平衡型声表面波滤波器转让专利
申请号 : CN200580034903.0
文献号 : CN101040436B
文献日 : 2010-10-20
发明人 : 高峰裕一
申请人 : 株式会社村田制作所
摘要 :
本发明提供一种声表面波滤波器(1)，其为具有平衡一不平衡转换功能的5IDT型的声表面波滤波器，可有效抑制在通带附近的寄生成分的产生。其中，在压电基板(2)上，沿表面波传播方向配置有第一～第五IDT(11～15)，第二IDT(12)与第四IDT(14)的相位相差180°，第二、第四IDT与不平衡端子连接，第三IDT具有第一和第二分割IDT部(13a、13b)，第一IDT(11)和第一分割IDT部(13a)与第一平衡端子(4)连接，第二分割IDT部(13b)和第五IDT(15)与第二平衡端子(5)连接，当分别设确定第一、第三、第五IDT(11、13、15)的中心频率的电极指的根数为N1、N3和N5时，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5。
权利要求 :
1.一种平衡型声表面波滤波器，具有不平衡端子、第一和第二平衡端子，并具有平衡-不平衡转换功能，其中，该平衡型声表面波滤波器具备：
压电基板；和
第一～第五IDT，该第一～第五IDT在所述压电基板上，沿表面波传播方向配置，所述第二、第四IDT与所述不平衡端子连接，且第二IDT的相位与第四IDT的相位相差180°，所述第三IDT具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部和第二分割IDT部，当设确定所述第一IDT的中心频率的电极指的根数为N1、确定第三IDT的中心频率的电极指的根数为N3、确定第五IDT的中心频率的电极指的根数为N5时，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，由所述第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备与该第一声表面波滤波部级联连接的第二声表面波滤波部，所述第二声表面波滤波部具备压电基板、和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第八IDT具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部和第二分割IDT部，在所述第一平衡端子连接有所述第七IDT，在第二平衡端子连接有所述第九IDT，当设确定第六IDT的中心频率的电极指的根数为N6、确定第八IDT的中心频率的电极指的根数为N8、确定第十IDT的中心频率的电极指的根数为N10时，使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10，所述第一声表面波滤波部的所述第一IDT、第一分割IDT部、第二分割IDT部以及第五IDT，分别通过第一～第四信号线，与所述第二声表面波滤波部的第六IDT、第八IDT的第一分割IDT部、第八IDT的第二分割IDT部以及第十IDT连接。
2.根据权利要求1所述的平衡型声表面波滤波器，其特征在于，在所述第一、第三信号线中传播的信号的相位与在第二、第四信号线中传播的信号的相位相差180°。
说明书 :
技术领域
本发明涉及具有平衡—不平衡转换功能的纵耦合谐振子型的平衡型声表面波滤波器(balanced surface acoustic wave filter)，尤其涉及具有沿声表面波传播方向配置了五个IDT的结构的平衡型声表面波滤波器。
背景技术
近年，作为在移动电话机的RF段使用的带通滤波器，使用具有平衡—不平衡转换功能的平衡型声表面波滤波器。尤其是，由于可对应于高频化、且可容易地对应于平衡—不平衡转换功能，因此在上述用途中主要使用纵耦合谐振子型的声表面波滤波器。
具有平衡—不平衡转换功能的平衡型声表面波滤波器与具有平衡输入输出或差动输入输出的平衡型混频器IC连接。通过使用该平衡型混频器IC，可降低噪声的影响，且可实现输出的稳定化。因此，为了提高移动电话机的特性，平衡型混频器IC在近年被广泛使用。与平衡型混频器IC连接的声表面波滤波器可谋求具有平衡—不平衡转换功能。
但是，以往提出了各种具有平衡—不平衡转换功能的声表面波滤波器。在下述的专利文献1中公开了这种平衡型声表面波滤波器的一个例子。
图7是示意性表示专利文献1所公开的平衡型声表面波滤波器的俯视剖面图。
平衡型声表面波滤波器101具有与不平衡端子102连接的单端口型声表面波谐振子103。在单端口型声表面波谐振子103的后段连接有声表面波滤波部104。声表面波滤波部104具有沿表面波传播方向依次配置的第一～第五IDT105～109。在设置有IDT105～109的区域的表面波传播方向两侧配置有反射器110、111。
在此，第二和第四IDT106、108通过单端口型声表面波谐振子103与不平衡端子102连接。第二IDT106的相位与第四IDT108的相位相差180°。第三IDT107具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部107a和第二分割IDT部107b。
第一IDT105和第一分割IDT部107a公共连接，与第一平衡端子112电连接。而且，第二分割IDT部107b和第五IDT109公共连接，与第二平衡端子113连接。近年，在具有平衡—不平衡转换功能的声表面波滤波器中，强烈要求实现通带内的插入损耗小、可自由调整终端阻抗、以及声表面波装置本身的小型化等。
如声表面波滤波器101那样使用了五个IDT105～109的纵耦合谐振子型的声表面波滤波器，具有有利于满足上述要求的特征。
专利文献1：特开2004-96244号公报
但是，如声表面波滤波器101那样5IDT型的具有平衡—不平衡转换功能声表面波滤波器，虽然可实现通带内的插入损耗的降低、可自由调整终端阻抗、以及元件的小型化，但存在会在通带附近产生不希望的寄生成分(spurious)。
具有平衡—不平衡转换功能的平衡型声表面波滤波器与具有平衡输入输出或差动输入输出的平衡型混频器IC连接。通过使用该平衡型混频器IC，可降低噪声的影响，且可实现输出的稳定化。因此，为了提高移动电话机的特性，平衡型混频器IC在近年被广泛使用。与平衡型混频器IC连接的声表面波滤波器可谋求具有平衡—不平衡转换功能。
但是，以往提出了各种具有平衡—不平衡转换功能的声表面波滤波器。在下述的专利文献1中公开了这种平衡型声表面波滤波器的一个例子。
图7是示意性表示专利文献1所公开的平衡型声表面波滤波器的俯视剖面图。
平衡型声表面波滤波器101具有与不平衡端子102连接的单端口型声表面波谐振子103。在单端口型声表面波谐振子103的后段连接有声表面波滤波部104。声表面波滤波部104具有沿表面波传播方向依次配置的第一～第五IDT105～109。在设置有IDT105～109的区域的表面波传播方向两侧配置有反射器110、111。
在此，第二和第四IDT106、108通过单端口型声表面波谐振子103与不平衡端子102连接。第二IDT106的相位与第四IDT108的相位相差180°。第三IDT107具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部107a和第二分割IDT部107b。
第一IDT105和第一分割IDT部107a公共连接，与第一平衡端子112电连接。而且，第二分割IDT部107b和第五IDT109公共连接，与第二平衡端子113连接。近年，在具有平衡—不平衡转换功能的声表面波滤波器中，强烈要求实现通带内的插入损耗小、可自由调整终端阻抗、以及声表面波装置本身的小型化等。
如声表面波滤波器101那样使用了五个IDT105～109的纵耦合谐振子型的声表面波滤波器，具有有利于满足上述要求的特征。
专利文献1：特开2004-96244号公报
但是，如声表面波滤波器101那样5IDT型的具有平衡—不平衡转换功能声表面波滤波器，虽然可实现通带内的插入损耗的降低、可自由调整终端阻抗、以及元件的小型化，但存在会在通带附近产生不希望的寄生成分(spurious)。
发明内容
本发明鉴于上述现有技术的现状而实现，目的在于提供一种平衡型声表面波滤波器，其为5IDT型的具有平衡—不平衡转换功能的平衡型声表面波滤波器，可有效抑制在通带附近的寄生成分的产生，因此可获得良好的滤波特性。
根据本发明，提供一种平衡型声表面波滤波器，具有不平衡端子、第一和第二平衡端子，并具有平衡—不平衡转换功能，其中，该平衡型声表面波滤波器具备：压电基板；和第一～第五IDT，该第一～第五IDT在所述压电基板上，沿表面波传播方向配置，所述第二、第四IDT与所述不平衡端子连接，且第二IDT的相位与第四IDT的相位相差180°，所述第三IDT具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部和第二分割IDT部，在所述第一平衡端子连接有第一分割IDT部和所述第一IDT，在第二平衡端子连接有所述第二分割IDT部和所述第五IDT，当设确定所述第一IDT的中心频率的电极指的根数为N1、确定第三IDT的中心频率的电极指的根数为N3、确定第五IDT的中心频率的电极指的根数为N5时，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5。
在本发明涉及的平衡型声表面波滤波器的某特定的方式下，由所述第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备与该第一声表面波滤波部级联连接的第二声表面波滤波部，所述第二声表面波滤波部具备：压电基板；和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第八IDT具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部和第二分割IDT部，当设确定第六IDT的中心频率的电极指的根数为N6、确定第八IDT的中心频率的电极指的根数为N8、确定第十IDT的中心频率的电极指的根数为N10时，使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10。
在本发明涉及的平衡型声表面波滤波器的其他特定的方式下，所述第一声表面波滤波部的所述第一IDT、第一分割IDT部、第二分割IDT部以及第五IDT，分别通过第一～第四信号线，与所述第二声表面波滤波部的第六IDT、第八IDT的第一分割IDT部、第八IDT的第二分割IDT部以及第九IDT连接。在该情况下，优选在所述第一、第三信号线中传播的信号的相位与在第二、第四信号线中传播的信号的相位相差180°。
根据本发明涉及的平衡型声表面波滤波器的其他特定的方式，由所述第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备级联连接于该第一声表面波滤波部与所述不平衡端子之间的第二声表面波滤波部，使所述第二IDT的相位与第四IDT的相位为同相位，所述第二声表面波滤波部具备：压电基板；和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位与第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT与所述不平衡端子连接，第七IDT和第九IDT分别通过第一、第二信号线与所述第一声表面波滤波部的第二以及第四IDT电连接。在该情况下，优选在所述第一信号线中传播的信号的相位与在所述第二信号线中传播的信号的相位相差180°。
(发明效果)
在本发明涉及的平衡型声表面波滤波器中，具有如下构成：第一～第五IDT沿表面波传播方向形成于压电基板上，第二、第四IDT与不平衡端子连接，第三IDT具有第一、第二分割IDT，在第一平衡端子连接有第一分割IDT部和第一IDT，在第二平衡端子连接有第二分割IDT部和第五IDT，因此可提供具有平衡—不平衡转换功能的5IDT型的纵耦合谐振子型声表面波滤波器。并且，在本发明中，当设确定第一IDT的中心频率的电极指的根数为N1、确定第三IDT的中心频率的电极指的根数为N3、确定第五IDT的中心频率的电极指的根数为N5时，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，因此能可靠抑制在通带附近产生寄生成分。所以，可获得良好的滤波特性。
因此，除5IDT型的纵耦合谐振子型声表面波滤波器的优点即1)通带内的插入损耗小、2)可自由调整终端阻抗、3)有利于实现元件的小型化之外，根据本发明，还可抑制通带附近的寄生成分的产生。因此，本发明的平衡型声表面波滤波器例如适宜用作移动电话机的RF段的带通滤波器。
在本发明中，第二声表面波滤波部与第一声表面波滤波部级联连接，第二声表面波滤波部与第一声表面波滤波部同样具有五个IDT第六～第十IDT，在使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10时，在第二声表面波滤波部中也同样可抑制在通带附近的寄生成分的产生，而且由于采用两级级联连接，因此可增大频带外衰减量。
另外，上述第二声表面波滤波部与第一声表面波滤波部级联连接的构成可通过如下构成实现：例如，通过第一～第四信号线，第一IDT、第一分割IDT部、第二分割IDT部以及第五IDT，分别与第二声表面波滤波部的第六IDT、第八IDT的第一分割IDT部以及第二分割IDT部以及第十IDT电连接。在该情况下，当在第一、第三信号线中传播的信号的相位与在第二、第四信号线中传播的信号的相位相差180°时也可提高声表面波滤波器的平衡度。
在本发明中，由第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备级联连接于该第一声表面波滤波部与所述不平衡端子之间的第二声表面波滤波部，使所述第二IDT的相位与第四IDT的相位为同相位，所述第二声表面波滤波部具备：压电基板；和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位与第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT与所述不平衡端子连接，第七IDT和第九IDT分别通过第一、第二信号线与所述第一声表面波滤波部的第二以及第四IDT电连接，该情况下可实现衰减量的扩大。在该情况下，当在第一信号线中传播的信号的相位与在第二信号线中传播的信号的相位相差180°时，也可提高声表面波滤波器的平衡度。
根据本发明，提供一种平衡型声表面波滤波器，具有不平衡端子、第一和第二平衡端子，并具有平衡—不平衡转换功能，其中，该平衡型声表面波滤波器具备：压电基板；和第一～第五IDT，该第一～第五IDT在所述压电基板上，沿表面波传播方向配置，所述第二、第四IDT与所述不平衡端子连接，且第二IDT的相位与第四IDT的相位相差180°，所述第三IDT具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部和第二分割IDT部，在所述第一平衡端子连接有第一分割IDT部和所述第一IDT，在第二平衡端子连接有所述第二分割IDT部和所述第五IDT，当设确定所述第一IDT的中心频率的电极指的根数为N1、确定第三IDT的中心频率的电极指的根数为N3、确定第五IDT的中心频率的电极指的根数为N5时，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5。
在本发明涉及的平衡型声表面波滤波器的某特定的方式下，由所述第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备与该第一声表面波滤波部级联连接的第二声表面波滤波部，所述第二声表面波滤波部具备：压电基板；和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第八IDT具有沿表面波传播方向分割的第一分割IDT部和第二分割IDT部，当设确定第六IDT的中心频率的电极指的根数为N6、确定第八IDT的中心频率的电极指的根数为N8、确定第十IDT的中心频率的电极指的根数为N10时，使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10。
在本发明涉及的平衡型声表面波滤波器的其他特定的方式下，所述第一声表面波滤波部的所述第一IDT、第一分割IDT部、第二分割IDT部以及第五IDT，分别通过第一～第四信号线，与所述第二声表面波滤波部的第六IDT、第八IDT的第一分割IDT部、第八IDT的第二分割IDT部以及第九IDT连接。在该情况下，优选在所述第一、第三信号线中传播的信号的相位与在第二、第四信号线中传播的信号的相位相差180°。
根据本发明涉及的平衡型声表面波滤波器的其他特定的方式，由所述第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备级联连接于该第一声表面波滤波部与所述不平衡端子之间的第二声表面波滤波部，使所述第二IDT的相位与第四IDT的相位为同相位，所述第二声表面波滤波部具备：压电基板；和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位与第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT与所述不平衡端子连接，第七IDT和第九IDT分别通过第一、第二信号线与所述第一声表面波滤波部的第二以及第四IDT电连接。在该情况下，优选在所述第一信号线中传播的信号的相位与在所述第二信号线中传播的信号的相位相差180°。
(发明效果)
在本发明涉及的平衡型声表面波滤波器中，具有如下构成：第一～第五IDT沿表面波传播方向形成于压电基板上，第二、第四IDT与不平衡端子连接，第三IDT具有第一、第二分割IDT，在第一平衡端子连接有第一分割IDT部和第一IDT，在第二平衡端子连接有第二分割IDT部和第五IDT，因此可提供具有平衡—不平衡转换功能的5IDT型的纵耦合谐振子型声表面波滤波器。并且，在本发明中，当设确定第一IDT的中心频率的电极指的根数为N1、确定第三IDT的中心频率的电极指的根数为N3、确定第五IDT的中心频率的电极指的根数为N5时，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，因此能可靠抑制在通带附近产生寄生成分。所以，可获得良好的滤波特性。
因此，除5IDT型的纵耦合谐振子型声表面波滤波器的优点即1)通带内的插入损耗小、2)可自由调整终端阻抗、3)有利于实现元件的小型化之外，根据本发明，还可抑制通带附近的寄生成分的产生。因此，本发明的平衡型声表面波滤波器例如适宜用作移动电话机的RF段的带通滤波器。
在本发明中，第二声表面波滤波部与第一声表面波滤波部级联连接，第二声表面波滤波部与第一声表面波滤波部同样具有五个IDT第六～第十IDT，在使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10时，在第二声表面波滤波部中也同样可抑制在通带附近的寄生成分的产生，而且由于采用两级级联连接，因此可增大频带外衰减量。
另外，上述第二声表面波滤波部与第一声表面波滤波部级联连接的构成可通过如下构成实现：例如，通过第一～第四信号线，第一IDT、第一分割IDT部、第二分割IDT部以及第五IDT，分别与第二声表面波滤波部的第六IDT、第八IDT的第一分割IDT部以及第二分割IDT部以及第十IDT电连接。在该情况下，当在第一、第三信号线中传播的信号的相位与在第二、第四信号线中传播的信号的相位相差180°时也可提高声表面波滤波器的平衡度。
在本发明中，由第一～第五IDT构成第一声表面波滤波部，还具备级联连接于该第一声表面波滤波部与所述不平衡端子之间的第二声表面波滤波部，使所述第二IDT的相位与第四IDT的相位为同相位，所述第二声表面波滤波部具备：压电基板；和在压电基板上沿声表面波传播方向配置的第六～第十IDT，第七IDT的相位与第九IDT的相位相差180°，第六、第八和第十IDT与所述不平衡端子连接，第七IDT和第九IDT分别通过第一、第二信号线与所述第一声表面波滤波部的第二以及第四IDT电连接，该情况下可实现衰减量的扩大。在该情况下，当在第一信号线中传播的信号的相位与在第二信号线中传播的信号的相位相差180°时，也可提高声表面波滤波器的平衡度。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图；
图2是表示第一实施方式的声表面波滤波器的衰减量—频率特性的图；
图3是表示使确定第一和第三IDT的中心频率的电极指(electrodefingers)的根数N1、N3变化时的通带低频侧的频率特性的变化的图；
图4是表示使确定第一和第三IDT的中心频率的电极指的根数N1、N3变化时的通带低频侧的频率特性的变化的图；
图5是表示本发明的第二实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图；
图6是表示本发明的第三实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图；
图7是表示现有的声表面波滤波器的一例的示意俯视图。
图中：1—声表面波滤波器；2—压电基板；3—不平衡端子；4、5—第一、第二平衡端子；11～15—第一～第五IDT；16、17—反射器；18—声表面波滤波部；19、20—单端口型声表面波谐振子；19a、20a—IDT；19b、19c—反射器；20b、20c—反射器；21—声表面波滤波器；22—压电基板；23—声表面波滤波部；24—声表面波滤波部；25—不平衡端子；26、27—第一、第二平衡端子；30a、30b—反射器；31～35—第一～第五IDT；36～40—第六～第十IDT；41a、41b—反射器；51～54—第一～第四信号线；61—声表面波滤波器；62—压电基板；63—第二声表面波滤波部；64—第一声表面波滤波部；65—不平衡端子；66、67—第一、第二平衡端子；71～75—第六～第十IDT；76、77—反射器；81～85—第一～第五IDT；86、87—反射器；91、92—第一、第二信号线；N—窄间距电极指部。
图2是表示第一实施方式的声表面波滤波器的衰减量—频率特性的图；
图3是表示使确定第一和第三IDT的中心频率的电极指(electrodefingers)的根数N1、N3变化时的通带低频侧的频率特性的变化的图；
图4是表示使确定第一和第三IDT的中心频率的电极指的根数N1、N3变化时的通带低频侧的频率特性的变化的图；
图5是表示本发明的第二实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图；
图6是表示本发明的第三实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图；
图7是表示现有的声表面波滤波器的一例的示意俯视图。
图中：1—声表面波滤波器；2—压电基板；3—不平衡端子；4、5—第一、第二平衡端子；11～15—第一～第五IDT；16、17—反射器；18—声表面波滤波部；19、20—单端口型声表面波谐振子；19a、20a—IDT；19b、19c—反射器；20b、20c—反射器；21—声表面波滤波器；22—压电基板；23—声表面波滤波部；24—声表面波滤波部；25—不平衡端子；26、27—第一、第二平衡端子；30a、30b—反射器；31～35—第一～第五IDT；36～40—第六～第十IDT；41a、41b—反射器；51～54—第一～第四信号线；61—声表面波滤波器；62—压电基板；63—第二声表面波滤波部；64—第一声表面波滤波部；65—不平衡端子；66、67—第一、第二平衡端子；71～75—第六～第十IDT；76、77—反射器；81～85—第一～第五IDT；86、87—反射器；91、92—第一、第二信号线；N—窄间距电极指部。
具体实施方式
下面，通过参照附图对本发明的具体实施方式进行说明，可进一步明确本发明。
(第一实施方式)
图1是本发明的一实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图。
本实施方式的声表面波滤波器1具有板状的压电基板2。在本实施方式中，压电基板2由40±5°Y切X方向传送LiTaO3(Y-cut X-propagationLiTaO3)基板构成。声表面波滤波器1是具有不平衡端子3、第一平衡端子4和第二平衡端子5，并具有平衡—不平衡转换功能的平衡型声表面波滤波器。另外，本实施方式的声表面波滤波器1被用作DCS接收用带通滤波器，设定不平衡端子3的阻抗为50Ω，设定第一和第二平衡端子4、5的阻抗为100Ω。
在压电基板2上，构成了具有第一～第五IDT11～15、反射器16、17的纵耦合谐振子型声表面波滤波部18。第一～第五IDT11～15在纵耦合谐振子型声表面波滤波部18中沿表面波传播方向按该顺序配置。并且，在配置了第一IDT11～第五IDT15的区域的表面波传播方向两侧，配置有反射器16、17。
在本实施方式中，第二和第四IDT12、14的一端与不平衡端子3连接。第二和第四IDT12、14的另一端与接地电位连接。第二IDT12的相位与第四IDT14的相位相差180°。
另一方面，中央的第三IDT13沿表面波传播方向分成两个。即，IDT13具有靠近第二IDT12侧的第一分割IDT部13a、和靠近第四IDT14侧的第二分割IDT部13b。
第一IDT11的一端和第三IDT13的第一分割IDT部13a通过后述的单端口型声表面波谐振子19与第一平衡端子4连接。
另外，第三IDT13的第二分割IDT部13b和第五IDT15的一端公共连接，且通过单端口型声表面波谐振子20与第二平衡端子5连接。
在本发明中，也可不设置单端口型声表面波谐振子19、20，但通过设置单端口型声表面波谐振子19、20，可增大比通带更高频侧附近的衰减量。
单端口型声表面波谐振子19、20分别具有IDT19a、20a。在IDT19a的表面波传播方向两侧设置有反射器19b、19c。在IDT20a的表面波传播方向两侧还设置有反射器20b、20c。
构成上述纵耦合谐振子型声表面波滤波部18、单端口型声表面波谐振子19、单端口型声表面波谐振子20的各电极，在本实施方式中由A1膜形成。可是，在本发明中，构成声表面波滤波器的各电极还可利用A1以外的适当的金属或合金来形成。另外，电极也可具有层叠了多个电极层的结构。
在纵耦合谐振子型声表面波滤波部18中，在两个IDT相邻的部分，各IDT的端部设置有窄间距电极指部N。例如，若着眼于IDT11和IDT12的相邻部分，在IDT11和IDT12侧的端部设置有窄间距电极指部N。窄间距电极指部N是指，在设置有窄间距电极指部N的IDT中，与窄间距电极指部N以外的电极指部相比电极指间距相对小的电极指部。
通过在IDT彼此相邻的部分设置窄间距电极指部N，从而可缓和IDT相邻的部分的不连续性。因此，通过调整IDT彼此相邻的部分的间隙的大小，可获得宽带的滤波特性。
可是，在本发明中，未必在IDT邻接的部分设置窄间距电极指部。
另外，IDT的中心频率由除窄间距电极指部N之外剩余的电极指部的电极指间距决定。即，对本发明中的IDT的中心频率进行确定的电极指的根数是指，在设置有窄间距电极指部N的IDT的情况下，从该IDT的电极指的根数中减掉窄间距电极指部的电极指的根数所得到的值。因此，若以IDT11为例，则确定第一IDT11的中心频率的电极指的根数N1为：从IDT11的电极指的根数中减掉IDT11的位于IDT12的侧端部的窄间距电极指部N的电极指的根数所得到的值。另外，若以第三IDT13为例，在第三IDT13中，在表面波传播方向两端分别设置有窄间距电极指部N。因此，确定IDT13的中心频率的电极指的根数N3成为：从IDT13的电极指的根数中减掉两个窄间距电极指部N的电极指根数的合计值所得到的值。
对于确定第五IDT15的中心频率的电极指的根数N5，也与确定第一IDT11的中心频率的电极指的根数N1同样地确定。
本实施方式的特征在于，在按上述方式确定的N1、N3以及N5之间，满足1.55≤N3/N1≤2.58，且N1＝N5，由此可有效抑制在通带附近产生寄生成分。根据更具体的实验例对此进行说明。
在由40±5°Y切X方向传送LiTaO3基板构成的压电基板2上，按以下的规格形成纵耦合谐振子型声表面波滤波部18、单端口型声表面波谐振子19、20，从而制作出声表面波滤波器2。
(纵耦合谐振子型声表面波滤波部18的规格)
电极指交叉宽度：105μm
IDT的电极指的根数：第一～第五IDT11～15的顺序：28(5)/(4)27(4)/(5)54(5)/(4)27(4)/(5)28。其中，()内的数字表示设置于IDT的一个窄间距电极指部的电极指的根数，没有用()括起来的数字表示窄间距电极指部以外的电极指的根数。
反射器16、17的电极指的根数：80根
金属化比率(metallization ratio)：0.68
电极膜厚：0.092λI。其中，λI是由电极指的间距确定的波长。
(声表面波谐振子19、20的规格)
电极指交叉宽度：45μm
IDT19a、20a的电极指的根数：161根
反射器19b、19c、20b、20c的电极指的根数：15根
金属化比率：0.60
图2是表示按照上述方式制作的本实施方式的声表面波滤波器1的衰减量频率特性的图。本实施方式的声表面波滤波器1的通带为1805～1880MHz。如从图2可以明确，在通带附近未出现大的寄生成分。为了更具体地对此进行说明，当设确定第一～第五IDT11～15的中心频率的电极指的根数为N1～N5时，在图3和图4中表示了使电极指的对的数量变化时的通带低频侧的频率特性。
在图3中，固定为N2＝N4＝27根，设N1＝N5。并且，按照N3/N1增大的方式改变N1和N3，准备N3/N1不同的五个声表面波滤波器，测定频率特性。如从图3可以明确，直至N1为24根且N3为62根为止，在通带附近不会产生寄生成分。相对于此，若使N1＝22且N3＝66，则可知在1792MHz附近产生了由箭头B表示的小的寄生成分。进而，若使N1＝18且N3＝74，则可知如箭头A所示，该寄生成分增大，带宽变窄。即，若按照使N3/N1增大的方式变化，则可知直至N3/N1＝2.58附近，不会产生寄生成分。因此，可知希望使N3/N1在2.58以下。
下面，固定为N2＝N4＝27根，设N1＝N5，反之以N3/N1依次减小的方式改变N1、N3和N5的值，从而制作出多种声表面波滤波器。在图4中表示关于这些声表面波滤波器的通带低频侧的频率特性。
如从图4可以明确，当N1＝32且N3＝46、即N3/N1＝1.44时，如箭头C所示那样，在通带低频侧出现大的寄生成分。相对于此，若N1＝31且N3＝48、即N3/N1达到1.55以上，则可知几乎不会产生寄生成分。即，若按照使N3/N1减小的方式变化，则可知直至N3/N1＝1.55附近，几乎不会产生寄生成分。
同样，改变N2和N4的值为23根和31根，并与上述同样地改变N1、N3和N5的值，研究不产生寄生成分的N3/N1的值。在表1中表示结果。
[表1]
N2、N4的根数不产生寄生成分的N3/N1的范围231.50≤N3/N1≤2.85271.55≤N3/N1≤2.58311.48≤N3/N1≤2.70
如从表1可以明确，即使较大地改变N2和N4的数量，在通带低频侧不产生寄生成分的N3/N1的范围也几乎不变化。即，即使在N2和N4的数量变化的情况下，若使1.55≤N3/N1≤2.58，则可抑制上述寄生成分的产生。
从以上的实验结果可以明确，为了抑制比通带更靠近低频侧的距通带非常近的位置产生的寄生成分，调整确定第一、第三、第五IDT11、13、15的中心频率的电极指的根数N1、N3、N5是重要的，按照1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5的方式设定IDT11、13、15的电极指的对的数量即可。通过满足1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，可抑制通带低频侧的寄生成分，这是由本申请发明者通过实验得到的结果。并且，在5IDT型的平衡型声表面波滤波器中，为了抑制通带低频侧的寄生成分，仅着眼于N1、N3、N5的数量即可，这在本申请提出申请时是完全未知的。
(第二实施方式)
图5是表示本发明的第二实施方式涉及的声表面波滤波器的电极结构示意俯视图。
在第二实施方式的声表面波滤波器21中，在压电基板22上，形成有第一、第二声表面波滤波部23、24。第一、第二声表面波滤波部23、24均为5IDT型的纵耦合谐振子型声表面波滤波器。并且，第二声表面波滤波部24与第一声表面波滤波部23级联连接。在本发明中，两个声表面波滤波部23、24也可以两级级联连接。
第一声表面波滤波部23具有沿表面波传播方向配置的第一～第五IDT31～35。而且，在设置有IDT31～35的区域的表面波传播方向两侧配置有反射器30a、30b。IDT31～35和反射器30a、30b与第一实施方式的IDT11～15和反射器16、17同样地构成。
另外，第二声表面波滤波部24也同样具有第六IDT36～第十IDT40作为5个IDT。在设置有IDT36～40的区域的表面波传播方向两侧配置有反射器41a、41b。在此，IDT36～40除第九IDT39以外，成为相对于通过声表面波滤波部23、24间的中心且沿表面波传播方向延伸的中心线，与IDT31～35对称的形状。第九IDT39与第七IDT37的相位成为同相位。另外，第八IDT38与第三IDT33同样，具有沿表面波传播方向分为两个的第一分割IDT部38a、第二分割IDT部38b。
另外，第六～第十IDT36～40也还具有窄间距电极指部。
在不平衡端子25连接有第一声表面波滤波部23的第二、第四IDT32、34的一端。并且，第一IDT31通过第一信号线51与第二声表面波滤波部24的第六IDT36电连接。另外，第一声表面波滤波部23的第三IDT33的第一、第二分割IDT部33a、33b分别通过第二、第三信号线52、53与第二声表面波滤波部24的第八IDT38的第一、第二分割IDT部38a、38b电连接。第一声表面波滤波部23的第五IDT35通过第四信号线54与第二声表面波滤波部24的第十IDT40电连接。
第二声表面波滤波部24的第七、第九IDT37、39分别与第一、第二平衡端子26、27电连接。
这样，即使在第一、第二声表面波滤波部23、24两级级联连接的结构中，根据本发明，在第一声表面波滤波部23中，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，进而在第二声表面波滤波部24中，当使确定第六～第十IDT36～40的中心频率的电极指的根数为N6～N10时，通过使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10，从而可与第一实施方式同样有效抑制在通带附近产生寄生成分。
而且，由于具有两级级联连接结构，因此可实现频带外衰减量的扩大。进而，如第二实施方式那样，当按照在第一信号线51和第三信号线53中传播的信号的相位、与在第二信号线52和第四信号线54中传播的信号的相位相差180°的方式构成IDT31～35和36～40时，还可改善声表面波滤波器21的平衡度，因而优选。
(第三实施方式)
图6是表示本发明的第三实施方式涉及的声表面波滤波器的电极结构的示意俯视图。在第三实施方式的声表面波滤波器61中，在压电基板62上，第二声表面波滤波部63形成于第一声表面波滤波部64的前段，第二声表面波滤波部63和第一声表面波滤波部64进行两级级联连接。
第二声表面波滤波部63具有：沿表面波传播方向配置的第六～第十IDT71～75、在设置有IDT71～75的区域的表面波传播方向两侧配置的反射器76、77。IDT71～75在IDT彼此相邻的部分具有窄间距电极指部N。
可是，第八IDT73与第一实施方式的声表面波滤波器1不同，不具有分割IDT部。第二声表面波滤波部63的第六、第八和第十IDT71、73、75的一端公共连接，与不平衡端子65电连接。并且，第七IDT72的相位与第九IDT74的相位反相。
另一方面，第一声表面波滤波部64具有：第一～第五IDT81～85和反射器86、87。第一～第五IDT81～85和反射器86、87与第一实施方式的第一～第五IDT11～15和反射器16、17同样地构成。因此，第一IDT81和第三IDT83的第一分割IDT部83a与第一平衡端子66电连接，第三IDT83的第二分割IDT部83b以及第五IDT85与第二平衡端子67电连接。并且，第二IDT82的相位与第四IDT84的相位为同相位。第二IDT82通过第一信号线91与第二声表面波滤波部63的第七IDT电连接，第四IDT84通过第二信号线92与第二声表面波滤波部63的第九IDT74电连接。
在本实施方式中，在第一信号线91中传播的信号的相位与在第二信号线92中传播的信号的相位相差180°。
在本实施方式中，在使确定第一～第五IDT81～85的中心频率的电极指的根数分别为N1～N5时，通过使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，从而也可与第一实施方式的声表面波滤波器1同样有效抑制在通带附近产生寄生成分。而且，由于在声表面波滤波部64的前端连接有第二声表面波滤波部63，因此可实现频带外衰减量的扩大。
并且，由于在第一信号线91中传播的信号的相位与在第二信号线92中传播的信号的相位相差180°，因此在声表面波滤波器61中还可有效改善平衡度。
这样，本发明中，在满足1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5的上述第一实施方式的声表面波滤波器的前段，也可连接5IDT型的其他结构的纵耦合谐振子型声表面波滤波器。
另外，在本发明中，作为压电基板，并不限于所述的40±5°Y切X方向传送LiTaO3基板，可采用64°～72°Y切X方向传送的LiNbO3基板或41°Y切X方向传送的LiNbO3基板等各种压电单晶基板。另外，也可取代压电单晶而由压电陶瓷构成压电基板。
(第一实施方式)
图1是本发明的一实施方式涉及的声表面波滤波器的示意俯视图。
本实施方式的声表面波滤波器1具有板状的压电基板2。在本实施方式中，压电基板2由40±5°Y切X方向传送LiTaO3(Y-cut X-propagationLiTaO3)基板构成。声表面波滤波器1是具有不平衡端子3、第一平衡端子4和第二平衡端子5，并具有平衡—不平衡转换功能的平衡型声表面波滤波器。另外，本实施方式的声表面波滤波器1被用作DCS接收用带通滤波器，设定不平衡端子3的阻抗为50Ω，设定第一和第二平衡端子4、5的阻抗为100Ω。
在压电基板2上，构成了具有第一～第五IDT11～15、反射器16、17的纵耦合谐振子型声表面波滤波部18。第一～第五IDT11～15在纵耦合谐振子型声表面波滤波部18中沿表面波传播方向按该顺序配置。并且，在配置了第一IDT11～第五IDT15的区域的表面波传播方向两侧，配置有反射器16、17。
在本实施方式中，第二和第四IDT12、14的一端与不平衡端子3连接。第二和第四IDT12、14的另一端与接地电位连接。第二IDT12的相位与第四IDT14的相位相差180°。
另一方面，中央的第三IDT13沿表面波传播方向分成两个。即，IDT13具有靠近第二IDT12侧的第一分割IDT部13a、和靠近第四IDT14侧的第二分割IDT部13b。
第一IDT11的一端和第三IDT13的第一分割IDT部13a通过后述的单端口型声表面波谐振子19与第一平衡端子4连接。
另外，第三IDT13的第二分割IDT部13b和第五IDT15的一端公共连接，且通过单端口型声表面波谐振子20与第二平衡端子5连接。
在本发明中，也可不设置单端口型声表面波谐振子19、20，但通过设置单端口型声表面波谐振子19、20，可增大比通带更高频侧附近的衰减量。
单端口型声表面波谐振子19、20分别具有IDT19a、20a。在IDT19a的表面波传播方向两侧设置有反射器19b、19c。在IDT20a的表面波传播方向两侧还设置有反射器20b、20c。
构成上述纵耦合谐振子型声表面波滤波部18、单端口型声表面波谐振子19、单端口型声表面波谐振子20的各电极，在本实施方式中由A1膜形成。可是，在本发明中，构成声表面波滤波器的各电极还可利用A1以外的适当的金属或合金来形成。另外，电极也可具有层叠了多个电极层的结构。
在纵耦合谐振子型声表面波滤波部18中，在两个IDT相邻的部分，各IDT的端部设置有窄间距电极指部N。例如，若着眼于IDT11和IDT12的相邻部分，在IDT11和IDT12侧的端部设置有窄间距电极指部N。窄间距电极指部N是指，在设置有窄间距电极指部N的IDT中，与窄间距电极指部N以外的电极指部相比电极指间距相对小的电极指部。
通过在IDT彼此相邻的部分设置窄间距电极指部N，从而可缓和IDT相邻的部分的不连续性。因此，通过调整IDT彼此相邻的部分的间隙的大小，可获得宽带的滤波特性。
可是，在本发明中，未必在IDT邻接的部分设置窄间距电极指部。
另外，IDT的中心频率由除窄间距电极指部N之外剩余的电极指部的电极指间距决定。即，对本发明中的IDT的中心频率进行确定的电极指的根数是指，在设置有窄间距电极指部N的IDT的情况下，从该IDT的电极指的根数中减掉窄间距电极指部的电极指的根数所得到的值。因此，若以IDT11为例，则确定第一IDT11的中心频率的电极指的根数N1为：从IDT11的电极指的根数中减掉IDT11的位于IDT12的侧端部的窄间距电极指部N的电极指的根数所得到的值。另外，若以第三IDT13为例，在第三IDT13中，在表面波传播方向两端分别设置有窄间距电极指部N。因此，确定IDT13的中心频率的电极指的根数N3成为：从IDT13的电极指的根数中减掉两个窄间距电极指部N的电极指根数的合计值所得到的值。
对于确定第五IDT15的中心频率的电极指的根数N5，也与确定第一IDT11的中心频率的电极指的根数N1同样地确定。
本实施方式的特征在于，在按上述方式确定的N1、N3以及N5之间，满足1.55≤N3/N1≤2.58，且N1＝N5，由此可有效抑制在通带附近产生寄生成分。根据更具体的实验例对此进行说明。
在由40±5°Y切X方向传送LiTaO3基板构成的压电基板2上，按以下的规格形成纵耦合谐振子型声表面波滤波部18、单端口型声表面波谐振子19、20，从而制作出声表面波滤波器2。
(纵耦合谐振子型声表面波滤波部18的规格)
电极指交叉宽度：105μm
IDT的电极指的根数：第一～第五IDT11～15的顺序：28(5)/(4)27(4)/(5)54(5)/(4)27(4)/(5)28。其中，()内的数字表示设置于IDT的一个窄间距电极指部的电极指的根数，没有用()括起来的数字表示窄间距电极指部以外的电极指的根数。
反射器16、17的电极指的根数：80根
金属化比率(metallization ratio)：0.68
电极膜厚：0.092λI。其中，λI是由电极指的间距确定的波长。
(声表面波谐振子19、20的规格)
电极指交叉宽度：45μm
IDT19a、20a的电极指的根数：161根
反射器19b、19c、20b、20c的电极指的根数：15根
金属化比率：0.60
图2是表示按照上述方式制作的本实施方式的声表面波滤波器1的衰减量频率特性的图。本实施方式的声表面波滤波器1的通带为1805～1880MHz。如从图2可以明确，在通带附近未出现大的寄生成分。为了更具体地对此进行说明，当设确定第一～第五IDT11～15的中心频率的电极指的根数为N1～N5时，在图3和图4中表示了使电极指的对的数量变化时的通带低频侧的频率特性。
在图3中，固定为N2＝N4＝27根，设N1＝N5。并且，按照N3/N1增大的方式改变N1和N3，准备N3/N1不同的五个声表面波滤波器，测定频率特性。如从图3可以明确，直至N1为24根且N3为62根为止，在通带附近不会产生寄生成分。相对于此，若使N1＝22且N3＝66，则可知在1792MHz附近产生了由箭头B表示的小的寄生成分。进而，若使N1＝18且N3＝74，则可知如箭头A所示，该寄生成分增大，带宽变窄。即，若按照使N3/N1增大的方式变化，则可知直至N3/N1＝2.58附近，不会产生寄生成分。因此，可知希望使N3/N1在2.58以下。
下面，固定为N2＝N4＝27根，设N1＝N5，反之以N3/N1依次减小的方式改变N1、N3和N5的值，从而制作出多种声表面波滤波器。在图4中表示关于这些声表面波滤波器的通带低频侧的频率特性。
如从图4可以明确，当N1＝32且N3＝46、即N3/N1＝1.44时，如箭头C所示那样，在通带低频侧出现大的寄生成分。相对于此，若N1＝31且N3＝48、即N3/N1达到1.55以上，则可知几乎不会产生寄生成分。即，若按照使N3/N1减小的方式变化，则可知直至N3/N1＝1.55附近，几乎不会产生寄生成分。
同样，改变N2和N4的值为23根和31根，并与上述同样地改变N1、N3和N5的值，研究不产生寄生成分的N3/N1的值。在表1中表示结果。
[表1]
N2、N4的根数不产生寄生成分的N3/N1的范围231.50≤N3/N1≤2.85271.55≤N3/N1≤2.58311.48≤N3/N1≤2.70
如从表1可以明确，即使较大地改变N2和N4的数量，在通带低频侧不产生寄生成分的N3/N1的范围也几乎不变化。即，即使在N2和N4的数量变化的情况下，若使1.55≤N3/N1≤2.58，则可抑制上述寄生成分的产生。
从以上的实验结果可以明确，为了抑制比通带更靠近低频侧的距通带非常近的位置产生的寄生成分，调整确定第一、第三、第五IDT11、13、15的中心频率的电极指的根数N1、N3、N5是重要的，按照1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5的方式设定IDT11、13、15的电极指的对的数量即可。通过满足1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，可抑制通带低频侧的寄生成分，这是由本申请发明者通过实验得到的结果。并且，在5IDT型的平衡型声表面波滤波器中，为了抑制通带低频侧的寄生成分，仅着眼于N1、N3、N5的数量即可，这在本申请提出申请时是完全未知的。
(第二实施方式)
图5是表示本发明的第二实施方式涉及的声表面波滤波器的电极结构示意俯视图。
在第二实施方式的声表面波滤波器21中，在压电基板22上，形成有第一、第二声表面波滤波部23、24。第一、第二声表面波滤波部23、24均为5IDT型的纵耦合谐振子型声表面波滤波器。并且，第二声表面波滤波部24与第一声表面波滤波部23级联连接。在本发明中，两个声表面波滤波部23、24也可以两级级联连接。
第一声表面波滤波部23具有沿表面波传播方向配置的第一～第五IDT31～35。而且，在设置有IDT31～35的区域的表面波传播方向两侧配置有反射器30a、30b。IDT31～35和反射器30a、30b与第一实施方式的IDT11～15和反射器16、17同样地构成。
另外，第二声表面波滤波部24也同样具有第六IDT36～第十IDT40作为5个IDT。在设置有IDT36～40的区域的表面波传播方向两侧配置有反射器41a、41b。在此，IDT36～40除第九IDT39以外，成为相对于通过声表面波滤波部23、24间的中心且沿表面波传播方向延伸的中心线，与IDT31～35对称的形状。第九IDT39与第七IDT37的相位成为同相位。另外，第八IDT38与第三IDT33同样，具有沿表面波传播方向分为两个的第一分割IDT部38a、第二分割IDT部38b。
另外，第六～第十IDT36～40也还具有窄间距电极指部。
在不平衡端子25连接有第一声表面波滤波部23的第二、第四IDT32、34的一端。并且，第一IDT31通过第一信号线51与第二声表面波滤波部24的第六IDT36电连接。另外，第一声表面波滤波部23的第三IDT33的第一、第二分割IDT部33a、33b分别通过第二、第三信号线52、53与第二声表面波滤波部24的第八IDT38的第一、第二分割IDT部38a、38b电连接。第一声表面波滤波部23的第五IDT35通过第四信号线54与第二声表面波滤波部24的第十IDT40电连接。
第二声表面波滤波部24的第七、第九IDT37、39分别与第一、第二平衡端子26、27电连接。
这样，即使在第一、第二声表面波滤波部23、24两级级联连接的结构中，根据本发明，在第一声表面波滤波部23中，使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，进而在第二声表面波滤波部24中，当使确定第六～第十IDT36～40的中心频率的电极指的根数为N6～N10时，通过使1.55≤N8/N6≤2.58且N6＝N10，从而可与第一实施方式同样有效抑制在通带附近产生寄生成分。
而且，由于具有两级级联连接结构，因此可实现频带外衰减量的扩大。进而，如第二实施方式那样，当按照在第一信号线51和第三信号线53中传播的信号的相位、与在第二信号线52和第四信号线54中传播的信号的相位相差180°的方式构成IDT31～35和36～40时，还可改善声表面波滤波器21的平衡度，因而优选。
(第三实施方式)
图6是表示本发明的第三实施方式涉及的声表面波滤波器的电极结构的示意俯视图。在第三实施方式的声表面波滤波器61中，在压电基板62上，第二声表面波滤波部63形成于第一声表面波滤波部64的前段，第二声表面波滤波部63和第一声表面波滤波部64进行两级级联连接。
第二声表面波滤波部63具有：沿表面波传播方向配置的第六～第十IDT71～75、在设置有IDT71～75的区域的表面波传播方向两侧配置的反射器76、77。IDT71～75在IDT彼此相邻的部分具有窄间距电极指部N。
可是，第八IDT73与第一实施方式的声表面波滤波器1不同，不具有分割IDT部。第二声表面波滤波部63的第六、第八和第十IDT71、73、75的一端公共连接，与不平衡端子65电连接。并且，第七IDT72的相位与第九IDT74的相位反相。
另一方面，第一声表面波滤波部64具有：第一～第五IDT81～85和反射器86、87。第一～第五IDT81～85和反射器86、87与第一实施方式的第一～第五IDT11～15和反射器16、17同样地构成。因此，第一IDT81和第三IDT83的第一分割IDT部83a与第一平衡端子66电连接，第三IDT83的第二分割IDT部83b以及第五IDT85与第二平衡端子67电连接。并且，第二IDT82的相位与第四IDT84的相位为同相位。第二IDT82通过第一信号线91与第二声表面波滤波部63的第七IDT电连接，第四IDT84通过第二信号线92与第二声表面波滤波部63的第九IDT74电连接。
在本实施方式中，在第一信号线91中传播的信号的相位与在第二信号线92中传播的信号的相位相差180°。
在本实施方式中，在使确定第一～第五IDT81～85的中心频率的电极指的根数分别为N1～N5时，通过使1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5，从而也可与第一实施方式的声表面波滤波器1同样有效抑制在通带附近产生寄生成分。而且，由于在声表面波滤波部64的前端连接有第二声表面波滤波部63，因此可实现频带外衰减量的扩大。
并且，由于在第一信号线91中传播的信号的相位与在第二信号线92中传播的信号的相位相差180°，因此在声表面波滤波器61中还可有效改善平衡度。
这样，本发明中，在满足1.55≤N3/N1≤2.58且N1＝N5的上述第一实施方式的声表面波滤波器的前段，也可连接5IDT型的其他结构的纵耦合谐振子型声表面波滤波器。
另外，在本发明中，作为压电基板，并不限于所述的40±5°Y切X方向传送LiTaO3基板，可采用64°～72°Y切X方向传送的LiNbO3基板或41°Y切X方向传送的LiNbO3基板等各种压电单晶基板。另外，也可取代压电单晶而由压电陶瓷构成压电基板。