一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法

摘要

一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法，涉及人工晶体生长领域。本发明采用泡生法生长K3V5O14晶体。采用的原料为K2CO3、V2O3，在采用籽晶法生长大尺寸晶体过程中降温速率为0.5～3℃/d。采用泡生法首次生长出尺寸为φ30mm×10mm的K3V5O14优质晶体，有望成为一种新型的红外倍频材料。

权利要求

1.一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法，其特征在于：采用泡生法生长，采用的原料为K2CO3、V2O3，在采用籽晶法生长大尺寸晶体过程中降温速率为0.5～3℃/d。

说明书

一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法

技术领域：

[0001] 本发明涉及晶体材料生长制备领域。背景技术：

[0002] 由非线性光学晶体制成的谐波发生器和参量振荡器等非线性光学器件，提供了一种对现有激光光源的频率范围进行扩展的重要方法。因此，非线性光学晶体一出现就受到人们的广泛关注。目前，红外波段、尤其是远红外波段的非线性光学晶体是国际上的研究热点之一。AgGaSe2，ZnGeP2等现有的红外倍频晶体材料，由于其能带带隙宽度很窄，所以激光损伤阈值很低，机械性能很差，并且晶体生长条件很苛刻，难于生长出大尺寸的优质晶体，因此实际的应用受到很大的制约，目前还没有一种理想的、实用化的红外非线性光学晶体材料。为此很有必要寻找新的、性能优良的红外非线性光学材料。

[0003] 而K3V5O14晶体属于三方晶系，空间群为P31m，晶胞参数为：KVO3晶体在3～10μm和18～21μm波段高透，其二阶非线
性系数是KDP的20倍，它是同成分熔化，可以采用提拉法或是泡生法生长晶体，申请者已采用泡生法首次生长出尺寸为φ30mm×10mm的K3V5O14优质晶体，有望成为一种新型的红外倍频材料。
发明内容：

[0004] 本发明的目的在于公开新型二阶非线性光学材料K3V5O14的一种晶体生长方法。

[0005] 本发明采用泡生法来生长K3V5O14晶体。

[0006] 本发明采用的原料为K2CO3、V2O3，在采用籽晶法生长大尺寸晶体过程中降温速率为0.5～3℃/d。

[0007] KVO3可以应用于谐波发生器和参量振荡器等非线性光学器件，对现有激光光源的频率范围进行扩展，有望产生3.0μm—5.0μm中红外激光，可以应用于大气遥感、地球资源探测、环境保护、污染控制等，此外，在同位素分离、医疗、生物医药等领域也有广泛的应用，尤其是在军事制导、目标探测、远距离探测化学物质和反导对抗上的应用，在反化学战和环境保护中起到关键性的作用，成为决定战争胜负的关键技术。具体实施方式：

[0008] 实施例一：

[0009] KVO3是同成分熔化，可以采用提拉法或是泡生法生长晶体，由于其熔点较低，生长温度低，熔体体系粘度很大，所以我们采用泡生法来生长晶体。所用原料为分析纯K2CO3、V2O3。然后根据化学计量配比进行配料：

[0010]

[0011] 原料称量后，用玛瑙研钵研磨混合均匀压片后装入一定尺寸的铂坩埚内，置于烧