本发明的各个实施例都涉及到用于读取纳米线交叉棒存储器的内容的电子装置。本发明的一个实施例中，微米尺度或亚微米尺度的信号线通过可配置的纳米线结开关(404)与来自纳米线交叉棒存储器的一组平行纳米线互连。微米尺度或亚微米尺度的信号线作为单线路多路复用器，使纳米线交叉棒存储器内的任何的一个单一比特存储元件(316)的内容被读取。
1.一种用于纳米线交叉棒(302)的多路复用器接口，该多路复用器接口包括：
具有至少两组由纳米线结互连的平行纳米线(304-315)的纳米线交叉棒(302)；以及纳米线结开关(403-408)，每一个纳米线结开关都将纳米线交叉棒(302)的所述至少两组平行纳米线(304-315)中的一组(310-315)中的一个纳米线与多路复用器线路(402)互连，其中每个纳米线结开关(403-408)都能够通过给在纳米线结开关(403-408)处与多路复用器线路(402)相交的纳米线交叉棒(302)的纳米线(310-315)施加第一复位信号并且同时给多路复用器线路(402)施加第二复位信号而被设置为打开状态；以及其中每个纳米线结开关(403-408)都能够通过给在纳米线结开关(403-408)处与多路复用器线路(402)相交的纳米线交叉棒(302)的纳米线(310-315)施加第一置位信号并且同时给多路复用器线路(402)施加第二置位信号而被设置为闭合状态。
2.如权利要求1所述的多路复用器接口，其中多路复用器线路(402)连接到产生输出信号(412，414)的放大器(410)。
3.如权利要求1所述的多路复用器接口，其中纳米线交叉棒(302)中被选择的纳米线结(316)的当前状态可以通过下述方法确定：通过纳米线结开关(403-408)给与多路复用器线路(402)互连的纳米线(310-315)中的每一个施加第一复位信号，并给多路复用器线路(402)施加第二复位信号；
给与多路复用器线路(402)和被选择的纳米线结(316)互连的纳米线(311)施加第一置位信号，并给多路复用器线路(402)施加第二置位信号；以及给与多路复用器线路(402)和被选择的纳米线结(316)互连的纳米线(311)施加弱的信号(H)，保持与多路复用器线路(402)互连的纳米线交叉棒(302)中任何余下的纳米线(310，312-315)处于低状态(L)，保持与被选择的纳米线结(316)互连而不与多路复用器线路(402)互连的任何其它的纳米线(305)处于低状态(L)，并给余下的纳米线(304，
306-309)施加弱的信号(H)，所述弱的信号的幅度高于将纳米线保持在低状态(L)的信号。
4.如权利要求3所述的多路复用器接口，其中给纳米线(304-315)和多路复用器线路(402)施加电压信号或电流信号中的一个以确定所选择的纳米线结(316)的当前状态。
5.如权利要求1所述的多路复用器接口，其中互连纳米线交叉棒(302)中的纳米线(304-315)的纳米线结是二极管类的纳米线结；以及其中纳米线交叉棒(302)是存储器，信息存储在互连纳米线交叉棒(302)中的纳米线(304-315)的纳米线结的物理状态中。
6.如权利要求1所述的多路复用器接口，其中多路复用器线路(402)是宽度大于50nm的信号线路。
7.一种确定具有通过纳米线结互连的至少两组平行纳米线(304-315)的纳米线交叉棒(302)中互连两个纳米线(305，311)的所选择的纳米线结(316)的当前状态的方法，该方法包括：通过纳米线结开关(403-408)提供纳米线交叉棒(302)中的一组平行纳米线(310-315)到多路复用器线路(402)的互连；以及给所述一组平行纳米线(310-315)和多路复用器线路(402)施加信号，以通过从多路复用器线路(402)输出的信号(412，414)确定所选择的纳米线结(316)的当前状态，其中每个纳米线结开关(403-408)都能够通过给在纳米线结开关(403-408)处与多路复用器线路(402)相交的纳米线交叉棒(302)的纳米线(310-315)施加第一复位信号并且同时给多路复用器线路(402)施加第二复位信号而被设置为打开状态；以及其中每个纳米线结开关(403-408)都能够通过给在纳米线结开关(403-408)处与多路复用器线路(402)相交的纳米线交叉棒(302)的纳米线(310-315)施加第一置位信号并且同时给多路复用器线路(402)施加第二置位信号而被设置为闭合状态。
8.如权利要求7所述的方法，其中给一组平行纳米线(310-315)和多路复用器线路(402)施加信号还包括：通过纳米线结开关(403-408)给与多路复用器线路(402)互连的纳米线交叉棒(302)的纳米线(310-315)中的每一个施加第一复位信号，并给多路复用器线路(402)施加第二复位信号；
给与多路复用器线路(402)和被选择的纳米线结(316)互连的纳米线(311)施加第一置位信号，给多路复用器线路(402)施加第二置位信号；以及给与多路复用器线路(402)和被选择的纳米线结(316)互连的纳米线(311)施加弱的信号(H)，保持与多路复用器线路(402)互连的纳米线交叉棒(302)中任何余下的纳米线(310，312-315)处于低状态(L)，保持与被选择的纳米线结(316)互连而不与多路复用器线路(402)互连的任何其它的纳米线(305)处于低状态(L)，并给纳米线交叉棒(302)的余下的纳米线(304，306-309)施加弱的信号(H)，所述弱的信号的幅度高于将纳米线保持在低状态(L)的信号。
其中给纳米线(304-315)和多路复用器线路(402)施加电压信号或电流信号中的一个以确定所选择的纳米线结(316)的当前状态；
其中互连纳米线交叉棒(302)中的纳米线(304-315)的纳米线结是二极管类的纳米线结；以及其中多路复用器线路(402)是宽度大于50nm的信号线路。
纳米尺度交叉棒的多路复用器接口
技术领域
[0001] 本发明涉及电子器件和电路，尤其涉及用于读取存储在纳米线交叉棒(nanowire-crossbar)存储器中的信息并用于将纳米线交叉棒接口到亚微米尺度和/或微米尺度的电子器件的多路复用器。
[0002] 政府利益的声明
[0003] 本发明是在政府的支持下做出的，合同号#MDA972-01-3-005，由DARPA Moletronics(国防预先研究计划局分子电子学)给予的。政府对本发明享有一定的权利。
背景技术
[0004] 近来，通过常规的基于光刻的方法对电子器件和电路进行设计与制造，逐渐接近到进一步减小元件尺寸的物理极限，因此发展了制造纳米尺度的电子电路的其它的方法。纳米线交叉棒技术是一种制造尺寸远小于而元件密度相应大于当前采用光刻方法制造的亚微米尺度的电路和元件的电子电路和器件的特别有希望的新的方法
[0005] 图1是典型的纳米线交叉棒。 图1中的纳米线交叉棒实现了一种简单的存储器件。该纳米线交叉棒包括：(1)第1组平行纳米线102；(2)双稳态的比特存储层104；和(3)垂直于第1层平行纳米线102的第2层平行纳米线106。在第1层纳米线102中的纳米线和第2层纳米线106中的纳米线之间的每个最小间距的点或交叉点处，在比特存储层104的每个小区域内存储单一比特的信息。例如，在纳米线110上面和纳米线112下面的比特存储层104的小区域108(如图1中的交叉阴影线所示)，连同和该小区域接触的纳米线110和112的部分一起，形成用作纳米尺度存储器内的单一比特的存储元件114的纳米线结。
[0006] 在许多纳米尺度存储器的实施例中，单一比特存储元件(例如图1中的单一比特存储元件114)的内容，可以通过给相交形成单一比特存储元件的纳米线中的一个或两个都施加电压或电流信号来修改，以改变纳米线结内的双稳态比特存储层的物理状态，例如电阻率。图1中，例如，可以给纳米线110和112中的一个或者两个都施加信号，以修改单一比特存储元件114，如图1中的箭头所示，例如箭头116。通常，对其余的纳米线不施加信号或施加不同的信号，以区别该寻址的单一比特存储元件与所有其它的单一比特存储元件。在许多的实施例中，施加振幅相对大的信号以进行“写”操作，其中物理状态改变了，而施加振幅相对较小的信号以进行“读”操作，通常其中的物理状态并不改变，而只是确定。在“读”操作中，通过给纳米线交叉棒的纳米线施加一个或多个信号，而从相交形成单一比特存储元件的两个纳米线中的一个或它们两个上的信号的存在、不存在或强度，来确定单一比特存储元件的物理状态。由纳米线交叉棒实现的纳米尺度存储器可以看作是单一比特存储元件的二维阵列，每个单一比特存储元件都可以通过相交形成单一比特存储元件的两个纳米线，被独立且唯一地寻址。在某些情形下，二维纳米尺度存储器内的单一比特存储元件的全部的行、列或较大的组都可以在单个操作中存取。
[0007] 图1是典型的纳米线交叉棒的简单的示意图。虽然图1中的各个纳米线的横截面是矩形的，纳米线的横截面也可也是圆形的、椭圆形或较复杂的形状，纳米线可以有很多不同的宽度或直径以及长宽比或离心率。可以通过表面上的化学自组装和向衬底的迁移、通过原位化学合成、以及通过多种其它的技术，使用金属的和/或半导体的元素或化合物、掺杂的有机聚合物、复合材料、纳米管和掺杂的纳米管，以及使用其它类型的导电或半导体材料，采用压印光刻来制造纳米线。图1中双稳态的比特存储层104是在两组平行的纳米线之间的连续层，然而可选的，也可以是不连续的，或者是环绕纳米线的鞘状的分子涂层，或纳米线内的组成原子或分子，而不是单独的层。双稳态的比特存储层104也可以由许多种不同的金属的、半导体的、掺杂的聚合物的和复合的材料组成。
[0008] 为了将纳米线交叉棒结合到常规的电子器件中，而将纳米线交叉棒的各个纳米线引线互连到亚微米尺度和微米尺度的信号线时，会遇到很大的问题，也包括识别和操作各个纳米线。对这些问题的一个解决方案是，使用与纳米线交叉棒集成的具有微米尺度或亚微米尺度的地址线的去复用器。图2是与纳米尺度/亚微米尺度的去复用器集成的纳米线交叉棒存储器，纳米线交叉棒存储器的各个比特存储元件可以通过微米尺度或亚微米尺度的地址线唯一地进行存取。图2中，16×16的纳米线交叉棒202具有平行的纳米线层，其中的纳米线延伸穿过纳米线交叉棒阵列202的边界，形成第一去复用器204和第二去复用器206。去复用器204包括从纳米线交叉棒的第一平行纳米线层延伸的纳米线，例如纳米线208，其上面或下面是垂直的微米尺度或亚微米尺度的源-电压线210和四对垂直的微米尺度或亚微米尺度的地址线212-215。同样，第二去复用器206由纳米线交叉棒的第二平行纳米线层延伸的纳米线实现。某些实现方式中，例如图2给出的实现方式，地址线作为互补对出现，每对表示1比特，相反的是多比特地址，然而在其它的实现方式中，也可以使用单个地址线。通过四对地址线212-215输入的四比特地址，足以给16根纳米线中的每一根(例如纳米线208)都提供唯一的地址；两个四比特的地址同时输入到两个去复用器204和206中每一个的四对地址线，可以在纳米线交叉棒阵列202的256个纳米线结中唯一地寻址某个纳米线结。
[0009] 通过在某个单一比特存储元件处相交的纳米线交叉棒存储器的纳米线上加上“写”信号，单一比特存储元件的状态可以设定为对二进制数值“0”和“1”进行编码的两个双稳态中所希望的一个。然而通过施加“读”信号确定给定的单一比特存储元件的状态是非常困难的。纳米线交叉棒存储器的设计者、制造者、销售商和综合者，以及这种器件的最终用户，都已经意识到需要可靠的和有效地制造的装置来读取纳米线交叉棒存储器内的单一比特存储元件的状态。其它类型的实现纳米线交叉棒器件的设计者、制造者、销售商、综合者和用户已经意识到需要可靠的和有效地制造的接口来将实现纳米线交叉棒的器件与亚微米尺度和微米尺度的电子器件互连。
发明内容
[0010] 本发明的各个实施例都涉及到用于读取纳米线交叉棒存储器的内容的电子装置。本发明的一个实施例中，微米尺度或亚微米尺度的信号线通过可配置的纳米线结开关与来自纳米线交叉棒存储器的一组平行的纳米线互连。微米尺度或亚微米尺度的信号线作为单线路的多路复用器，使纳米线交叉棒存储器内的任何的一个单一比特存储元件的内容可以在三个周期的“读”操作中被读取。
附图说明
[0011] 图1是示例性的纳米线交叉棒；
[0012] 图2是与纳米尺度或微米尺度的去复用器集成的纳米线交叉棒存储器，纳米线交叉棒存储器的各个比特存储元件可以通过微米尺度或亚微米尺度的地址线唯一地进行存取；
[0013] 图3A-D是第一电子多路复用器装置，使用电子多路复用器装置的“读”操作，电子多路复用器装置的不足和缺点；
[0014] 图4A-E是单线路多路复用器的实现，其有助于对纳米线交叉棒存储器内被选择的单一比特存储元件的“读”操作，其代表本发明的一个实施例。
具体实施方式
[0015] 本发明的各个实施例包括用于读取纳米线交叉棒存储器内选择的单一比特存储元件的内容的电子多路复用器。当前的讨论中，术语“纳米线”是指宽度小于目前可以使用常规的光刻技术制造的亚微米尺度的信号信的宽度的信号线，其小于50纳米、小于20纳米或小于10纳米。术语纳米线结是指在纳米线与另外的元件之间的互连，另外的元件可以是第二个纳米线或信号信或其它较大尺度的元件。图3A-D是第一电子多路复用器装置，使用电子多路复用器装置的“读”操作，电子多路复用器装置的不足和缺点。图3A使用图3A-D中都使用的图示惯例。图3A中，6×6的纳米线交叉棒存储器302在互连第一组垂直平行的纳米线304-309中的纳米线和第二组水平平行的纳米线310-315中的纳米线的纳米线结的地方制造的36个单一比特存储元件中的每一个处都存储单一比特的信息。在图3A-D中，每个纳米线结都表示为二极管，例如二极管316，定向地将水平纳米线互连到垂直纳米线。对于纳米线结316，水平纳米线311和垂直纳米线305是互连的，电流或电压信号通常可通过纳米线结316从水平纳米线311传送到垂直纳米线305，但在正常的操作条件下，不能沿反方向传送。纳米线交叉棒的双稳态存储层包括半导电的子层、薄膜或其它的能使信号在由二极管符号的箭头方向所示的正方向上通过而阻止信号在反方向上通过的化学或物理装置。纳米线交叉棒存储器优选使用二极管纳米线结，这是因为它们能避免在纳米线交叉棒存储器中使用不必要的电路，下面会对此进一步讨论。
[0016] 第一去复用器318控制电压或电流信号到水平组的纳米线310-315的输入，第二去复用器320控制信号到垂直组的纳米线304-309的输入。因此，某个单一比特存储元件，例如单一比特存储元件316，可以通过去复用器318向纳米线311施加第一“写”信号和通过去复用器320向纳米线305施加相应的第二“写”信号而被写入。在纳米线交叉棒存储器的某些实施例中，第一“写”信号可以是振幅相对大的正电压信号，而第二“写”信号可以是振幅相对大的负电压信号。第一和第二“写”信号施加的结果是单一比特存储元件上产生相当大的电压降，从而使单一比特存储元件处于两个稳定的物理状态中的一个。通过向水平纳米线311施加第二“写”信号并向垂直纳米线305施加第一“写”信号，或者换句话说，将施加到纳米线的电压信号反转，这样可以使单一比特存储元件处于两个稳定的物理状态中的另一个。
[0017] 如图3A所示，使用通过二极管类的纳米线结324-329与水平组的纳米线310-315互连的单线路多路复用器322，读取在纳米线交叉棒存储器内选择的单一比特存储元件的内容。单线路多路复用器322可以与放大器330连接，以放大“读”操作产生的信号，它还通过电阻器332互连到地334。电阻器332的电阻需要认真的选择，既要足够高以引导信号从水平纳米线310-315输入到单线路多路复用器322，到放大器330，但也要足够低以在没有输入信号的时候将单线路多路复用器322拉到低电压或低电流的状态。此外，电阻可以需要是可变的，以阻止将水平纳米线310-315与单线路多路复用器322互连的二极管类的纳米线结324-329出现不希望的状态改变或损伤。
[0018] 图3B是通过单线路多路复用器帮助的读操作，对对应于纳米线结的高电阻率状态的单一比特存储元件或纳米线结316的打开状态(openstate)的检测。当单一比特存储元件316处于打开状态时，如在水平纳米线311和垂直纳米线305的交叉处的未填充的圆336所示，相对弱的电压或电流信号由第一去复用器318施加到纳米线311，如图3B中的符号“H”338和叠加在对应于纳米线311的线上的黑色粗线340所示，输入信号一直通到单线路多路复用器322，从而引起单线路多路复用器对信号进行检测，如图3B中的从放大器330输出的信号线上的符号“H”342所示。施加到水平纳米线311上的相对弱的电压电流信号通过纳米线结344-348，由于二极管类的纳米线结不是正向偏置的，作为匹配输入的结果，相对弱的电压或电流信号由第二多路复用器320施加到垂直的纳米线304和306-309。虽然第二去复用器给垂直纳米线305施加低电压，如图3B中的符号“L”350所示，由于打开状态中的纳米线结316的高电阻，由第一去复用器318施加给水平纳米线311的弱电压或电流信号不能通过纳米线结316到达由去复用器320保持在低状态的垂直纳米线305。因为第一去复用器318保持水平纳米线310和312-315处于低电压状态，所有其余的将垂直纳米线304和306-309与水平纳米线310和312-315互连的纳米线结都不是正向偏置的，因此电流或电压不会通过这些纳米线泄漏到水平纳米线310和312-315。因此，只有由第一去复用器318施加到水平纳米线311的相对弱的电压或电流信号才能到达单线路多路复用器322。还要注意，电阻器332的电阻足够高，使得由第一去复用器318施加给水平纳米线
311的信号大部分都被引向了放大器330，而不是耗散到地334。
[0019] 当单一比特存储元件316处于低电阻率状态或闭合状态(closedstate)时，如图3C中的水平纳米线311和垂直纳米线305的相交处的实圆352所示，由第一去复用器318施加给水平纳米线311的相对弱的电压或电流信号通过纳米线结316到达由第二去复用器
320保持在低电压或低电流状态的垂直纳米线305，而不是通到单线路多路复用器322。因此，低信号354由与单线路多路复用器322互连的放大器330输出。
[0020] 不幸的是，会有上面参考图3A-C讨论的与单线路多路复用器的实现相关的问题。这些问题主要涉及到将水平纳米线310-315与单线路多路复用器322互连的二极管类的纳米线结324-329。
[0021] 上面讨论的与单线路多路复用器的实现相关的第一个问题是，制造在水平纳米线和单线路多路复用器之间的二极管类的纳米线结在技术上或经济上不切实际。单线路多路复用器可以在单独的步骤中制造，部分或完全处于纳米线交叉棒存储器的外部。在纳米线和微米尺度或亚微米尺度的单线路多路复用器之间的二极管类的纳米线结的可靠制造，在技术上不可行，在某些情形下，或许会产生大量的额外制造费用，这使单线路多路复用器的实现对大量制造来说太昂贵了。在某些情形下，在纳米线交叉棒存储器内的任何地方制造可靠的二极管类的纳米线结甚至是不切实际的和不可能的，更不用说在纳米线和微米尺度或亚微米尺度的单线路多路复用器的相交处。
[0022] 上面讨论的与单线路多路复用器的实现相关的第二个问题是，即使将水平纳米线与单线路多路复用器互连的二极管类的纳米线结可以制造，它们也必须在相对精密的公差内制造，以确保在纳米线交叉棒存储器内不出现不符合要求的电路。图3D给出了，当将纳米线与单线路多路复用器互连的二极管类的纳米线结并没有以指定方向的信号传送特性来工作时，在“读”操作期间，在纳米线交叉棒存储器内的不符合需求的电路。图3D中，单一比特存储元件316处于打开状态，引起由第一去复用器318施加给纳米线311，一直到单线路多路复用器322的弱的电压或电流信号的传送。可是，纳米线结324和326-329按照它们的规范，尽管不是正向偏置的，而是沿从单线路多路复用器322反向到水平纳米线310和312-315的反方向通过电流。因此，由第一去复用器318施加到纳米线311的信号通过纳米线310和312-315返回到第一去复用器，而不是通到放大器330，因此，单线路多路复用器输出低信号356，而不是当单一比特存储元件处于打开状态时将检测到的高信号，如在上文参考图3B讨论的。
[0023] 上面讨论的与单线路多路复用器的实现相关的第三个问题是，将水平纳米线与单线路多路复用器互连的二极管类的纳米线结的电特性相对于单线路多路复用器和纳米线交叉棒存储器的其它电子元件的电特性需要细致地平衡。例如，将水平纳米线与单一比特多路复用器互连的二极管类的纳米线结需要通过由第一去复用器给水平纳米线施加的信号而被正向偏置，但是在没有施加的信号时，不应被正向配置，或是处于低电阻状态。很难将二极管类的纳米线结的特性与单线路多路复用器的特性进行匹配。
[0024] 图4A-E示出了适合于便于对纳米线交叉棒存储器内被选择的单一比特存储元件的“读”操作的单线路多路复用器的实现，其代表本发明的一个实施例。图4A-E使用与图3A-D中的类似的图示惯例，为了简明而不重复说明。在代表本发明的一个实施例的第二单线路多路复用器的实现中，水平纳米线310-315没有通过二极管类的纳米线结与单线路多路复用器402互连(如前面的上文所讨论的实现中)，而是通过开关类的纳米线结互连。这些开关类的纳米线结由图4A中未填充的圆所示，例如在水平纳米线310-315和单线路多路复用器402的相交处的未填充的圆404。
[0025] 开关类的二极管结是可配置的。通过水平纳米线施加第一复位信号并通过单线路多路复用器施加第二复位信号可以使它们打开，通过给水平纳米线施加第一置位信号并给单线路多路复用器施加第二置位信号可以使它们闭合。复位和置位信号的符号和大小可以改变，这依赖于开关类的纳米线结的独特的化学和物理特性。例如，在某些情形下，第一复位信号可以构成施加给纳米线的振幅相对较大的正电压，第二复位信号可以构成施加给单线路多路复用器402的振幅相对较大的负电压。在这种情况下，相反的第一和第二置位信号大小相近，极性相反。
[0026] 图4B-E是用来读取纳米线交叉棒存储器内被选择的单一比特存储元件的内容的三个周期的“读”操作。例参考图4B-E讨论的例子，读取单一比特存储元件316的内容。第一步，如图4B所示，第一复位信号，如图4B中的符号“R”(例如符号406)所示，施加给所有的水平纳米线310-315，第二复位信号408施加给单线路多路复用器402。接着，如图4C所示的第二步，第一去复用器318给水平纳米线311施加第一置位信号，给单线路多路复用器402施加第二置位信号410。接着，如图4D-E所示，如前面参考图3A-C讨论过的，由第一和第二去复用器施加给纳米线的低的弱电压或电流信号的模式被再次应用以读取单一比特存储元件316的内容。当单一比特存储元件316处于打开状态时，如图4D所示，由第一去复用器318施加给纳米线311的弱的电压或电流信号通过闭合的开关类二极管404通到单线路多路复用器402。信号由与单线路多路复用器404互连的放大器410放大以输出高信号412。其余的开关类的纳米线结403和405-408是打开的，在其余的水平纳米线310和
312-315和单线路多路复用器402之间的任一方向都没有电流通过。因此，避免了上面讨论过的与在纳米线和单线路多路复用器之间的二极管类纳米线结相关的问题。相反，如图
4E所示，当单一比特存储元件316处于闭合状态时，由第一去复用器318施加给水平纳米线311的弱的电压或电流信号通过现在处于低电阻率状态的纳米线结316，到达第二去复用器320，而不是到达单线路多路复用器，结果由单线路多路复用器输出低信号414。将其余的水平纳米线310和312-315互连到单线路多路复用器402的开关类二极管是打开的，防止电流通过水平纳米线310和312-315到第一去复用器318的任何非故意的回流。
[0027] 虽然，以特别的实施例描述了本发明，但本发明并不受这些实施例的限制。在本发明的精神范围内的任何的修改，对本领域的技术人员来说都是显而易见的。例如许多不同技术和材料中的任何一种都可以制造开关类的纳米线结，以将纳米线交叉棒中一个平面的平行纳米线中的纳米线互连到单线路多路复用器。另一个实施例中，单线路多路复用器可以用来从任何数目的实现纳米线交叉棒的器件(包括存储器)中提取信息。依赖于开关类的纳米线结的实现，在其它的实施例中可以使用不同的读周期序列。在另外的实施例中，多路复用器线路也可以是与其它的纳米尺度、亚微米尺度或微米尺度的元件互连的纳米线。
[0028] 前面的说明中，为了解释，使用了具体的术语以使本发明得到透彻的理解。然而对本领域的技术人员显而易见的是，实施本发明并不需要这些具体的细节。前面本发明具体实施例的说明是为了说明和描述的目的。它们并不是穷尽的，也不是用来将本发明限制到公开的明确的形式。明显的，参照上面的教导可以有许多的修改或改变。展示并描述实施例是为了更好的解释本发明的原理和实际应用，从而使本领域的其它的技术人员更好的利用本发明和适合于预期的特殊的使用的各种修改的实施例。本发明的范围由下面的权利要求和它们的等同物来定义。
