沟渠电容及存储单元的制作方法转让专利

申请号 : CN200510106940.X

文献号 : CN100590785C

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发明人 : 苏怡男黄俊麒

摘要 :

一种制作沟渠电容及存储单元的方法,提供一衬底,于该衬底内形成一栅状的浅沟隔离以及多个由硬掩模层覆盖的有源区域。接着于该衬底上形成一光致抗蚀剂,利用一仅具X方向考量的初阶光掩模,于该光致抗蚀剂上定义出本发明所需的图案。利用该硬掩模层及该浅沟隔离作为一掩模,向下蚀刻出多个深沟渠,进行后续工艺完成沟渠电容与存储单元的制作。