描图系统、描图资料修正装置及方法、基板的制造方法

摘要

本发明提供描图系统、描图资料修正装置及方法、基板的制造方法，从而对应于基板等的被描图体的变形而适当地修正描图位置，形成精度佳的描图图案。在使用DMD等的光调变组件的描图装置中，使用CCD而量测四个对准孔的位置。然后，在维持从基准矩形(Z0)的一对边(TA1、TA2)及一对边(TB1、TB2)算起的距离比(m∶n及M∶N)的情况下，使描图资料的位置坐标，即描图位置相对于变形后的四角形(Z)的一对边(TA1、TA2)及一对边(TB1、TB2)而沿X、Y方向移动。

权利要求

1.一种描图系统，该描图系统包括：

光源；

至少一光调变单元，其对应于被描图体，根据具有基于所规定的坐标系的位置坐标的描图资料，而调变来自光源的照明光；

量测装置，其在被描图体变形的状态下，可量测设定于上述被描图体的四个量测用指针的位置，上述被描图体的四个量测用指针构成一对第一基准边与一对第二基准边所形成的基准矩形的顶点，其中，上述一对第一基准边为相向的一对平行边，上述一对第二基准边为相向的另一对平行边；

修正装置，其以量测到的上述四个量测用指针作为顶点，根据对应于上述一对第一基准边的一对第一变动边以及对应于上述一对第二基准边的一对第二变动边所构成的变形矩形，修正描图资料的位置坐标，而产生修正描图资料；以及描图处理装置，其控制上述光调变单元，使其根据修正描图资料而形成描图图案，其中，上述修正装置修正上述描图资料的位置坐标，使得从上述一对第一变动边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第一基准边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从上述一对第二变动边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第二基准边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。

2.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述四个量测用指针被设定成使上述一对第一及第二基准边分别与规定上述坐标系的相互垂直的第一、第二轴平行。

3.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述光调变单元系由二维的规则性排列的复数个光调变组件所构成。

4.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述描图资料为向量资料。

5.一种描图资料修正装置，该描图资料修正装置包括：

量测装置，其在被描图体变形的状态下，可量测设定于上述被描图体的四个量测用指针的位置，上述被描图体的四个量测用指针构成一对第一基准边与一对第二基准边所形成的基准矩形的顶点，其中，上述一对第一基准边为相向的一对平行边，上述一对第二基准边为相向的另一对平行边；以及修正装置，其以量测到的上述四个量测用指针作为顶点，根据对应于上述一对第一基准边的一对第一变动边以及对应于上述一对第二基准边的一对第二变动边所构成的变形矩形，修正描图资料的位置坐标，而产生修正描图资料，其中，上述修正装置修正上述描图资料的位置坐标，使得从上述一对第一变动边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第一基准边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从上述一对第二变动边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第二基准边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。

6.一种描图资料的修正方法，该修正方法包括下列步骤：

在被描图体变形的状态下，量测设定于上述被描图体的四个量测用指针的位置，上述被描图体的四个量测用指针构成一对第一基准边与一对第二基准边所形成的基准矩形的顶点，其中，上述一对第一基准边为相向的一对平行边，上述一对第二基准边为相向的另一对平行边；以及以量测到的上述四个量测用指针作为顶点，根据对应于上述一对第一基准边的一对第一变动边以及对应于上述一对第二基准边的一对第二变动边所构成的变形矩形，修正描图资料的位置坐标，而产生修正描图资料，其中，上述修正装置修正上述描图资料的位置坐标，使得从上述一对第一变动边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第一基准边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从上述一对第二变动边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第二基准边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。

7.一种基板的制造方法，该制造方法包括下列步骤：

1)在空白的基板上涂布感光材料；

2)对于涂布后的基板进行描图处理；

3)对于描图处理后的基板进行显像处理；

4)对于显像处理后的基板进行蚀刻或镀膜处理；以及

5)对于蚀刻或镀膜处理后的基板进行感光材料的剥离处理，

其中，在描图处理中，藉由权利要求6所述之描图资料修正方法修正描图资料。

说明书

描图系统、描图资料修正装置及方法、基板的制造方法

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种以作为原版的光罩(レクチル)或直接地对印刷基板或矽晶等的被描图体形成电路图案等的图案的描图装置。特别是关于对应于基板的变形而修正描图位置的处理。

背景技术

[0002] 在基板等的被描图体的制程中，对于涂布了光阻等的感光材料的被描图体实施为了形成图案的描图处理。经过了显像处理、蚀刻或镀膜处理、光阻剥离等的制程，在被描图体上形成图案。例如，在使用使LCD、DMD、SLM(Spatial Light Modulators)等光调变组件做二维排列的光调变单元的描图装置中，使光调变单元形成的照射区域(以下称曝光区域)对于基板做相对性的扫描，同时对应于描图图案以既定的时序控制各光调变组件。 [0003] 由于基板本身由热处理、堆积等因素而变形，设有对准调整用的标记，在基板变形的状态下，根据所量测的定位标记，修正图案的描图位置。特别是，相对于一片基板将小尺寸的描图图案分割成复数个而描图的情况下，对于各描图图案的描图区域，设定在其四角构成矩形的对准标记，根据实际量测到的对准标记的位置，算出基板变形所造成的重心位置的偏移以及描图区域的旋转倾斜角等。然后，根据算出的资料修正描图位置(参照专利文献1、2)

[0004] 专利文献1日本特开2005-300628号公报

[0005] 专利文献2日本特开2000-122303号公报

发明内容

[0006] 由于基板变形的状态是不均一的，在各描图区域的中心附近以及其以外，例如在边界附近，基板的变形方向、变形量等的变形状态是不同的。因此，根据关于重心位置等描图区域的代表性的位置(中心位置等)的变动量而修正在该区域内的各描图资料的描图位置的情况下，关于边界附近的描图位置未被修正至适当的位置，无法配合基板的变形而形成高精度的图案。

[0007] 本发明的描图系统为对应于基板的变形而适当地修正描图资料的位置的描图系统，包括：光源；至少一光调变单元，其对应于被描图体，根据具有基于所规定的坐标系的位置坐标的描图资料，而调变来自光源的照明光；量测装置，其在被描图体变形的状态下，可量测设定于上述被描图体的四个量测用指针的位置，上述被描图体的四个量测用指针构成一对第一基准边与一对第二基准边所形成的基准矩形的顶点，其中，上述一对第一基准边为相向的一对平行边，上述一对第二基准边为相向的另一对平行边；修正装置，其以量测到的上述四个量测用指针作为顶点，根据对应于上述一对第一基准边的一对第一变动边以及对应于上述一对第二基准边的一对第二变动边所构成的变形矩形，修正描图资料的位置坐标，而产生修正描图资料；以及描图处理装置，其控制上述光调变单元，使其根据修正描图资料而形成描图图案，其中，上述修正装置修正上述描图资料的位置坐标，使得从上述一对第一变动边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第一基准边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从上述一对第二变动边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第二基准边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。例如修正具有如向量资料的位置坐标信息的描图资料的位置坐标，而转换成光栅资料等而进行描图处理。又，光调变组件可为DMD、LCD等复数个光调变组件做二维规则性的排列而形成。

[0008] 在被描图体变形前，量测用指针被设定于被描图体上而构成基准矩形的顶点。于此，基准矩形由略呈长方形或略呈正方形的矩形构成，表示由相向的一对平行边(以下称一对第一基准边)与另一对平行边(以下称一对第二基准边)构成的矩形。量测用标记系例如将标记印在被描图体上，或者是在被描图体上形成量测用的孔。在例如在基板上分割复数个描图图案而进行描图处理的情况下，基准矩形的区域做为各描图图案的描图区域而决定。为了容易计算坐标，一对第一及第二的基准边系分别平行于用于制定出坐标系的正交的第一、第二轴(X轴、Y轴)，而设定四个量测用指针。

[0009] 当被描图体变形时，从以所量测的四个量测用指针做为顶点的完全矩形制定出形状崩溃的四角形(以下称变形矩形)。变形矩形系由对应于一对第一基准边的一对边(以下称一对第一变动边)与对应于一对第二基准边的一对边(以下称一对第二变动边)所构成。

[0010] 在本发明中，修正装置将描图资料的位置坐标所制定的描图位置修 正为既定的位置(修正位置)，而维持从一对边算起的距离比。于此，从一对第一变动边起到沿着一对第二基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从一对第一基准边起到沿着一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从一对第二变动边起到沿着一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从一对第二基准边起到沿着一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。例如，基准矩形平行于第一、第二轴的情况下，描图位置修正为沿着第一及第二轴而从一对边算起的距离比相同。由于沿着基准矩形相互垂直的边算出描图位置的移动量，算出对应于成为对象的在描图位置上的被描图体的变形方向、变形量，描图区域内的描图位置并非以相同的修正量做修正，可配合各描图位置而对位置做修正。

[0011] 本发明之描图资料修正装置包括：一量测装置，量测装置，其在被描图体变形的状态下，可量测设定于上述被描图体的四个量测用指针的位置，上述被描图体的四个量测用指针构成一对第一基准边与一对第二基准边所形成的基准矩形的顶点，其中，上述一对第一基准边为相向的一对平行边，上述一对第二基准边为相向的另一对平行边；以及修正装置，其以量测到的上述四个量测用指针作为顶点，根据对应于上述一对第一基准边的一对第一变动边以及对应于上述一对第二基准边的一对第二变动边所构成的变形矩形，修正描图资料的位置坐标，而产生修正描图资料，其中，上述修正装置修正上述描图资料的位置坐标，使得从上述一对第一变动边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的修正位置 为止的距离比系与从上述一对第一基准边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从上述一对第二变动边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第二基准边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。

[0012] 本发明之描图资料的修正方法，包括下列步骤：在被描图体变形的状态下，量测设定于上述被描图体的四个量测用指针的位置，上述被描图体的四个量测用指针构成一对第一基准边与一对第二基准边所形成的基准矩形的顶点，其中，上述一对第一基准边为相向的一对平行边，上述一对第二基准边为相向的另一对平行边；以及以量测到的上述四个量测用指针作为顶点，根据对应于上述一对第一基准边的一对第一变动边以及对应于上述一对第二基准边的一对第二变动边所构成的变形矩形，修正描图资料的位置坐标，而产生修正描图资料，其中，上述修正装置修正上述描图资料的位置坐标，使得从上述一对第一变动边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第一基准边起到沿着上述一对第二基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同，同时使从上述一对第二变动边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的修正位置为止的距离比系与从上述一对第二基准边起到沿着上述一对第一基准边的描图数据的基准位置为止的距离比相同。

[0013] 本发明之基板的制造方法包括下列步骤：1)在空白的基板上涂布感光材料；2)对于涂布后的基板进行描图处理；3)对于描图处理后的基板进行显像处理；4)对于显像处理后的基板进行蚀刻或镀膜处理；5)对于蚀刻或镀膜处理后的基板进行感光材料的剥离处理；其中在描图处理中，藉由上述之描图资料修正方法修正描图资料。 [0014] 根据本发明，对应于基板等被描图体的变形而适当地修正描图位置，而可形成精度佳的描图图案。

附图说明

[0015] 图1为本实施型态的描图系统的示意的立体图。

[0016] 图2为设于描图装置的曝光单元的示意图。

[0017] 图3为表示曝光单元的相对移动，即表示曝光区域扫瞄的图。

[0018] 图4为曝光系统的方块图。

[0019] 图5为表示描图位置的修正处理程序的前半部的图。

[0020] 图6为表示描图位置的修正处理程序的后半部的图。

[0021] 图7描图处理的流程图。

[0022] 图8为表示设定后的对准孔与量测对准孔的坐标的图。

[0023] 图9为表示修正后的描图数据的位置的图。

[0024] 标号说明

[0025] 10～描图装置；20～曝光单元；22～DMD(光调变单元)；30～描图控制部；30A～控制单元；32～系统控制电路；34～DMD控制部；38～台座位置控制部；40～对准标记检测部；42～数据演算部；43～资料缓冲区；SW～基板(被描图体)；EA～曝光区域；Xij～微面镜；Yij～微小区域(曝光区域)；TA1、TA2～一对的边(一对第一基准边)；TB1、TB2～一对的边(一对第二基准边)；SA1、SA2～一对的边(一对第一变动边)；SB 1、SB2～一对的边(一对第二变动边)；Z0～基准矩形；Z～四角形(变形矩形)；AM1～AM4～量测对准孔(量测用指针)；PD～描图位置；PD’～修正位置；X～X坐标(第一轴)；Y～Y坐标(第二轴)。

具体实施方式

[0026] 以下参照图式说明本发明之实施形态。

[0027] 图1为本实施形态的描图系统的示意的立体图。图2为设于描图装置的曝光单元的示意图。图3为表示曝光区域EA的相对移动，即曝光区域EA的扫描的示意图。 [0028] 描图系统包括描图装置10。描图装置10为对表面涂布有光阻等的感光材料的基板SW照射光线而形成电路图案的装置，包括闸门状构造体12及基台14。在基台14上搭载着支持X-Y台座18的X-Y台座驱动机构19，在X-Y台座18上设置基板SW。在闸门状构造体12上设有在基板SW的表面上形成电路图案的曝光单元20，配合X-Y台座18的移 动而使曝光单元20动作。

[0029] 又，描图系统包括控制X-Y台座18的移动及曝光单元20的动作的描图控制部30。描图控制部30系由控制单元30A、键盘30B、以及监视器30C所构成，操作员设定曝光条件等。基板SW为例如硅晶圆、薄膜、玻璃基板或铺铜多层板，在实施预烤处理及光阻的涂布等处理后的空白状态下，搭载于X-Y台座18上。

[0030] 在SW基板上，由于形成四个相同尺寸的描图图案，分割为四个描图区域，在各描图区域GR的四个角落，形成供描图位置做对准调整的对准孔AM。在闸门状构造体12上，用来检测对准孔AM位置的CCD13安装成朝向基板SW的方向，根据X-Y台座18的移动而检测出对准孔AM。对于基板SW，制订出相互垂直的X-Y坐标，根据X-Y坐标而进行对准调整。于此，将主扫瞄方向定为X方向，副扫瞄方向定为Y方向。

[0031] 如图2所示，曝光单元20包括光源21、DMD(Digital Micro-mirrorDevice)22以及作为曝光用光学系的照明光学系24、成像光学系26，在光源21与DMD22之间配置照明光学系24，在DMD22与基板SW之间配置成像光学系26。半导体雷射等的光源21连续地放射一定强度的光束，放射的光被导入照明光学系24。照明光学系24系由扩散板24A与准直透镜24B构成，光束LB通过照明光学系24，被成形为照明DMD22全体的光束。而且，不仅是图2所示的DMD22，复数个DMD系沿主扫瞄方向(X方向)配置，从光源22放射的光束经由光纤(未图标)传递至各DMD。

[0032] DMD22为微米(μm)等级的微小的微面镜成数组状配置的光调变单元，各微小镜面藉由静电场的作用而旋转变动。在本实施例中，DMD22为M×N个微小镜面配置成数组状而形成，以下系以对应于配列(i，j)的位置的微面镜以「Xij](1≤i≤M，1≤j≤N)表示。例如，由1024×768的微面镜构成DMD22。

[0033] 微面镜Xij系以将来自光源21的光束LB朝基板SW的曝光面SU的方向反射的第一姿势与朝曝光面SU外的方向反射的第二姿势其中之一的姿势而定位，根据来自控制单元30A的控制讯号作姿势的切换。在 微面镜Xij以第一姿势定位的情况下，在微面镜Xij上反射的光被导向成像光学系26。示意地表示的成像光学系26系由二个凸透镜与反射透镜(未图标)构成，通过成像光学系26的光照射于形成有光阻层的曝光面SU的既定区域。 [0034] 另一方面，微面镜Xij以第二姿势定位的情况下，由微面镜Xij反射的光被导向光吸收板(未图标)，光不被照射到曝光面SU上。以下以微面镜Xij在第一姿势支持的状态为ON状态，以第二姿势支持的状态为OFF状态。

[0035] 成像光学系26的倍率由于在此定为1倍，一个微面镜Xij的照射区域Yij的尺寸(宽、高)与微面镜Xij的尺寸相同。对应于微面镜Xij的副扫瞄方向(Y方向)的高度以h表示，对应于扫瞄方向(X方向)的宽度以l表示，而具有l×h的尺寸的照射区域(以下称微小区域)。微面镜Xij为正方形(h＝l)，又，相对于图案的线宽，微面镜Xij的尺寸非常微小，一片的长度定为数μm～数十μm。

[0036] DMD22的尺寸系根据电视机的显示规格而定，对应于DMD22的主扫瞄方向为横方向，对应于副扫瞄方向为纵方向，宽度(横方向长度)及高度(纵方向长度)系分别以「W」、「K」表示，DMD22的长宽比(横纵比W∶K)定为3∶4。

[0037] 在X-Y台座18停止的状态下，所有的微面镜为ON的状态的情况下，在曝光面SU上，照射出具有既定尺寸的区域EA(以下称此区域为曝光区域)。由于成像光学系26的倍率为1倍，D×R＝K×W(＝(M×h)×(N×1))的关系成立。

[0038] 在DMD22中，由于微面镜Xij系个别独立控制ON/OFF，照射DMD22全体的光变成由各微面镜选择性地反射的光的光束所构成的光。结果，在曝光面SU上，在曝光区域EA所在的任意区域Ew上，照射对应于形成在该处的所有电路图案的光。根据光栅扫瞄，X-Y台座18以既定的速度移动，随着此移动，曝光区域EA系沿主扫瞄方向(X方向)在曝光面SU上以既定速度移动，电路图案系沿主扫瞄方向(X方向)形成。

[0039] X-Y台座18以既定速度移动的期间，使微小区域的照射位置Yij错 开，即使其重叠而实行曝光动作。即，在既定的曝光动作时间间隔(曝光周期)中反复而实施使开始投射光的微面镜Xij的ON切换控制，同时排列于X方向上的数字微镜依次在向既定的区域投射光之际，决定曝光动作时间间隔以及扫瞄速度，使依次照射的微小区域的位置部分地重叠(overlap)。于此，对应于微面镜Xij的微小区域Yij的宽度1的区间1在比曝光区域EA移动所需的时间短的时间间隔中实施曝光动作。

[0040] 藉由如此的曝光动作的时序控制，基板SW以既定的速度做相对性的移动，曝光区域EA每前进距离d(＜1)则反复进行曝光区域的动作。又，在一次的曝光动作中，微面镜被控制使各微面镜ON状态持续的时间比曝光区域EA前进距离d所需的时间短。于此，曝光区域EA前进距离Ld(＜d)的时间中微面镜维持在ON状态，曝光区域EA移动其余的距离的期间，各微面镜维持在OFF状态。

[0041] 沿着一个扫瞄带SB完成扫瞄后，X-Y台座18在Y方向(副扫瞄方向)移动距离D，而相对移动下一扫瞄带(参照图3)。曝光区域EA往复且扫瞄所有的扫瞄带时，扫瞄处理完毕。在扫瞄处理后，实施显像处理、蚀刻或镀膜、光阻剥离处理等，制造出形成有电路图案的基板。

[0042] 图4为描图系统的方块图。

[0043] 描图控制部30的控制单元30A包括系统控制电路32、DMD控制电路34、台座位置控制部38、对齐标记检测部40、数据演算部42以及光源控制部44。包含CPU、RAM、ROM等的系统控制电路32控制描图装置10全体，将控制讯号送出至将光从光源21放出的光源控制部44，同时对于DMD控制部34输出供控制曝光时序的控制讯号。DMD控制部34根据预先储存于ROM中的描图处理用程序而控制DMD22。

[0044] 电路图案资料为向量资料(CAM资料)而从工作站(未图标)输入至控制单元30A的数据输入部41，而记忆在属于暂存性内存的资料缓冲区43中。当图案数据送至数据演算部42时，向量数据对应于光栅扫瞄而转换成光栅资料，而输送至DMD控制部34。向量资料为具有描图图案的位置坐标信息，具有根据X-Y坐标系的位置坐标资料。光栅数据为表示微面镜的ON/OFF其中之一的二进制数据，表示成电路图案的二维 位图案。 [0045] 在DMD控制部34中，光栅资料系配合曝光区域EA的相对位置在既定的时序中依次读出。即，根据读出的二维点阵资料与从位置控制部38送出的曝光区域EA的相对位置信息，将控制微面镜ON/OFF的控制讯号输出至DMD22。台座位置控制部38系控制具备马达(未图标)的X-Y台座驱动机构19，藉此控制X-Y台座18的移动速度等。又，台座位置控制部38系检测相对于曝光区域EA的X-Y台座18的相对性位置。

[0046] 从CCD13读出的对准孔AM的检测讯号被输送至对准标记检测部40，藉此检测出对准孔AM的位置信息，对准孔AM的位置信息系经由资料缓冲区43输送至资料演算部42。在资料演算部42，根据对准孔AM的位置信息，修正向量资料的位置坐标，根据修正后的向量资料而产生光栅资料。

[0047] 第5、6图为表示描图位置的修正处理程序的图。

[0048] 当在基板SW的一个描图区域GR内形成对准孔AM时，四个对准孔AMO1～AMO4被定位，而沿X-Y坐标系构成平行的矩形Z0(基准矩形)的顶点。于此，矩形Z0系以中心线表示。

[0049] 当涂布了光阻的基板SW被置于X-Y台座18而进行描图处理时，由于热等原因使基板SW变形，对准孔AMO1～AMO4的位置偏移，于此，从X-Y坐标系见到的变形后的对准孔(以下称量测对准孔)以符号「AM1～AM4」表示，以量测对准孔AM1～AM4作为顶点所构成的四角形Z(变形矩形)以虚线表示。

[0050] 在本实施型态中，考虑沿着矩形Z0的各边的方向，即沿着X方向、Y方向的基板SW的变形量，修正描图资料的位置坐标。首先，根据呈长方形的矩形Z0与变形后的四角形Z，沿着相对的边构成二个梯形。

[0051] 沿着基准矩形Z0的X方向而通过平行的一对边TA1、TA2的直线与分别通过量测对准孔AM2、AM3及量测对准孔AM1、AM4而通过沿着基准矩形Z0的Y方向而对应于平行的一对边TB1、TB2的一对边SB1、SB2的直线的交点为Q1、Q2、Q3、Q4，在平行的一对边TA1、TA2上具有上底、下底，而定出以Q1、Q2、Q3、Q4为顶点的梯形SQ1(以实 线表示)。 [0052] 同样地，沿着基准矩形Z0的Y方向而通过平行的一对边TB1、TB2的直线与分别通过量测对准孔AM1、AM2及量测对准孔AM4、AM3而通过沿着基准矩形Z0的X方向而对应于平行的一对边TA1、TA2的一对边SA1、SA2的直线的交点为R1、R2、R3、R4，在平行的一对边TB1、TB2上具有上底、下底，而定出以R1、R2、R3、R4为顶点的梯形SQ2(以实线表示)。 [0053] 如图6所示，关于对应于描图区域GR内的任意的描图资料的位置坐标的描图位置PD，当X方向的描图位置为从沿着基准矩形Z0的X方向的一对边TB1、TB2算起的距离的比m∶n的位置时，沿着基板SW的变形后的描图数据的X方向的位置PD’x被设定在从四角形Z的一对边SB1、SB2算起的距离比为m∶n的位置。

[0054] 同样地，当Y方向的描图位置为从沿着基准矩形Z0的X方向的一对边TA1、TA2算起的距离的比M∶N的位置时，沿着基板SW的变形后的X方向的位置PD’y被设定在从四角形Z的一对边SA1、SA2算起的距离比为M∶N的位置。

[0055] 然后，根据求得的描图资料的X方向的位置PD’x、Y方向的位置PD’y，将描图数据的基板变形后的位置PD’(PD’x，PD’y)设定为修正位置(参照图6)。描图数据的修正位置PD’系视沿着X方向、Y方向的基板SW的变形方向、变形量而定。

[0056] 图7为描图处理的流程图。图8为表示设定的对准孔与量测对准孔的坐标的图。图9为表示修正后的描图数据的位置PP的图。

[0057] 在步骤S101中，来自工作站等的作为描图资料的向量资料被送至描图系统30，而暂时性地储存于资料缓冲区43中。在步骤S102中，在对准标记检测部40中，检测出所量测的对准孔的位置坐标。然后，在步骤S103中，根据所量测的对准孔的位置坐标，进行以下所示的计算。

[0058] 如图8所示，变形前的基准对准孔的位置坐标为H0(xh0，yh0)、H1(xh1，yh1)、H2(xh2，yh2)、H3(xh3，yh3)，当变形后的量测对准孔的位置坐标为M0(xm0，ym0)、M1(xm1，ym1)、M2(xm2，ym2)、 M3(xm3，ym3)时，连结对准孔H3、H0的直线与Y坐标的交点「b03」为yh0，连结对准孔H1、H2的直线与Y坐标上的交点「b12」为yh1。又，连结对准孔H2、H3的直线与X坐标的交点「b23」为xh2，连结对准孔H1、H0的直线与X坐标上的交点「b10」为xh1。

[0059] 另一方面，通过变形后的量测对准孔M3、M0的直线的斜率A03与Y坐标上的交点B03系分别以下列的式子求得。

[0060] A03＝(ym0-ym3)/(xm0-xm3) (1)

[0061] B03＝ym0-A03×xm0 (2)

[0062] 同样地，通过量测对准孔M1、M2的直线的斜率A12与Y坐标上的交点B12系分别以下列的式子求得。

[0063] A12＝(ym1-ym2)/(xm1-xm2) (3)

[0064] B12＝ym1-A12×xm1 (4)

[0065] 而且，通过变形后的量测对准孔M2、M3的直线的斜率A23与X坐标上的交点B23系分别以下列的式子求得。但是对应于X坐标的斜率系于此求出。

[0066] A23＝(xm2-xm3)/(ym2-ym3) (5)

[0067] B10＝xm2-A23×ym2 (6)

[0068] 同样地，通过变形后的量测对准孔M1、M0的直线的斜率A10与X坐标上的交点B10系分别以下列的式子求得。

[0069] A10＝(xm1-xm0)/(ym1-ym0) (7)

[0070] B23＝xm1-A10×ym1 (8)

[0071] 当实施步骤S103时，进入步骤S104。

[0072] 在步骤S104中，藉由以下所示的计算处理，而修正描图资料的位置坐标，修正后的描图资料系储存于资料缓冲区43中。

[0073] 修正前的描图资料的位置坐标为P(x，y)，修正后的描图资料的位置坐标为PP(x’，y’)。又，若通过P(x，y)而平行于X轴的直线与通过变形前的对准孔H2、H3的直线以及通过对准孔H1、H0的交点分别为Ph1(xh1，y)、Phr(xhr，y)，通过P(x，y)而平行于Y轴的直线与通过变形前的对准孔M2、M3的直线以及通过对准孔M1、M0的交点 分别为Pm1(xm1，y)、Pmr(xmr，y)，修正后的描图资料的X坐标x’系以以下的式子求得。 [0074] x’＝(x-xh1)×xsc+xm1 (9)

[0075] 在此

[0076] xh1＝b23 (10)

[0077] xhr＝b10 (11)

[0078] xm1＝A23×y+B23 (12)

[0079] xsc＝(xmr-xm1)/(xhr-xh1) (13)

[0080] 而且，xsc为沿着描图资料的位置坐标P的X方向的基准矩形与变形矩形的比例。 [0081] 同样地，若通过P(x，y)而平行于Y轴的直线与通过变形前的对准孔H3、H0的直线以及通过对准孔H2、H1的交点分别为Phd(x，yhd)、Phh(x，yhu)，通过P(x，y)而平行于Y轴的直线与通过变形前的对准孔M3、M0的直线以及通过对准孔M2、M1的交点分别为Pmd(x，ymd)、Pmh(x，ymu)，修正后的描图资料的Y坐标y’系以以下的式子求得。 [0082] y＝(y-yhd)ysc+ymd (14)

[0083] 在此

[0084] yhd＝b03 (15)

[0085] yhu＝b12 (16)

[0086] ymd＝A03×x+B03 (17)

[0087] ymu＝A12×x+B12 (18)

[0088] ysc＝(ymu-ymd)/(xhu-xhd) (19)

[0089] 而且，ysc为沿着描图资料的位置坐标P的Y方向的基准矩形与变形矩形的比例。 [0090] 如此的描图数据的位置修正系对各描图数据实施。然后，在步骤S105中，根据修正后的向量资料产生光栅资料，而根据光栅数据控制DMD22ON/OFF。

[0091] 根据以上的实施型态，，为了维持从基准矩形Z0的一对边TA1、TA2 以及一对边TB1、TB2算起的距离比(m∶n及M∶N)，对于变形后的四角形Z的一对边TA1及TA2及一对边TB1、TB2，描图数据的位置坐标，即描图位置沿着X、Y方向移动。藉此，可修正至配合该描图位置的基板的变形方向及变形量的所谓的变形状态，描图区域的各描图位置系配合基板的变形而做适当的修正。

[0092] 也可根据向量资料以外的资料进行修正。又，可适用于DMD以外的所谓的LCD的光调变组件。甚至也可适用于以AOM等的光调变组件扫瞄激光束的描图装置。关于描图装置，并不限定于描图区域内，在区域外亦可。在此情况下，除了从一对边算起的内分比之外，也可使用外分比。

[0093] 四个对准孔从矩形的顶点位置偏移而设定亦可。在此情况下，在式(1)～(4)中，考虑连结H1～H4的直线的X、Y方向的斜率。即使对于不平行于X、Y坐标的矩形，以坐标转换而修正处理亦可。