存储电容电极线43电性相通的辅助导电层，如图6A所示。
图6A示意了液晶显示面板的整体示意图，为了清楚表示，图6A中省 略了液晶层和彩色滤光片一侧的结构，只示意了阵列基板侧的整体结构。 54为显示区域，55为非显示区域。图6B为图6A中扫描信号引入区56的 局部放大图，其中51为扫描信号接入端，52为扫描信号引入线，该扫描 信号引入线52的一端连接扫描信号接入端51，另一端连接扫描线41，扫 描信号经扫描信号接入端51接入，再经由扫描信号引入线52传递至扫描 线41上。
如图6B所示，将多个扫描信号引入线52作为一个整体，在其上方设 置辅助导电层57，该辅助导电层57与存储电容电极线43(未示出)电性 相通，优选的是该辅助导电层57通过通孔与存储电容电极线延伸部分431 或存储电容电极线43电性连接。另外，优选地，该辅助导电层57的形状 与扫描信号引入线52的布线长度相适应，以保证该辅助导电层57与每一 条扫描信号引入线52所形成的辅助电容的大小基本相等。如图6B所示， 多条扫描信号引入线52排列成扇形。位于两边的扫描信号引入线相较于 中间的扫描信号引入线来得长，因此辅助导电层的形状可以设计成 或者等，以保证针对每条扫描线信号引入线的辅助电容的大小大致 相同。
图6C是图6B沿着VI-VI方向的剖视图，在下玻璃基板401上设置了 扫描信号引入线52，在该引入线上方依次为栅极绝缘膜402、钝化层 403、辅助导电层57和配向膜404。在与下玻璃基板相对的上玻璃基板 408上，设置有遮光单元409，而后依次为公共透明电极406和配向膜 405。在本实施例中，辅助导电层57可以使用导电透明材料，并且优选的 被设置在钝化层403上。但是应当注意，辅助导电层57也可以使用其它 材料，并且也可以被设置在扫描信号引入线52上方的其它层上，例如被 设置在栅极绝缘膜402上，只要辅助导电层57与扫描信号引入线52非电 性相通即可。扫描信号引入线52与辅助导电层57之间形成辅助电容53。
与上述参考图4B所描述的在扫描线上方设置导电构件47并使其与存 储电容电极线电性连接之后使得扫描线上的布线电容增大的原理相类似， 在扫描信号引入线52上方设置辅助导电层57并使该辅助导电层与存储电 容电极线电性连接之后，扫描信号引入线52上的布线电容增大。
图7示意了在扫描信号引入线上设置辅助导电层前后像素电极的ΔVp 沿扫描线方向变化的对比图。其中，左边是设置辅助导电层之前像素电极 的ΔVp沿扫描线方向变化的曲线图，右边是设置辅助导电层之后像素电 极的ΔVp沿扫描线方向变化的曲线图。如图所示，由于辅助导电层的设 置导致扫描信号引入线52上的布线电容增大，使得扫描信号引入线52承 载了扫描线上的大部分负载，从而使得在扫描线的开始部分(如A所 示)，像素电极的ΔVp就比较小，而且ΔVp沿扫描线方向的变化ΔVpd 也很小。这样，由于ΔVp和ΔVpd的减小，从而减轻了上述液晶显示面板 显示图像的闪烁和粘连现象。
以上是对本发明的优选实施例的详细描述，但是对这些实施例的说明 只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而不希望限制本发明的范 围；同时，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施 方式及应用范围上还会有各种变化和改型，这些变化和改型均落入所附权 利要求所限定的本发明的范围内。