掩模坯件的制造方法转让专利
申请号 : CN200580032601.X
文献号 : CN100595671C
文献日 : 2010-03-24
发明人 : 大久保靖
申请人 : HOYA株式会社
摘要 :
于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
权利要求 :
1.一种掩模坯件制造方法，它是具有于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法其特征在于包括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
2. 根据权利要求l所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，它具 有在上述薄膜形成时或形成后取得并保存与掩模坯件规格有关的薄膜 的膜信息的工序；以及使上述膜信息与上述掩模坯件相对应的工序。
3. 根据权利要求1或2所述的掩模坯件的制造方法，其特征在于， 它具有取得和保存与上述掩模坯件用基片的掩模坯件规格有关的基片 信息的工序，以及使上述基片信息与上述掩模坯件相对应的工序。
4. 根据权利要求2所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，上述 膜信息包括缺陷信息、光学特性信息、薄膜形成信息、表面形态信息 其中的一种信息。
5. 根据权利要求3所述的掩模坯件制造方法，其特征在于：上述基片信息包括缺陷信息、光学特性信息与表面形态信息其中的 一种信 台
6. 根据权利要求2所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，它包 括有对上述掩模坯件直接或间接地附以识别信息的工序，以使上述掩 模坯件、上述抗蚀剂膜形成信息能与上述薄膜的膜信息相对应。
7. 根据权利要求3所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，它包 括有对上述掩模坯件直接或间接地附以识别信息的工序，以使上述掩 模坯件、上述抗蚀剂膜形成信息能与上述基片信息相对应。
8. 根据权利要求l所述的掩模坯件制造方法，其特征在于，上述 抗蚀剂膜为化学增强型抗蚀剂膜。
9. 一种掩模制造方法，其特征在于，它是将通过权利要求l的掩 模坯件制造方法制得的掩模坯件的上述薄膜进行图案化，而于上述掩 模坯件用基片上形成掩模图案。
10. —种掩模坯件管理系统，其特征在于具有：在掩模坯件用基 片上形成了成为掩模图案的薄膜与抗蚀剂膜的掩模坯件之中，对于含 有在上述薄膜上形成抗蚀剂膜的日期信息的抗蚀剂膜形成信息进行存 储的形成信息存储装置；给予上述掩模坯件以识别信息的识别信息给 予装置；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述识别信息相对应而将这些信 息保存的掩模坯件信息存储装置；基于上述日期信息，确定形成在上 述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的掩 模坯件的选定装置。
11. 根据权利要求IO所述的掩模坯件管理系统，其特征在于，它 具有保存着上述掩模坯件用基片的掩模坯件的规格有关的基片信息以 及/或者薄膜的膜信息的基片信息存储装置以及/或者膜信息存储装 置，而在上述掩模坯件信息存储装置中则保存着上述基片信息以及/ 或者上述薄膜的膜信息。
12. 根据权利要求10所述的掩模坯件管理系统，其特征在于，它 设有信息发送装置，将上述识别信息、上述抗蚀剂膜形成信息经通信 线路提供给掩模制造部门。
13. 根据权利要求11所述的掩模坯件管理系统，其特征在于，它 设有信息发送装置，将上述识别信息、上述抗蚀剂膜形成信息、上述 膜信息以及/或者上述基片信息经通信线路提供给掩模制造部门。
14. 根据权利要求10或11所述的掩模坯件管理系统，其特征在 于，它设有信息接收装置，基于上述抗蚀剂膜形成信息，经通信线路 由掩模制造部门接收形成于掩模坯件中的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过 允许范围的掩;f莫坯件信息。
15. —种掩模坯件再生方法，其特征在于，它具有：基于含有在、掩模坯件用基片上形成抗蚀剂膜的日期信息的抗蚀剂膜形成信息，确 定掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件，而将该已确定的掩模坯件上形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在已剥 离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
16. 根据权利要求15所述的掩模坯件的再生方法，其特征在于， 它是用碱性溶剂以及/或者有机溶剂来剥离上述抗蚀剂膜。
17. —种掩模坯件制造方法，它是在掩模坯件用基片上形成了成 为掩模图案的薄膜的附有薄膜的基片的上述薄膜上形成抗蚀剂膜的掩 模坯件的制造方法，其特征在于，它包括：将包含有于上述薄膜上形 成上述抗蚀剂膜时的日期信息的抗蚀剂膜形成信息保存于形成信息存 储装置中的工序；使上述形成信息存储装置所保存的上述抗蚀剂膜形 成信息与上述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息与 上述掩模坯件的对应关系，将上述掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏 度变化超过允许范围的掩模坯件的上述抗蚀剂膜剥离的工序；于剥离 了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
18. 根据权利要求17所述的掩模坯件的制造方法，其特征在于： 在上述抗蚀剂膜的剥离工序中将上述抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许 范围的掩模坯件加以确定，再将上述确定的掩模坯件上形成的上述抗 蚀剂膜予以剥离。
说明书 :
掩模坯件的制造方法
技术领域
本发明涉及掩模坯件的制造方法、掩模的制造方法、掩模坯件管 理系统以及掩模坯件的再生方法，特别涉及到在曝光用掩模的制造中
能抑制因抗蚀剂膜的灵敏度变化而导致CD (临界尺寸：最小尺寸） 不合格的掩模坯件的制造方法与掩才莫坯件管理系统。此外还涉及到能 使导致CD不合格的抗蚀剂膜灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件进 行再生加以有效利用的掩模坯件（mask blank)的再生方法。
能抑制因抗蚀剂膜的灵敏度变化而导致CD (临界尺寸：最小尺寸） 不合格的掩模坯件的制造方法与掩才莫坯件管理系统。此外还涉及到能 使导致CD不合格的抗蚀剂膜灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件进 行再生加以有效利用的掩模坯件（mask blank)的再生方法。
背景技术
半导体制造中所用曝光用掩模的原模，即附有抗蚀剂膜的掩模坯 件，已是周知的。近年来，随着形成于半导体中的电路图案的微细化 与复杂化，在这种掩模坯件中对于具有高分辨率的化学增强型抗蚀剂 的需要性日益增高。
化学增强型抗蚀剂与其他抗蚀剂相比，抗蚀剂在涂布后的灵敏度 稳定性恶化，从抗蚀剂涂布到描绘工序的经过时间段内，由于抗蚀剂 涂布后的保管环境，会使抗蚀剂的灵敏度发生变化。因此，在制造曝 光掩模的掩模制造部门（掩模制造厂、器件制造厂等）中，根据经验 法则进行曝光量校正等，以抑制CD (临界尺寸：最小尺寸）的恶化 与波动。
近年来，为了提高曝光用掩模的成品率，已对掩模制造部门提供 了种种信息（参看特开2002-328463号公报（特许文献1)、特开 2003-149793号公，报（特许文献2 ))。例如在特许文献2中。例如在特 许文献2中，当从坯件制造部门（坯件制造厂）将掩模坯件提供给掩 模制造部门时，也提供相应掩模坯件的缺陷信息。由此，掩模制造部 门就可根据缺陷信息与图案数据选择适当的掩模坯件，从而能提高曝光用掩模的成品率。
但是在掩模制造部门中，从坯件制造部门接收掩模坯件之后（涂 布、形成抗蚀剂膜后）到描绘工序的日数、时间不是一定的。这是由 于掩模制造部门是根据半导体制造部门（半导体制造厂等）的曝光装 置的曝光日程，总计一定期间内需要的和估计的掩模坯件的种类和数 量，计算出从以往的掩模坯件的需要数所估计的需要量，向坯件制造 部门订货后再接收掩模坯件的缘故。
近年来，随着化学增强型抗蚀剂的高分辨率化，在涂布与形成抗 蚀剂膜后到描绘工序这段时间内所引起的抗蚀剂灵敏度的变化是很大 的。当抗蚀剂灵敏度变化超过允许范围时，修正抗蚀剂灵敏度的变化
是很困难的，从而导致CD不良。这种因抗蚀剂灵敏度变化而发生的 不良现象，即使如特许文献l、 2所示，给掩模制造部门提供各种信息 也是不能避免的。
化学增强型抗蚀剂与其他抗蚀剂相比，抗蚀剂在涂布后的灵敏度 稳定性恶化，从抗蚀剂涂布到描绘工序的经过时间段内，由于抗蚀剂 涂布后的保管环境，会使抗蚀剂的灵敏度发生变化。因此，在制造曝 光掩模的掩模制造部门（掩模制造厂、器件制造厂等）中，根据经验 法则进行曝光量校正等，以抑制CD (临界尺寸：最小尺寸）的恶化 与波动。
近年来，为了提高曝光用掩模的成品率，已对掩模制造部门提供 了种种信息（参看特开2002-328463号公报（特许文献1)、特开 2003-149793号公，报（特许文献2 ))。例如在特许文献2中。例如在特 许文献2中，当从坯件制造部门（坯件制造厂）将掩模坯件提供给掩 模制造部门时，也提供相应掩模坯件的缺陷信息。由此，掩模制造部 门就可根据缺陷信息与图案数据选择适当的掩模坯件，从而能提高曝光用掩模的成品率。
但是在掩模制造部门中，从坯件制造部门接收掩模坯件之后（涂 布、形成抗蚀剂膜后）到描绘工序的日数、时间不是一定的。这是由 于掩模制造部门是根据半导体制造部门（半导体制造厂等）的曝光装 置的曝光日程，总计一定期间内需要的和估计的掩模坯件的种类和数 量，计算出从以往的掩模坯件的需要数所估计的需要量，向坯件制造 部门订货后再接收掩模坯件的缘故。
近年来，随着化学增强型抗蚀剂的高分辨率化，在涂布与形成抗 蚀剂膜后到描绘工序这段时间内所引起的抗蚀剂灵敏度的变化是很大 的。当抗蚀剂灵敏度变化超过允许范围时，修正抗蚀剂灵敏度的变化
是很困难的，从而导致CD不良。这种因抗蚀剂灵敏度变化而发生的 不良现象，即使如特许文献l、 2所示，给掩模制造部门提供各种信息 也是不能避免的。
发明内容
本发明正是鉴于以上所述种种而提出的，第一，目的在于提供于 曝光用掩模制造时能抑制因抗蚀剂灵敏度变动而发生的CD不良的掩 模坯件以及掩模的制造方法、掩模坯件的管理系统。
第二，目的在于提供能有效地利用导致CD不良的抗蚀剂模灵敏 度变化超过允许范围的掩模坯件的掩模坯件的再生方法。
为了达到上述目的，本发明的掩模坯件制造方法是具有于掩模坯 件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜 上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包 括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀 剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对
应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上 的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确 定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂 膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。此外，本发明的掩模坯件的制造方法还具有在上述薄膜形成时或 形成后取得并保存与掩模坯件规格有关的薄膜的膜信息的工序。
根据这种方法，在将抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的抗蚀 剂膜剥离而再次于薄膜上形成抗蚀剂膜时，可以利用与该掩膜坯件相 对应保存的薄膜的膜信息的一部或全部。结果可以部分或全部地省略 取得和保存膜信息的工序，而能快速地制造再次形成了抗蚀剂膜的附 有抗蚀剂膜的掩模坯件，提供给掩模制造部门。然后，接受上述掩才莫 坯件提供的掩模制造部门就能可靠地回避使用抗蚀剂膜的灵敏度变化 超过允许范围的附有抗蚀剂膜的掩模坯件。这样就能防止因抗蚀剂灵
敏度变动而引发的CD不良。
此外，本发明的掩模坯件制造方法还具有取得和保存与上述掩模 坯件用基片的掩模坯件规格有关的基片信息的工序，以及使上述基片 信息与上述掩模坯件相对应的工序。
根据上述方法，在将抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的抗蚀 剂膜剥离而再次于薄膜上形成抗蚀剂之际，就能够利用除非剥离薄膜 才能获得的基片信息。这就是说，在需要基片信息的情形可以略去薄 膜的剥离工序。
此外，本发明的掩模坯件制造方法中，上述膜信息包括缺陷信息、 光学特性信息、薄膜形成信息、表面形态信息等其中的一种信息。
这样，当再次于薄膜上形成抗蚀剂膜之际，由于省除了为进行取 得上述膜信息时所费的时间，故能在缩短制造时间方面取得更大的效 果。
本发明的掩模坯件制造方法中，上述基片信息包括缺陷信息、光 学特性信息与表面形态信息等其中的一种信息。
这样，当再次于薄膜上形成抗蚀剂膜时，就可利用除非剥离薄膜 才能获得的上述信息。
此外，本发明的掩膜坯件制造方法还包括有对上述掩模坯件直接 或间接地附以识别信息的工序，以使上述掩模坯件、上述抗蚀剂膜形 成信息、能与上述薄膜的膜信息以及/或者上述基片信息相关联。根据上述方法，附有抗蚀剂膜的掩模坯件、形成抗蚀剂膜的抗蚀 剂膜形成信息就能可靠地对应薄膜的膜信息以及/或者基片信息，可以 防止信息的误认。
此外，本发明的掩模坯件制造方法中，上述抗蚀剂膜为化学增强 型抗蚀剂膜。
根据上述方法，通过将本发明用于一般经涂布、形成后的灵敏度 稳定性低的化学增强型的抗蚀剂膜，可以取得显著效果。
此外，本发明的掩模制造方法是将通过上述掩模坯件制造方法制 得的掩模坯件的上述薄膜进行图案化，而于上述掩^t坯件用基片上形 成掩模图案的方法。
根据上述方法，就能在制造掩模时使用附有灵敏度变化在允许范 围内的抗蚀剂膜的掩模坯件。这样就可防止产生因抗蚀剂灵敏度变化
所致的CD不良。
本发明的掩模坯件管理系统构成为具有：在掩模坯件用基片上形 成了成为掩模图案的薄膜与抗蚀剂膜的掩模坯件之中，对于含有在上 述薄膜上形成抗蚀剂膜的日期信息的抗蚀剂膜形成信息进行存储的形 成信息存储装置；给予上述掩模坯件以识别信息的识别信息给予装置； 与上述抗蚀剂膜形成信息、上述识别信息相对应而将这些信息保存的 掩模坯件信息存储装置；基于上述日期信息，确定形成于上述掩模坯 件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的掩模坯件选 定装置。
采用上述结构后，在剥离抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的 抗蚀剂膜而再利用此掩模坯件时，就可有效地利用对应于该掩模坯件 所保存的薄膜的膜信息的 一部或全部。然后在再利用掩模坯件时就可 省除取得并保存膜信息的工序的 一部或全部，从而能快速地制造掩才莫 坯件并将其提供给掩模制造部门。此外，能使薄膜的膜信息与将有抗 蚀剂膜的掩模毛坏以及形成抗蚀剂膜的日期信息可靠地对应，故可以 防止信息的误认。这样，在接受此管理系统所管理的掩模坯件供货的 掩模制造部门，就能可靠地避免使用附有灵敏度变化超过允许范围的抗蚀剂膜的掩模坯件。由此得以防止因抗蚀剂灵敏度变化产生的CD 不良。
此外，本发明的掩模坯件管理系统还构成为具有保存着上述掩模 坯件用基片的掩模坯件的规格有关的基片信息以及/或者薄膜的膜信 息的基片信息存储装置以及/或者膜信息存储装置，而在上述掩模坯件 信息存储装置中则保存着上述基片信息以及/或者薄膜的膜信息。
采用上述结构时，在剥离抗蚀剂膜的灵敏度范围超过允许范围的 抗蚀剂膜而再利用掩模坯件时，就可利用除非剥离薄膜才可以获得的 基片信息。
此外，本发明的掩模坯件管理系统还构设为设有信息发送装置， 将上述识别信息、上述抗蚀剂膜形成信息、上述膜信息以及/或者上述 基片信息经通信线路提供给掩模制造部门。
采用上述结构时，能将附有抗蚀剂膜的掩模坯件的信息与抗蚀剂 膜形成信息、膜信息以及/或者基片信息的识别信息相对应，迅速而正 确地提供给掩模制造部门。
此外，本发明的掩模坯件管理系统还构成为设有信息接收装置， 基于上述抗蚀剂膜形成信息，经通信线路由掩模制造部门接收形成于 掩模坯件中的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件信息。
釆用上述结构时，能迅速而正确地从掩模制造部门接收形成于掩 模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模毛坏的信息。
本发明的掩模坯件再生方法具有：基于掩模坯件用基片上形成抗 蚀剂膜的日期信息，确定掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超 过允许范围的掩模坯件，而将该已确定的掩模坯件上形成的抗蚀剂膜 剥离的工序；在已剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂 膜的工序。
采用上述方法时，可以有效地利用导致发生CD不良一类的抗蚀 剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件。
此外，本发明的掩模坯件的再生方法是作为用碱性溶剂以及/或者 有机溶剂来剥离上述抗蚀剂膜的方法。采用上述方法时，能够不损伤掩模坯件用基片和成为掩模图案的 薄膜而将抗蚀剂膜剥离。
本发明的掩模坯件制造方法是在掩模坯件用基片上形成了成为掩 模图案的薄膜的附有薄膜的基片的上述薄膜上形成的抗蚀剂膜的掩模
坯件的制造方法，此方法包括：将包含有于上述薄膜上形成上述抗蚀 剂膜时的日期信息的抗蚀剂膜形成信息保持于形成信息存储装置中的 工序；使上述形成信息存储装置所保存的上述抗蚀剂膜形成信息与上 述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯 件的对应关系，将上述掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过 允许范围的掩模坯件的上述抗蚀剂膜剥离的工序；于剥离了上述抗蚀 剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
此外，本发明的掩模坯件的制造方法是在上述抗蚀剂膜的剥离工 序中将上述抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件加以确 定，再将上述确定的掩模坯件上形成的上述抗蚀剂膜予以剥离。
如上所述，根据本发明，在掩模制造部门制造曝光用掩模之际能 可靠地避免使用附有抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的抗蚀剂膜 的掩模坯件。这样就可防止因抗蚀剂膜灵敏度变动而产生的CD不良。
第二，目的在于提供能有效地利用导致CD不良的抗蚀剂模灵敏 度变化超过允许范围的掩模坯件的掩模坯件的再生方法。
为了达到上述目的，本发明的掩模坯件制造方法是具有于掩模坯 件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜 上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法，此方法包 括：保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀 剂膜形成信息的工序；将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对
应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息，确定形成于上述掩模坯件上 的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序；将上述确 定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序；在剥离了上述抗蚀剂 膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。此外，本发明的掩模坯件的制造方法还具有在上述薄膜形成时或 形成后取得并保存与掩模坯件规格有关的薄膜的膜信息的工序。
根据这种方法，在将抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的抗蚀 剂膜剥离而再次于薄膜上形成抗蚀剂膜时，可以利用与该掩膜坯件相 对应保存的薄膜的膜信息的一部或全部。结果可以部分或全部地省略 取得和保存膜信息的工序，而能快速地制造再次形成了抗蚀剂膜的附 有抗蚀剂膜的掩模坯件，提供给掩模制造部门。然后，接受上述掩才莫 坯件提供的掩模制造部门就能可靠地回避使用抗蚀剂膜的灵敏度变化 超过允许范围的附有抗蚀剂膜的掩模坯件。这样就能防止因抗蚀剂灵
敏度变动而引发的CD不良。
此外，本发明的掩模坯件制造方法还具有取得和保存与上述掩模 坯件用基片的掩模坯件规格有关的基片信息的工序，以及使上述基片 信息与上述掩模坯件相对应的工序。
根据上述方法，在将抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的抗蚀 剂膜剥离而再次于薄膜上形成抗蚀剂之际，就能够利用除非剥离薄膜 才能获得的基片信息。这就是说，在需要基片信息的情形可以略去薄 膜的剥离工序。
此外，本发明的掩模坯件制造方法中，上述膜信息包括缺陷信息、 光学特性信息、薄膜形成信息、表面形态信息等其中的一种信息。
这样，当再次于薄膜上形成抗蚀剂膜之际，由于省除了为进行取 得上述膜信息时所费的时间，故能在缩短制造时间方面取得更大的效 果。
本发明的掩模坯件制造方法中，上述基片信息包括缺陷信息、光 学特性信息与表面形态信息等其中的一种信息。
这样，当再次于薄膜上形成抗蚀剂膜时，就可利用除非剥离薄膜 才能获得的上述信息。
此外，本发明的掩膜坯件制造方法还包括有对上述掩模坯件直接 或间接地附以识别信息的工序，以使上述掩模坯件、上述抗蚀剂膜形 成信息、能与上述薄膜的膜信息以及/或者上述基片信息相关联。根据上述方法，附有抗蚀剂膜的掩模坯件、形成抗蚀剂膜的抗蚀 剂膜形成信息就能可靠地对应薄膜的膜信息以及/或者基片信息，可以 防止信息的误认。
此外，本发明的掩模坯件制造方法中，上述抗蚀剂膜为化学增强 型抗蚀剂膜。
根据上述方法，通过将本发明用于一般经涂布、形成后的灵敏度 稳定性低的化学增强型的抗蚀剂膜，可以取得显著效果。
此外，本发明的掩模制造方法是将通过上述掩模坯件制造方法制 得的掩模坯件的上述薄膜进行图案化，而于上述掩^t坯件用基片上形 成掩模图案的方法。
根据上述方法，就能在制造掩模时使用附有灵敏度变化在允许范 围内的抗蚀剂膜的掩模坯件。这样就可防止产生因抗蚀剂灵敏度变化
所致的CD不良。
本发明的掩模坯件管理系统构成为具有：在掩模坯件用基片上形 成了成为掩模图案的薄膜与抗蚀剂膜的掩模坯件之中，对于含有在上 述薄膜上形成抗蚀剂膜的日期信息的抗蚀剂膜形成信息进行存储的形 成信息存储装置；给予上述掩模坯件以识别信息的识别信息给予装置； 与上述抗蚀剂膜形成信息、上述识别信息相对应而将这些信息保存的 掩模坯件信息存储装置；基于上述日期信息，确定形成于上述掩模坯 件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的掩模坯件选 定装置。
采用上述结构后，在剥离抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的 抗蚀剂膜而再利用此掩模坯件时，就可有效地利用对应于该掩模坯件 所保存的薄膜的膜信息的 一部或全部。然后在再利用掩模坯件时就可 省除取得并保存膜信息的工序的 一部或全部，从而能快速地制造掩才莫 坯件并将其提供给掩模制造部门。此外，能使薄膜的膜信息与将有抗 蚀剂膜的掩模毛坏以及形成抗蚀剂膜的日期信息可靠地对应，故可以 防止信息的误认。这样，在接受此管理系统所管理的掩模坯件供货的 掩模制造部门，就能可靠地避免使用附有灵敏度变化超过允许范围的抗蚀剂膜的掩模坯件。由此得以防止因抗蚀剂灵敏度变化产生的CD 不良。
此外，本发明的掩模坯件管理系统还构成为具有保存着上述掩模 坯件用基片的掩模坯件的规格有关的基片信息以及/或者薄膜的膜信 息的基片信息存储装置以及/或者膜信息存储装置，而在上述掩模坯件 信息存储装置中则保存着上述基片信息以及/或者薄膜的膜信息。
采用上述结构时，在剥离抗蚀剂膜的灵敏度范围超过允许范围的 抗蚀剂膜而再利用掩模坯件时，就可利用除非剥离薄膜才可以获得的 基片信息。
此外，本发明的掩模坯件管理系统还构设为设有信息发送装置， 将上述识别信息、上述抗蚀剂膜形成信息、上述膜信息以及/或者上述 基片信息经通信线路提供给掩模制造部门。
采用上述结构时，能将附有抗蚀剂膜的掩模坯件的信息与抗蚀剂 膜形成信息、膜信息以及/或者基片信息的识别信息相对应，迅速而正 确地提供给掩模制造部门。
此外，本发明的掩模坯件管理系统还构成为设有信息接收装置， 基于上述抗蚀剂膜形成信息，经通信线路由掩模制造部门接收形成于 掩模坯件中的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件信息。
釆用上述结构时，能迅速而正确地从掩模制造部门接收形成于掩 模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模毛坏的信息。
本发明的掩模坯件再生方法具有：基于掩模坯件用基片上形成抗 蚀剂膜的日期信息，确定掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超 过允许范围的掩模坯件，而将该已确定的掩模坯件上形成的抗蚀剂膜 剥离的工序；在已剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂 膜的工序。
采用上述方法时，可以有效地利用导致发生CD不良一类的抗蚀 剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件。
此外，本发明的掩模坯件的再生方法是作为用碱性溶剂以及/或者 有机溶剂来剥离上述抗蚀剂膜的方法。采用上述方法时，能够不损伤掩模坯件用基片和成为掩模图案的 薄膜而将抗蚀剂膜剥离。
本发明的掩模坯件制造方法是在掩模坯件用基片上形成了成为掩 模图案的薄膜的附有薄膜的基片的上述薄膜上形成的抗蚀剂膜的掩模
坯件的制造方法，此方法包括：将包含有于上述薄膜上形成上述抗蚀 剂膜时的日期信息的抗蚀剂膜形成信息保持于形成信息存储装置中的 工序；使上述形成信息存储装置所保存的上述抗蚀剂膜形成信息与上 述掩模坯件相对应的工序；基于上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯 件的对应关系，将上述掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过 允许范围的掩模坯件的上述抗蚀剂膜剥离的工序；于剥离了上述抗蚀 剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
此外，本发明的掩模坯件的制造方法是在上述抗蚀剂膜的剥离工 序中将上述抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件加以确 定，再将上述确定的掩模坯件上形成的上述抗蚀剂膜予以剥离。
如上所述，根据本发明，在掩模制造部门制造曝光用掩模之际能 可靠地避免使用附有抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的抗蚀剂膜 的掩模坯件。这样就可防止因抗蚀剂膜灵敏度变动而产生的CD不良。
附图说明
图l是示明掩模坯件管理系统概略结构的框图。
图2是示明坯件制造部门与掩模制造部门之间信息交换的说明图。
图3是示明坯件制造部门与掩模制造部门之间物品交换的说明图。
图4是示明掩模坯件制造方法的流程图。 具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施形式 [掩模坯件管理系统]首先参照图l-3说明掩模坯件管理系统的实施形式。
图1是示明掩模坯件管理系统概略结构的框图，图2是示明坯件 制造部门与掩模制造部门之间信息交换的说明图。图3是示明坯件制 造部门与掩模制造部门之间物品交换的说明图。
在本发明中，坯件制造部门与掩模制造部门不仅仅指同 一企业间 的各个部门，也意味着不同企业的坯件制造厂与掩模制造厂。
如图l所示，掩模坯件管理系统包括：制造附有抗蚀剂膜的掩模 坯件（以下称作掩模坯件）的坯件制造部门100的终端10;将由坯件 制造部门100取得的薄膜的膜信息与抗蚀剂膜的形成信息、掩模坯件 等的识别信息集中存储的服务器11;制造曝光用掩模的掩模制造部门 200的终端20;将示明掩模制造部门200对掩模坯件使用状况的信息， 掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的 信息等集中存储的服务器21;将上述服务器11、 21作可通信连接的 通信线路30。终端10、 20由个人计算机等构成。此外，通信线路30 既可以由包括服务器11、 21的网络32构成，也可以由专用线路构成。
此外，上述坯件制造部门100的终端10例如设置于掩模坯件的每 道制造工序中，保存各工序中取得的后述基片信息、膜信息、抗蚀剂 膜形成信息，经LAN与服务器11连接，将这些信息收集到服务器11 中。
如图2所示，坯件制造部门100的服务器11中设有掩模坯件信息 存储装置110。掩模坯件信息存储装置110对应于提供给掩模制造部 门200的掩模坯件的识别信息，存储从各终端收集的基片信息与薄膜 的膜信息，抗蚀剂膜的形成信息等。基片信息中包含基片表面与内部 的缺陷信息，光学特性信息（透过率等），表面形态信息（表面糙度、 平坦度等）。薄膜的膜信息中包括薄膜的缺陷信息与光学特性信息（透 过率、反射率）、薄膜形成信息（成膜条件、膜应力等）、表面形态信
息（表面糙度、平坦度等），等等。此外，抗蚀剂膜的形成信息中则包 含影响抗蚀剂膜灵敏度变化的信息，具体地说，在基片上涂布与形成 抗蚀剂膜的日期、抗蚀剂种类、加热条件、掩模坯件保管环境等。掩模坯件识别信息直接或间接地给予各掩模坯件。在图2与3所 示例子中，将交货用的坯件收纳箱30的收纳箱号与保持坯件收纳箱 30的掩模坯件的各收纳槽上所附的槽号作为识别信息，以确定各掩模 坯件。此外，当坯件收纳箱30只收纳一片掩模坯件时，即将收纳箱号 作为掩模坯件识别信息。
掩模制造部门的服务器21中设有掩模坯件使用状况存储装置210 与退还信息形成装置220。掩模坯件使用状况存储装置210存储掩才莫 制造部门200中掩模坯件的使用状况，具体地说，与掩模坯件制造部 门IOO提供的掩模坯件识别信息相关联，具有保存抗蚀剂种类、抗蚀 剂膜形成日期、掩模坯件保管环境等信息的掩模坯件的库存清单230， 通过从中删除使用完的掩模坯件信息，而存储掩模坯件的使用状况。
退还信息形成装置220从掩模坯件库存清单230中所含的未使用 掩模坯件之中抽出抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件， 制成应退还到掩模坯件制造部门100的掩模坯件的退还清单。掩模坯 件退还清单中包括退还的掩模坯件识别信息（坯件收纳箱号、槽号等）、 抗蚀剂种类等数据。具体地说，退还信息形成装置200根据抗蚀剂膜 的形成信息、掩模制造部门200中掩模坯件的保管环境等，应用预测 抗蚀剂膜的灵敏度变化的灵敏度变化预测装置，确定抗蚀剂膜的灵敏 度变化超过允许范围的掩模坯件，制成掩模坯件退还清单。
灵敏感度变化预测装置300可以设置于坯件制造部门100的终端 10或服务器11中以及/或者设于掩模制造部门200的终端20或服务器 21之中。坯件制造部门100用灵敏度变化预测装置300预测抗蚀剂膜 灵敏度变化时，可以在掩模制造部门200与坯件制造部门100之间共 用掩^t制造部门200的掩^=莫坯件库存清单信息。
<掩模坯件的制造方法以及掩模坯件的提供方法>
下面参照图2-4说明掩模坯件的制造方法与掩模坯件的提供方法 两者的实施形式。
图2说明坯件制造部门IOO与掩模制造部门200之间的信息交换。 图3说明掩模坯件的制造方法、掩模坯件的再生方法以及坯件制造部门100与掩模制造部门200之间的物品交换。图4是掩模坯件的制造 方法与掩模坯件提供方法两者的实施形式的流程图。
图4中从工序l-a至工序l-i是有关坯件制造部门100进行的掩才莫 坯件制造方法，而从工序2-a至工序2-f是有关掩模制造部门200进行 的掩模制造方法。 (工序l匿a)
首先于掩模坯件用基片上形成掩模图案薄膜。
成为掩模图案的薄膜根据掩模的种类包括遮光膜、相移膜、反射 膜、吸收体膜与防反射膜等。这些薄膜用来使复制曝光光通过或阻止 其通过，相对于复制曝光光起到某种作用，以将规定的复制图案像形 成于复制对象之上。因此，本发明的掩模坯件广义上用来包括：形成 具有遮断复制曝光光功能的遮光膜的光掩^t坯件；形成相对于复制曝 光光带来相差功能的相移膜的相移掩模坯件；形成相对于复制曝光光 兼具有遮光功能与带来相差变化功能的半透膜的半色调型相移掩模坯 件；形成具有反射复制曝光光功能的反射膜、具有吸收复制曝光光抑 制反射功能的吸收体膜的反射型掩模坯件等。
此外，掩模坯件包括LSI (半导体集成电路)用掩模坯件、各种 PD (平板显示器）用掩模坯件等所有的掩模坯料。
掩模坯件用基片材料并无特别限制，可以使用石英玻璃、无碱玻 璃、硼硅玻璃、铝硅玻璃、钠钓玻璃等。作为反射型掩模用基片材料 可以使用超低膨胀玻璃或超低膨胀陶资。图3中于基片32上顺次形成 了半色调模33、遮光膜34、抗蚀剂膜35。 (工序l-b )
接着于薄膜上涂布、形成抗蚀剂膜35,制备附有抗蚀剂膜的掩模 坯件31。
抗蚀剂膜35可采用阳图型或阴图型。抗蚀剂的种类无特别限制。 例如可采用光线（紫外线、远紫外线）曝光描绘用、电子射线曝光描 绘用的。
抗蚀剂膜35的涂布，形成方法并无特别限定。例如可采用旋涂法、毛细涂布法、扫描涂布法等。(工序l-C )
再于上述工序l-b中在薄膜上涂布、形成抗蚀剂膜35的抗蚀剂膜形成信息予以保存。
上述的抗蚀剂膜形成信息为影响抗蚀剂膜35灵敏度变化的信息。即于基片32上涂布、形成抗蚀剂膜35的日期、抗蚀剂种类、加热处理条件、掩模坯件保管环境等。
抗蚀剂膜形成信息的保存可以直接保存于坯件制造部门100终端10内的坯件信息存储装置中，或是与掩模制造部门200进行信息交换的服务器11内的掩^t坯件信息存储装置110内。(工序l-d)
准备好将掩模坯件提供给掩模制造部门200时使用的坯件收纳箱30,此坯件收纳箱30中收纳已制成的掩模坯件。然后将坯件收纳箱30中收纳的掩模坯件的抗蚀剂膜形成信息与掩模坯件的识别信息相对应，记录保存于掩^t坯件信息存储装置110中。
作为使抗蚀剂膜形成信息与坯件收纳箱30中收纳的掩;f莫坯件相对应的手段，存在有对各掩模坯件直接给予识别信息而使此识别信息与抗蚀剂膜形成信息相对应的方法；以及使坯件收纳箱30的箱号和同时给予坯件收纳箱30内各收纳槽的槽号作为识别信息（此时，用于识别掩模坯件的识别信息是间接地给予掩模坯件的），而将此箱号与槽号同抗蚀剂膜形成信息相对应的方法。
在此也可将保存工序所保存的掩模坯件的识别信息、形成薄膜之
前取得的基片表面和内部的缺陷信息、光学特性信息（透过率等）、表
面形态信息（表面糙度、平坦度等）等等的基片信息，与保存工序所
保存的薄膜形成时或形成后取得的薄膜缺陷信息和光学特性信息（透过率、反射率等）、薄膜形成信息（成膜条件、膜应力等）、表面形态
信息（表面糙度、平坦度等）等等的膜信息相对应，而记录、保存于掩模坯件信息存储装置110中。(工序l-e)在此将制备的掩模坯件通过坯件收纳箱30同时将掩模坯件信息存储装置110中保存的抗蚀剂膜形成信息，利用通信线路30等提供给掩模制造部门200。作为提供抗蚀剂膜形成信息的具体方法有：配置坯件制造部门100的服务器11与掩模制造部门200的服务器21，随即将抗蚀剂膜形成信息保存于坯件制造部门100的服务器11中，掩模制造部门200便可访问掩模坯件制造部门100的服务器11而取得抗蚀剂膜形成信息的方法；在坯件制造部门100的服务器11与掩模制造部门200的服务器21之间安装专用线路，而从坯件制造部门100的服务器11将抗蚀剂膜形成信息直接发送给掩模制造部门200的服务器21的方法。
掩模制造部门200保管坯件制造部门100提供的掩模坯件，同时根据掩模坯件的识别信息与其抗蚀剂膜形成信息制成掩模毛坏库存清单230，记录，保存于掩模坯件使用状况存储装置210(掩模制造部门200的终端20或服务器21)中。
掩模坯件库存清单230中包括用于确定各掩模坯件的识别信息(直接给予掩模坯件的识别号、箱号、槽号等）、抗蚀剂种类、涂布与形成抗蚀剂膜35的日期、掩模坯件保管环境（掩模制造部门的保管环境）等信息。
掩模制造部门200将由坯件制造部门100提供的掩模坯件保管在具有使抗蚀剂膜35的灵敏度变化比例尽可能小的环境的保管库，或以装入坯件收纳箱30的状态一直保管到掩模制造工序开始之前。
掩模制造部门200也可将掩模坯件使用状况存储装置210中保存的掩模坯件库存清单230利用通信线路30等提供给坯件制造部门100。具体地说，存在有下述各种方法：在掩模制造部门200的服务器21中保存着掩模坯件库存清单230，坯件制造部门IOO访问掩模制造部门200的服务器21而获得掩模坯件库存清单230;或者，于掩模制造部门200的服务器21与坯件制造部门100的服务器11之间设置专门线路，而从掩模制造部门200的服务器21将掩模坯件库存清单230直接发送给坯件制造部门100的服务器11。(工序l-f)
现在参考抗蚀剂膜形成信息，确定抗蚀剂膜35的灵敏度变化超过
预定允许范围的掩模坯件。具体可按以下方法进行。
(1 )掩模制造部门200参照掩模坯件库存清单230的抗蚀剂膜形成信息，预测未使用的掩模坯件上形成的抗蚀剂膜35的灵敏度变化(工序2國b )。
预测抗蚀剂膜35的灵敏度变化时，可以利用涂布、形成抗蚀剂膜35的日期、抗蚀剂种类、掩模坯件保管环境等信息，依过去的经验法则进行。例如有对各种抗蚀剂设定使用期限而将此使用期限与抗蚀剂形成日期相比较的方法，或是对此再加上掩模坯件保管环境信息以修^正使用期限的方法。
(2 )掩模制造部门200从掩模坯件库存清单230中确定抗蚀剂膜35的灵敏度变化超过预定的允许范围的掩模坯件（工序2-c)。
上述允许范围可以适当地设定成，当掩模制造工序中因抗蚀剂膜35的灵敏度变化引起的CD变动超过允许值时，不使图案缺陷发生。此外，取代上述方法，也可以于在掩模坯件上形成的抗蚀剂膜35上，进行描绘、显像处理，求出实际上的CD变动，来判定是否超过预定的灵敏度变化。此时，对于超过了预定的灵敏度变化的允许范围的掩模坯件可从上述掩模坯件库存清单230之中予以确定。再者，上述工序2-b、 2-c也可于坯件制造部门100中进行。坯件制造部门100在预测抗蚀剂膜35的灵敏度变化时，将此结果经通信线路30通知掩模制造部门200的服务器21，推荐应退回的掩模坯件。
(3 )掩模制造部门200制成将退还给坯件制造部门100的掩模坯件的退还信息（工序2-d)。
掩模坯件的退还信息由掩模制造部门200的终端20之中的退还信息制成装置制成。掩模坯件的退还信息可以很好地确定拟退还的掩模坯件，包括用于确定掩模坯件的识别信息（直接给予掩模坯件的识别信息、坯件收纳箱的箱号、槽号等），抗蚀剂种类等。(4 )掩模制造部门200将退还给坯件制造部门100的掩模坯件收纳于坯件收纳箱30之中，退还给坯件制造部门100,同时将上述制成的掩模坯件的退还信息发送给坯件制造部门100 (工序2-e)。
掩模坯件的退还信息可以添加到收纳退还的掩模坯件的坯件收纳箱30之上返还，也可以利用通信线路30等只是将掩模坯件的退还信息发送给掩模坯件制造部门100的服务器11。
(5)坯件制造部门IOO对于从掩模制造部门200退还的掩^^坯件，可根据掩模坯件的退还信息从掩模坯件信息存储装置110之中确定。
(工序l國g )
此后，坯件制造部门IOO将掩模制造部门200退还的掩模坯件的抗蚀剂膜35剥离。
剥离抗蚀剂膜35的方法可以用溶解抗蚀剂膜35且不损伤掩模坯件用基片32以及基片32上形成的薄膜的溶剂或是灰化等方法进行。
当抗蚀剂膜35是化学增强型抗蚀剂或酚醛清漆型抗蚀剂的抗蚀剂膜时，若是采用碱性溶剂和/或有机溶剂，则不会损伤掩模坯件用基片32或将成为掩模图案的薄膜，可以很好地剥离抗蚀剂膜35。
此外，当抗蚀剂膜35为高分子型抗蚀剂膜时，若是采用有机溶剂，则不会损伤掩模坯件用基片32以及将成为掩模图案的薄膜，能很好地剥离抗蚀剂膜35。(工序l-h)
然后，坯件制造部门100于形成有将成为掩模图案的薄膜的基片32上，再次涂布、形成抗蚀剂膜35而制成附有抗蚀剂膜的掩模坯件31。这样，掩模坯件信息存储装置110中保存的抗蚀剂膜形成信息便更新而保存着新形成的抗蚀剂膜信息。(工序l-i)
坯件制造部门100随即将制作的掩模坯件与更新的抗蚀剂膜形成信息一起提供给掩模制造部门200。掩模制造部门200将提供的掩模坯件转移到掩模制造工序，制作曝光用掩模（工序2-f)。
在上述的掩模坯件制造方法中，也可以在工序l-a之前设置取得包括基片表面与内部的缺陷信息、光学特性信息（透过率等）、表面形态信息（表面糙度、平坦度等）等等基片信息的基片信息取得工序、
保存基片信息的工序。此外，也可在工序l-b与工序l-c之间，设置取得包括薄膜的缺陷信息以及光学特性信息（透过率、反射率、相差等）、薄膜形成信息（成膜条件、膜应力等）、表面形态信息（表面糙度、平坦度等）等等薄膜的膜信息的膜信息取得工序以及保存膜信息的工序。在设置有这些工序时，将上述基片信息和/或膜信息与掩模坯件识别信息相对应，记录保存于掩模坯件信息存储装置110中。
在由掩模制造部门100退还的掩模坯件上再涂布、形成抗蚀剂而制成的掩模毛坏上附以薄膜的膜信息而提供给掩模制造部门200时，最好于工序l-g和工序l-h之间设置再测定与抗蚀剂膜35接触的薄膜的膜信息，将其记录、保存于掩^^莫坯件信息存储装置110之中的工序，此再测定的薄膜的膜信息可以与退还前的薄膜的膜信息重写，也可以与退还前的薄膜的膜信息相关联而进行保存。
当薄膜为多层叠置的叠层膜时，根据抗蚀剂膜不接触的基片侧薄膜的膜信息以及基片信息与从掩模制造部门200退还的掩模坯件退还信息，首先取出提供给掩模制造部门200的膜信息，能原样地加以利用。从而也可只对不接触抗蚀剂膜35的薄膜的膜信息进行再测定、记录与保存。
[实施例]
对精磨的石英玻璃基片32的表面缺陷进行检查，取得基片32的缺陷信息。此外测定玻璃基片表面的表面糙度与平坦度，取得表面形态信息。这些信息相对于各个基片32记录，保存于坯件制造部门100的终端10的坯件信息存储装置中。
再于石英玻璃基片32上用溅射法形成将成为掩模图案的钼硅化物氮化膜的半色调膜33。
对半色调膜33进行缺陷检查，取得半色调膜33的膜信息。作为膜信息，于掩模制造工序中有可能成为图案不良的某种缺陷的位置信的种类（针孔、粒子与其他）可以通过缺陷检查装置取得，将其结果
相对于各掩模坯件记录、保存于坯件制造部门100的终端10的坯件信
息存储装置中。此外，作为膜信息的由分光光度计与相差测定器测定 的透过率与相差等光学特性以及由表面糙度测定和与平面度测定机测 定的膜表面的表面糙度与平面度等表面形态信息等，也可相对于各掩 模坯件存储，保存于掩模信息存储装置中。
上述位置信息以切口标记为基准，根据玻璃基片的尺寸算出玻璃
基片主表面的中心，以此为基点o，此通过该基点与玻璃基片各边平
行的线为假想的x轴、y轴，保存在此xy坐标系中的各缺陷的x坐标 与y坐标。在此，上述的粒子是指膜上或膜中附着的粒状物质的状态， 而针孔是指一旦附着于膜中的粒状物质掉落时留下的痕迹，亦即指膜 脱落时的状态。膜脱落是指膜的基底状态能确认为完全无膜的状态以 及膜的基底状态不能确认的局部膜厚度薄的状态两者。
再于半色调膜33上通过溅射法形成氮化铬膜/碳化铬膜/氮氧化铬 膜的叠层膜组成的带有防反射功能的遮光膜34。
继而与前述相同，对具有防反射功能的遮光膜34进行缺陷检查， 取得遮光膜34的光信息，将对于各个掩模坯件取得的遮光膜34的膜 信息记录，保存于坯件制造部门100的终端10的坯件信息存储装置中。
在此，与上述相同。作为遮光膜34的膜信息的透过率与反射率的 光学特性以及表面糙度与平面度的表面形态信息等，是相对于各个掩 模坯件记录保存于坯件信息存储装置中。
在通过旋涂法于遮光膜34上涂布，形成化学增强型抗蚀剂（富士 社制：FEP171)后，用加热处理制成多片附有ArF准分子激光曝光 用抗蚀剂膜的半色调型相移掩模坯件31 (以下称为掩模坯件）。
这里也可进行抗蚀剂膜35的缺陷检查取得抗蚀剂膜35的膜信息。 此时，所取得的抗蚀剂膜35的膜信息也与上述相同相对于各个掩模坯 件而记录，保存于坯件制造部100的终端10的坯件信息存储装置中。
将制得的多片掩模坯件31收纳于坯件收纳箱30中。对坯件收纳 箱30给予固有的箱号。此箱号与槽号相组合成为确定、识别掩模坯件的识别信息。箱号并不局限于可通过视觉识别的那种。例如也可以是 条码、磁记录媒体、IC芯片之类的可用光学方法读取的或可磁读的。
坯件收纳箱30具有盖与外箱，外箱之中还收纳有内箱、内箱中从 上往下形成有许多槽（隔间），槽间的沟中可收纳多片掩模坯件31。 槽虽然是掩模坯件间的间隔，但为了方便说明，将置放掩模坯件31 的沟部分称之为槽。例如在存在有置放5片掩模坯件31的沟时，则与 各沟相对应地给予槽号，而分别称作l号槽、2号槽.......5号槽。
将记录，保存于收纳在坯件收纳箱30中各末端的掩模坯件的抗蚀 剂膜形成信息，薄膜的膜信息，基片信息，都记录，保存于坯件制造 部门100的服务器11中所设的掩模坯件信息存储装置110中。记录， 保存于掩模坯件信息存储装置110之中的具体信息为箱号、槽号（由 此两者确定掩模坯件）、基片信息、薄膜的膜信息、形成于掩模坯件 31上的抗蚀剂种类（具体是FEP171)及其涂布与形成的日期、掩模 坯件的保管环境（有无干燥剂以及氮气的封入等）。
将坯件收纳箱30中收纳的坯件31提供给掩模制造部门200。此 外将上述掩模坯件信息存储装置110中保存的基片信息、薄膜的膜信 息、抗蚀剂膜形成信息经由通信线路30提供给掩模制造部门200。具 体地说，将坯件制造部门100的服务器11与掩^=莫制造部门200的服务 器21通过网络32连接，同时将提供给掩模制造部门200的掩模坯件 31的抗蚀剂膜形成信息，薄膜的膜信息以及基片信息保存于坯件制造 部门100的服务器11中，而掩模制造部门200的服务器21则访问坯 件制造部门100的服务器11，取得所交纳的掩模坯件31的抗蚀剂膜 形成信息、薄膜的膜信息与基片信息。
掩模制造部门200将交纳的掩模坯件31与从坯件制造部门100 的服务器11取得的抗蚀剂膜形成信息相核对，将这些信息登录于掩模 制造部门200的服务器21中掩模坯件使用状态存储装置210的掩模坯 件库存清单230内。登录于掩模坯件库存清单230中的具体信息是用 于确定各掩模坯件31的识别信息（具体为坯件收纳箱30的箱号与槽 号）、抗蚀剂种类（具体为FEP171 (富士7 4/"厶7-，社制，正型化学增强型抗蚀剂）、涂布与形成抗蚀剂膜35的日期，掩模坯件保管 环境（用坯件收纳箱30时的保管环境以及掩模制造部门200的保管环 境）等。
掩模制造部门200按照半导体制造者的定货，从掩模坯件的在库 清单230中选择用于制造掩模的掩模坯件31,进入掩模制造工序。此 时，已选择的掩模坯件31的信息便从掩模坯件库存清单230中删除（或 者在使用完后附加信息）。
随后在掩模制造部门200以未使用的掩模坯件31为对象，根据掩 模坯件库存清单230的抗蚀剂膜形成信息与掩模坯件保管环境，预测 抗蚀剂膜35的灵敏度变化。求出不发生CD不良的抗蚀剂膜35的灵 敏度变化的允许范围，预测超过允许范围的日期，保存于掩模坯件库 存清单230中。具体地说，掩模坯件表面内CD平均值的变动值以15nm 为允许范围。
掩模制造部门200当存在有预定的抗蚀剂膜35的灵敏度变化超过 允许范围的掩模坯件31时，即于掩模坯件库存清单230中将其确定， 并将此确定的掩模坯件31退还给坯件制造部门100。
在从掩模制造部门200将掩模坯件31退还到坯件制造部门100 之际，制成掩模坯件退还清单，与掩模坯件31—起提供给坯件制造部 门100。掩模坯件退还清单可以附于收纳将是还的坯件31的坯件收纳 箱30中，也可以经由通线线路或服务器提供。掩模坯件退还清单可以 是特定将退还的坯件31的信息，具体地说是掩模制造部门200在收货 时所收纳的坯件收纳箱30的箱号、槽号。此外，掩模坯件退还清单中 也可以加入抗蚀剂种类的信息。
坯件制造部门IOO从掩模坯件信息存储装置110中确定由掩模制 造部门200退还的掩模坯件31。
然后用剥离液（具体为碱性溶剂）将掩模坯件31上形成的抗蚀剂 膜35剥离，再对已剥离了抗蚀剂膜35的遮光膜表面进行洗净处理。
此外，与前述相同，对附有防反射功能的遮光膜34进行缺陷检查， 取得遮光模34的膜信息，而将取得的遮光膜34的膜信息作为由坯件制造部门100的终端10的坯件信息存储装置确定的掩^^莫坯件31的信 息，予以记录、保存。
于遮光膜34上再次涂布、形成抗蚀剂膜35,制成附有抗蚀剂膜 的掩膜坯件31。制成的掩模坯件31再次提供给掩模制造部门200。此 再次提供给掩模制造部门200的掩模坯件31，其抗蚀剂灵敏度基本无 变化，不会产生因抗蚀剂灵敏度变化导致CD不良。
有关此再次提供给掩模制造部门200的掩模坯件31的基片信息、 薄膜的膜信息、抗蚀剂膜形成信息，在将信息更新后提供给掩模制造 部分200。在此提供给掩模制造部门200的薄膜的膜信息之中，半色 调膜33的膜信息能将先前提供的半色调膜33的膜信息原样地利用、 提供。至于遮光膜34的膜信息则最好再次检查缺陷而提供更新的遮光 膜34的膜信息。
坯件制造部门100也可根据掩模坯件31的退还信息确定从掩模制 造部门200退还的掩模坯件31，在附有形成了与此确定的掩模坯件31 有相同光学特性的薄膜（半色调膜33与遮光膜34)不同的薄膜的基 片32上，新形成抗蚀剂膜35而制作附有抗蚀剂膜的掩模坯件31，同 时保持有形成抗蚀剂膜时的日期信息，而将此掩模坯件31与包含上述 日期信息的抗蚀剂膜形成信息等信息一起提供给掩模制造部门200。
工业实用性
本发明的附有抗蚀剂膜的掩模坯件的制造方法与掩模坯件再生方 法可以用于包括有坯件制造部门的终端或服务器以及掩模制造部门的 终端或服务器的掩模坯件管理系统。采用本发明后，在制造曝光用掩 模之际，能极其有效地用来抑制因抗蚀剂膜灵敏度变化所产生的CD 不良。
图2是示明坯件制造部门与掩模制造部门之间信息交换的说明图。
图3是示明坯件制造部门与掩模制造部门之间物品交换的说明图。
图4是示明掩模坯件制造方法的流程图。 具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施形式 [掩模坯件管理系统]首先参照图l-3说明掩模坯件管理系统的实施形式。
图1是示明掩模坯件管理系统概略结构的框图，图2是示明坯件 制造部门与掩模制造部门之间信息交换的说明图。图3是示明坯件制 造部门与掩模制造部门之间物品交换的说明图。
在本发明中，坯件制造部门与掩模制造部门不仅仅指同 一企业间 的各个部门，也意味着不同企业的坯件制造厂与掩模制造厂。
如图l所示，掩模坯件管理系统包括：制造附有抗蚀剂膜的掩模 坯件（以下称作掩模坯件）的坯件制造部门100的终端10;将由坯件 制造部门100取得的薄膜的膜信息与抗蚀剂膜的形成信息、掩模坯件 等的识别信息集中存储的服务器11;制造曝光用掩模的掩模制造部门 200的终端20;将示明掩模制造部门200对掩模坯件使用状况的信息， 掩模坯件上形成的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的 信息等集中存储的服务器21;将上述服务器11、 21作可通信连接的 通信线路30。终端10、 20由个人计算机等构成。此外，通信线路30 既可以由包括服务器11、 21的网络32构成，也可以由专用线路构成。
此外，上述坯件制造部门100的终端10例如设置于掩模坯件的每 道制造工序中，保存各工序中取得的后述基片信息、膜信息、抗蚀剂 膜形成信息，经LAN与服务器11连接，将这些信息收集到服务器11 中。
如图2所示，坯件制造部门100的服务器11中设有掩模坯件信息 存储装置110。掩模坯件信息存储装置110对应于提供给掩模制造部 门200的掩模坯件的识别信息，存储从各终端收集的基片信息与薄膜 的膜信息，抗蚀剂膜的形成信息等。基片信息中包含基片表面与内部 的缺陷信息，光学特性信息（透过率等），表面形态信息（表面糙度、 平坦度等）。薄膜的膜信息中包括薄膜的缺陷信息与光学特性信息（透 过率、反射率）、薄膜形成信息（成膜条件、膜应力等）、表面形态信
息（表面糙度、平坦度等），等等。此外，抗蚀剂膜的形成信息中则包 含影响抗蚀剂膜灵敏度变化的信息，具体地说，在基片上涂布与形成 抗蚀剂膜的日期、抗蚀剂种类、加热条件、掩模坯件保管环境等。掩模坯件识别信息直接或间接地给予各掩模坯件。在图2与3所 示例子中，将交货用的坯件收纳箱30的收纳箱号与保持坯件收纳箱 30的掩模坯件的各收纳槽上所附的槽号作为识别信息，以确定各掩模 坯件。此外，当坯件收纳箱30只收纳一片掩模坯件时，即将收纳箱号 作为掩模坯件识别信息。
掩模制造部门的服务器21中设有掩模坯件使用状况存储装置210 与退还信息形成装置220。掩模坯件使用状况存储装置210存储掩才莫 制造部门200中掩模坯件的使用状况，具体地说，与掩模坯件制造部 门IOO提供的掩模坯件识别信息相关联，具有保存抗蚀剂种类、抗蚀 剂膜形成日期、掩模坯件保管环境等信息的掩模坯件的库存清单230， 通过从中删除使用完的掩模坯件信息，而存储掩模坯件的使用状况。
退还信息形成装置220从掩模坯件库存清单230中所含的未使用 掩模坯件之中抽出抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件， 制成应退还到掩模坯件制造部门100的掩模坯件的退还清单。掩模坯 件退还清单中包括退还的掩模坯件识别信息（坯件收纳箱号、槽号等）、 抗蚀剂种类等数据。具体地说，退还信息形成装置200根据抗蚀剂膜 的形成信息、掩模制造部门200中掩模坯件的保管环境等，应用预测 抗蚀剂膜的灵敏度变化的灵敏度变化预测装置，确定抗蚀剂膜的灵敏 度变化超过允许范围的掩模坯件，制成掩模坯件退还清单。
灵敏感度变化预测装置300可以设置于坯件制造部门100的终端 10或服务器11中以及/或者设于掩模制造部门200的终端20或服务器 21之中。坯件制造部门100用灵敏度变化预测装置300预测抗蚀剂膜 灵敏度变化时，可以在掩模制造部门200与坯件制造部门100之间共 用掩^t制造部门200的掩^=莫坯件库存清单信息。
<掩模坯件的制造方法以及掩模坯件的提供方法>
下面参照图2-4说明掩模坯件的制造方法与掩模坯件的提供方法 两者的实施形式。
图2说明坯件制造部门IOO与掩模制造部门200之间的信息交换。 图3说明掩模坯件的制造方法、掩模坯件的再生方法以及坯件制造部门100与掩模制造部门200之间的物品交换。图4是掩模坯件的制造 方法与掩模坯件提供方法两者的实施形式的流程图。
图4中从工序l-a至工序l-i是有关坯件制造部门100进行的掩才莫 坯件制造方法，而从工序2-a至工序2-f是有关掩模制造部门200进行 的掩模制造方法。 (工序l匿a)
首先于掩模坯件用基片上形成掩模图案薄膜。
成为掩模图案的薄膜根据掩模的种类包括遮光膜、相移膜、反射 膜、吸收体膜与防反射膜等。这些薄膜用来使复制曝光光通过或阻止 其通过，相对于复制曝光光起到某种作用，以将规定的复制图案像形 成于复制对象之上。因此，本发明的掩模坯件广义上用来包括：形成 具有遮断复制曝光光功能的遮光膜的光掩^t坯件；形成相对于复制曝 光光带来相差功能的相移膜的相移掩模坯件；形成相对于复制曝光光 兼具有遮光功能与带来相差变化功能的半透膜的半色调型相移掩模坯 件；形成具有反射复制曝光光功能的反射膜、具有吸收复制曝光光抑 制反射功能的吸收体膜的反射型掩模坯件等。
此外，掩模坯件包括LSI (半导体集成电路)用掩模坯件、各种 PD (平板显示器）用掩模坯件等所有的掩模坯料。
掩模坯件用基片材料并无特别限制，可以使用石英玻璃、无碱玻 璃、硼硅玻璃、铝硅玻璃、钠钓玻璃等。作为反射型掩模用基片材料 可以使用超低膨胀玻璃或超低膨胀陶资。图3中于基片32上顺次形成 了半色调模33、遮光膜34、抗蚀剂膜35。 (工序l-b )
接着于薄膜上涂布、形成抗蚀剂膜35,制备附有抗蚀剂膜的掩模 坯件31。
抗蚀剂膜35可采用阳图型或阴图型。抗蚀剂的种类无特别限制。 例如可采用光线（紫外线、远紫外线）曝光描绘用、电子射线曝光描 绘用的。
抗蚀剂膜35的涂布，形成方法并无特别限定。例如可采用旋涂法、毛细涂布法、扫描涂布法等。(工序l-C )
再于上述工序l-b中在薄膜上涂布、形成抗蚀剂膜35的抗蚀剂膜形成信息予以保存。
上述的抗蚀剂膜形成信息为影响抗蚀剂膜35灵敏度变化的信息。即于基片32上涂布、形成抗蚀剂膜35的日期、抗蚀剂种类、加热处理条件、掩模坯件保管环境等。
抗蚀剂膜形成信息的保存可以直接保存于坯件制造部门100终端10内的坯件信息存储装置中，或是与掩模制造部门200进行信息交换的服务器11内的掩^t坯件信息存储装置110内。(工序l-d)
准备好将掩模坯件提供给掩模制造部门200时使用的坯件收纳箱30,此坯件收纳箱30中收纳已制成的掩模坯件。然后将坯件收纳箱30中收纳的掩模坯件的抗蚀剂膜形成信息与掩模坯件的识别信息相对应，记录保存于掩^t坯件信息存储装置110中。
作为使抗蚀剂膜形成信息与坯件收纳箱30中收纳的掩;f莫坯件相对应的手段，存在有对各掩模坯件直接给予识别信息而使此识别信息与抗蚀剂膜形成信息相对应的方法；以及使坯件收纳箱30的箱号和同时给予坯件收纳箱30内各收纳槽的槽号作为识别信息（此时，用于识别掩模坯件的识别信息是间接地给予掩模坯件的），而将此箱号与槽号同抗蚀剂膜形成信息相对应的方法。
在此也可将保存工序所保存的掩模坯件的识别信息、形成薄膜之
前取得的基片表面和内部的缺陷信息、光学特性信息（透过率等）、表
面形态信息（表面糙度、平坦度等）等等的基片信息，与保存工序所
保存的薄膜形成时或形成后取得的薄膜缺陷信息和光学特性信息（透过率、反射率等）、薄膜形成信息（成膜条件、膜应力等）、表面形态
信息（表面糙度、平坦度等）等等的膜信息相对应，而记录、保存于掩模坯件信息存储装置110中。(工序l-e)在此将制备的掩模坯件通过坯件收纳箱30同时将掩模坯件信息存储装置110中保存的抗蚀剂膜形成信息，利用通信线路30等提供给掩模制造部门200。作为提供抗蚀剂膜形成信息的具体方法有：配置坯件制造部门100的服务器11与掩模制造部门200的服务器21，随即将抗蚀剂膜形成信息保存于坯件制造部门100的服务器11中，掩模制造部门200便可访问掩模坯件制造部门100的服务器11而取得抗蚀剂膜形成信息的方法；在坯件制造部门100的服务器11与掩模制造部门200的服务器21之间安装专用线路，而从坯件制造部门100的服务器11将抗蚀剂膜形成信息直接发送给掩模制造部门200的服务器21的方法。
掩模制造部门200保管坯件制造部门100提供的掩模坯件，同时根据掩模坯件的识别信息与其抗蚀剂膜形成信息制成掩模毛坏库存清单230，记录，保存于掩模坯件使用状况存储装置210(掩模制造部门200的终端20或服务器21)中。
掩模坯件库存清单230中包括用于确定各掩模坯件的识别信息(直接给予掩模坯件的识别号、箱号、槽号等）、抗蚀剂种类、涂布与形成抗蚀剂膜35的日期、掩模坯件保管环境（掩模制造部门的保管环境）等信息。
掩模制造部门200将由坯件制造部门100提供的掩模坯件保管在具有使抗蚀剂膜35的灵敏度变化比例尽可能小的环境的保管库，或以装入坯件收纳箱30的状态一直保管到掩模制造工序开始之前。
掩模制造部门200也可将掩模坯件使用状况存储装置210中保存的掩模坯件库存清单230利用通信线路30等提供给坯件制造部门100。具体地说，存在有下述各种方法：在掩模制造部门200的服务器21中保存着掩模坯件库存清单230，坯件制造部门IOO访问掩模制造部门200的服务器21而获得掩模坯件库存清单230;或者，于掩模制造部门200的服务器21与坯件制造部门100的服务器11之间设置专门线路，而从掩模制造部门200的服务器21将掩模坯件库存清单230直接发送给坯件制造部门100的服务器11。(工序l-f)
现在参考抗蚀剂膜形成信息，确定抗蚀剂膜35的灵敏度变化超过
预定允许范围的掩模坯件。具体可按以下方法进行。
(1 )掩模制造部门200参照掩模坯件库存清单230的抗蚀剂膜形成信息，预测未使用的掩模坯件上形成的抗蚀剂膜35的灵敏度变化(工序2國b )。
预测抗蚀剂膜35的灵敏度变化时，可以利用涂布、形成抗蚀剂膜35的日期、抗蚀剂种类、掩模坯件保管环境等信息，依过去的经验法则进行。例如有对各种抗蚀剂设定使用期限而将此使用期限与抗蚀剂形成日期相比较的方法，或是对此再加上掩模坯件保管环境信息以修^正使用期限的方法。
(2 )掩模制造部门200从掩模坯件库存清单230中确定抗蚀剂膜35的灵敏度变化超过预定的允许范围的掩模坯件（工序2-c)。
上述允许范围可以适当地设定成，当掩模制造工序中因抗蚀剂膜35的灵敏度变化引起的CD变动超过允许值时，不使图案缺陷发生。此外，取代上述方法，也可以于在掩模坯件上形成的抗蚀剂膜35上，进行描绘、显像处理，求出实际上的CD变动，来判定是否超过预定的灵敏度变化。此时，对于超过了预定的灵敏度变化的允许范围的掩模坯件可从上述掩模坯件库存清单230之中予以确定。再者，上述工序2-b、 2-c也可于坯件制造部门100中进行。坯件制造部门100在预测抗蚀剂膜35的灵敏度变化时，将此结果经通信线路30通知掩模制造部门200的服务器21，推荐应退回的掩模坯件。
(3 )掩模制造部门200制成将退还给坯件制造部门100的掩模坯件的退还信息（工序2-d)。
掩模坯件的退还信息由掩模制造部门200的终端20之中的退还信息制成装置制成。掩模坯件的退还信息可以很好地确定拟退还的掩模坯件，包括用于确定掩模坯件的识别信息（直接给予掩模坯件的识别信息、坯件收纳箱的箱号、槽号等），抗蚀剂种类等。(4 )掩模制造部门200将退还给坯件制造部门100的掩模坯件收纳于坯件收纳箱30之中，退还给坯件制造部门100,同时将上述制成的掩模坯件的退还信息发送给坯件制造部门100 (工序2-e)。
掩模坯件的退还信息可以添加到收纳退还的掩模坯件的坯件收纳箱30之上返还，也可以利用通信线路30等只是将掩模坯件的退还信息发送给掩模坯件制造部门100的服务器11。
(5)坯件制造部门IOO对于从掩模制造部门200退还的掩^^坯件，可根据掩模坯件的退还信息从掩模坯件信息存储装置110之中确定。
(工序l國g )
此后，坯件制造部门IOO将掩模制造部门200退还的掩模坯件的抗蚀剂膜35剥离。
剥离抗蚀剂膜35的方法可以用溶解抗蚀剂膜35且不损伤掩模坯件用基片32以及基片32上形成的薄膜的溶剂或是灰化等方法进行。
当抗蚀剂膜35是化学增强型抗蚀剂或酚醛清漆型抗蚀剂的抗蚀剂膜时，若是采用碱性溶剂和/或有机溶剂，则不会损伤掩模坯件用基片32或将成为掩模图案的薄膜，可以很好地剥离抗蚀剂膜35。
此外，当抗蚀剂膜35为高分子型抗蚀剂膜时，若是采用有机溶剂，则不会损伤掩模坯件用基片32以及将成为掩模图案的薄膜，能很好地剥离抗蚀剂膜35。(工序l-h)
然后，坯件制造部门100于形成有将成为掩模图案的薄膜的基片32上，再次涂布、形成抗蚀剂膜35而制成附有抗蚀剂膜的掩模坯件31。这样，掩模坯件信息存储装置110中保存的抗蚀剂膜形成信息便更新而保存着新形成的抗蚀剂膜信息。(工序l-i)
坯件制造部门100随即将制作的掩模坯件与更新的抗蚀剂膜形成信息一起提供给掩模制造部门200。掩模制造部门200将提供的掩模坯件转移到掩模制造工序，制作曝光用掩模（工序2-f)。
在上述的掩模坯件制造方法中，也可以在工序l-a之前设置取得包括基片表面与内部的缺陷信息、光学特性信息（透过率等）、表面形态信息（表面糙度、平坦度等）等等基片信息的基片信息取得工序、
保存基片信息的工序。此外，也可在工序l-b与工序l-c之间，设置取得包括薄膜的缺陷信息以及光学特性信息（透过率、反射率、相差等）、薄膜形成信息（成膜条件、膜应力等）、表面形态信息（表面糙度、平坦度等）等等薄膜的膜信息的膜信息取得工序以及保存膜信息的工序。在设置有这些工序时，将上述基片信息和/或膜信息与掩模坯件识别信息相对应，记录保存于掩模坯件信息存储装置110中。
在由掩模制造部门100退还的掩模坯件上再涂布、形成抗蚀剂而制成的掩模毛坏上附以薄膜的膜信息而提供给掩模制造部门200时，最好于工序l-g和工序l-h之间设置再测定与抗蚀剂膜35接触的薄膜的膜信息，将其记录、保存于掩^^莫坯件信息存储装置110之中的工序，此再测定的薄膜的膜信息可以与退还前的薄膜的膜信息重写，也可以与退还前的薄膜的膜信息相关联而进行保存。
当薄膜为多层叠置的叠层膜时，根据抗蚀剂膜不接触的基片侧薄膜的膜信息以及基片信息与从掩模制造部门200退还的掩模坯件退还信息，首先取出提供给掩模制造部门200的膜信息，能原样地加以利用。从而也可只对不接触抗蚀剂膜35的薄膜的膜信息进行再测定、记录与保存。
[实施例]
对精磨的石英玻璃基片32的表面缺陷进行检查，取得基片32的缺陷信息。此外测定玻璃基片表面的表面糙度与平坦度，取得表面形态信息。这些信息相对于各个基片32记录，保存于坯件制造部门100的终端10的坯件信息存储装置中。
再于石英玻璃基片32上用溅射法形成将成为掩模图案的钼硅化物氮化膜的半色调膜33。
对半色调膜33进行缺陷检查，取得半色调膜33的膜信息。作为膜信息，于掩模制造工序中有可能成为图案不良的某种缺陷的位置信的种类（针孔、粒子与其他）可以通过缺陷检查装置取得，将其结果
相对于各掩模坯件记录、保存于坯件制造部门100的终端10的坯件信
息存储装置中。此外，作为膜信息的由分光光度计与相差测定器测定 的透过率与相差等光学特性以及由表面糙度测定和与平面度测定机测 定的膜表面的表面糙度与平面度等表面形态信息等，也可相对于各掩 模坯件存储，保存于掩模信息存储装置中。
上述位置信息以切口标记为基准，根据玻璃基片的尺寸算出玻璃
基片主表面的中心，以此为基点o，此通过该基点与玻璃基片各边平
行的线为假想的x轴、y轴，保存在此xy坐标系中的各缺陷的x坐标 与y坐标。在此，上述的粒子是指膜上或膜中附着的粒状物质的状态， 而针孔是指一旦附着于膜中的粒状物质掉落时留下的痕迹，亦即指膜 脱落时的状态。膜脱落是指膜的基底状态能确认为完全无膜的状态以 及膜的基底状态不能确认的局部膜厚度薄的状态两者。
再于半色调膜33上通过溅射法形成氮化铬膜/碳化铬膜/氮氧化铬 膜的叠层膜组成的带有防反射功能的遮光膜34。
继而与前述相同，对具有防反射功能的遮光膜34进行缺陷检查， 取得遮光膜34的光信息，将对于各个掩模坯件取得的遮光膜34的膜 信息记录，保存于坯件制造部门100的终端10的坯件信息存储装置中。
在此，与上述相同。作为遮光膜34的膜信息的透过率与反射率的 光学特性以及表面糙度与平面度的表面形态信息等，是相对于各个掩 模坯件记录保存于坯件信息存储装置中。
在通过旋涂法于遮光膜34上涂布，形成化学增强型抗蚀剂（富士 社制：FEP171)后，用加热处理制成多片附有ArF准分子激光曝光 用抗蚀剂膜的半色调型相移掩模坯件31 (以下称为掩模坯件）。
这里也可进行抗蚀剂膜35的缺陷检查取得抗蚀剂膜35的膜信息。 此时，所取得的抗蚀剂膜35的膜信息也与上述相同相对于各个掩模坯 件而记录，保存于坯件制造部100的终端10的坯件信息存储装置中。
将制得的多片掩模坯件31收纳于坯件收纳箱30中。对坯件收纳 箱30给予固有的箱号。此箱号与槽号相组合成为确定、识别掩模坯件的识别信息。箱号并不局限于可通过视觉识别的那种。例如也可以是 条码、磁记录媒体、IC芯片之类的可用光学方法读取的或可磁读的。
坯件收纳箱30具有盖与外箱，外箱之中还收纳有内箱、内箱中从 上往下形成有许多槽（隔间），槽间的沟中可收纳多片掩模坯件31。 槽虽然是掩模坯件间的间隔，但为了方便说明，将置放掩模坯件31 的沟部分称之为槽。例如在存在有置放5片掩模坯件31的沟时，则与 各沟相对应地给予槽号，而分别称作l号槽、2号槽.......5号槽。
将记录，保存于收纳在坯件收纳箱30中各末端的掩模坯件的抗蚀 剂膜形成信息，薄膜的膜信息，基片信息，都记录，保存于坯件制造 部门100的服务器11中所设的掩模坯件信息存储装置110中。记录， 保存于掩模坯件信息存储装置110之中的具体信息为箱号、槽号（由 此两者确定掩模坯件）、基片信息、薄膜的膜信息、形成于掩模坯件 31上的抗蚀剂种类（具体是FEP171)及其涂布与形成的日期、掩模 坯件的保管环境（有无干燥剂以及氮气的封入等）。
将坯件收纳箱30中收纳的坯件31提供给掩模制造部门200。此 外将上述掩模坯件信息存储装置110中保存的基片信息、薄膜的膜信 息、抗蚀剂膜形成信息经由通信线路30提供给掩模制造部门200。具 体地说，将坯件制造部门100的服务器11与掩^=莫制造部门200的服务 器21通过网络32连接，同时将提供给掩模制造部门200的掩模坯件 31的抗蚀剂膜形成信息，薄膜的膜信息以及基片信息保存于坯件制造 部门100的服务器11中，而掩模制造部门200的服务器21则访问坯 件制造部门100的服务器11，取得所交纳的掩模坯件31的抗蚀剂膜 形成信息、薄膜的膜信息与基片信息。
掩模制造部门200将交纳的掩模坯件31与从坯件制造部门100 的服务器11取得的抗蚀剂膜形成信息相核对，将这些信息登录于掩模 制造部门200的服务器21中掩模坯件使用状态存储装置210的掩模坯 件库存清单230内。登录于掩模坯件库存清单230中的具体信息是用 于确定各掩模坯件31的识别信息（具体为坯件收纳箱30的箱号与槽 号）、抗蚀剂种类（具体为FEP171 (富士7 4/"厶7-，社制，正型化学增强型抗蚀剂）、涂布与形成抗蚀剂膜35的日期，掩模坯件保管 环境（用坯件收纳箱30时的保管环境以及掩模制造部门200的保管环 境）等。
掩模制造部门200按照半导体制造者的定货，从掩模坯件的在库 清单230中选择用于制造掩模的掩模坯件31,进入掩模制造工序。此 时，已选择的掩模坯件31的信息便从掩模坯件库存清单230中删除（或 者在使用完后附加信息）。
随后在掩模制造部门200以未使用的掩模坯件31为对象，根据掩 模坯件库存清单230的抗蚀剂膜形成信息与掩模坯件保管环境，预测 抗蚀剂膜35的灵敏度变化。求出不发生CD不良的抗蚀剂膜35的灵 敏度变化的允许范围，预测超过允许范围的日期，保存于掩模坯件库 存清单230中。具体地说，掩模坯件表面内CD平均值的变动值以15nm 为允许范围。
掩模制造部门200当存在有预定的抗蚀剂膜35的灵敏度变化超过 允许范围的掩模坯件31时，即于掩模坯件库存清单230中将其确定， 并将此确定的掩模坯件31退还给坯件制造部门100。
在从掩模制造部门200将掩模坯件31退还到坯件制造部门100 之际，制成掩模坯件退还清单，与掩模坯件31—起提供给坯件制造部 门100。掩模坯件退还清单可以附于收纳将是还的坯件31的坯件收纳 箱30中，也可以经由通线线路或服务器提供。掩模坯件退还清单可以 是特定将退还的坯件31的信息，具体地说是掩模制造部门200在收货 时所收纳的坯件收纳箱30的箱号、槽号。此外，掩模坯件退还清单中 也可以加入抗蚀剂种类的信息。
坯件制造部门IOO从掩模坯件信息存储装置110中确定由掩模制 造部门200退还的掩模坯件31。
然后用剥离液（具体为碱性溶剂）将掩模坯件31上形成的抗蚀剂 膜35剥离，再对已剥离了抗蚀剂膜35的遮光膜表面进行洗净处理。
此外，与前述相同，对附有防反射功能的遮光膜34进行缺陷检查， 取得遮光模34的膜信息，而将取得的遮光膜34的膜信息作为由坯件制造部门100的终端10的坯件信息存储装置确定的掩^^莫坯件31的信 息，予以记录、保存。
于遮光膜34上再次涂布、形成抗蚀剂膜35,制成附有抗蚀剂膜 的掩膜坯件31。制成的掩模坯件31再次提供给掩模制造部门200。此 再次提供给掩模制造部门200的掩模坯件31，其抗蚀剂灵敏度基本无 变化，不会产生因抗蚀剂灵敏度变化导致CD不良。
有关此再次提供给掩模制造部门200的掩模坯件31的基片信息、 薄膜的膜信息、抗蚀剂膜形成信息，在将信息更新后提供给掩模制造 部分200。在此提供给掩模制造部门200的薄膜的膜信息之中，半色 调膜33的膜信息能将先前提供的半色调膜33的膜信息原样地利用、 提供。至于遮光膜34的膜信息则最好再次检查缺陷而提供更新的遮光 膜34的膜信息。
坯件制造部门100也可根据掩模坯件31的退还信息确定从掩模制 造部门200退还的掩模坯件31，在附有形成了与此确定的掩模坯件31 有相同光学特性的薄膜（半色调膜33与遮光膜34)不同的薄膜的基 片32上，新形成抗蚀剂膜35而制作附有抗蚀剂膜的掩模坯件31，同 时保持有形成抗蚀剂膜时的日期信息，而将此掩模坯件31与包含上述 日期信息的抗蚀剂膜形成信息等信息一起提供给掩模制造部门200。
工业实用性
本发明的附有抗蚀剂膜的掩模坯件的制造方法与掩模坯件再生方 法可以用于包括有坯件制造部门的终端或服务器以及掩模制造部门的 终端或服务器的掩模坯件管理系统。采用本发明后，在制造曝光用掩 模之际，能极其有效地用来抑制因抗蚀剂膜灵敏度变化所产生的CD 不良。