安装端子基板和使用其的显示装置转让专利
申请号 : CN200710167625.7
文献号 : CN100592145C
文献日 : 2010-02-24
发明人 : 安田尚平 , 桥口隆史 , 上田精也
申请人 : 三菱电机株式会社
摘要 :
本发明提供一种安装端子基板和使用其的显示装置。在安装端子的狭窄节距化中，提供可以使COG安装等的定位误差容限比现有技术更大的安装端子基板。具体是提供一种具有比现有技术更大的开口部的安装端子结构。另外，提供使用这样的安装端子基板的显示装置。具有：在玻璃基板(1)上利用交错配置而形成列的安装端子(3)、连接到安装端子(3)且由绝缘膜(4)覆盖的栅极布线(2)、和除去安装端子(3)上的绝缘膜(4)的开口部(5)，在列方向的安装端子(3)间配置栅极布线(2)。安装端子(3)由大小不同的下层导电膜(6)和上层导电膜(7)组成，上层导电膜(6)的列方向的宽度(e1)设计成比下层导电膜(6)的列方向的宽度(d1)大以覆盖在开口部(5)中露出的下层导电膜(6)，并且小于等于开口部(5)的列方向的宽度(h1)。
权利要求 :
1.一种安装端子基板，其特征在于，具备：基板；
安装端子，由下层导电膜和上层导电膜组成，利用在上述基板上设置的交错 配置而形成列；
布线，由在列方向的上述安装端子间配置的绝缘膜覆盖；以及开口部，除去上述安装端子上的上述绝缘膜而形成，上述上层导电膜的列方向的宽度比上述下层导电膜的列方向的宽度大以便 覆盖在上述开口部中露出的上述下层导电膜，并且小于等于上述开口部的列方向 的宽度。
2.根据权利要求1所述的安装端子基板，其特征在于，布线和下层导电膜 用同一层形成。
3.根据权利要求1所述的安装端子基板，其特征在于，绝缘膜含有有机树 脂膜。
4.根据权利要求3所述的安装端子基板，其特征在于，在有机树脂膜上形 成有无机绝缘膜。
5.根据权利要求1到4任何一项所述的安装端子基板，其特征在于，下层 导电膜和上层导电膜能进行选择蚀刻。
6.根据权利要求1所述的安装端子基板，其特征在于，上层导电膜是导电 性氧化膜。
7.根据权利要求1所述的安装端子基板，其特征在于，上层导电膜的列方 向的宽度与开口部的列方向的宽度自对准地形成。
8.根据权利要求1所述的安装端子基板，其特征在于，基板上的安装端子 是同一层结构以便成为同一高度。
9.根据权利要求1所述的安装端子基板，其特征在于，安装具有比开口部 小的凸起电极的外部部件，在上述开口部内连接上述安装端子和上述凸起电极。
10.根据权利要求9所述的安装端子基板，其特征在于，开口部至安装端子 面的深度比连接上述安装端子和凸起电极的各向异性导电膜中分散的导电粒子的 直径大，并且比上述凸起电极的高度小。
11.一种显示装置，其特征在于，使用了安装端子基板，该安装端子基板其特征是具备：
基板；
安装端子，由下层导电膜和上层导电膜组成，利用在上述基板上设置的交错 配置而形成列；
布线，由在列方向的上述安装端子间配置的绝缘膜覆盖；以及开口部，除去上述安装端子上的上述绝缘膜而形成，上述上层导电膜的列方向的宽度比上述下层导电膜的列方向的宽度大以便 覆盖在上述开口部中露出的上述下层导电膜，并且小于等于上述开口部的列方向 的宽度。
说明书 :
技术领域
本发明涉及在基板上具有安装端子的安装端子基板和使用其的显示装置。例 如可以优选利用在液晶显示装置中。
背景技术
液晶显示装置是薄型、重量轻、低功耗的，用作许多设备的显示装置。在中 型、小型的液晶显示装置中，在形成有安装端子的玻璃基板上多是采用直接安装 液晶驱动用的驱动器IC的COG(Chip On Glass：将芯片固定于玻璃上)安装。 COG安装多是通过各向异性导电膜(ACF：Anisotropic Conductive Film，以下记为 ACF)进行安装端子和驱动器IC的导通。ACF是在绝缘性的热固化型粘接剂中， 在树脂制的球中分散了涂敷Au或Ni的导电粒子。在驱动器IC的端子上形成Au 等的凸起电极(以下，记为凸块(bump))。COG安装使部分地除去了保护布线或 安装端子区域的绝缘膜的安装端子上的开口部和凸块定位，通过热压接经由导电 粒子导通(例如专利文献1)。另外，在大型的液晶显示装置中，多是采用通过在 玻璃基板上排成一列地形成的安装端子和ACF来安装安装有驱动器IC的布线薄 膜基板即TAB(Tape Automated Bonding：带式自动键合)的TAB安装(例如，专 利文献2)。
[专利文献1]日本专利公开2002-196703号公报
[专利文献2]日本专利公开平9-90397号公报
近年来，便携式设备用的小型液晶显示装置随着高分辨率化，像素(点)节 距(pitch)变小到40～60μm左右。在这样的狭窄的节距下难以进行TAB安装。 对安装端子的狭窄节距化，例如使安装端子成为两列的交错配置，进行端子节距 为布线节距的两倍的COG安装。但是，即使是交错配置，在狭窄节距的安装端子 中端子节距也为35μm左右。
随着该安装端子多数排列方向的狭窄节距化，需要缩小安装端子的列方向的 宽度，为了取得与驱动器IC的导通，也需要缩小在安装端子上设置的绝缘膜开口 部的列方向的宽度。其结果是，在COG安装中，在驱动器IC上设置的凸块和安 装端子上的开口部的定位误差容限(margin)变小，产生COG安装的位置偏移变 大和凸块不落入开口部这样的问题。凸块不落入开口部，而在开口部周围的绝缘 膜上时会产生以下问题。
在通过ACF的安装中，由于凸块和安装端子间的重合面积减少，所以因对 导通有贡献的导电粒子数的减少会增加导通不良的发生。进一步，安装后即使导 通，开口部内的导电粒子也几乎不破裂，在不可以充分压接凸块和安装端子时， 在使用中会有产生导通不良这样的可靠性问题。
另外，不通过ACF，在使凸块和安装端子直接接触而取得导通的安装中，由 于凸块和安装端子的接触部只是位于开口部周围的绝缘膜上的安装端子的端部， 所以会有因接触面积的大幅度减少而使凸块和安装端子间的电阻增加这样的导通 电阻的问题。
[专利文献1]日本专利公开2002-196703号公报
[专利文献2]日本专利公开平9-90397号公报
近年来，便携式设备用的小型液晶显示装置随着高分辨率化，像素(点)节 距(pitch)变小到40～60μm左右。在这样的狭窄的节距下难以进行TAB安装。 对安装端子的狭窄节距化，例如使安装端子成为两列的交错配置，进行端子节距 为布线节距的两倍的COG安装。但是，即使是交错配置，在狭窄节距的安装端子 中端子节距也为35μm左右。
随着该安装端子多数排列方向的狭窄节距化，需要缩小安装端子的列方向的 宽度，为了取得与驱动器IC的导通，也需要缩小在安装端子上设置的绝缘膜开口 部的列方向的宽度。其结果是，在COG安装中，在驱动器IC上设置的凸块和安 装端子上的开口部的定位误差容限(margin)变小，产生COG安装的位置偏移变 大和凸块不落入开口部这样的问题。凸块不落入开口部，而在开口部周围的绝缘 膜上时会产生以下问题。
在通过ACF的安装中，由于凸块和安装端子间的重合面积减少，所以因对 导通有贡献的导电粒子数的减少会增加导通不良的发生。进一步，安装后即使导 通，开口部内的导电粒子也几乎不破裂，在不可以充分压接凸块和安装端子时， 在使用中会有产生导通不良这样的可靠性问题。
另外，不通过ACF，在使凸块和安装端子直接接触而取得导通的安装中，由 于凸块和安装端子的接触部只是位于开口部周围的绝缘膜上的安装端子的端部， 所以会有因接触面积的大幅度减少而使凸块和安装端子间的电阻增加这样的导通 电阻的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而作出的，提供一种对安装端子的狭窄节距化， 可以使COG安装等中的定位误差容限比现有技术更大的安装端子基板。具体地 说，提供具有比现有技术更大开口部的安装端子结构。另外，提供使用这样的安 装端子基板的显示装置。
本发明的安装端子基板包括：安装端子，利用在基板上设置的交错配置 (stagger)而形成列；布线，由在列方向的安装端子间配置的绝缘膜覆盖；以及开口 部，除去了安装端子上的绝缘膜，安装端子由下层导电膜和上层导电膜组成，上 层导电膜的列方向的宽度比下层导电膜的列方向的宽度大以便覆盖在开口部中露 出的下层导电膜，并且小于等于开口部的列方向的宽度。
根据本发明，在COG安装等中的定位(positional alignment)误差容限可以 变大，可以得到导通可靠性好的安装端子基板和使用该安装端子基板的显示装 置。
本发明的安装端子基板包括：安装端子，利用在基板上设置的交错配置 (stagger)而形成列；布线，由在列方向的安装端子间配置的绝缘膜覆盖；以及开口 部，除去了安装端子上的绝缘膜，安装端子由下层导电膜和上层导电膜组成，上 层导电膜的列方向的宽度比下层导电膜的列方向的宽度大以便覆盖在开口部中露 出的下层导电膜，并且小于等于开口部的列方向的宽度。
根据本发明，在COG安装等中的定位(positional alignment)误差容限可以 变大，可以得到导通可靠性好的安装端子基板和使用该安装端子基板的显示装 置。
附图说明
图1是示出根据本发明实施方式1中液晶显示装置的安装端子基板概略的平 面图。
图2是示出本发明实施方式1中栅极安装端子区域的平面图。
图3是在图2的A-A切断面中的剖面图。
图4是示出现有的栅极安装端子区域的平面图。
图5是在图4的B-B切断面中的剖面图。
图6是示出在本发明实施方式2中栅极安装端子区域的剖面图。
图7是示出在本发明实施方式3中栅极安装端子区域的剖面图。
图8是示出在本发明实施方式4中栅极安装端子区域的平面图。
[附图标记说明]
1 玻璃基板；2 栅极布线；2a 延长布线；3 栅极安装端子；4、4a、4b、4c、 4d 绝缘膜；5 开口部；6 下层导电膜；7 上层导电膜；7a ITO残膜；11 驱动器IC； 12 凸块；13 ACF；14 导电粒子；21 源极布线；22 变换部；23 变换源极布线； 30 栅极安装端子区域；31 源极安装端子；32 源极安装端子区域；100 安装端子基 板；d1、d2下层导电膜的列方向的宽度；e1、e2上层导电膜的列方向的宽度；h1、 h2 开口部的列方向的宽度
图2是示出本发明实施方式1中栅极安装端子区域的平面图。
图3是在图2的A-A切断面中的剖面图。
图4是示出现有的栅极安装端子区域的平面图。
图5是在图4的B-B切断面中的剖面图。
图6是示出在本发明实施方式2中栅极安装端子区域的剖面图。
图7是示出在本发明实施方式3中栅极安装端子区域的剖面图。
图8是示出在本发明实施方式4中栅极安装端子区域的平面图。
[附图标记说明]
1 玻璃基板；2 栅极布线；2a 延长布线；3 栅极安装端子；4、4a、4b、4c、 4d 绝缘膜；5 开口部；6 下层导电膜；7 上层导电膜；7a ITO残膜；11 驱动器IC； 12 凸块；13 ACF；14 导电粒子；21 源极布线；22 变换部；23 变换源极布线； 30 栅极安装端子区域；31 源极安装端子；32 源极安装端子区域；100 安装端子基 板；d1、d2下层导电膜的列方向的宽度；e1、e2上层导电膜的列方向的宽度；h1、 h2 开口部的列方向的宽度
具体实施方式
下面，根据附图说明本发明的实施方式。另外，在用于说明以下实施方式的 全部附图中，同一符号示出同一或相当部分，原则上，省略重复的说明。
实施方式1
图1是示出在实施方式1中液晶显示装置的安装端子基板概略的平面图。图 2是示出实施方式1中安装端子基板的栅极安装端子区域的平面图。图3是在图2 的A-A切断面中的剖面图。
在图1中，构成液晶显示装置的一部分，在隔着液晶层与滤色器基板相对的 安装端子基板100上设置像素区域50，形成多个正交的栅极布线2和源极布线 21，在其各交点配置的像素(仅图示一个像素)中形成薄膜晶体管等组成的开关 元件51和像素电极52等。从像素区域50引出多个栅极布线2和源极布线21， 在像素区域50的下侧的一边中，形成由在栅极布线2上连接的多个栅极安装端子 3组成的栅极安装端子区域30、和由在源极布线21上连接的多个源极安装端子31 组成的源极安装端子区域32。另外，在实施方式1中，源极布线21和源极安装 端子31的连接，通过在其间设置的变换部22变换成和源极布线2在同一层中形 成的变换源极布线23，与源极安装端子31连接。从而，栅极安装端子3和源极 安装端子31的层结构相同。
另外，栅极布线2和变换源极布线23在栅极安装端子区域30和源极安装端 子区域32附近，布线节距用18μm的狭窄节距间隔进行布线。为了与该狭窄节 距安装相对应，栅极安装端子3和源极安装端子31作为2列的交错配置，该端子 节距p为栅极布线2和变换源极布线23的布线节距的2倍的36μm。在栅极安装 端子区域30和源极安装端子区域32上，作为外部部件一体化了栅极布线2驱动 用的栅极驱动器和源极布线21驱动用的源极驱动器的驱动器IC11利用通过ACF 的COG安装来安装。
接着，使用图2和图3详细说明栅极安装端子区域30。另外，源极安装端子 区域32也与栅极安装端子区域30的层结构相同。如图2和图3所示，在玻璃基 板1上，与栅极布线2连接的栅极安装端子3以两列交错配置形成。栅极安装端 子3由大小不同的下层导电膜6和上层导电膜7构成。下层导电膜6与Al、Mo 等金属膜构成的栅极布线2由相同的层组成并同时形成。上层导电膜7与ITO (Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等的导电性氧化膜组成的像素电极52由相同的层 组成并同时形成。
绝缘膜4覆盖栅极安装端子区域30的栅极布线2，防止栅极布线2的短路或 腐蚀。并且，为了与驱动器IC11的连接，在栅极安装端子3上设置除去了绝缘膜 4的开口部5。
在此，在多个栅极安装端子3排列的列方向(图2的横方向)，栅极安装端 子3的列方向的宽度(以下，该列方向的宽度简单记为宽度)比开口部5的宽度 h1小。上层导电膜7的宽度e1小于等于开口部5的宽度h1，下层导电膜6的宽 度d1形成得比上层导电膜7的宽度e1小。
上层导电膜7构成为覆盖露出开口部5的下层导电膜6。因此，作为能选择 性蚀刻下层导电膜6和上层导电膜7的材料，在蚀刻下层导电膜6的溶液中，通 过不蚀刻上层导电膜7的结构，在以后的工序中，上层导电膜7可以作为下层导 电膜6的蚀刻保护膜的功能。
作为具体的例子，在半透过型液晶显示装置的制造工序中，有时在最终工序 中形成由Al组成的反射像素电极。栅极布线2和下层导电膜6与该反射电极相 同用Al形成时，在开口部5露出下层导电膜6时，该反射像素电极的湿蚀刻时， 会产生下层导电膜6也被蚀刻的问题。在本结构中，在与由ITO组成的透过像素 电极同一层中同时形成上层导电膜7。反射像素电极的湿蚀刻时，若采用不蚀刻 ITO的Al蚀刻液，则由于下层导电膜6用上层导电膜7覆盖，所以不会蚀刻下 层导电膜6。
另外，通过使上层导电膜7为ITO等的氧化导电膜，上层导电膜7与用Al、 Mo、Cr等的金属膜形成相比，通过表面氧化的连接电阻增加，以及通过在大气中 的水分或ACF13等的树脂中含有的氯等杂质的腐蚀减少，从而提高在COG安装 中的可靠性。
绝缘膜4是由氮化膜或氧化膜组成的栅极绝缘膜4a、开关元件51上形成的 由氮化膜或氧化膜组成的保护膜4b、和用于像素的高开口率化、绝缘膜平坦化和 寄生电容降低设计的厚的有机树脂膜4c组成的3层结构。由于具有厚的有机树脂 膜4c，所以开口部5的深度d为2～6μm。但是，绝缘膜4不一定必需含有有机 树脂膜4c。
凸块12的高度通常是15～20μm，由于比开口部5的深度d大，所以只要 凸块12可以落入开口部5中，就可以与上层导电膜7接触。
但是，即使在实施方式1中，在COG安装中列方向的定位误差变大，凸块 12不能落入开口部5内而搭上列方向的绝缘膜4的情况下，可能产生以下问题。
在通过ACF13的COG安装中，开口部5的深度d为ACF13中的导电粒子 14的直径3～4μm的程度以上时，导电粒子14几乎不变形，由于栅极安装端子3 和凸块12的压接不充分，所以会发生导通不良。或者，即使取得导通，可靠性也 成问题。例如，开口部5的深度d为3μm以上，在凸块12搭上列方向的绝缘膜 4的情况下成为问题。
另外，不通过ACF13，在使凸块12和栅极安装端子3直接接触而取得导通 的COG安装中，由于在列方向的绝缘膜4上没有上层导电膜7，所以不会取得导 通。例如，即使开口部5的深度d为0.5μm左右，在凸块12搭上绝缘膜4情况 下也有问题。
因此，在实施方式1中，为了使与凸块12的列方向的定位误差容限变大， 开口部5的宽度h1设计得尽量大。但是，当全部除去位于栅极安装端子区域30 上的绝缘膜4时，在交错配置的结构中，由于在栅极安装端子3间配置的栅极布 线2露出，所以有栅极布线2短路或腐蚀的可能性。在栅极布线2由绝缘膜4可 靠地覆盖的制约中，必须成为最大开口部5的宽度h1。
而且，考虑开口部5的定位误差和绝缘膜4的蚀刻误差，以栅极布线2由绝 缘膜4可靠地覆盖的方式，开口部5配置成与栅极布线2空出间隔a。在此，间隔 a是3μm。由于栅极布线2的宽度m是4μm，所以开口部5间的间隔s1为10 μm。由于栅极安装端子3的端子节距p是36μm，所以开口部5的宽度h1为26 μm。
凸块12的节距也是36μm，凸块12的宽度是18μm。开口部5的宽度h1 是26μm，比凸块12的宽度大8μm，所以在COG安装中列方向定位误差容限 可以确保±4μm。
另外，由在ACF13中分散的导电粒子14在基板面方向上连续排列引起的栅 极安装端子3或凸块12间的短路，能够通过使栅极安装端子3或凸块12变小以 扩大间隔来防止。但是，凸块12由于有凸块制造技术的制约或用于确保凸块12 和栅极安装端子3的导通所必需的最小面积，所以不可以太小。另一方面，栅极 安装端子3间的间隔与开口部5间的间隔s1可以独立地设定。不发生由导电粒子 14导致的短路的最小间隔依赖于ACF13中导电粒子14的直径和密度，为12μm 左右。因此，由于是比开口部5间的间隔s1的10μm更大的值，所以上层导电膜 7的宽度e1小于等于开口部5的宽度h1。
在实施方式1中，上层导电膜7的宽度e1为23μm。下层导电膜6的宽度 d1为17μm，下层导电膜6的端部比上层导电膜7的端部向内3μm，上层导电 膜7可靠地覆盖下层导电膜6。
结果，栅极布线2和下层导电膜6在同一层中同时形成，下层导电膜6和栅 极布线2的间隔b1确保为8μm。这在图案形成中采用湿蚀刻的制造工序中，由 于比通常的最小间隔3μm更大，所以大致可以消除栅极布线2和下层导电膜6 的短路。
从栅极安装端子3延伸的延长布线2a通过在此未图示的静电对策用的保护 电阻或保护二极管与短路环(short ring)连接。或者，是用于与简易点亮检查用端 子连接的。因此，也有不设置延长布线2a的情况。在该情况下，由于成为交错配 置的栅极布线2较长的列(在图2中的下侧的列)的栅极安装端子3间没有延长 布线2a的结构，所以该列的开口部5的宽度h1也可以更大地设计。但是，与相 同的驱动器IC11的COG安装中的列方向的定位误差容限，由在栅极安装端子3 间具有栅极布线2的列的较窄一方的开口部5的宽度h1来制约。
另外，开口部5的栅极布线2方向的长度(与列方向正交的方向的长度。以 下，简单记为长度)由于不是像列方向的狭窄节距，所以在COG安装中的定位误 差容限可以设计地较大。因此，也可以是长度方向与现有结构相同，作为比栅极 安装端子3的下层导电膜6的长度小的开口部5的长度，成为在绝缘膜4上搭载 上层导电膜7的端部的构造。即使在该长度方向上，上层导电膜7也为覆盖开口 部5露出的下层导电膜6的结构。
在此，开口部5的长度是120μm，由于凸块12的长度是110μm，所以在 COG安装中的长度方向的定位误差容限是±5μm。这是比列方向的定位误差容 限的±4μm更大的值。
接着，在实施方式1的COG安装中的定位误差容限比现有结构更大，对此， 通过与现有结构比较进行说明。图4是示出现有的安装端子基板的栅极安装端子 区域的平面图。图5是图4的B-B切断面的剖面图。
现有结构的栅极安装端子3的端子节距p是与实施方式1相同的36μm。栅 极布线2和下层导电膜6相同由Al、Mo等组成的金属膜同时形成。在此，由于 在图案化形成中使用湿蚀刻，所以栅极布线2和下层导电膜6的最小间隔b2是3 μm。由于栅极布线2的宽度m是4μm，所以下层导电膜6的最大宽度d2为26 μm。
现有结构也是在栅极安装端子3上的绝缘膜4中形成开口部5，但是开口部5 的宽度h2比下层导电膜6的宽度d2更小的结构。作为这样的结构，开口部5中 露出的材料仅是下层导电膜6，由于玻璃基板1不在开口部5中露出，所以可以 不进行玻璃基板1不需要的蚀刻。开口部5的端部考虑到定位误差和绝缘膜4的 蚀刻误差，配置在比下层导电膜6的端部靠内侧有间隔c的3μm。
结果，在现有的结构中，开口部5的宽度h2为20μm，开口部5间的间隔 s2为16μm。由于凸块12的宽度是18μm，所以仅能确保在COG安装中定位误 差容限为±1μm。对此，实施方式1中的开口部5的宽度h1是26μm，由于可 以确保COG安装中的定位误差容限为±4μm，所以有可以确保比现有结构大±3 μm的容限的效果。
另外，在现有结构中，由于栅极布线2和下层导电膜6的间隔b2为最小的3 μm，所以栅极布线2和下层导电膜6有可能短路。另一方面，在实施方式1中， 由于形成下层导电膜6比上层导电膜7更小，所以栅极布线2和下层导电膜6的 间隔b1大到8μm，有栅极布线2和下层导电膜6的短路能比现有结构更少的效 果。
另外，现有结构的开口部5的宽度h2在通过ACF13的COG安装中，也受 上层导电膜7间间隔的制约。为了防止通过在ACF13中分散的导电粒子14导致 的栅极安装端子3的短路的最小间隔与实施方式1相同，是12μm左右。因此， 由于端子节距p为36μm，所以上层导电膜7的宽度e2需要小于等于24μm。
进一步，上层导电膜7的宽度e2以覆盖在开口部5中露出的下层导电膜6 的方式，形成得比开口部5的宽度h2更大，成为上层导电膜7的端部搭载在绝缘 膜4上的结构。因此，考虑到开口部5以及上层导电膜7的定位误差和蚀刻误差 时，开口部5的端部需要比上层导电膜7的端部靠内侧并且间隔至少2～3μm， 开口部5的宽度h2小于等于18～20μm。也考虑到该上层导电膜7间的间隔的制 约时，由于凸块12的宽度是18μm，所以没有在COG安装中的列方向的定位误 差容限，或仅可以确保±1μm。
这样，在开口部5的宽度h2比下层导电膜6的宽度d2更小的现有结构中， 开口部5的宽度h2受到交错配置的栅极布线2和下层导电膜6的间隔b2与上层 导电膜7间的间隔制约。另一方面，在实施方式1中，开口部的宽度h1仅是由绝 缘膜4可靠覆盖栅极布线2的间隔a的制约。因此，在通常的制造工艺、设计规 则中，开口部5的宽度为h1＞h2。
另外，在实施方式1中，由于栅极安装端子3间有覆盖栅极布线2的绝缘膜 4导致的台阶差，所以这也作为用于防止短路的阻壁的功能。因此，在对相同的 栅极安装端子3间的间隔进行比较时，实施方式1有比现有结构更可以防止栅极 安装端子3间短路的效果。
另外，在实施方式1中，绝缘膜4的开口部5优选是比ACF13中的导电粒 子14直径更大的深度d。进而，优选比凸块12的高度更小。此时，几乎不会有 导电粒子14跨过绝缘膜4的深度d在栅极安装端子3间在基板面方向上连续排 列，可以消除栅极安装端子3间的短路。
另外，在实施方式1中，源极安装端子区域32由于在与栅极布线2相同层 中形成的变换源极布线23直接作为源极安装端子31的下层导电膜6形成，所以 成为与栅极安装端子区域30同层的结构。通过这样的层结构，栅极安装端子区域 30和源极安装端子区域32的端子高度可以相同。与在相同的驱动器IC11上连接 的栅极安装端子3和源极安装端子31的高度不同的情况相比，由于凸块12和栅 极安装端子3以及源极安装端子31的间隔可以均匀，所以在通过ACF13的COG 安装中，导电粒子14的压接可以均匀。另外，在不通过ACF13，使凸块12和栅 极安装端子3以及源极安装端子31直接接触的COG安装中，接触应力可以均匀。 因此，有可以提高COG安装中导通的可靠性的效果。
实施方式2
实施方式2中，绝缘膜4的最上层是有机树脂膜4c，上层导电膜7为ITO结 构。此时，在有机物上形成的ITO与在无机物上形成的ITO的膜质不同，蚀刻速 度不同。在有机物上形成的IIO比在无机物上形成的ITO的蚀刻速度快2～8倍。
由于ITO的蚀刻速度有大的差异，所以在实施方式1中，为了尺寸精度好地 加工有机树脂膜4c上形成的ITO组成的像素电极52和ITO组成的上层导电膜7 两者，需要分两次ITO蚀刻。蚀刻形成蚀刻速度快的像素电极52后，用抗蚀剂掩 模保护像素电极52，通过追加蚀刻而除去在开口部5内的玻璃基板1上残留的 ITO。
对此，实施方式2为了减少蚀刻工序，采用一次的ITO蚀刻，是使作为无机 物的玻璃基板1上的ITO残膜7a与开口部5的形状自对准(self-aligned)地残留 的结构。
图6是示出了实施方式2中栅极安装端子区域的剖面图。ITO组成的上层导 电膜7结束有机树脂膜4c上的ITO蚀刻，即使在进行稍微的追加蚀刻的时间点， 在开口部5内的玻璃基板1露出的区域中，成为从上层导电膜7的抗蚀剂掩模位 置到开口部5的下端残留ITO残膜7a的形状。虽然有机树脂4c上的ITO因蚀刻 速度快而可靠地蚀刻，但是由于开口部5内的ITO蚀刻速度慢，所以与开口部5 的宽度h1匹配地自对准形成含有ITO残膜7a部分的上层导电膜7。此时，即使 有ITO残膜7a，由于可靠蚀刻了在栅极安装端子3间存在的有机树脂膜4c上的 ITO，所以即使较少的蚀刻工序，也有可以防止栅极安装端子3间短路的效果。
另外，通过ITO残膜7a，由于玻璃基板1在开口部5不露出，所以在以后的 工序中，有可以防止玻璃基板1的不需要的蚀刻的效果。
实施方式3
图7是示出了实施方式3中栅极安装端子区域的剖面图。在构成绝缘膜4的 有机树脂膜4c上进一步形成由氧化膜或氮化膜组成的无机绝缘膜4d。通过使绝缘 膜4的最上层为无机绝缘膜4d，从而实现ITO组成的像素电极52和上层导电膜7 的蚀刻速度的均匀性和尺寸精度提高。通过这样的结构，由于ITO形成在无机物 上，所以蚀刻速度变慢，但是即使一次ITO蚀刻，也具有可以没有ITO残膜7a 地在原来设计位置精度好地形成像素电极52和上层导电膜7的效果。
另外，在开口部5的侧面上由于露出有机树脂膜4c，所以该侧面的ITO因蚀 刻速度快而被可靠地除去，即使较少的蚀刻工序，也有可以防止由栅极安装端子3 间的ITO残膜7a导致的短路的效果。
实施方式4
图8是示出了在实施方式4中栅极安装端子区域的平面图。在实施方式1中， 如图2所示，由于栅极安装端子3的长度方向不是像列方向那样狭窄的节距，所 以与现有结构相同，作为比下层导电膜6的长度更小的开口部5的长度，成为上 层导电膜7的端部搭载在绝缘膜4上的结构。在实施方式4中，如图8所示，即 使在栅极安装端子3的长度方向上，也成为与实施方式1的列方向相同的结构。 但是，仅从栅极安装端子3延伸栅极布线2和延长布线2a的区域，为了由与下层 导电膜6相同的层组成的栅极布线2和延长布线2a由上层导电膜7覆盖进行保 护，成为上层导电膜7的端部搭载在绝缘膜4上的现有结构。这样，通过使栅极 安装端子3的长度方向也构成与列方向相同的结构，在与实施方式1相同大小、 配置的开口部5中，有可以使交错配置中的列间的上层导电膜7的长度方向的间 隔f变大的效果。或者，如果是相同的间隔f，则开口部5的长度可以比实施方式 1更大。
在以上的实施方式中，虽然描述了COG安装，但是不限于驱动器IC，即使 与具有凸块的布线基板、布线薄膜基板等外部部件的安装也可以应用本发明。另 外，作为具有本发明安装端子结构的安装端子基板，也可以适用通常的半导体基 板或电子电路基板。
另外，虽然描述了液晶显示装置，但是也可以适用于电致发光(EL)显示装 置、电致变色显示装置、使用微粒子或油等的电子纸等的显示装置中。
实施方式1
图1是示出在实施方式1中液晶显示装置的安装端子基板概略的平面图。图 2是示出实施方式1中安装端子基板的栅极安装端子区域的平面图。图3是在图2 的A-A切断面中的剖面图。
在图1中，构成液晶显示装置的一部分，在隔着液晶层与滤色器基板相对的 安装端子基板100上设置像素区域50，形成多个正交的栅极布线2和源极布线 21，在其各交点配置的像素(仅图示一个像素)中形成薄膜晶体管等组成的开关 元件51和像素电极52等。从像素区域50引出多个栅极布线2和源极布线21， 在像素区域50的下侧的一边中，形成由在栅极布线2上连接的多个栅极安装端子 3组成的栅极安装端子区域30、和由在源极布线21上连接的多个源极安装端子31 组成的源极安装端子区域32。另外，在实施方式1中，源极布线21和源极安装 端子31的连接，通过在其间设置的变换部22变换成和源极布线2在同一层中形 成的变换源极布线23，与源极安装端子31连接。从而，栅极安装端子3和源极 安装端子31的层结构相同。
另外，栅极布线2和变换源极布线23在栅极安装端子区域30和源极安装端 子区域32附近，布线节距用18μm的狭窄节距间隔进行布线。为了与该狭窄节 距安装相对应，栅极安装端子3和源极安装端子31作为2列的交错配置，该端子 节距p为栅极布线2和变换源极布线23的布线节距的2倍的36μm。在栅极安装 端子区域30和源极安装端子区域32上，作为外部部件一体化了栅极布线2驱动 用的栅极驱动器和源极布线21驱动用的源极驱动器的驱动器IC11利用通过ACF 的COG安装来安装。
接着，使用图2和图3详细说明栅极安装端子区域30。另外，源极安装端子 区域32也与栅极安装端子区域30的层结构相同。如图2和图3所示，在玻璃基 板1上，与栅极布线2连接的栅极安装端子3以两列交错配置形成。栅极安装端 子3由大小不同的下层导电膜6和上层导电膜7构成。下层导电膜6与Al、Mo 等金属膜构成的栅极布线2由相同的层组成并同时形成。上层导电膜7与ITO (Indium Tin Oxide：氧化铟锡)等的导电性氧化膜组成的像素电极52由相同的层 组成并同时形成。
绝缘膜4覆盖栅极安装端子区域30的栅极布线2，防止栅极布线2的短路或 腐蚀。并且，为了与驱动器IC11的连接，在栅极安装端子3上设置除去了绝缘膜 4的开口部5。
在此，在多个栅极安装端子3排列的列方向(图2的横方向)，栅极安装端 子3的列方向的宽度(以下，该列方向的宽度简单记为宽度)比开口部5的宽度 h1小。上层导电膜7的宽度e1小于等于开口部5的宽度h1，下层导电膜6的宽 度d1形成得比上层导电膜7的宽度e1小。
上层导电膜7构成为覆盖露出开口部5的下层导电膜6。因此，作为能选择 性蚀刻下层导电膜6和上层导电膜7的材料，在蚀刻下层导电膜6的溶液中，通 过不蚀刻上层导电膜7的结构，在以后的工序中，上层导电膜7可以作为下层导 电膜6的蚀刻保护膜的功能。
作为具体的例子，在半透过型液晶显示装置的制造工序中，有时在最终工序 中形成由Al组成的反射像素电极。栅极布线2和下层导电膜6与该反射电极相 同用Al形成时，在开口部5露出下层导电膜6时，该反射像素电极的湿蚀刻时， 会产生下层导电膜6也被蚀刻的问题。在本结构中，在与由ITO组成的透过像素 电极同一层中同时形成上层导电膜7。反射像素电极的湿蚀刻时，若采用不蚀刻 ITO的Al蚀刻液，则由于下层导电膜6用上层导电膜7覆盖，所以不会蚀刻下 层导电膜6。
另外，通过使上层导电膜7为ITO等的氧化导电膜，上层导电膜7与用Al、 Mo、Cr等的金属膜形成相比，通过表面氧化的连接电阻增加，以及通过在大气中 的水分或ACF13等的树脂中含有的氯等杂质的腐蚀减少，从而提高在COG安装 中的可靠性。
绝缘膜4是由氮化膜或氧化膜组成的栅极绝缘膜4a、开关元件51上形成的 由氮化膜或氧化膜组成的保护膜4b、和用于像素的高开口率化、绝缘膜平坦化和 寄生电容降低设计的厚的有机树脂膜4c组成的3层结构。由于具有厚的有机树脂 膜4c，所以开口部5的深度d为2～6μm。但是，绝缘膜4不一定必需含有有机 树脂膜4c。
凸块12的高度通常是15～20μm，由于比开口部5的深度d大，所以只要 凸块12可以落入开口部5中，就可以与上层导电膜7接触。
但是，即使在实施方式1中，在COG安装中列方向的定位误差变大，凸块 12不能落入开口部5内而搭上列方向的绝缘膜4的情况下，可能产生以下问题。
在通过ACF13的COG安装中，开口部5的深度d为ACF13中的导电粒子 14的直径3～4μm的程度以上时，导电粒子14几乎不变形，由于栅极安装端子3 和凸块12的压接不充分，所以会发生导通不良。或者，即使取得导通，可靠性也 成问题。例如，开口部5的深度d为3μm以上，在凸块12搭上列方向的绝缘膜 4的情况下成为问题。
另外，不通过ACF13，在使凸块12和栅极安装端子3直接接触而取得导通 的COG安装中，由于在列方向的绝缘膜4上没有上层导电膜7，所以不会取得导 通。例如，即使开口部5的深度d为0.5μm左右，在凸块12搭上绝缘膜4情况 下也有问题。
因此，在实施方式1中，为了使与凸块12的列方向的定位误差容限变大， 开口部5的宽度h1设计得尽量大。但是，当全部除去位于栅极安装端子区域30 上的绝缘膜4时，在交错配置的结构中，由于在栅极安装端子3间配置的栅极布 线2露出，所以有栅极布线2短路或腐蚀的可能性。在栅极布线2由绝缘膜4可 靠地覆盖的制约中，必须成为最大开口部5的宽度h1。
而且，考虑开口部5的定位误差和绝缘膜4的蚀刻误差，以栅极布线2由绝 缘膜4可靠地覆盖的方式，开口部5配置成与栅极布线2空出间隔a。在此，间隔 a是3μm。由于栅极布线2的宽度m是4μm，所以开口部5间的间隔s1为10 μm。由于栅极安装端子3的端子节距p是36μm，所以开口部5的宽度h1为26 μm。
凸块12的节距也是36μm，凸块12的宽度是18μm。开口部5的宽度h1 是26μm，比凸块12的宽度大8μm，所以在COG安装中列方向定位误差容限 可以确保±4μm。
另外，由在ACF13中分散的导电粒子14在基板面方向上连续排列引起的栅 极安装端子3或凸块12间的短路，能够通过使栅极安装端子3或凸块12变小以 扩大间隔来防止。但是，凸块12由于有凸块制造技术的制约或用于确保凸块12 和栅极安装端子3的导通所必需的最小面积，所以不可以太小。另一方面，栅极 安装端子3间的间隔与开口部5间的间隔s1可以独立地设定。不发生由导电粒子 14导致的短路的最小间隔依赖于ACF13中导电粒子14的直径和密度，为12μm 左右。因此，由于是比开口部5间的间隔s1的10μm更大的值，所以上层导电膜 7的宽度e1小于等于开口部5的宽度h1。
在实施方式1中，上层导电膜7的宽度e1为23μm。下层导电膜6的宽度 d1为17μm，下层导电膜6的端部比上层导电膜7的端部向内3μm，上层导电 膜7可靠地覆盖下层导电膜6。
结果，栅极布线2和下层导电膜6在同一层中同时形成，下层导电膜6和栅 极布线2的间隔b1确保为8μm。这在图案形成中采用湿蚀刻的制造工序中，由 于比通常的最小间隔3μm更大，所以大致可以消除栅极布线2和下层导电膜6 的短路。
从栅极安装端子3延伸的延长布线2a通过在此未图示的静电对策用的保护 电阻或保护二极管与短路环(short ring)连接。或者，是用于与简易点亮检查用端 子连接的。因此，也有不设置延长布线2a的情况。在该情况下，由于成为交错配 置的栅极布线2较长的列(在图2中的下侧的列)的栅极安装端子3间没有延长 布线2a的结构，所以该列的开口部5的宽度h1也可以更大地设计。但是，与相 同的驱动器IC11的COG安装中的列方向的定位误差容限，由在栅极安装端子3 间具有栅极布线2的列的较窄一方的开口部5的宽度h1来制约。
另外，开口部5的栅极布线2方向的长度(与列方向正交的方向的长度。以 下，简单记为长度)由于不是像列方向的狭窄节距，所以在COG安装中的定位误 差容限可以设计地较大。因此，也可以是长度方向与现有结构相同，作为比栅极 安装端子3的下层导电膜6的长度小的开口部5的长度，成为在绝缘膜4上搭载 上层导电膜7的端部的构造。即使在该长度方向上，上层导电膜7也为覆盖开口 部5露出的下层导电膜6的结构。
在此，开口部5的长度是120μm，由于凸块12的长度是110μm，所以在 COG安装中的长度方向的定位误差容限是±5μm。这是比列方向的定位误差容 限的±4μm更大的值。
接着，在实施方式1的COG安装中的定位误差容限比现有结构更大，对此， 通过与现有结构比较进行说明。图4是示出现有的安装端子基板的栅极安装端子 区域的平面图。图5是图4的B-B切断面的剖面图。
现有结构的栅极安装端子3的端子节距p是与实施方式1相同的36μm。栅 极布线2和下层导电膜6相同由Al、Mo等组成的金属膜同时形成。在此，由于 在图案化形成中使用湿蚀刻，所以栅极布线2和下层导电膜6的最小间隔b2是3 μm。由于栅极布线2的宽度m是4μm，所以下层导电膜6的最大宽度d2为26 μm。
现有结构也是在栅极安装端子3上的绝缘膜4中形成开口部5，但是开口部5 的宽度h2比下层导电膜6的宽度d2更小的结构。作为这样的结构，开口部5中 露出的材料仅是下层导电膜6，由于玻璃基板1不在开口部5中露出，所以可以 不进行玻璃基板1不需要的蚀刻。开口部5的端部考虑到定位误差和绝缘膜4的 蚀刻误差，配置在比下层导电膜6的端部靠内侧有间隔c的3μm。
结果，在现有的结构中，开口部5的宽度h2为20μm，开口部5间的间隔 s2为16μm。由于凸块12的宽度是18μm，所以仅能确保在COG安装中定位误 差容限为±1μm。对此，实施方式1中的开口部5的宽度h1是26μm，由于可 以确保COG安装中的定位误差容限为±4μm，所以有可以确保比现有结构大±3 μm的容限的效果。
另外，在现有结构中，由于栅极布线2和下层导电膜6的间隔b2为最小的3 μm，所以栅极布线2和下层导电膜6有可能短路。另一方面，在实施方式1中， 由于形成下层导电膜6比上层导电膜7更小，所以栅极布线2和下层导电膜6的 间隔b1大到8μm，有栅极布线2和下层导电膜6的短路能比现有结构更少的效 果。
另外，现有结构的开口部5的宽度h2在通过ACF13的COG安装中，也受 上层导电膜7间间隔的制约。为了防止通过在ACF13中分散的导电粒子14导致 的栅极安装端子3的短路的最小间隔与实施方式1相同，是12μm左右。因此， 由于端子节距p为36μm，所以上层导电膜7的宽度e2需要小于等于24μm。
进一步，上层导电膜7的宽度e2以覆盖在开口部5中露出的下层导电膜6 的方式，形成得比开口部5的宽度h2更大，成为上层导电膜7的端部搭载在绝缘 膜4上的结构。因此，考虑到开口部5以及上层导电膜7的定位误差和蚀刻误差 时，开口部5的端部需要比上层导电膜7的端部靠内侧并且间隔至少2～3μm， 开口部5的宽度h2小于等于18～20μm。也考虑到该上层导电膜7间的间隔的制 约时，由于凸块12的宽度是18μm，所以没有在COG安装中的列方向的定位误 差容限，或仅可以确保±1μm。
这样，在开口部5的宽度h2比下层导电膜6的宽度d2更小的现有结构中， 开口部5的宽度h2受到交错配置的栅极布线2和下层导电膜6的间隔b2与上层 导电膜7间的间隔制约。另一方面，在实施方式1中，开口部的宽度h1仅是由绝 缘膜4可靠覆盖栅极布线2的间隔a的制约。因此，在通常的制造工艺、设计规 则中，开口部5的宽度为h1＞h2。
另外，在实施方式1中，由于栅极安装端子3间有覆盖栅极布线2的绝缘膜 4导致的台阶差，所以这也作为用于防止短路的阻壁的功能。因此，在对相同的 栅极安装端子3间的间隔进行比较时，实施方式1有比现有结构更可以防止栅极 安装端子3间短路的效果。
另外，在实施方式1中，绝缘膜4的开口部5优选是比ACF13中的导电粒 子14直径更大的深度d。进而，优选比凸块12的高度更小。此时，几乎不会有 导电粒子14跨过绝缘膜4的深度d在栅极安装端子3间在基板面方向上连续排 列，可以消除栅极安装端子3间的短路。
另外，在实施方式1中，源极安装端子区域32由于在与栅极布线2相同层 中形成的变换源极布线23直接作为源极安装端子31的下层导电膜6形成，所以 成为与栅极安装端子区域30同层的结构。通过这样的层结构，栅极安装端子区域 30和源极安装端子区域32的端子高度可以相同。与在相同的驱动器IC11上连接 的栅极安装端子3和源极安装端子31的高度不同的情况相比，由于凸块12和栅 极安装端子3以及源极安装端子31的间隔可以均匀，所以在通过ACF13的COG 安装中，导电粒子14的压接可以均匀。另外，在不通过ACF13，使凸块12和栅 极安装端子3以及源极安装端子31直接接触的COG安装中，接触应力可以均匀。 因此，有可以提高COG安装中导通的可靠性的效果。
实施方式2
实施方式2中，绝缘膜4的最上层是有机树脂膜4c，上层导电膜7为ITO结 构。此时，在有机物上形成的ITO与在无机物上形成的ITO的膜质不同，蚀刻速 度不同。在有机物上形成的IIO比在无机物上形成的ITO的蚀刻速度快2～8倍。
由于ITO的蚀刻速度有大的差异，所以在实施方式1中，为了尺寸精度好地 加工有机树脂膜4c上形成的ITO组成的像素电极52和ITO组成的上层导电膜7 两者，需要分两次ITO蚀刻。蚀刻形成蚀刻速度快的像素电极52后，用抗蚀剂掩 模保护像素电极52，通过追加蚀刻而除去在开口部5内的玻璃基板1上残留的 ITO。
对此，实施方式2为了减少蚀刻工序，采用一次的ITO蚀刻，是使作为无机 物的玻璃基板1上的ITO残膜7a与开口部5的形状自对准(self-aligned)地残留 的结构。
图6是示出了实施方式2中栅极安装端子区域的剖面图。ITO组成的上层导 电膜7结束有机树脂膜4c上的ITO蚀刻，即使在进行稍微的追加蚀刻的时间点， 在开口部5内的玻璃基板1露出的区域中，成为从上层导电膜7的抗蚀剂掩模位 置到开口部5的下端残留ITO残膜7a的形状。虽然有机树脂4c上的ITO因蚀刻 速度快而可靠地蚀刻，但是由于开口部5内的ITO蚀刻速度慢，所以与开口部5 的宽度h1匹配地自对准形成含有ITO残膜7a部分的上层导电膜7。此时，即使 有ITO残膜7a，由于可靠蚀刻了在栅极安装端子3间存在的有机树脂膜4c上的 ITO，所以即使较少的蚀刻工序，也有可以防止栅极安装端子3间短路的效果。
另外，通过ITO残膜7a，由于玻璃基板1在开口部5不露出，所以在以后的 工序中，有可以防止玻璃基板1的不需要的蚀刻的效果。
实施方式3
图7是示出了实施方式3中栅极安装端子区域的剖面图。在构成绝缘膜4的 有机树脂膜4c上进一步形成由氧化膜或氮化膜组成的无机绝缘膜4d。通过使绝缘 膜4的最上层为无机绝缘膜4d，从而实现ITO组成的像素电极52和上层导电膜7 的蚀刻速度的均匀性和尺寸精度提高。通过这样的结构，由于ITO形成在无机物 上，所以蚀刻速度变慢，但是即使一次ITO蚀刻，也具有可以没有ITO残膜7a 地在原来设计位置精度好地形成像素电极52和上层导电膜7的效果。
另外，在开口部5的侧面上由于露出有机树脂膜4c，所以该侧面的ITO因蚀 刻速度快而被可靠地除去，即使较少的蚀刻工序，也有可以防止由栅极安装端子3 间的ITO残膜7a导致的短路的效果。
实施方式4
图8是示出了在实施方式4中栅极安装端子区域的平面图。在实施方式1中， 如图2所示，由于栅极安装端子3的长度方向不是像列方向那样狭窄的节距，所 以与现有结构相同，作为比下层导电膜6的长度更小的开口部5的长度，成为上 层导电膜7的端部搭载在绝缘膜4上的结构。在实施方式4中，如图8所示，即 使在栅极安装端子3的长度方向上，也成为与实施方式1的列方向相同的结构。 但是，仅从栅极安装端子3延伸栅极布线2和延长布线2a的区域，为了由与下层 导电膜6相同的层组成的栅极布线2和延长布线2a由上层导电膜7覆盖进行保 护，成为上层导电膜7的端部搭载在绝缘膜4上的现有结构。这样，通过使栅极 安装端子3的长度方向也构成与列方向相同的结构，在与实施方式1相同大小、 配置的开口部5中，有可以使交错配置中的列间的上层导电膜7的长度方向的间 隔f变大的效果。或者，如果是相同的间隔f，则开口部5的长度可以比实施方式 1更大。
在以上的实施方式中，虽然描述了COG安装，但是不限于驱动器IC，即使 与具有凸块的布线基板、布线薄膜基板等外部部件的安装也可以应用本发明。另 外，作为具有本发明安装端子结构的安装端子基板，也可以适用通常的半导体基 板或电子电路基板。
另外，虽然描述了液晶显示装置，但是也可以适用于电致发光(EL)显示装 置、电致变色显示装置、使用微粒子或油等的电子纸等的显示装置中。