驱动电路及显示装置转让专利
申请号 : CN200680013403.3
文献号 : CN101164093B
文献日 : 2010-10-06
发明人 : 山手万典
申请人 : 松下电器产业株式会社
摘要 :
第1阻抗控制电路(41)包含与第1晶体管(Q1)并联连接的多个电容器，第2阻抗控制电路(42)包含与第2晶体管(Q2)并联连接的多个电容器。第1阻抗控制电路(41)的电容器(C11……C1n)具有各不相同的电容值，第2阻抗控制电路(42)的电容器(C21……C2n)具有各不相同的电容值。第1阻抗控制电路(41)的电容器的自谐振频率各不相同，第2阻抗控制电路(42)的电容器的自谐振频率各不相同。从第1及第2晶体管(Q1及Q2)产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1及第2阻抗控制电路(41及42)，被电源端及接地端吸收。
权利要求 :
1.一种驱动电路，用于将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载，其特征在于，具有：为了使所述驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；
为了使所述驱动脉冲下降而供给比所述第1电压低的第2电压的第2电压源；
一端接受来自所述第1电压源的第1电压的第1开关元件；
一端接受来自所述第2电压源的第2电压的第2开关元件；
一端与所述第1开关元件的另一端连接、另一端与所述脉冲供给路径连接的第1布线；
一端与所述第2开关元件的另一端连接、另一端与所述脉冲供给路径连接的第2布线；
在所述第1开关元件的一端与另一端之间、与所述第1开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及在所述第2开关元件的一端与另一端之间、与所述第2开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，所述第1及第2开关元件，为了在使所述显示元件发光的维持期间中对所述电容性负载施加驱动脉冲而动作，所述第1阻抗控制电路，包含与所述第1开关元件并联连接的多个第1电容性元件，所述第2阻抗控制电路，包含与所述第2开关元件并联连接的多个第2电容性元件，所述多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，所述多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，设定所述多个第1电容性元件的电容分量的值，使得由所述第1开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第1电容性元件的并联电路的并联谐振频带内，设定所述多个第2电容性元件的电容分量的值，使得由所述第2开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第2电容性元件的并联电路的并联谐振频带内。
2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还具有：一端通过脉冲供给路径与所述电容性负载连接的电感元件；
从所述电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；
第1及第2单向导通元件；以及
第3及第4开关元件，
所述第1单向导通元件与所述第3开关元件，串联连接在所述电感元件的另一端与所述回收用电容性元件之间，以便允许从所述回收用电容性元件向所述电感元件供给电流，所述第2单向导通元件与所述第4开关元件，串联连接在所述电感元件的另一端与所述回收用电容性元件之间，以便允许从所述电感元件向所述回收用电容性元件供给电流。
3.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，还具有：与所述第3开关元件并联连接的第3阻抗控制电路；以及与所述第4开关元件并联连接的第4阻抗控制电路，
所述第3阻抗控制电路，包含与所述第3开关元件并联连接的多个第3电容性元件，所述第4阻抗控制电路，包含与所述第4开关元件并联连接的多个第4电容性元件，所述多个第3电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，所述多个第4电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同，设定所述多个第3电容性元件的电容分量的值，使得由所述第3开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第3电容性元件的并联电路的并联谐振频带内，设定所述多个第4电容性元件的电容分量的值，使得由所述第4开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第4电容性元件的并联电路的并联谐振频带内。
4.如权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，还具有：与所述第1单向导通元件并联连接的第3阻抗控制电路；以及与所述第2单向导通元件并联连接的第4阻抗控制电路，所述第3阻抗控制电路，包含与所述第1单向导通元件并联连接的多个第3电容性元件，所述第4阻抗控制电路，包含与所述第2单向导通元件并联连接的多个第4电容性元件，所述多个第3电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，所述多个第4电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同，设定所述多个第3电容性元件的电容分量的值，使得由所述第1单向导通元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第3电容性元件的并联电路的并联谐振频带内，设定所述多个第4电容性元件的电容分量的值，使得由所述第2单向导通元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第4电容性元件的并联电路的并联谐振频带内。
5.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
所述多个第1电容性元件包含第1个～第n个的第1电容性元件，所述多个第2电容性元件包含第1个～第n个的第2电容性元件，n为2以上的自然数，所述第1个～第n个的第1电容性元件中，所述第n个的第1电容性元件具有最小的电容值，所述第1个～第n个的第2电容性元件中，所述第n个的第2电容性元件具有最小的电容值，所述第1阻抗控制电路，还包含与所述第1个～第(n-1)个的第1电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第1电阻性元件，所述第2阻抗控制电路，还包含与所述第1个～第(n-1)个的第2电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第2电阻性元件。
6.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
所述多个第1电容性元件，包含第1个～第n个的第1电容性元件，所述多个第2电容性元件，包含第1个～第n个的第2电容性元件，n为2以上的自然数，所述第1个～第n个的第1电容性元件中，所述第n个的第1电容性元件具有最小的电容值，所述第1个～第n个的第2电容性元件中，所述第n个的第2电容性元件具有最小的电容值，所述第1阻抗控制电路，还包含与所述第1个～第(n-1)个的第1电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第1珠状核心，所述第2阻抗控制电路，还包含与所述第1个～第(n-1)个的第2电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第2珠状核心。
7.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，
所述多个第1电容性元件的各电容性元件，由第1层叠陶瓷电容器构成，所述多个第2电容性元件的各电容性元件，由第2层叠陶瓷电容器构成。
8.一种驱动电路，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载，其特征在于，具有：为了使所述驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；
为了使所述驱动脉冲下降而供给比所述第1电压低的第2电压的第2电压源；
第1、第2、第3及第4开关元件；
一端通过脉冲供给路径与所述电容性负载连接的电感元件；
从所述电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；
第1及第2单向导通元件；
与所述第3开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及与所述第4开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，
所述第1开关元件连接在所述第1电压源与所述脉冲供给路径之间，所述第2开关元件连接在所述第2电压源与所述脉冲供给路径之间，所述第1及第2开关元件为了在使所述显示元件发光的维持期间中对所述电容性负载施加驱动脉冲而动作，所述第1单向导通元件与所述第3开关元件，串联连接在所述电感元件的另一端与所述回收用电容性元件之间，以便允许从所述回收用电容性元件向所述电感元件供给电流，所述第2单向导通元件与所述第4开关元件串联连接在所述电感元件的另一端与所述回收用电容性元件之间，以便允许从所述电感元件向所述回收用电容性元件供给电流，所述第1阻抗控制电路，包含与所述第3开关元件并联连接的多个第1电容性元件，所述第2阻抗控制电路，包含与所述第4开关元件并联连接的多个第2电容性元件，所述多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，所述多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，设定所述多个第1电容性元件的电容分量的值，使得由所述第3开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第1电容性元件的并联电路的并联谐振频带内，设定所述多个第2电容性元件的电容分量的值，使得由所述第4开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第2电容性元件的并联电路的并联谐振频带内。
9.一种驱动电路，用于将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载，其特征在于，具有：为了使所述驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；
为了使所述驱动脉冲下降而供给比所述第1电压低的第2电压的第2电压源；
第1、第2、第3及第4开关元件；
一端通过脉冲供给路径与所述电容性负载连接的电感元件；
从所述电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；
第1及第2单向导通元件；
与所述第1单向导通元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及与所述第2单向导通元件并联连接的第2阻抗控制电路，所述第1开关元件连接在所述第1电压源与所述脉冲供给路径之间，所述第2开关元件连接在所述第2电压源与所述脉冲供给路径之间，所述第1及第2开关元件为了在使所述显示元件发光的维持期间中对所述电容性负载施加驱动脉冲而动作，所述第1单向导通元件与所述第3开关元件，串联连接在所述电感元件的另一端与所述回收用电容性元件之间，以便允许从所述回收用电容性元件向所述电感元件供给电流，所述第2单向导通元件与所述第4开关元件，串联连接在所述电感元件的另一端与所述回收用电容性元件之间，以便允许从所述电感元件向所述回收用电容性元件供给电流，所述第1阻抗控制电路，包含与所述第1单向导通元件并联连接的多个第1电容性元件，所述第2阻抗控制电路，包含与所述第2单向导通元件并联连接的多个第2电容性元件，所述多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，所述多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，设定所述多个第1电容性元件的电容分量的值，使得由所述第1单向导通元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第1电容性元件的并联电路的并联谐振频带内，设定所述多个第2电容性元件的电容分量的值，使得由所述第2单向导通元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第2电容性元件的并联电路的并联谐振频带内。
10.一种显示装置，其特征在于，具有：
包含由多个显示元件构成的电容性元件的显示面板；以及将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给所述电容性负载用的驱动电路，所述驱动电路具有：
为了使所述驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；
为了使所述驱动脉冲下降而供给比所述第1电压低的第2电压的第2电压源；
一端接受来自所述第1电压源的第1电压的第1开关元件；
一端接受来自所述第2电压源的第2电压的第2开关元件；
一端与所述第1开关元件的另一端连接、另一端与所述脉冲供给路径连接的第1布线；
一端与所述第2开关元件的另一端连接、另一端与所述脉冲供给路径连接的第2布线；
在所述第1开关元件的一端与另一端之间、与所述第1开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及在所述第2开关元件的一端与另一端之间、与所述第2开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，所述第1及第2开关元件为了在使所述显示元件发光的维持期间中对所述电容性负载施加驱动脉冲而动作，所述第1阻抗控制电路，包含与所述第1开关元件并联连接的多个第1电容性元件，所述第2阻抗控制电路，包含与所述第2开关元件并联连接的多个第2电容性元件，所述多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，所述多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且所述多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，设定所述多个第1电容性元件的电容分量的值，使得由所述第1开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第1电容性元件的并联电路的并联谐振频带内，设定所述多个第2电容性元件的电容分量的值，使得由所述第2开关元件产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于所述多个第2电容性元件的并联电路的并联谐振频带内。
说明书 :
技术领域
本发明涉及利用驱动脉冲来驱动电容性负载用的驱动电路、以及采用该驱动电路的显示装置。
背景技术
作为驱动电容性负载的以往的驱动电路，例如已知有驱动等离子体显示面板的保持电极的保持驱动器。
图16所示为以往的保持驱动器的构成电路图。如图16所示，保持驱动器400，包含回收电容器C401、回收线圈L401、开关SW11、SW12、SW21、SW22、以及二极管D401、D402。
开关SW11连接在电源端V4与节点N11之间，开关SW12连接在节点N11与接地端之间。对电源端V4施加电源电压Vsus。节点N11与例如480条的保持电极连接，在图16中，示出相当于多个保持电极与接地端之间的全部电容的面板电容Cp。
回收电容器C401连接在节点N13与接地端之间。开关SW21与二极管D401串联连接在节点N12与节点N13之间。回收线圈L401连接在节点N12与节点N11之间。
图17所示为图16的保持驱动器400的维持期间的动作时序图。在图17中，表示图16的节点N11的电压及开关SW21、SW11、SW22、SW12的动作。用高电平表示SW21、SW11、SW22、SW12的接通状态，用低电平表示SW21、SW11、SW22、SW12的断开状态。
首先，在期间Ta中，开关SW21接通，开关SW12断开。这时，开关SW11、SW22断开。通过这样，利用回收线圈L401与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N11的电位缓慢上升。接着，在期间Tb中，开关SW21断开，开关SW11接通。通过这样，节点N11的电位急剧上升，在期间Tc中，节点N11的电位固定在电源电压Vsus。
接着，在期间Td中，开关SW11断开，开关SW22接通。通过这样，利用回收线圈L401与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N11的电位缓慢下降。然后，在期间Te中，开关SW22断开，开关SW12接通。通过这样，节点N11的电位急剧下降，固定在接地电位。通过在维持期间重复上述的动作，对多个保持电极施加周期性的维持脉冲Psu。
如上所述，维持脉冲Psu的上升部分及下降部分，由开关SW21或开关SW22的动作产生的期间Ta及Td的LC谐振部分和开关SW11或开关SW12的接通动作产生的期间Tb及Te的边缘部分构成(参照专利文献1)。
专利文献1：特许第3369535号公报
上述的开关SW11、SW12、SW21、SW22，通常利用开关元件的FET(场效应晶体管)构成，各FET作为寄生电容在漏-源间具有电容，与各FET连接的布线具有电感分量。因而，开关SW11等在进行开关动作时，将产生开关噪声。通过这样，对多个保持电极施加开关噪声，多个保持电极成为天线，将辐射不需要的电磁波。
因此，在专利文献1的驱动电路中，在各FET的漏-源间并联连接一个电容器，通过这样来吸收开关噪声。
但是，在这种情况下，只能吸收具有特定频率分量的开关噪声。因而，不能充分抑制具有各种频率分量的开关噪声。其结果，不能充分抑制高频电磁波的辐射。
具有这样的各种频率分量的高频电磁波的辐射，有可能对其它的电子设备产生恶劣的电磁影响。因此，希望充分抑制遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
图16所示为以往的保持驱动器的构成电路图。如图16所示，保持驱动器400，包含回收电容器C401、回收线圈L401、开关SW11、SW12、SW21、SW22、以及二极管D401、D402。
开关SW11连接在电源端V4与节点N11之间，开关SW12连接在节点N11与接地端之间。对电源端V4施加电源电压Vsus。节点N11与例如480条的保持电极连接，在图16中，示出相当于多个保持电极与接地端之间的全部电容的面板电容Cp。
回收电容器C401连接在节点N13与接地端之间。开关SW21与二极管D401串联连接在节点N12与节点N13之间。回收线圈L401连接在节点N12与节点N11之间。
图17所示为图16的保持驱动器400的维持期间的动作时序图。在图17中，表示图16的节点N11的电压及开关SW21、SW11、SW22、SW12的动作。用高电平表示SW21、SW11、SW22、SW12的接通状态，用低电平表示SW21、SW11、SW22、SW12的断开状态。
首先，在期间Ta中，开关SW21接通，开关SW12断开。这时，开关SW11、SW22断开。通过这样，利用回收线圈L401与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N11的电位缓慢上升。接着，在期间Tb中，开关SW21断开，开关SW11接通。通过这样，节点N11的电位急剧上升，在期间Tc中，节点N11的电位固定在电源电压Vsus。
接着，在期间Td中，开关SW11断开，开关SW22接通。通过这样，利用回收线圈L401与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N11的电位缓慢下降。然后，在期间Te中，开关SW22断开，开关SW12接通。通过这样，节点N11的电位急剧下降，固定在接地电位。通过在维持期间重复上述的动作，对多个保持电极施加周期性的维持脉冲Psu。
如上所述，维持脉冲Psu的上升部分及下降部分，由开关SW21或开关SW22的动作产生的期间Ta及Td的LC谐振部分和开关SW11或开关SW12的接通动作产生的期间Tb及Te的边缘部分构成(参照专利文献1)。
专利文献1：特许第3369535号公报
上述的开关SW11、SW12、SW21、SW22，通常利用开关元件的FET(场效应晶体管)构成，各FET作为寄生电容在漏-源间具有电容，与各FET连接的布线具有电感分量。因而，开关SW11等在进行开关动作时，将产生开关噪声。通过这样，对多个保持电极施加开关噪声，多个保持电极成为天线，将辐射不需要的电磁波。
因此，在专利文献1的驱动电路中，在各FET的漏-源间并联连接一个电容器，通过这样来吸收开关噪声。
但是，在这种情况下，只能吸收具有特定频率分量的开关噪声。因而，不能充分抑制具有各种频率分量的开关噪声。其结果，不能充分抑制高频电磁波的辐射。
具有这样的各种频率分量的高频电磁波的辐射，有可能对其它的电子设备产生恶劣的电磁影响。因此，希望充分抑制遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
发明内容
本发明的目的在于提供能够抑制遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射的驱动电路、以及采用该驱动电路的显示装置。
(1)
根据本发明的一个形态的驱动电路，是将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载用的驱动电路，具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；一端接受来自第1电压源的第1电压的第1开关元件；一端接受来自第2电压源的第2电压的第2开关元件；一端与第1开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第1布线；一端与第2开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第2布线；在第1开关元件的一端与另一端之间、与第1开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及在第2开关元件的一端与另一端之间、与第2开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1及第2开关元件，为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1阻抗控制电路，包含与第1开关元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第2开关元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该驱动电路中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。通过第1及第2开关元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被第1电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被第2电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(2)
驱动电路也可以还具有：一端通过脉冲供给路径与电容性负载连接的电感元件；从电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；第1及第2单向导通元件；以及第3及第4开关元件，第1单向导通元件与第3开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从回收用电容性元件向电感元件供给电流，第2单向导通元件与第4开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从电感元件向回收用电容性元件供给电流。
在这种情况下，从回收用电容性元件通过第1单向导通元件、第3开关元件、电感元件及脉冲供给路径，向电容性负载供给电流。另外，从电容性负载通过脉冲供给路径、电感元件、第2单向导通元件、以及第4开关元件向回收用电容性元件供给电流。
通过这样，供给包含显示元件的电容性负载的驱动脉冲的上升的一部分是通过从回收用电容性元件向电容性负载供给电流来进行，驱动脉冲的下降的一部分是通过从电容性负载向回收用电容性元件供给电流来进行。因而，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射，同时减少消耗功率。
(3)
驱动电路也可以还具有：与第3开关元件并联连接的第3阻抗控制电路；以及与第4开关元件并联连接的第4阻抗控制电路，第3阻抗控制电路，包含与第3开关元件并联连接的多个第3电容性元件，第4阻抗控制电路，包含与第4开关元件并联连接的多个第4电容性元件，多个第3电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第4电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同。
在这种情况下，由于第3阻抗控制电路的多个第3电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第3电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第3电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第3阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第3开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第3阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第4阻抗控制电路的多个第4电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第4电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第4电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第4阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第4开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第4阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(4)
驱动电路也可以还具有：与第1单向导通元件并联连接的第3阻抗控制电路；以及与第2单向导通元件并联连接的第4阻抗控制电路，第3阻抗控制电路，包含与第1单向导通元件并联连接的多个第3电容性元件，第4阻抗控制电路，包含与第2单向导通元件并联连接的多个第4电容性元件，多个第3电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第4电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同。
在这种情况下，由于第3阻抗控制电路的多个第3电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第3电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第3电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第3阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第3阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第4阻抗控制电路的多个第4电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第4电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第4电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第4阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第4阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(5)
多个第1电容性元件包含第1个～第n个的第1电容性元件，多个第2电容性元件包含第1个～第n个的第2电容性元件，n为2以上的自然数，第1个～第n个的第1电容性元件中，第n个的第1电容性元件具有最小的电容值，第1个～第n个的第2电容性元件中，第n个的第2电容性元件具有最小的电容值，第1阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第1电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第1电阻性元件，第2阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第2电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第2电阻性元件。
在这种情况下，在第1个～第n个的第1电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第1电阻性元件降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。
同样，在第1个～第n个的第2电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第2电阻性元件降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。
通过这样，遍及宽频带的开关噪声，通过第1及第2阻抗控制电路，被第1及第2电压源吸收。其结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(6)
多个第1电容性元件，包含第1个～第n个的第1电容性元件，多个第2电容性元件，包含第1个～第n个的第2电容性元件，n为2以上的自然数，第1个～第n个的第1电容性元件中，第n个的第1电容性元件具有最小的电容值，第1个～第n个的第2电容性元件中，第n个的第2电容性元件具有最小的电容值，第1阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第1电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第1珠状核心(日文：ビ一ズコア)，第2阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第2电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第2珠状核心。
在这种情况下，在第1个～第n个的第1电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第1珠状核心降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。这时，比第n个的第1电容性元件的自谐振频率要低的低频区域中的阻抗特性不产生恶化。
同样，在第1个～第n个的第2电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第2珠状核心降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。这时，比第n个的第2电容性元件的自谐振频率要低的低频区域中的阻抗特性不产生恶化。
通过这样，遍及宽频带的开关噪声，通过第1及第2阻抗控制电路，被第1及第2电压源吸收。其结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(7)
多个第1电容性元件的各电容性元件，也可以由第1层叠陶瓷电容器构成，多个第2电容性元件的各电容性元件，也可以由第2层叠陶瓷电容器构成。
在这种情况下，多个第1电容性负载及多个第2电容性负载段落能够充分进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗及各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下充分降低。其结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(8)
根据本发明的其它形态的驱动电路，是将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载用的驱动电路，具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；第1、第2、第3及第4开关元件；一端通过脉冲供给路径与电容性负载连接的电感元件；从电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；第1及第2单向导通元件；与第3开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及与第4开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1开关元件连接在第1电压源与脉冲供给路径之间，第2开关元件连接在第2电压源与脉冲供给路径之间，第1及第2开关元件为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1单向导通元件与第3开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从回收用电容性元件向电感元件供给电流，第2单向导通元件与第4开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从电感元件向回收用电容性元件供给电流，第1阻抗控制电路，包含与第3开关元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第4开关元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该驱动电路中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。
另外，从回收用电容性元件通过第1单向导通元件、第3开关元件、电感元件及脉冲供给路径，向电容性负载供给电流。另外，从电容性负载通过脉冲供给路径、电感元件、第2单向导通元件及第4开关元件向回收用电容性元件供给电流。
通过这样，供给包含显示元件的电容性负载的驱动脉冲的上升的一部分是通过从回收用电容性元件向电容性负载供给电流来进行，驱动脉冲的下降的一部分是通过从电容性负载向回收用电容性元件供给电流来进行。因而，能够减少消耗功率。
这时，通过第3及第4开关元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
在这种情况下，由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第3开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第4开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(9)
根据本发明的另外其它形态的驱动电路，是将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载用的驱动电路，具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；第1、第2、第3及第4开关元件；一端通过脉冲供给路径与电容性负载连接的电感元件；从电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；第1及第2单向导通元件；与第1单向导通元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及与第2单向导通元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1开关元件连接在第1电压源与脉冲供给路径之间，第2开关元件连接在第2电压源与脉冲供给路径之间，第1及第2开关元件为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1单向导通元件与第3开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从回收用电容性元件向电感元件供给电流，第2单向导通元件与第4开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从电感元件向回收用电容性元件供给电流，第1阻抗控制电路，包含与第1单向导通元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第2单向导通元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该驱动电路中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。
另外，从回收用电容性元件通过第1单向导通元件、第3开关元件、电感元件及脉冲供给路径，向电容性负载供给电流。另外，从电容性负载通过脉冲供给路径、电感元件、第2单向导通元件及第4开关元件向回收用电容性元件供给电流。
通过这样，供给包含显示元件的电容性负载的驱动脉冲的上升的一部分是通过从回收用电容性元件向电容性负载供给电流来进行，驱动脉冲的下降的一部分是通过从电容性负载向回收用电容性元件供给电流来进行。因而，能够减少消耗功率。
这时，通过第1及第2单向导通元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
在这种情况下，由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(10)
根据本发明的另外其它形态的显示装置，具有：包含由多个显示元件构成的电容性元件的显示面板；以及将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给电容性负载用的驱动电路，驱动电路具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；一端接受来自第1电压源的第1电压的第1开关元件；一端接受来自第2电压源的第2电压的第2开关元件；一端与第1开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第1布线；一端与第2开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第2布线；在第1开关元件的一端与另一端之间、与第1开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及在第2开关元件的一端与另一端之间、与第2开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1及第2开关元件为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1阻抗控制电路，包含与第1开关元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第2开关元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该显示装置中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。通过第1及第2开关元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被第1电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被第2电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
根据本发明，由于降低具有多个频率的开关噪声，因此能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(1)
根据本发明的一个形态的驱动电路，是将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载用的驱动电路，具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；一端接受来自第1电压源的第1电压的第1开关元件；一端接受来自第2电压源的第2电压的第2开关元件；一端与第1开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第1布线；一端与第2开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第2布线；在第1开关元件的一端与另一端之间、与第1开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及在第2开关元件的一端与另一端之间、与第2开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1及第2开关元件，为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1阻抗控制电路，包含与第1开关元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第2开关元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该驱动电路中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。通过第1及第2开关元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被第1电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被第2电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(2)
驱动电路也可以还具有：一端通过脉冲供给路径与电容性负载连接的电感元件；从电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；第1及第2单向导通元件；以及第3及第4开关元件，第1单向导通元件与第3开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从回收用电容性元件向电感元件供给电流，第2单向导通元件与第4开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从电感元件向回收用电容性元件供给电流。
在这种情况下，从回收用电容性元件通过第1单向导通元件、第3开关元件、电感元件及脉冲供给路径，向电容性负载供给电流。另外，从电容性负载通过脉冲供给路径、电感元件、第2单向导通元件、以及第4开关元件向回收用电容性元件供给电流。
通过这样，供给包含显示元件的电容性负载的驱动脉冲的上升的一部分是通过从回收用电容性元件向电容性负载供给电流来进行，驱动脉冲的下降的一部分是通过从电容性负载向回收用电容性元件供给电流来进行。因而，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射，同时减少消耗功率。
(3)
驱动电路也可以还具有：与第3开关元件并联连接的第3阻抗控制电路；以及与第4开关元件并联连接的第4阻抗控制电路，第3阻抗控制电路，包含与第3开关元件并联连接的多个第3电容性元件，第4阻抗控制电路，包含与第4开关元件并联连接的多个第4电容性元件，多个第3电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第4电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同。
在这种情况下，由于第3阻抗控制电路的多个第3电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第3电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第3电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第3阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第3开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第3阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第4阻抗控制电路的多个第4电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第4电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第4电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第4阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第4开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第4阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(4)
驱动电路也可以还具有：与第1单向导通元件并联连接的第3阻抗控制电路；以及与第2单向导通元件并联连接的第4阻抗控制电路，第3阻抗控制电路，包含与第1单向导通元件并联连接的多个第3电容性元件，第4阻抗控制电路，包含与第2单向导通元件并联连接的多个第4电容性元件，多个第3电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第4电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同。
在这种情况下，由于第3阻抗控制电路的多个第3电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第3电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第3电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第3电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第3阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第3阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第4阻抗控制电路的多个第4电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第4电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第4电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第4电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第4阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第4阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(5)
多个第1电容性元件包含第1个～第n个的第1电容性元件，多个第2电容性元件包含第1个～第n个的第2电容性元件，n为2以上的自然数，第1个～第n个的第1电容性元件中，第n个的第1电容性元件具有最小的电容值，第1个～第n个的第2电容性元件中，第n个的第2电容性元件具有最小的电容值，第1阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第1电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第1电阻性元件，第2阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第2电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第2电阻性元件。
在这种情况下，在第1个～第n个的第1电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第1电阻性元件降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。
同样，在第1个～第n个的第2电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第2电阻性元件降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。
通过这样，遍及宽频带的开关噪声，通过第1及第2阻抗控制电路，被第1及第2电压源吸收。其结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(6)
多个第1电容性元件，包含第1个～第n个的第1电容性元件，多个第2电容性元件，包含第1个～第n个的第2电容性元件，n为2以上的自然数，第1个～第n个的第1电容性元件中，第n个的第1电容性元件具有最小的电容值，第1个～第n个的第2电容性元件中，第n个的第2电容性元件具有最小的电容值，第1阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第1电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第1珠状核心(日文：ビ一ズコア)，第2阻抗控制电路，还包含与第1个～第(n-1)个的第2电容性元件分别串联连接的第1个～第(n-1)个的第2珠状核心。
在这种情况下，在第1个～第n个的第1电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第1珠状核心降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。这时，比第n个的第1电容性元件的自谐振频率要低的低频区域中的阻抗特性不产生恶化。
同样，在第1个～第n个的第2电容性元件的自谐振频率间产生并联谐振时，利用第1个～第(n-1)个的第2珠状核心降低并联谐振电平。通过这样，能够抑制并联谐振频率下的阻抗特性恶化。这时，比第n个的第2电容性元件的自谐振频率要低的低频区域中的阻抗特性不产生恶化。
通过这样，遍及宽频带的开关噪声，通过第1及第2阻抗控制电路，被第1及第2电压源吸收。其结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(7)
多个第1电容性元件的各电容性元件，也可以由第1层叠陶瓷电容器构成，多个第2电容性元件的各电容性元件，也可以由第2层叠陶瓷电容器构成。
在这种情况下，多个第1电容性负载及多个第2电容性负载段落能够充分进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗及各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下充分降低。其结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(8)
根据本发明的其它形态的驱动电路，是将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载用的驱动电路，具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；第1、第2、第3及第4开关元件；一端通过脉冲供给路径与电容性负载连接的电感元件；从电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；第1及第2单向导通元件；与第3开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及与第4开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1开关元件连接在第1电压源与脉冲供给路径之间，第2开关元件连接在第2电压源与脉冲供给路径之间，第1及第2开关元件为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1单向导通元件与第3开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从回收用电容性元件向电感元件供给电流，第2单向导通元件与第4开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从电感元件向回收用电容性元件供给电流，第1阻抗控制电路，包含与第3开关元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第4开关元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该驱动电路中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。
另外，从回收用电容性元件通过第1单向导通元件、第3开关元件、电感元件及脉冲供给路径，向电容性负载供给电流。另外，从电容性负载通过脉冲供给路径、电感元件、第2单向导通元件及第4开关元件向回收用电容性元件供给电流。
通过这样，供给包含显示元件的电容性负载的驱动脉冲的上升的一部分是通过从回收用电容性元件向电容性负载供给电流来进行，驱动脉冲的下降的一部分是通过从电容性负载向回收用电容性元件供给电流来进行。因而，能够减少消耗功率。
这时，通过第3及第4开关元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
在这种情况下，由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第3开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第4开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(9)
根据本发明的另外其它形态的驱动电路，是将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载用的驱动电路，具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；第1、第2、第3及第4开关元件；一端通过脉冲供给路径与电容性负载连接的电感元件；从电容性负载回收电荷用的回收用电容性元件；第1及第2单向导通元件；与第1单向导通元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及与第2单向导通元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1开关元件连接在第1电压源与脉冲供给路径之间，第2开关元件连接在第2电压源与脉冲供给路径之间，第1及第2开关元件为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1单向导通元件与第3开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从回收用电容性元件向电感元件供给电流，第2单向导通元件与第4开关元件，串联连接在电感元件的另一端与回收用电容性元件之间，以便允许从电感元件向回收用电容性元件供给电流，第1阻抗控制电路，包含与第1单向导通元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第2单向导通元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该驱动电路中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。
另外，从回收用电容性元件通过第1单向导通元件、第3开关元件、电感元件及脉冲供给路径，向电容性负载供给电流。另外，从电容性负载通过脉冲供给路径、电感元件、第2单向导通元件及第4开关元件向回收用电容性元件供给电流。
通过这样，供给包含显示元件的电容性负载的驱动脉冲的上升的一部分是通过从回收用电容性元件向电容性负载供给电流来进行，驱动脉冲的下降的一部分是通过从电容性负载向回收用电容性元件供给电流来进行。因而，能够减少消耗功率。
这时，通过第1及第2单向导通元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
在这种情况下，由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2单向导通元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被回收用电容性元件吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
(10)
根据本发明的另外其它形态的显示装置，具有：包含由多个显示元件构成的电容性元件的显示面板；以及将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给电容性负载用的驱动电路，驱动电路具有：为了使驱动脉冲上升而供给第1电压的第1电压源；为了使驱动脉冲下降而供给比第1电压低的第2电压的第2电压源；一端接受来自第1电压源的第1电压的第1开关元件；一端接受来自第2电压源的第2电压的第2开关元件；一端与第1开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第1布线；一端与第2开关元件的另一端连接、另一端与脉冲供给路径连接的第2布线；在第1开关元件的一端与另一端之间、与第1开关元件并联连接的第1阻抗控制电路；以及在第2开关元件的一端与另一端之间、与第2开关元件并联连接的第2阻抗控制电路，第1及第2开关元件为了在使显示元件发光的维持期间中对电容性负载施加驱动脉冲而动作，第1阻抗控制电路，包含与第1开关元件并联连接的多个第1电容性元件，第2阻抗控制电路，包含与第2开关元件并联连接的多个第2电容性元件，多个第1电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，多个第2电容性元件的各电容性元件，包含电容分量及电感分量，并且多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同。
在该显示装置中，在维持期间中，第1及第2开关元件动作，将驱动脉冲通过脉冲供给路径供给包含显示元件的电容性负载。在这种情况下，利用由第1电压源供给的第1电压，驱动脉冲的电压上升，利用由第2电压源供给的第2电压，驱动脉冲的电压下降。通过第1及第2开关元件进行开关动作，将产生具有多个频率分量的开关噪声。
由于第1阻抗控制电路的多个第1电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第1电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第1电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第1电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第1阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第1开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第1阻抗控制电路，被第1电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
同样，由于第2阻抗控制电路的多个第2电容性元件的各电容性元件包含电容分量及电感分量，因而以特定的频率进行自谐振。通过这样，各第2电容性元件的阻抗在特定的频率下降低。另外，由于多个第2电容性元件的电容分量的值各不相同，因此多个第2电容性元件的自谐振频率不同。通过这样，在多个频率下第2阻抗控制电路的阻抗降低。因而，由第2开关元件产生的具有多个频率的开关噪声，通过第2阻抗控制电路，被第2电压源吸收，通过脉冲供给路径对包含显示元件的电容性负载的开关噪声的影响减少。
根据这些结果，能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
根据本发明，由于降低具有多个频率的开关噪声，因此能够充分抑制来自电容性负载的遍及宽频带的不需要的高频电磁波的辐射。
附图说明
图1所示为采用本发明的第1实施形态有关的保持驱动器的等离子体显示装置的构成方框图。
图2所示为图1的PDP中的扫描电极及保持电极的驱动电压的一个例子的时序图。
图3所示为图1所示的保持驱动器的构成电路图。
图4为说明保持驱动器的维持期间的动作用的时序图。
图5所示为阻抗控制电路的构成的第1例的电路图。
图6所示为层叠陶瓷电容器、钽电解电容器、以及铝电解电容器的阻抗特性图。
图7(a)所示为1个层叠陶瓷电容器的内部等效电路图，图7(b)所示为1个层叠陶瓷电容器的阻抗特性的计算结果图。
图8(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图8(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。
图9为说明2个层叠陶瓷电容器的并联电路的并联谐振用的说明图。
图10所示为阻抗控制电路的构成的第2例的电路图。
图11(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图11(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。
图12所示为阻抗控制电路的构成的第3例的电路图。
图13所示为层叠陶瓷电容器、以及珠状核心的阻抗特性图。
图14所示为本发明的第2实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图15所示为本发明的第3实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图16所示为以往的保持驱动器的构成电路图。
图17所示为图16的保持驱动器的维持期间的动作时序图。
图2所示为图1的PDP中的扫描电极及保持电极的驱动电压的一个例子的时序图。
图3所示为图1所示的保持驱动器的构成电路图。
图4为说明保持驱动器的维持期间的动作用的时序图。
图5所示为阻抗控制电路的构成的第1例的电路图。
图6所示为层叠陶瓷电容器、钽电解电容器、以及铝电解电容器的阻抗特性图。
图7(a)所示为1个层叠陶瓷电容器的内部等效电路图，图7(b)所示为1个层叠陶瓷电容器的阻抗特性的计算结果图。
图8(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图8(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。
图9为说明2个层叠陶瓷电容器的并联电路的并联谐振用的说明图。
图10所示为阻抗控制电路的构成的第2例的电路图。
图11(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图11(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。
图12所示为阻抗控制电路的构成的第3例的电路图。
图13所示为层叠陶瓷电容器、以及珠状核心的阻抗特性图。
图14所示为本发明的第2实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图15所示为本发明的第3实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图16所示为以往的保持驱动器的构成电路图。
图17所示为图16的保持驱动器的维持期间的动作时序图。
具体实施方式
以下，参照附图说明实施本发明用的最佳形态。
作为根据本发明的驱动电路的一个例子，来说明等离子体显示装置中使用的保持驱动器。
(1)第1实施形态
(1-1)等离子体显示装置的构成
图1所示为采用本发明的第1实施形态有关的保持驱动器的等离子体显示装置的构成方框图。
图1的等离子体显示装置，包含PDP(等离子体显示面板)1、数据驱动器2、扫描驱动器3、多个扫描驱动器IC(集成电路)3a、以及保持驱动器4。
PDP1包含多个地址电极(数据电极)11、多个扫描电极12、以及多个保持电极(维持电极)13。多个地址电极11沿画面的垂直方向排列，多个扫描电极12及多个保持电极13沿画面的水平方向排列。另外，将多个保持电极13公共连接。在地址电极11、扫描电极12与保持电极13的各交点形成放电单元DC，各放电单元DC构成画面上的像素。在图1中，仅用虚线表示1个放电单元DC。
数据驱动器2与PDP1的多个地址电极11连接。多个扫描驱动器IC3a与扫描驱动器3连接。PDP1的多个扫描电极12与各扫描驱动器IC3a连接。保持驱动器4与PDP1的多个保持电极13连接。
数据驱动器2在写入期间，根据图像数据对PDP1的对应的地址电极11，施加写入脉冲。利用扫描驱动器3驱动多个扫描驱动器IC3a，在写入期间，一面使位移脉冲SH沿垂直扫描方向位移、一面对PDP1的多个扫描电极12依次施加写入脉冲。通过这样，在对应的放电单元DC中进行地址放电。
另外，多个扫描驱动器IC3a在维持期间中，对PDP1的多个扫描电极12施加周期性的维持脉冲。另外，保持驱动器4在维持期间中，对PDP1的保持电极13同时施加相对于扫描电极12的维持脉冲相位相差180°的维持脉冲。通过这样，在对应的放电单元DC中进行维持放电。
(1-2)PDP1的驱动电压
图2所示为图1的PDP1中的扫描电极12及保持电极13的驱动电压的一个例子的时序图。
在初始化及写入期间中，对多个扫描电极12同时施加初始化脉冲(准备脉冲)Pset。然后，对多个扫描电极12依次施加写入脉冲Pw。通过这样，在PDP1的对应的放电单元DC中引起地址放电。
接着，在维持期间中，对多个扫描电极12周期性地施加维持脉冲Psc，对多个保持电极13周期性地施加维持脉冲Psu。维持脉冲Psu的相位相对于维持脉冲Psc的相位相差180°。通过这样，接着地址放电而引起维持放电。
(1-3)保持驱动器4的构成
下面，说明图1所示的保持驱动器4。图3所示为图1所示的保持驱动器4的构成电路图。
图3的保持驱动器4包含开关元件的n沟道型FET(场效应晶体管，以下称为晶体管)Q1～Q4、阻抗控制电路41、42、回收电容器Cr、回收线圈L、以及二极管D1、D2。关于阻抗控制电路41、42的构成将在后面叙述。
晶体管Q1的一端与电源端V1连接，另一端通过布线Li1与节点N1连接，控制信号S1输入至栅极。晶体管Q1作为寄生电容具有漏-源间的电容CP1，在晶体管Q1的漏-源间，阻抗控制电路41与晶体管Q1并联连接。对电源端V1施加电源电压Vsus。
晶体管Q2的一端通过布线Li2与节点N1连接，另一端与接地端连接，控制信号S2输入至栅极。晶体管Q2作为寄生电容具有漏-源间的电容CP2，在晶体管Q2的漏-源间，阻抗控制电路42与晶体管Q2并联连接。
节点N1通过布线Li0与例如480条保持电极13连接，但在图3中，示出相当于多个保持电极13与接地端之间的全部电容的面板电容Cp。
回收电容器Cr连接在节点N3与接地端之间。晶体管Q3与二极管D1串联连接在节点N3与节点N2之间。二极管D2与晶体管Q4串联连接在节点N2与节点N3之间。控制信号S3输入至晶体管Q3的栅极，控制信号S4输入至晶体管Q4的栅极。回收线圈L连接在节点N2与节点N1之间。
(1-4)保持驱动器4的动作
接着，说明上述那样构成的保持驱动器4的维持期间的动作。图4为说明保持驱动器4的维持期间的动作用的时序图。在图4中，表示输入至晶体管Q1～Q4的控制信号S1～S4及节点N1～N3的各电压。
首先，在时刻t1，控制信号S2为低电平，晶体管Q2断开，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。这时，控制信号S1为低电平，晶体管Q1断开，控制信号S4为低电平，晶体管Q4断开。因而，回收电容器Cr通过晶体管Q3及二极管D1与回收线圈L连接，利用回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位缓慢上升。这时，回收电容器Cr的电荷通过晶体管Q3、二极管D1及回收线圈L向面板电容Cp放出。
另外，通过晶体管Q3、二极管D1及回收线圈L流过的电流，不仅流入面板电容Cp，还通过布线Li1流向晶体管Q1的漏-源间的电容CP1及阻抗控制电路41，同时也通过布线Li2流向晶体管Q2的漏-源间的电容CP2及阻抗控制电路42。
接着，在时刻t2，控制信号S1为高电平，晶体管Q1导通，控制信号S3为低电平，晶体管Q3断开。因而，节点N1与电源端V1连接，节点N1的电位急剧上升，固定在电源电压Vsus。这时，从晶体管Q1产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q1的漏-源间的电容CP1与布线Li1的电感分量产生的LC谐振的频率分量及其它的多个频率分量。
这时，从晶体管Q1产生的开关噪声通过电容器CP1及阻抗控制电路41返回电源端V1，而且通过电容器CP2及阻抗控制电路42返回接地端。通过这样，减少开关噪声产生的对保持电极13的影响，抑制不需要的辐射产生。关于阻抗控制电路41、42的动作将在后面叙述。
接着，在时刻t3，控制信号S1为低电平，晶体管Q1断开，控制信号S4为高电平，晶体管Q4导通。因而，回收电容器Cr通过二极管D2及晶体管Q4与回收线圈L连接，利用回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位缓慢下降。这时，面板电容Cp中存贮的电荷，通过回收线圈L、二极管D2、以及晶体管Q4，存入回收电容器Cr，进行电荷回收。
接着，在时刻t4，控制信号S2为高电平，晶体管Q2导通，控制信号S4为低电平，晶体管Q4断开。因而，节点N1与接地端连接，节点N1的电位急剧下降，固定在接地电位。这时，从晶体管Q2产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q2的漏-源间的电容CP2与布线Li2的电感分量产生的LC谐振的频率分量、以及其它的多个频率分量。
这时，从晶体管Q2产生的开关噪声通过电容器CP1及阻抗控制电路41返回电源端V1，而且通过电容器CP2及阻抗控制电路42返回接地端。通过这样，减少开关噪声产生的对保持电极13的影响，抑制不需要的辐射产生。关于阻抗控制电路41、42的动作将在后面叙述。
上述动作在维持期间中重复进行。在这种情况下，利用阻抗控制电路41、42的作用，能够抑制从晶体管Q1、Q2产生的宽频带的开关噪声。其结果，能够抑制遍布宽频带的不需要的电磁波辐射。
在本实施形态中，作为阻抗控制电路41及42，可采用以下的第1～第3的构成的任一种构成。
(1-5)阻抗控制电路41及42的构成的第1例
图5所示为阻抗控制电路41及42的构成的第1例的电路图。
如图5所示，阻抗控制电路41包含n个电容器C11～C1n。n为2以上的自然数。电容器C11～C1n与晶体管Q1并联连接。电容器C11～C1n与晶体管Q1的连接点最好更接近于晶体管Q1的源极及漏极。例如最好电容器C11～C1n与晶体管Q1连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。电容器C11～C1n具有分别不同的电容值。这里，电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。
另外，阻抗控制电路42包含n个电容器C21～C2n。n为2以上的自然数。电容器C21～C2n与晶体管Q2并联连接。电容器C21～C2n与晶体管Q2的连接点最好更接近于晶体管Q2的源极及漏极。例如，最好电容器C21～C2n与晶体管Q2连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。电容器C21～C2n具有分别不同的电容值。这里，电容器C21～C2n的电容值按该顺序减少，电容器C2n具有最小的电容值。
在本实施形态中，电容器C11～C1n、C21～C2n由层叠陶瓷电容器构成。
图6所示为层叠陶瓷电容器、钽电解电容器、以及铝电解电容器的阻抗特性图。
在图6中，表示10μF的钽电解电容器、10μF的铝电解电容器、以及1μF、4.7μF、10μF的层叠陶瓷电容器的阻抗与频率的关系。纵轴表示阻抗，横轴表示频率。
对于层叠陶瓷电容器，在阻抗特性中产生尖端(极小部分)Dp。该尖端Dp的频率是自谐振频率。层叠陶瓷电容器的自谐振频率随电容值而异。与此不同的是，对于钽电解电容器及铝电解电容器，在阻抗特性中不产生尖端。
在图5的阻抗控制电路41中，由于电容值不同的n个电容器C11～C1n与晶体管Q1并联连接，因此在n个不同的自谐振频带中开关噪声，被电源端V1吸收。
同样，在阻抗控制电路42中，由于电容值不同的n个电容器C21～C2n与晶体管Q2并联连接，因此在n个不同的自谐振频带中开关噪声，被接地端吸收。
由于晶体管Q1及Q2产生开关噪声，因此为了减少布线Li1及Li2的影响，最好在晶体管Q1的附近配置电容器C11～C1n，在晶体管Q2的附近配置电容器C21～C2n。通过这样，能够消除布线Li1及Li2的影响。因而，与在图3的布线Li0与接地端之间插入电容器的情况相比，能够充分吸收从晶体管Q1及Q2产生的开关噪声。
这里，用图7及图8说明图5的阻抗控制电路41及42的功能。
图7(a)所示为1个层叠陶瓷电容器的内部等效电路图，图7(b)所示为1个层叠陶瓷电容器的阻抗特性的计算结果图。在图7(b)中，横轴表示频率，纵轴表示增益。
在图7(a)中，层叠陶瓷电容器C10具有电容分量C1、电感分量L1及电阻分量R1。在本例中，电容分量C1的值为330pF，电感分量L1的值为1.3nH，电阻分量R1的值为0.05Ω。这里，通过计算求得50Ω测定系统中的层叠陶瓷电容器C10的阻抗特性。50Ω测定系统中的电阻分量R3及电阻分量R4的值都是50Ω。
在层叠陶瓷电容器C10中，若陶瓷层的面积一定，则随着陶瓷层的数量增加，电容分量C1的值增加，电感分量L1的值及电阻分量R1的值几乎不变化。由于电阻分量R1的值小，因此如图7(b)所示，在阻抗特性中产生尖端Dp1。如上所述，尖端Dp1的频率相当于自谐振频率。自谐振频率因电容分量C1的值而异。
这样，由于层叠陶瓷电容器C10的内部等效电路是RLC串联电路，因此存在自谐振频率。在图7(b)的例子中，自谐振频率约为250MHz，自谐振频率下的阻抗最低。
与此不同的是，在钽电解电容器或铝电解电容器中，由于将钽片或铝片卷绕，因此电阻分量大。由于这样，如图6所示，在阻抗特性中不产生尖端。
这样，为了产生充分的自谐振，最好采用阻抗特性中具有明显尖端的层叠陶瓷电容器。另外，在钽电解电容器或铝电解电容器中，虽然自谐振的效果比层叠陶瓷电容器要低，但能够产生自谐振。
图8(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图8(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。
在图8(a)中，层叠陶瓷电容器C10的内部等效电路与图7(a)的层叠陶瓷电容器C10相同。层叠陶瓷电容器C20具有电容分量C2、电感分量L2及电阻分量R2。在本例中，电容分量C2的值为0.68μF，电感分量L2的值为130pH，电阻分量R2的值为0.01Ω。连接2个层叠陶瓷电容器C10与C20的布线图形的电感分量L3的值为100pH。
在图8(b)的阻抗特性中，产生由具有小的电容分量C1(330pF)的层叠陶瓷电容器C10形成的尖端Dp1及由具有大的电容值(0.68μF)的层叠陶瓷电容器C20形成的尖端Dp2。尖端Dp1的频率相当于层叠陶瓷电容器C10的自谐振频率，尖端Dp2的频率相当于层叠陶瓷电容器C20的自谐振频率。
在单独使用具有大电容值(0.68μF)的层叠陶瓷电容器C20的情况下，与单独使用具有小电容分量C1(330pF)的层叠陶瓷电容器C10的情况相比，能够改善低频带的阻抗特性。但是，在比0.68μF的自谐振频率要高的频带，由于层叠陶瓷电容器C20的电感分量L2的影响，阻抗特性恶化。
如图8所示，在使用层叠陶瓷电容器C10及C20时，在双方的自谐振频率的中间的频率产生并联谐振，阻抗特性恶化。在图8的例子中，在包含200MHz的频带中阻抗特性恶化。
图9为说明2个层叠陶瓷电容器的并联电路的并联谐振用的说明图。图9(a)所示为产生并联谐振时的内部等效电路图，图9(b)所示为产生并联谐振时的阻抗特性图。
图8(a)的层叠陶瓷电容器C20的电容分量C2的阻抗为1/(2πf×0.68[μF])。式中，f为频率。据此，电容分量C2的阻抗在频率1MHz时为0.234Ω，在频率10MHz时为0.0234Ω，在频率100MHz时为0.00234Ω，电容分量C20在高频时为短路状态。
另一方面，由于层叠陶瓷电容器C10的电容分量C1的值小于层叠陶瓷电容器C20的电容分量C2的值，因此电容分量C1的阻抗大于电容分量C2的阻抗。另外，若频率升高，则层叠陶瓷电容器C20的电感分量L2的阻抗增大。另外，层叠陶瓷电容器C10的电感分量L1的阻抗小于电容分量C1的阻抗。
因而，在高频时，2个层叠陶瓷电容器C10与C20的并联电路的等效电路为图9(a)所示的LC并联谐振电路。
在这种情况下，如图9(b)所示，LC并联谐振电路的阻抗在谐振部分增大，产生并联谐振。在图8(b)的例子中，并联谐振发生在包含200MHz的频带中。
在图5的阻抗控制电路41及42中，设定电容器C11～C1n及电容器C21～C2n的电容值，使得由晶体管Q1及Q2产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于并联谐振频带内。
通过这样，利用阻抗控制电路41及42的作用，能够抑制从晶体管Q1及Q2产生的具有多个频带分量的开关噪声。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(1-6)阻抗控制电路41及42的构成的第2例
图10所示为阻抗控制电路41及42的构成的第2例的电路图。
图10的阻抗控制电路41及42与图5的阻抗控制电路41及42的不同点如下。电阻元件R11～R1n-1分别与阻抗控制电路41的电容器C11～C1n-1串联连接。电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。与阻抗控制电路41内具有最小的电容值的电容器C1n没有连接电阻元件。电阻元件R11～R1n-1的电阻值按该顺序减少，电阻元件R1n-1具有最小的电阻值。
同样，电阻元件R21～R2n-1分别与阻抗控制电路42的电容器C21～C2n-1串联连接。电容器C21～C2n的电容值按该顺序减少，电容器C2n具有最小的电容值。与阻抗控制电路42内具有最小的电容值的电容器C2n没有连接电阻元件。电阻元件R21～R2n-1的电阻值按该顺序减少，电阻元件R2n-1具有最小的电阻值。
图10的阻抗控制电路41及42的构成的其它部分由于与图5的阻抗控制电路41及42相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
如用图8说明的那样，对于多个层叠陶瓷电容器的单纯的并联电路，在并联谐振频率时阻抗特性恶化。因此，在图10的例子中，通过增加电阻元件，来抑制并联谐振频率时的阻抗特性恶化。这里，用图11说明图10的阻抗控制电路41及42的功能。
图11(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图11(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。在图11(b)中，横轴表示频率，纵轴表示增益。
在图11(a)中，层叠陶瓷电容器C10及C20的内部等效电路与图8(a)的层叠陶瓷电容器C10及C20相同。
在图11中，电阻元件R5对具有大电容值(0.68μF)的层叠陶瓷电容器C20串联插入。在本例中，电阻元件R5的值为0.05Ω。在这种情况下，虽然层叠陶瓷电容器C20的自谐振频率(尖端Dp2)的阻抗特性恶化，但能够抑制因在具有小电容值(330pF)的层叠陶瓷电容器C10的自谐振频率与层叠陶瓷电容器C20的自谐振频率的中间产生的并联谐振而引起的阻抗特性恶化。
这样，通过将电阻元件R5对层叠陶瓷电容器C20串联插入，能够遍及宽频带改善阻抗特性。
在图10的阻抗控制电路41及42中，能够抑制遍及宽频带从晶体管Q1及Q2产生的多个频率的开关噪声。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(1-7)阻抗控制电路41及42的构成的第3例
图12所示为阻抗控制电路41及42的构成的第3例的电路图。
图12的阻抗控制电路41及42与图5的阻抗控制电路41及42的不同点如下。珠状核心L11～L1n-1分别与阻抗控制电路41的电容器C11～C1n-1串联连接。电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。与阻抗控制电路41内具有最小的电容值的电容器C1n没有连接珠状核心。
同样，珠状核心L21～L2n-1分别与阻抗控制电路42的电容器C21～C2n-1串联连接。电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。与阻抗控制电路42内具有最小的电容值的电容器C2n没有连接珠状核心。
图12的阻抗控制电路41及42的构成的其它部分，由于与图5的阻抗控制电路41及42相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
在图12的例子中，通过增加珠状核心，来抑制并联谐振频率时的阻抗特性恶化。这里，用图13说明图12的阻抗控制电路41及42的功能。
图13所示为层叠陶瓷电容器及珠状核心的阻抗特性图。在图13中，横轴表示频率，纵轴表示阻抗。
在图13中，用虚线表示电容器C1n-1的阻抗特性。另外，用实线表示珠状核心L1n-1的阻抗特性Z，用点线表示电阻分量R，用点划线表示电抗分量X。
如图13所示，选择常数(电阻分量R及电抗分量X)，使得在超过电容器C1n-1的自谐振频率的频率范围内，珠状核心L1n-1的阻抗特性上升。
通过这样，在图12的阻抗控制电路41中，能够抑制因高于电容器C1n-1的自谐振频率的频率的并联谐振而引起的阻抗特性恶化。即，在高于电容器C1n-1的自谐振频率的频率下，能够得到与图10的将电阻元件R11～R1n-1对电容器C11～C1n-1串联插入的情况相同的效果。图12的阻抗控制电路42的功能与阻抗控制电路41的功能相同。
因而，在图12的阻抗控制电路41及42中，能够抑制遍及宽频带从晶体管Q1及Q2产生的多个频率的开关噪声。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(1-8)第1实施形态的效果
在本实施形态有关的保持驱动器4中，利用阻抗控制电路41及42，在节点N1与电源端V1之间和节点N1与接地端之间形成多个频率分量的高通区域。通过这样，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(2)第2实施形态
(2-1)保持驱动器的构成
图14所示为本发明的第2实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图14所示的保持驱动器4a与图3所示的保持驱动器4的不同点如下。其它部分由于与图3所示的保持驱动器4相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
如图14所示，晶体管Q3的一端及晶体管Q4的一端分别通过布线Li3及Li4与节点N3连接。晶体管Q3的另一端与二极管D1的阳极连接，晶体管Q4的另一端与二极管D2的阴极连接。
晶体管Q3作为寄生电容具有漏-源间的电容CP3，在晶体管Q3的漏-源间，阻抗控制电路43与晶体管Q3并联连接。晶体管Q4作为寄生电容具有漏-源间的电容CP4，在晶体管Q4的漏-源间，阻抗控制电路44与晶体管Q4并联连接。
二极管D1作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP5，二极管D2作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP6。
阻抗控制电路43的构成及功能与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路41的构成及功能相同。另外，阻抗控制电路44的构成及功能与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路42的构成及功能相同。
另外，在本实施形态中，阻抗控制电路43的电容器C11～C1n与晶体管Q3的连接点最好更接近于晶体管Q3的源极及漏极。例如最好电容器C11～C1n与晶体管Q3连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
另外，阻抗控制电路44的电容器C21～C2n与晶体管Q4的连接点最好更接近于晶体管Q4的源极及漏极。例如最好电容器C21～C2n与晶体管Q4连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
(2-2)保持驱动器的动作
接着，参照图4说明上述那样构成的保持驱动器4a的维持期间的动作。
由于图14所示的保持驱动器4a的基本动作与图3所示的保持驱动器4相同，因此以下主要对于由晶体管Q3及Q4引起的开关噪声的发生机理详细地进行说明。
首先，在晶体管Q4处于断开状态、而且晶体管Q4的漏-源间产生急剧的电压变化时，产生由晶体管Q4的漏-源间的电容CP4与布线Li4的电感分量而引起的高频的LC谐振。通过这样，产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t1及时刻t2，如以下那样，从晶体管Q3及Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。
在时刻t1，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。通过这样，在节点N2的电位从0V上升到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间，从晶体管Q3产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q3的漏-源间的电容CP3与布线Li3的电感分量产生的LC谐振的频率分量、以及其它的多个频率分量。
另外，在时刻t2，由于回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位从峰值电压开始下降，流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N1的方向反过来变成向着节点N2的方向。通过这样，由于二极管D1成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位上升。这时，由和节点N2连接的寄生电容(二极管D1的阳-阴间的电容CP5等)与回收线圈L产生高频LC谐振，节点N2的电位一面衰减振荡，一面上升。在这种情况下，从晶体管Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q4的漏-源间的电容CP4与布线Li4的电感分量产生的LC谐振的频率分量、以及其它的多个频率分量。
但是，在本实施形态中，由于与晶体管Q4并联连接阻抗控制电路44，因此遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路44及回收电容器Cr，被接地端吸收。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
接着，在晶体管Q3处于断开状态、而且晶体管Q3的漏-源间产生急剧的电压变化时，产生由晶体管Q3的漏-源间的电容CP3与布线Li3的电感分量而引起的高频的LC谐振。通过这样，从晶体管Q3产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t3及时刻t4，如以下那样，从晶体管Q3及Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。
若维持脉冲Psu的上升时的功率回收期间结束，则控制信号S1为高电平，晶体管Q1导通。通过这样，对节点N2施加电源端V1的电源电压Vsus。从该状态开始，在时刻t3，控制信号S4为高电平，晶体管Q4导通。通过这样，在节点N2的电位从电源电压Vsus下降到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间，从晶体管Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。
另外，在时刻t4，若维持脉冲Psu的下降时的功率回收期间结束，则流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N2的方向反过来变成向着节点N1的方向。通过这样，由于二极管D2成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位下降。这时，由和节点N2连接的寄生电容(二极管D2的阳-阴间的电容CP6等)与回收线圈L产生高频LC谐振，节点N2的电位一面衰减振荡、一面下降。在这种情况下，从晶体管Q3产生具有多个频率分量的开关噪声。
但是，在本实施形态中，由于与晶体管Q3并联连接阻抗控制电路43，因此遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路43及回收电容器C，r被接地端吸收。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(2-3)第2实施形态的效果
在本实施形态有关的保持驱动器4a中，利用阻抗控制电路43及44，在节点N2与节点N3之间形成多个频率分量的高通区域。通过这样，由晶体管Q3及Q4产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路43及44和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(3)第3实施形态
(3-1)保持驱动器的构成
图15所示为本发明的第3实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图15所示的保持驱动器4b与图3所示的保持驱动器4的不同点如下。其它部分由于与图3所示的保持驱动器4相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
如图15所示，在二极管D1的阳-阴间，阻抗控制电路45与二极管D1并联连接。在二极管D2的阳-阴间，阻抗控制电路46与二极管D2并联连接。
二极管D1的阴极及二极管D2的阳极，分别通过布线Li5及Li6与节点N2连接。二极管D1作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP5，二极管D2作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP6。另外，晶体管Q3及Q4与第2实施形态相同，具有寄生电容CP3及CP4。
阻抗控制电路45的构成及功能，与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路41的构成及功能相同。另外，阻抗控制电路46的构成及功能，与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路42的构成及功能相同。
另外，在本实施形态中，阻抗控制电路45的电容器C11～C1n与二极管D1的连接点最好更接近于二极管D1的阳极及阴极。例如最好电容器C11～C1n与二极管D1连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
另外，阻抗控制电路46的电容器C21～C2n与二极管D2的连接点最好更接近于二极管D2的阳极及阴极。例如最好电容器C21～C2n与二极管D2连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
(3-2)保持驱动器的动作
接着，参照图4说明上述那样构成的保持驱动器4b的维持期间的动作。
由于图15所示的保持驱动器4b的基本动作与图3及图14所示的保持驱动器4及4a相同，因此以下主要对于由二极管D1及D2引起的开关噪声的发生机理详细地进行说明。
首先，在二极管D1处于断开状态、而且二极管D1的阳-阴间产生急剧的电压变化时，从二极管D1产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t2，如以下那样，从二极管D1产生具有多个频率分量的开关噪声。
在时刻t 1，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。通过这样，节点N2的电位与节点N3的电位约Vsus/2相等。在该状态下，在时刻t2，由于回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位从峰值电压开始下降，流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N1的方向反过来变成向着节点N2的方向。通过这样，由于二极管D1成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位上升。这时，从二极管D1产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由二极管D1的阳-阴间的电容CP5与布线Li5的电感分量产生的LC谐振的频率分量及其它的多个频率分量。
但是，在本实施形态中，由于与二极管D1并联连接阻抗控制电路45，因此从二极管D1产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路45流向晶体管Q3。这时，晶体管Q3导通。因而，从二极管D1产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路45、晶体管Q3及回收电容器Cr被接地端吸收。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。这时，由于存在回收线圈L，因此开关噪声不流向面板电容Cp及晶体管Q1和Q2。
然后，在二极管D2处于断开状态、而且二极管D2的阳-阴间产生急剧的电压变化时，从二极管D2产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t4，如以下那样，从二极管D2产生具有多个频率分量的开关噪声。
在时刻t4，若维持脉冲Psu的下降时的功率回收期间结束，则流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N2的方向反过来变成向着节点N1的方向。通过这样，由于二极管D2成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位下降。这时，从二极管D2产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由二极管D2的阳-阴间的电容CP6与布线Li6的电感分量产生的LC谐振的频率分量及其它的多个频率分量。
但是，在本实施形态中，由于与二极管D2并联连接阻抗控制电路46，因此从二极管D2产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路46流向晶体管Q4。这时，晶体管Q4导通。因而，从二极管D2产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路46、晶体管Q4及回收电容器Cr被接地端吸收。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。这时，由于存在回收线圈L，因此开关噪声不流向面板电容Cp及晶体管Q1和Q2。
(3-3)第3实施形态的效果
在本实施形态有关的保持驱动器4b中，利用阻抗控制电路45及46，在节点N2与晶体管Q3之间及节点N2与晶体管Q4之间形成多个频率分量的高通区域。通过这样，由二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路45及46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4)其它实施形态
(4-1)
除了图3的保持驱动器4的阻抗控制电路41及42以外，也可以再将图14的阻抗控制电路43及44与晶体管Q3及Q4并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，由晶体管Q3及Q4产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路43及44和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-2)
除了图3的保持驱动器4的阻抗控制电路41及42以外，也可以再将图15的阻抗控制电路45及46与二极管D1及D2并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，由二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路45及46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-3)
除了图3的保持驱动器4的阻抗控制电路41及42以外，也可以再将图14的阻抗控制电路43及44与晶体管Q3及Q4并联连接，将图15的阻抗控制电路45及46与二极管D1及D2并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，由晶体管Q3及Q4和二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路43、44、45、46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-4)
除了图14的保持驱动器4的阻抗控制电路43及44以外，也可以再将图15的阻抗控制电路45及46与二极管D1及D2并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q3及Q4和二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路43、44、45、46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-5)
本发明有关的驱动电路不限于保持驱动器，也可以适用于驱动地址电极的驱动电路即数据驱动器2，也可以适用于驱动扫描电极的驱动电路即扫描驱动器。另外，本发明有关的驱动电路可以适用于保持电极及扫描电极的驱动电路。
(4-6)
本发明有关的驱动电路可以适用于AC型及DC型等任何一种PDP的驱动电路。
(4-7)
本发明有关的驱动电路不限于PDP，对于驱动电容性负载的其它的装置也同样可以适用。本发明有关的驱动电路例如也可以适用于液晶显示器、电致发光显示器等其它的显示装置。
(4-8)
也可以使用双极型晶体管等其它的开关元件来代替晶体管Q1、Q2、Q3、Q4。
(4-9)
也可以使用晶体管等其它的单向导通元件来代替二极管D1、D2。
(4-10)
作为电容器C11～C1n及电容器C21～C2n，也可以使用氧化钽、氧化铌等其它材料制成的电容性元件来代替层叠陶瓷电容器。
如上所述，作为电容器C11～C1n及电容器C21～C2n，也可以使用钽电解电容器或铝电解电容器来代替层叠陶瓷电容器。
(5)权利要求的各构成要素与实施形态的各部分的对应关系
以下，说明权利要求的各构成要素与实施形态的各部分的对应关系的例子，但本发明不限定于下述的例子。
在上述实施形态中，放电单元DC相当于显示元件，面板电容Cp相当于电容性负载，布线Li0相当于脉冲供给路径，PDP1相当于显示面板。
另外，晶体管Q1相当于第1开关元件，晶体管Q2相当于第2开关元件，晶体管Q3相当于第3开关元件，晶体管Q4相当于第4开关元件，回收线圈L相当于电感元件，回收电容器Cr相当于回收用电容性元件，二极管D1相当于第1单向导通元件，二极管D2相当于第2单向导通元件。
另外，布线Li1相当于第1布线，布线Li2相当于第2布线，电源端V1相当于第1电压源，接地端相当于第2电压源，电源电压Vsus相当于第1电压，接地电位相当于第2电压。
再有，阻抗控制电路41相当于第1阻抗控制电路，阻抗控制电路42相当于第2阻抗控制电路，电容器C11～C1n相当于多个第1电容性元件，或者相当于第1个～第n个的第1电容性元件，电容器C21～C2n相当于多个第2电容性元件，或者相当于第1个～第n个的第2电容性元件。
另外，电阻元件R11～R1n-1相当于多个第1电阻元件或者第1个～第(n-1)个的第1电阻元件，电阻元件R21～R2n-1相当于多个第2电阻元件或者第1个～第(n-1)个的第2电阻元件，珠状核心L11～L1n-1相当于多个第1珠状核心或者第1个～第(n-1)个的第1珠状核心，珠状核心L21～L2n-1相当于多个第2珠状核心或者第1个～第(n-1)个的第2珠状核心。
另外，阻抗控制电路43相当于第1或第3阻抗控制电路，阻抗控制电路44相当于第2或第4阻抗控制电路。
另外，阻抗控制电路45相当于第1或第3阻抗控制电路，阻抗控制电路46相当于第2或第4阻抗控制电路。
工业上的实用性
本发明可用于驱动各种电容性负载的驱动电路、以及具有电容性负载的显示装置等的各种装置中。
作为根据本发明的驱动电路的一个例子，来说明等离子体显示装置中使用的保持驱动器。
(1)第1实施形态
(1-1)等离子体显示装置的构成
图1所示为采用本发明的第1实施形态有关的保持驱动器的等离子体显示装置的构成方框图。
图1的等离子体显示装置，包含PDP(等离子体显示面板)1、数据驱动器2、扫描驱动器3、多个扫描驱动器IC(集成电路)3a、以及保持驱动器4。
PDP1包含多个地址电极(数据电极)11、多个扫描电极12、以及多个保持电极(维持电极)13。多个地址电极11沿画面的垂直方向排列，多个扫描电极12及多个保持电极13沿画面的水平方向排列。另外，将多个保持电极13公共连接。在地址电极11、扫描电极12与保持电极13的各交点形成放电单元DC，各放电单元DC构成画面上的像素。在图1中，仅用虚线表示1个放电单元DC。
数据驱动器2与PDP1的多个地址电极11连接。多个扫描驱动器IC3a与扫描驱动器3连接。PDP1的多个扫描电极12与各扫描驱动器IC3a连接。保持驱动器4与PDP1的多个保持电极13连接。
数据驱动器2在写入期间，根据图像数据对PDP1的对应的地址电极11，施加写入脉冲。利用扫描驱动器3驱动多个扫描驱动器IC3a，在写入期间，一面使位移脉冲SH沿垂直扫描方向位移、一面对PDP1的多个扫描电极12依次施加写入脉冲。通过这样，在对应的放电单元DC中进行地址放电。
另外，多个扫描驱动器IC3a在维持期间中，对PDP1的多个扫描电极12施加周期性的维持脉冲。另外，保持驱动器4在维持期间中，对PDP1的保持电极13同时施加相对于扫描电极12的维持脉冲相位相差180°的维持脉冲。通过这样，在对应的放电单元DC中进行维持放电。
(1-2)PDP1的驱动电压
图2所示为图1的PDP1中的扫描电极12及保持电极13的驱动电压的一个例子的时序图。
在初始化及写入期间中，对多个扫描电极12同时施加初始化脉冲(准备脉冲)Pset。然后，对多个扫描电极12依次施加写入脉冲Pw。通过这样，在PDP1的对应的放电单元DC中引起地址放电。
接着，在维持期间中，对多个扫描电极12周期性地施加维持脉冲Psc，对多个保持电极13周期性地施加维持脉冲Psu。维持脉冲Psu的相位相对于维持脉冲Psc的相位相差180°。通过这样，接着地址放电而引起维持放电。
(1-3)保持驱动器4的构成
下面，说明图1所示的保持驱动器4。图3所示为图1所示的保持驱动器4的构成电路图。
图3的保持驱动器4包含开关元件的n沟道型FET(场效应晶体管，以下称为晶体管)Q1～Q4、阻抗控制电路41、42、回收电容器Cr、回收线圈L、以及二极管D1、D2。关于阻抗控制电路41、42的构成将在后面叙述。
晶体管Q1的一端与电源端V1连接，另一端通过布线Li1与节点N1连接，控制信号S1输入至栅极。晶体管Q1作为寄生电容具有漏-源间的电容CP1，在晶体管Q1的漏-源间，阻抗控制电路41与晶体管Q1并联连接。对电源端V1施加电源电压Vsus。
晶体管Q2的一端通过布线Li2与节点N1连接，另一端与接地端连接，控制信号S2输入至栅极。晶体管Q2作为寄生电容具有漏-源间的电容CP2，在晶体管Q2的漏-源间，阻抗控制电路42与晶体管Q2并联连接。
节点N1通过布线Li0与例如480条保持电极13连接，但在图3中，示出相当于多个保持电极13与接地端之间的全部电容的面板电容Cp。
回收电容器Cr连接在节点N3与接地端之间。晶体管Q3与二极管D1串联连接在节点N3与节点N2之间。二极管D2与晶体管Q4串联连接在节点N2与节点N3之间。控制信号S3输入至晶体管Q3的栅极，控制信号S4输入至晶体管Q4的栅极。回收线圈L连接在节点N2与节点N1之间。
(1-4)保持驱动器4的动作
接着，说明上述那样构成的保持驱动器4的维持期间的动作。图4为说明保持驱动器4的维持期间的动作用的时序图。在图4中，表示输入至晶体管Q1～Q4的控制信号S1～S4及节点N1～N3的各电压。
首先，在时刻t1，控制信号S2为低电平，晶体管Q2断开，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。这时，控制信号S1为低电平，晶体管Q1断开，控制信号S4为低电平，晶体管Q4断开。因而，回收电容器Cr通过晶体管Q3及二极管D1与回收线圈L连接，利用回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位缓慢上升。这时，回收电容器Cr的电荷通过晶体管Q3、二极管D1及回收线圈L向面板电容Cp放出。
另外，通过晶体管Q3、二极管D1及回收线圈L流过的电流，不仅流入面板电容Cp，还通过布线Li1流向晶体管Q1的漏-源间的电容CP1及阻抗控制电路41，同时也通过布线Li2流向晶体管Q2的漏-源间的电容CP2及阻抗控制电路42。
接着，在时刻t2，控制信号S1为高电平，晶体管Q1导通，控制信号S3为低电平，晶体管Q3断开。因而，节点N1与电源端V1连接，节点N1的电位急剧上升，固定在电源电压Vsus。这时，从晶体管Q1产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q1的漏-源间的电容CP1与布线Li1的电感分量产生的LC谐振的频率分量及其它的多个频率分量。
这时，从晶体管Q1产生的开关噪声通过电容器CP1及阻抗控制电路41返回电源端V1，而且通过电容器CP2及阻抗控制电路42返回接地端。通过这样，减少开关噪声产生的对保持电极13的影响，抑制不需要的辐射产生。关于阻抗控制电路41、42的动作将在后面叙述。
接着，在时刻t3，控制信号S1为低电平，晶体管Q1断开，控制信号S4为高电平，晶体管Q4导通。因而，回收电容器Cr通过二极管D2及晶体管Q4与回收线圈L连接，利用回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位缓慢下降。这时，面板电容Cp中存贮的电荷，通过回收线圈L、二极管D2、以及晶体管Q4，存入回收电容器Cr，进行电荷回收。
接着，在时刻t4，控制信号S2为高电平，晶体管Q2导通，控制信号S4为低电平，晶体管Q4断开。因而，节点N1与接地端连接，节点N1的电位急剧下降，固定在接地电位。这时，从晶体管Q2产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q2的漏-源间的电容CP2与布线Li2的电感分量产生的LC谐振的频率分量、以及其它的多个频率分量。
这时，从晶体管Q2产生的开关噪声通过电容器CP1及阻抗控制电路41返回电源端V1，而且通过电容器CP2及阻抗控制电路42返回接地端。通过这样，减少开关噪声产生的对保持电极13的影响，抑制不需要的辐射产生。关于阻抗控制电路41、42的动作将在后面叙述。
上述动作在维持期间中重复进行。在这种情况下，利用阻抗控制电路41、42的作用，能够抑制从晶体管Q1、Q2产生的宽频带的开关噪声。其结果，能够抑制遍布宽频带的不需要的电磁波辐射。
在本实施形态中，作为阻抗控制电路41及42，可采用以下的第1～第3的构成的任一种构成。
(1-5)阻抗控制电路41及42的构成的第1例
图5所示为阻抗控制电路41及42的构成的第1例的电路图。
如图5所示，阻抗控制电路41包含n个电容器C11～C1n。n为2以上的自然数。电容器C11～C1n与晶体管Q1并联连接。电容器C11～C1n与晶体管Q1的连接点最好更接近于晶体管Q1的源极及漏极。例如最好电容器C11～C1n与晶体管Q1连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。电容器C11～C1n具有分别不同的电容值。这里，电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。
另外，阻抗控制电路42包含n个电容器C21～C2n。n为2以上的自然数。电容器C21～C2n与晶体管Q2并联连接。电容器C21～C2n与晶体管Q2的连接点最好更接近于晶体管Q2的源极及漏极。例如，最好电容器C21～C2n与晶体管Q2连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。电容器C21～C2n具有分别不同的电容值。这里，电容器C21～C2n的电容值按该顺序减少，电容器C2n具有最小的电容值。
在本实施形态中，电容器C11～C1n、C21～C2n由层叠陶瓷电容器构成。
图6所示为层叠陶瓷电容器、钽电解电容器、以及铝电解电容器的阻抗特性图。
在图6中，表示10μF的钽电解电容器、10μF的铝电解电容器、以及1μF、4.7μF、10μF的层叠陶瓷电容器的阻抗与频率的关系。纵轴表示阻抗，横轴表示频率。
对于层叠陶瓷电容器，在阻抗特性中产生尖端(极小部分)Dp。该尖端Dp的频率是自谐振频率。层叠陶瓷电容器的自谐振频率随电容值而异。与此不同的是，对于钽电解电容器及铝电解电容器，在阻抗特性中不产生尖端。
在图5的阻抗控制电路41中，由于电容值不同的n个电容器C11～C1n与晶体管Q1并联连接，因此在n个不同的自谐振频带中开关噪声，被电源端V1吸收。
同样，在阻抗控制电路42中，由于电容值不同的n个电容器C21～C2n与晶体管Q2并联连接，因此在n个不同的自谐振频带中开关噪声，被接地端吸收。
由于晶体管Q1及Q2产生开关噪声，因此为了减少布线Li1及Li2的影响，最好在晶体管Q1的附近配置电容器C11～C1n，在晶体管Q2的附近配置电容器C21～C2n。通过这样，能够消除布线Li1及Li2的影响。因而，与在图3的布线Li0与接地端之间插入电容器的情况相比，能够充分吸收从晶体管Q1及Q2产生的开关噪声。
这里，用图7及图8说明图5的阻抗控制电路41及42的功能。
图7(a)所示为1个层叠陶瓷电容器的内部等效电路图，图7(b)所示为1个层叠陶瓷电容器的阻抗特性的计算结果图。在图7(b)中，横轴表示频率，纵轴表示增益。
在图7(a)中，层叠陶瓷电容器C10具有电容分量C1、电感分量L1及电阻分量R1。在本例中，电容分量C1的值为330pF，电感分量L1的值为1.3nH，电阻分量R1的值为0.05Ω。这里，通过计算求得50Ω测定系统中的层叠陶瓷电容器C10的阻抗特性。50Ω测定系统中的电阻分量R3及电阻分量R4的值都是50Ω。
在层叠陶瓷电容器C10中，若陶瓷层的面积一定，则随着陶瓷层的数量增加，电容分量C1的值增加，电感分量L1的值及电阻分量R1的值几乎不变化。由于电阻分量R1的值小，因此如图7(b)所示，在阻抗特性中产生尖端Dp1。如上所述，尖端Dp1的频率相当于自谐振频率。自谐振频率因电容分量C1的值而异。
这样，由于层叠陶瓷电容器C10的内部等效电路是RLC串联电路，因此存在自谐振频率。在图7(b)的例子中，自谐振频率约为250MHz，自谐振频率下的阻抗最低。
与此不同的是，在钽电解电容器或铝电解电容器中，由于将钽片或铝片卷绕，因此电阻分量大。由于这样，如图6所示，在阻抗特性中不产生尖端。
这样，为了产生充分的自谐振，最好采用阻抗特性中具有明显尖端的层叠陶瓷电容器。另外，在钽电解电容器或铝电解电容器中，虽然自谐振的效果比层叠陶瓷电容器要低，但能够产生自谐振。
图8(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图8(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。
在图8(a)中，层叠陶瓷电容器C10的内部等效电路与图7(a)的层叠陶瓷电容器C10相同。层叠陶瓷电容器C20具有电容分量C2、电感分量L2及电阻分量R2。在本例中，电容分量C2的值为0.68μF，电感分量L2的值为130pH，电阻分量R2的值为0.01Ω。连接2个层叠陶瓷电容器C10与C20的布线图形的电感分量L3的值为100pH。
在图8(b)的阻抗特性中，产生由具有小的电容分量C1(330pF)的层叠陶瓷电容器C10形成的尖端Dp1及由具有大的电容值(0.68μF)的层叠陶瓷电容器C20形成的尖端Dp2。尖端Dp1的频率相当于层叠陶瓷电容器C10的自谐振频率，尖端Dp2的频率相当于层叠陶瓷电容器C20的自谐振频率。
在单独使用具有大电容值(0.68μF)的层叠陶瓷电容器C20的情况下，与单独使用具有小电容分量C1(330pF)的层叠陶瓷电容器C10的情况相比，能够改善低频带的阻抗特性。但是，在比0.68μF的自谐振频率要高的频带，由于层叠陶瓷电容器C20的电感分量L2的影响，阻抗特性恶化。
如图8所示，在使用层叠陶瓷电容器C10及C20时，在双方的自谐振频率的中间的频率产生并联谐振，阻抗特性恶化。在图8的例子中，在包含200MHz的频带中阻抗特性恶化。
图9为说明2个层叠陶瓷电容器的并联电路的并联谐振用的说明图。图9(a)所示为产生并联谐振时的内部等效电路图，图9(b)所示为产生并联谐振时的阻抗特性图。
图8(a)的层叠陶瓷电容器C20的电容分量C2的阻抗为1/(2πf×0.68[μF])。式中，f为频率。据此，电容分量C2的阻抗在频率1MHz时为0.234Ω，在频率10MHz时为0.0234Ω，在频率100MHz时为0.00234Ω，电容分量C20在高频时为短路状态。
另一方面，由于层叠陶瓷电容器C10的电容分量C1的值小于层叠陶瓷电容器C20的电容分量C2的值，因此电容分量C1的阻抗大于电容分量C2的阻抗。另外，若频率升高，则层叠陶瓷电容器C20的电感分量L2的阻抗增大。另外，层叠陶瓷电容器C10的电感分量L1的阻抗小于电容分量C1的阻抗。
因而，在高频时，2个层叠陶瓷电容器C10与C20的并联电路的等效电路为图9(a)所示的LC并联谐振电路。
在这种情况下，如图9(b)所示，LC并联谐振电路的阻抗在谐振部分增大，产生并联谐振。在图8(b)的例子中，并联谐振发生在包含200MHz的频带中。
在图5的阻抗控制电路41及42中，设定电容器C11～C1n及电容器C21～C2n的电容值，使得由晶体管Q1及Q2产生的开关噪声的多个峰值的频率不位于并联谐振频带内。
通过这样，利用阻抗控制电路41及42的作用，能够抑制从晶体管Q1及Q2产生的具有多个频带分量的开关噪声。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(1-6)阻抗控制电路41及42的构成的第2例
图10所示为阻抗控制电路41及42的构成的第2例的电路图。
图10的阻抗控制电路41及42与图5的阻抗控制电路41及42的不同点如下。电阻元件R11～R1n-1分别与阻抗控制电路41的电容器C11～C1n-1串联连接。电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。与阻抗控制电路41内具有最小的电容值的电容器C1n没有连接电阻元件。电阻元件R11～R1n-1的电阻值按该顺序减少，电阻元件R1n-1具有最小的电阻值。
同样，电阻元件R21～R2n-1分别与阻抗控制电路42的电容器C21～C2n-1串联连接。电容器C21～C2n的电容值按该顺序减少，电容器C2n具有最小的电容值。与阻抗控制电路42内具有最小的电容值的电容器C2n没有连接电阻元件。电阻元件R21～R2n-1的电阻值按该顺序减少，电阻元件R2n-1具有最小的电阻值。
图10的阻抗控制电路41及42的构成的其它部分由于与图5的阻抗控制电路41及42相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
如用图8说明的那样，对于多个层叠陶瓷电容器的单纯的并联电路，在并联谐振频率时阻抗特性恶化。因此，在图10的例子中，通过增加电阻元件，来抑制并联谐振频率时的阻抗特性恶化。这里，用图11说明图10的阻抗控制电路41及42的功能。
图11(a)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的内部等效电路图，图11(b)所示为2个层叠陶瓷电容器的并联电路的阻抗特性的计算结果图。在图11(b)中，横轴表示频率，纵轴表示增益。
在图11(a)中，层叠陶瓷电容器C10及C20的内部等效电路与图8(a)的层叠陶瓷电容器C10及C20相同。
在图11中，电阻元件R5对具有大电容值(0.68μF)的层叠陶瓷电容器C20串联插入。在本例中，电阻元件R5的值为0.05Ω。在这种情况下，虽然层叠陶瓷电容器C20的自谐振频率(尖端Dp2)的阻抗特性恶化，但能够抑制因在具有小电容值(330pF)的层叠陶瓷电容器C10的自谐振频率与层叠陶瓷电容器C20的自谐振频率的中间产生的并联谐振而引起的阻抗特性恶化。
这样，通过将电阻元件R5对层叠陶瓷电容器C20串联插入，能够遍及宽频带改善阻抗特性。
在图10的阻抗控制电路41及42中，能够抑制遍及宽频带从晶体管Q1及Q2产生的多个频率的开关噪声。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(1-7)阻抗控制电路41及42的构成的第3例
图12所示为阻抗控制电路41及42的构成的第3例的电路图。
图12的阻抗控制电路41及42与图5的阻抗控制电路41及42的不同点如下。珠状核心L11～L1n-1分别与阻抗控制电路41的电容器C11～C1n-1串联连接。电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。与阻抗控制电路41内具有最小的电容值的电容器C1n没有连接珠状核心。
同样，珠状核心L21～L2n-1分别与阻抗控制电路42的电容器C21～C2n-1串联连接。电容器C11～C1n的电容值按该顺序减少，电容器C1n具有最小的电容值。与阻抗控制电路42内具有最小的电容值的电容器C2n没有连接珠状核心。
图12的阻抗控制电路41及42的构成的其它部分，由于与图5的阻抗控制电路41及42相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
在图12的例子中，通过增加珠状核心，来抑制并联谐振频率时的阻抗特性恶化。这里，用图13说明图12的阻抗控制电路41及42的功能。
图13所示为层叠陶瓷电容器及珠状核心的阻抗特性图。在图13中，横轴表示频率，纵轴表示阻抗。
在图13中，用虚线表示电容器C1n-1的阻抗特性。另外，用实线表示珠状核心L1n-1的阻抗特性Z，用点线表示电阻分量R，用点划线表示电抗分量X。
如图13所示，选择常数(电阻分量R及电抗分量X)，使得在超过电容器C1n-1的自谐振频率的频率范围内，珠状核心L1n-1的阻抗特性上升。
通过这样，在图12的阻抗控制电路41中，能够抑制因高于电容器C1n-1的自谐振频率的频率的并联谐振而引起的阻抗特性恶化。即，在高于电容器C1n-1的自谐振频率的频率下，能够得到与图10的将电阻元件R11～R1n-1对电容器C11～C1n-1串联插入的情况相同的效果。图12的阻抗控制电路42的功能与阻抗控制电路41的功能相同。
因而，在图12的阻抗控制电路41及42中，能够抑制遍及宽频带从晶体管Q1及Q2产生的多个频率的开关噪声。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(1-8)第1实施形态的效果
在本实施形态有关的保持驱动器4中，利用阻抗控制电路41及42，在节点N1与电源端V1之间和节点N1与接地端之间形成多个频率分量的高通区域。通过这样，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(2)第2实施形态
(2-1)保持驱动器的构成
图14所示为本发明的第2实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图14所示的保持驱动器4a与图3所示的保持驱动器4的不同点如下。其它部分由于与图3所示的保持驱动器4相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
如图14所示，晶体管Q3的一端及晶体管Q4的一端分别通过布线Li3及Li4与节点N3连接。晶体管Q3的另一端与二极管D1的阳极连接，晶体管Q4的另一端与二极管D2的阴极连接。
晶体管Q3作为寄生电容具有漏-源间的电容CP3，在晶体管Q3的漏-源间，阻抗控制电路43与晶体管Q3并联连接。晶体管Q4作为寄生电容具有漏-源间的电容CP4，在晶体管Q4的漏-源间，阻抗控制电路44与晶体管Q4并联连接。
二极管D1作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP5，二极管D2作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP6。
阻抗控制电路43的构成及功能与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路41的构成及功能相同。另外，阻抗控制电路44的构成及功能与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路42的构成及功能相同。
另外，在本实施形态中，阻抗控制电路43的电容器C11～C1n与晶体管Q3的连接点最好更接近于晶体管Q3的源极及漏极。例如最好电容器C11～C1n与晶体管Q3连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
另外，阻抗控制电路44的电容器C21～C2n与晶体管Q4的连接点最好更接近于晶体管Q4的源极及漏极。例如最好电容器C21～C2n与晶体管Q4连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
(2-2)保持驱动器的动作
接着，参照图4说明上述那样构成的保持驱动器4a的维持期间的动作。
由于图14所示的保持驱动器4a的基本动作与图3所示的保持驱动器4相同，因此以下主要对于由晶体管Q3及Q4引起的开关噪声的发生机理详细地进行说明。
首先，在晶体管Q4处于断开状态、而且晶体管Q4的漏-源间产生急剧的电压变化时，产生由晶体管Q4的漏-源间的电容CP4与布线Li4的电感分量而引起的高频的LC谐振。通过这样，产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t1及时刻t2，如以下那样，从晶体管Q3及Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。
在时刻t1，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。通过这样，在节点N2的电位从0V上升到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间，从晶体管Q3产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q3的漏-源间的电容CP3与布线Li3的电感分量产生的LC谐振的频率分量、以及其它的多个频率分量。
另外，在时刻t2，由于回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位从峰值电压开始下降，流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N1的方向反过来变成向着节点N2的方向。通过这样，由于二极管D1成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位上升。这时，由和节点N2连接的寄生电容(二极管D1的阳-阴间的电容CP5等)与回收线圈L产生高频LC谐振，节点N2的电位一面衰减振荡，一面上升。在这种情况下，从晶体管Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由晶体管Q4的漏-源间的电容CP4与布线Li4的电感分量产生的LC谐振的频率分量、以及其它的多个频率分量。
但是，在本实施形态中，由于与晶体管Q4并联连接阻抗控制电路44，因此遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路44及回收电容器Cr，被接地端吸收。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
接着，在晶体管Q3处于断开状态、而且晶体管Q3的漏-源间产生急剧的电压变化时，产生由晶体管Q3的漏-源间的电容CP3与布线Li3的电感分量而引起的高频的LC谐振。通过这样，从晶体管Q3产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t3及时刻t4，如以下那样，从晶体管Q3及Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。
若维持脉冲Psu的上升时的功率回收期间结束，则控制信号S1为高电平，晶体管Q1导通。通过这样，对节点N2施加电源端V1的电源电压Vsus。从该状态开始，在时刻t3，控制信号S4为高电平，晶体管Q4导通。通过这样，在节点N2的电位从电源电压Vsus下降到节点N3的电位约Vsus/2的瞬间，从晶体管Q4产生具有多个频率分量的开关噪声。
另外，在时刻t4，若维持脉冲Psu的下降时的功率回收期间结束，则流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N2的方向反过来变成向着节点N1的方向。通过这样，由于二极管D2成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位下降。这时，由和节点N2连接的寄生电容(二极管D2的阳-阴间的电容CP6等)与回收线圈L产生高频LC谐振，节点N2的电位一面衰减振荡、一面下降。在这种情况下，从晶体管Q3产生具有多个频率分量的开关噪声。
但是，在本实施形态中，由于与晶体管Q3并联连接阻抗控制电路43，因此遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路43及回收电容器C，r被接地端吸收。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。
(2-3)第2实施形态的效果
在本实施形态有关的保持驱动器4a中，利用阻抗控制电路43及44，在节点N2与节点N3之间形成多个频率分量的高通区域。通过这样，由晶体管Q3及Q4产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路43及44和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(3)第3实施形态
(3-1)保持驱动器的构成
图15所示为本发明的第3实施形态有关的保持驱动器的构成电路图。
图15所示的保持驱动器4b与图3所示的保持驱动器4的不同点如下。其它部分由于与图3所示的保持驱动器4相同，因此对同一部分附加同一标号，并省略详细说明。
如图15所示，在二极管D1的阳-阴间，阻抗控制电路45与二极管D1并联连接。在二极管D2的阳-阴间，阻抗控制电路46与二极管D2并联连接。
二极管D1的阴极及二极管D2的阳极，分别通过布线Li5及Li6与节点N2连接。二极管D1作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP5，二极管D2作为寄生电容具有阳-阴间的电容CP6。另外，晶体管Q3及Q4与第2实施形态相同，具有寄生电容CP3及CP4。
阻抗控制电路45的构成及功能，与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路41的构成及功能相同。另外，阻抗控制电路46的构成及功能，与图5、图10或图12所示的阻抗控制电路42的构成及功能相同。
另外，在本实施形态中，阻抗控制电路45的电容器C11～C1n与二极管D1的连接点最好更接近于二极管D1的阳极及阴极。例如最好电容器C11～C1n与二极管D1连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
另外，阻抗控制电路46的电容器C21～C2n与二极管D2的连接点最好更接近于二极管D2的阳极及阴极。例如最好电容器C21～C2n与二极管D2连接在同一电路基板上。通过这样，能够更确实得到后述的效果。
(3-2)保持驱动器的动作
接着，参照图4说明上述那样构成的保持驱动器4b的维持期间的动作。
由于图15所示的保持驱动器4b的基本动作与图3及图14所示的保持驱动器4及4a相同，因此以下主要对于由二极管D1及D2引起的开关噪声的发生机理详细地进行说明。
首先，在二极管D1处于断开状态、而且二极管D1的阳-阴间产生急剧的电压变化时，从二极管D1产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t2，如以下那样，从二极管D1产生具有多个频率分量的开关噪声。
在时刻t 1，控制信号S3为高电平，晶体管Q3导通。通过这样，节点N2的电位与节点N3的电位约Vsus/2相等。在该状态下，在时刻t2，由于回收线圈L与面板电容Cp产生的LC谐振，节点N1的电位从峰值电压开始下降，流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N1的方向反过来变成向着节点N2的方向。通过这样，由于二极管D1成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位上升。这时，从二极管D1产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由二极管D1的阳-阴间的电容CP5与布线Li5的电感分量产生的LC谐振的频率分量及其它的多个频率分量。
但是，在本实施形态中，由于与二极管D1并联连接阻抗控制电路45，因此从二极管D1产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路45流向晶体管Q3。这时，晶体管Q3导通。因而，从二极管D1产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路45、晶体管Q3及回收电容器Cr被接地端吸收。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。这时，由于存在回收线圈L，因此开关噪声不流向面板电容Cp及晶体管Q1和Q2。
然后，在二极管D2处于断开状态、而且二极管D2的阳-阴间产生急剧的电压变化时，从二极管D2产生具有多个频率分量的开关噪声。具体来说，在图4的时刻t4，如以下那样，从二极管D2产生具有多个频率分量的开关噪声。
在时刻t4，若维持脉冲Psu的下降时的功率回收期间结束，则流过回收线圈L的电流的方向从向着节点N2的方向反过来变成向着节点N1的方向。通过这样，由于二极管D2成为不导通，因此电流路径切断。其结果，节点N2的电位急剧地向着节点N1的电位下降。这时，从二极管D2产生具有多个频率分量的开关噪声。开关噪声包含由二极管D2的阳-阴间的电容CP6与布线Li6的电感分量产生的LC谐振的频率分量及其它的多个频率分量。
但是，在本实施形态中，由于与二极管D2并联连接阻抗控制电路46，因此从二极管D2产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路46流向晶体管Q4。这时，晶体管Q4导通。因而，从二极管D2产生的具有多个频率分量的开关噪声通过阻抗控制电路46、晶体管Q4及回收电容器Cr被接地端吸收。其结果，能够充分抑制遍及宽频带的不需要的电磁波辐射。这时，由于存在回收线圈L，因此开关噪声不流向面板电容Cp及晶体管Q1和Q2。
(3-3)第3实施形态的效果
在本实施形态有关的保持驱动器4b中，利用阻抗控制电路45及46，在节点N2与晶体管Q3之间及节点N2与晶体管Q4之间形成多个频率分量的高通区域。通过这样，由二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路45及46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4)其它实施形态
(4-1)
除了图3的保持驱动器4的阻抗控制电路41及42以外，也可以再将图14的阻抗控制电路43及44与晶体管Q3及Q4并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，由晶体管Q3及Q4产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路43及44和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-2)
除了图3的保持驱动器4的阻抗控制电路41及42以外，也可以再将图15的阻抗控制电路45及46与二极管D1及D2并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，由二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路45及46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-3)
除了图3的保持驱动器4的阻抗控制电路41及42以外，也可以再将图14的阻抗控制电路43及44与晶体管Q3及Q4并联连接，将图15的阻抗控制电路45及46与二极管D1及D2并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q1及Q2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路41及42，被电源端V1及接地端吸收，由晶体管Q3及Q4和二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声通过阻抗控制电路43、44、45、46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-4)
除了图14的保持驱动器4的阻抗控制电路43及44以外，也可以再将图15的阻抗控制电路45及46与二极管D1及D2并联连接。
在这种情况下，由晶体管Q3及Q4和二极管D1及D2产生的遍及宽频带的开关噪声，通过阻抗控制电路43、44、45、46和回收电容器Cr，被接地端吸收，减少开关噪声对面板电容Cp产生的影响。通过这样，能够充分抑制遍及宽频带的高频电磁波辐射。
(4-5)
本发明有关的驱动电路不限于保持驱动器，也可以适用于驱动地址电极的驱动电路即数据驱动器2，也可以适用于驱动扫描电极的驱动电路即扫描驱动器。另外，本发明有关的驱动电路可以适用于保持电极及扫描电极的驱动电路。
(4-6)
本发明有关的驱动电路可以适用于AC型及DC型等任何一种PDP的驱动电路。
(4-7)
本发明有关的驱动电路不限于PDP，对于驱动电容性负载的其它的装置也同样可以适用。本发明有关的驱动电路例如也可以适用于液晶显示器、电致发光显示器等其它的显示装置。
(4-8)
也可以使用双极型晶体管等其它的开关元件来代替晶体管Q1、Q2、Q3、Q4。
(4-9)
也可以使用晶体管等其它的单向导通元件来代替二极管D1、D2。
(4-10)
作为电容器C11～C1n及电容器C21～C2n，也可以使用氧化钽、氧化铌等其它材料制成的电容性元件来代替层叠陶瓷电容器。
如上所述，作为电容器C11～C1n及电容器C21～C2n，也可以使用钽电解电容器或铝电解电容器来代替层叠陶瓷电容器。
(5)权利要求的各构成要素与实施形态的各部分的对应关系
以下，说明权利要求的各构成要素与实施形态的各部分的对应关系的例子，但本发明不限定于下述的例子。
在上述实施形态中，放电单元DC相当于显示元件，面板电容Cp相当于电容性负载，布线Li0相当于脉冲供给路径，PDP1相当于显示面板。
另外，晶体管Q1相当于第1开关元件，晶体管Q2相当于第2开关元件，晶体管Q3相当于第3开关元件，晶体管Q4相当于第4开关元件，回收线圈L相当于电感元件，回收电容器Cr相当于回收用电容性元件，二极管D1相当于第1单向导通元件，二极管D2相当于第2单向导通元件。
另外，布线Li1相当于第1布线，布线Li2相当于第2布线，电源端V1相当于第1电压源，接地端相当于第2电压源，电源电压Vsus相当于第1电压，接地电位相当于第2电压。
再有，阻抗控制电路41相当于第1阻抗控制电路，阻抗控制电路42相当于第2阻抗控制电路，电容器C11～C1n相当于多个第1电容性元件，或者相当于第1个～第n个的第1电容性元件，电容器C21～C2n相当于多个第2电容性元件，或者相当于第1个～第n个的第2电容性元件。
另外，电阻元件R11～R1n-1相当于多个第1电阻元件或者第1个～第(n-1)个的第1电阻元件，电阻元件R21～R2n-1相当于多个第2电阻元件或者第1个～第(n-1)个的第2电阻元件，珠状核心L11～L1n-1相当于多个第1珠状核心或者第1个～第(n-1)个的第1珠状核心，珠状核心L21～L2n-1相当于多个第2珠状核心或者第1个～第(n-1)个的第2珠状核心。
另外，阻抗控制电路43相当于第1或第3阻抗控制电路，阻抗控制电路44相当于第2或第4阻抗控制电路。
另外，阻抗控制电路45相当于第1或第3阻抗控制电路，阻抗控制电路46相当于第2或第4阻抗控制电路。
工业上的实用性
本发明可用于驱动各种电容性负载的驱动电路、以及具有电容性负载的显示装置等的各种装置中。