晶片的加工方法

摘要

本发明提供一种晶片的加工方法，即使因在对晶片切削的半途中切削刀具破损更换为新的切削刀具，而需要进行预切割处理，也并不需要卸下切削半途中的晶片，也不需要进行再次对准，可以高效地加工晶片。在切削工序的晶片(W)的切削半途中，在将切削刀具更换为新的切削刀具(33b′)时，使切削半途中的晶片(W)维持保持在吸盘工作台(20a)上的状态，使伪晶片(DW)保持在没有保持切削半途中的晶片(W)的一方的吸盘工作台(20b)上，用安装有新的切削刀具(33b′)的切削单元(30b)执行切削伪晶片(DW)的预切割。

权利要求

1. 一种晶片的加工方法，其特征在于，其是使用切削装置的加工方法，所述切削装置具有：吸盘工作台，其保持晶片；

切削单元，其安装有对保持在该吸盘工作台上的晶片进行切削的切削刀具；

加工进给单元，其使所述吸盘工作台在X轴方向上进行加工进给；

分度进给单元，其使所述切削单元在与X轴方向正交的Y轴方向上进行分度进给；

晶片盒工作台，其上载置有收容了多块晶片的晶片盒；

搬出单元，其从所述晶片盒搬出晶片；

临时放置工作台，其临时放置被搬出的晶片；

搬送单元，其将临时放置在该临时放置工作台上的晶片搬送到所述吸盘工作台上；以及对准单元，其对保持在所述吸盘工作台上的晶片进行摄像，以检测出应当切削的区域，所述吸盘工作台由彼此相邻地配设的第一吸盘工作台和第二吸盘工作台构成，所述加工进给单元由使所述第一吸盘工作台进行加工进给的第一加工进给单元，以及使所述第二吸盘工作台进行加工进给的第二加工进给单元构成，所述晶片的加工方法具有以下工序：

晶片保持工序，通过所述搬送单元，将从所述晶片盒搬出到所述临时放置工作台上的晶片，搬送到所述第一吸盘工作台或所述第二吸盘工作台中的一方上进行保持；

对准工序，将保持在所述吸盘工作台上的晶片，定位在所述对准单元的正下方，并检测出应当切削的区域；

切削工序，相对于保持在所述吸盘工作台上、并执行了所述对准工序的晶片，定位所述切削单元的所述切削刀具，并对晶片进行切削；以及预切割工序，当在该切削工序的晶片的切削半途中将所述切削刀具更换为新的切削刀具时，使切削半途中的晶片维持保持在所述吸盘工作台上的状态，使伪晶片保持在没有保持切削半途中的晶片的一方的所述吸盘工作台上，利用安装有新的切削刀具的所述切削单元，执行切削伪晶片的预切割。

2. 如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，使用具有这样的所述切削单元的切削装置，该切削单元由安装有第一切削刀具的第一切削单元，以及安装有第二切削刀具的第二切削单元构成，所述第二切削刀具由与所述第一切削刀具相同的结构构成，并与该第一切削刀具对置，并且该切削单元对同一晶片同时并行地进行切削，所述预切割工序包括以下工序：

在所述第一切削刀具和所述第二切削刀具之中，在利用位于在该预切割工序中保持伪晶片的所述吸盘工作台侧的所述切削刀具，来执行切削伪晶片的预切割的情况下，对切削半途中的晶片，使用另一方的所述切削刀具继续进行所述切削工序，在利用另一方的所述切削刀具执行切削伪晶片的预切割的情况下，中断对切削半途中的晶片的所述切削工序，直到该预切割工序结束。

3. 如权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述预切割工序中所用的伪晶片收容在所述晶片盒中。

4. 如权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述预切割工序中所用的伪晶片收容在伪晶片收容部中，所述伪晶片收容部形成在所述晶片盒工作台的下部。

说明书

晶片的加工方法

技术领域

[0001] 本发明涉及使用切削装置对晶片进行加工的晶片的加工方法。

[0002] 背景技术

[0003] 通过分割预定线划分形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scale integration：大规模集成电路)等多个器件的晶片，通过划片机等切削装置被分割为一个个的器件，并用于移动电话、个人电脑等电子设备。

[0004] 切削装置结构为具有：吸盘工作台，其保持晶片；切削单元，其安装有对保持在吸盘工作台上的晶片进行切削的切削刀具；加工进给单元，其使吸盘工作台在X轴方向上进行加工进给；分度进给单元，其使切削单元在与X轴方向正交的Y轴方向上进行分度进给；晶片盒工作台，其载置容纳了多块晶片的晶片盒；搬出单元，其从晶片盒搬出晶片；临时放置工作台，其临时放置所搬出的晶片；搬送单元，其将临时放置在临时放置工作台上的晶片搬送到吸盘工作台上；以及对准单元，其对保持在吸盘工作台上的晶片进行摄像，以检测出应当切削的区域，该切削装置可以将晶片高效地分割为一个个器件。

[0005] 在这样的切削装置中，作为切削刀具，一般使用电铸刀具，其通过镍等金属镀层将由金刚石等构成的磨料结合起来而构成，但当由于磨料的保持力高，而与晶片的磨合性不好时，在通过切削而形成的切削槽的两侧会产生比较大的缺陷，这成为使质量下降的原因。因此，在切削晶片的过程中，在切削刀具破损的情况下，在将安装在切削单元上的切削刀具更换为新的切削刀具之后，必须进行称为预切割的切削作业，即，对由与作为切削对象的晶片实质上为相同材质的材料形成的伪晶片(dummy wafer)进行切削，以使新的切削刀具与晶片磨合。

[0006] 专利文献1：日本特开昭62-53804号公报

[0007] 专利文献2：日本特许第3765265号公报

[0008] 但是，关于使用了现有的切削装置的晶片的加工方法，在切削晶片的过程中，在切削刀具破损而更换为新的切削刀具并进行预切割的情况下，必须从吸盘工作台上卸下切削半途中的晶片，改为放置预切割用的伪晶片，当对伪晶片的预切割动作结束后，从吸盘工作台上卸下伪晶片，改为放置已处于切削半途中的晶片，然后进行切削动作，这样非常麻烦，而且加工效率极低。此外，即使将切削半途中的晶片替换放置在吸盘工作台上，由于与原来的载置状态发生偏差，因此，除了必须再次进行对准作业外，还必须变更为由操作人员进行的手工切割来进行切削动作。

[0009] 顺便一提，根据专利文献1、2等，提出了这样的切削装置：具有两个吸盘工作台，能够一边在一个吸盘工作台上对晶片执行切削动作，一边对保持在另一个吸盘工作台上的切削前的晶片并行地进行对准作业，但是它们对于适当的预切割处理的方法没有提及任何有关的内容，并没有解决上述不良状况。

发明内容

[0010] 本发明鉴于上述状况而完成，其目的在于提供一种晶片的加工方法，即使因在对晶片进行切削的半途中切削刀具破损更换为新的切削刀具，而需要进行预切割处理，也并不需要卸下切削半途中的晶片，也不需要再次对准，能够高效地加工晶片。 [0011] 为了解决上述课题达成目的，本发明所述的晶片的加工方法是使用切削装置的加工方法，其特征在于，所述切削装置具有：吸盘工作台，其保持晶片；切削单元，其安装有对保持在该吸盘工作台上的晶片进行切削的切削刀具；加工进给单元，其使所述吸盘工作台在X轴方向上进行加工进给；分度进给单元，其使所述切削单元在与X轴方向正交的Y轴方向上进行分度进给；晶片盒工作台，其上载置有收容了多块晶片的晶片盒；搬出单元，其从所述晶片盒搬出晶片；临时放置工作台，其临时放置被搬出的晶片；搬送单元，其将临时放置在该临时放置工作台上 的晶片搬送到所述吸盘工作台上；以及对准单元，其对保持在所述吸盘工作台上的晶片进行摄像，以检测出应当切削的区域，所述吸盘工作台由彼此相邻地配设的第一吸盘工作台和第二吸盘工作台构成，所述加工进给单元由使所述第一吸盘工作台进行加工进给的第一加工进给单元，以及使所述第二吸盘工作台进行加工进给的第二加工进给单元构成，所述晶片的加工方法具有以下工序：晶片保持工序，通过所述搬送单元，将从所述晶片盒搬出到所述临时放置工作台上的晶片，搬送到所述第一吸盘工作台或所述第二吸盘工作台中的一方上进行保持；对准工序，将保持在所述吸盘工作台上的晶片，定位在所述对准单元的正下方，并检测出应当切削的区域；切削工序，相对于保持在所述吸盘工作台上、并执行了所述对准工序的晶片，定位所述切削单元的所述切削刀具，并对晶片进行切削；以及预切割工序，当在该切削工序的晶片的切削半途中将所述切削刀具更换为新的切削刀具时，使切削半途中的晶片维持保持在所述吸盘工作台上的状态，使伪晶片保持在没有保持切削半途中的晶片的一方的所述吸盘工作台上，利用安装有新的切削刀具的所述切削单元，执行切削伪晶片的预切割。

[0012] 此外，本发明所述的晶片的加工方法的特征在于，在上述发明中，使用具有这样的所述切削单元的切削装置，该切削单元由安装有第一切削刀具的第一切削单元，以及安装有第二切削刀具的第二切削单元构成，所述第二切削刀具由与所述第一切削刀具相同的结构构成，并与该第一切削刀具对置，并且该切削单元对同一晶片同时并行地进行切削，所述预切割工序包括以下工序：在所述第一切削刀具和所述第二切削刀具之中，在利用位于在该预切割工序中保持伪晶片的所述吸盘工作台侧的所述切削刀具，来执行切削伪晶片的预切割的情况下，对切削半途中的晶片，使用另一方的所述切削刀具继续进行所述切削工序，在利用另一方的所述切削刀具执行切削伪晶片的预切割的情况下，中断对切削半途中的晶片的所述切削工序，直到该预切割工序结束。

[0013] 此外，本发明的晶片的加工方法的特征在于，在上述发明中，在所述预切割工序中所用的伪晶片收容在所述晶片盒中。

[0014] 此外，本发明所述的晶片的加工方法的特征在于，在上述发明中，在所述预切割工序中所用的伪晶片收容在伪晶片收容部中，所述伪晶片收容部形成在所述晶片盒工作台的下部。

[0015] 根据本发明所述的晶片的加工方法，即使是因在切削过程中切削刀具破损更换为新的切削刀具并切削伪晶片，而进行磨合新的切削刀具的锋利度的预切割动作的情况下，利用有两个吸盘工作台这一情况，能够使切削半途中的晶片维持保持在吸盘工作台上的状态，使伪晶片保持在另一方的吸盘工作台上，来完成预切割动作，不需要卸下切削半途中的晶片，也不需要进行再次对准，具有可以高效地加工晶片这一效果。

[0016] 特别地，如果是具有分别安装了切削刀具的两个切削单元，并利用对置的两个切削刀具同时并行地进行对同一晶片的切削这样的所谓的双切割方式的情况，根据不需要更换的切削刀具与切削半途中的晶片的位置关系，能够在利用更换的切削刀具对伪晶片进行预切割的动作中，继续进行对切削半途中的晶片的切削动作，从而具有能够提高晶片加工的效率这一效果。

附图说明

[0017] 图1是剖切表示为了实施本发明的实施方式的晶片的加工方法所使用的切削装置的一部分的立体图。

[0018] 图2是表示图1所示的切削装置的主要部分的立体图。

[0019] 图3是表示切削单元周围的结构例的立体图。

[0020] 图4是表示切削单元周围的结构例的侧视图。

[0021] 图5-1是表示切削工序中的切削刀具的示意图。

[0022] 图5-2是表示预切割工序中的切削刀具的一例的示意图。

[0023] 图5-3是表示预切割工序中的切削刀具的另一例的示意图。

[0024] 图6是表示伪晶片的供给方式的变形例的晶片盒工作台附近的立体图。 [0025] 图7是表示伪晶片供给时的状况的晶片盒工作台附近的立体图。

[0026] 标号说明

[0027] 2：晶片盒工作台；3：搬出单元；4：临时放置工作台；5：搬送单元；6：晶片盒；20：吸盘工作台；20a：第一吸盘工作台；20b：第二吸盘工作台；30：切削单元；30a：第一切削单元；30b：第二切削单元；33a：第一切削刀具；33b：第二切削刀具；40：加工进给单元；40a：
第一加工进给单元；40b：第二加工进给单元；50：分度进给单元；70：对准单元；W：晶片；
DW：伪晶片。

具体实施方式

[0028] 以下，对用于实施本发明的作为最优方式的晶片的加工方法，参照附图进行说明。 [0029] 图1是剖切表示为了实施本实施方式的晶片的加工方法所使用的切削装置的一部分的立体图；图2是表示图1所示的切削装置的主要部分的立体图；图3是表示切削单元周围的结构例的立体图；图4是表示切削单元周围的结构例的侧视图。

[0030] 关于本实施方式的切削装置1，其沿分割预定线切削晶片W，作为概要结构，如图1所示，其具有：晶片盒工作台2；搬出单元3；临时放置工作台4；搬送单元5；并且还具有：吸盘工作台20；切削单元30；加工进给单元40；分度进给单元50；切深进给单元60；对准单元70；以及对准分度进给单元80。

[0031] 晶片盒工作台2是可沿Z轴方向自由升降的工作台，其配设在装置壳体7的一端，晶片盒工作台2上载置有容纳了多块晶片W的晶片盒6，晶片W处于通过保持胶带T而与圆环状的框体F成为一体的状态。这里，在晶片盒6内，除了作为切削对象的晶片W之外，例如，在最下层容纳收容有一块伪晶片DW，该伪晶片DW由与上述晶片W实质上同材质的材料形成。此外，晶片W通过在表面上呈格子状形成的多条分割预定线(间隔道)而形成了多个矩形形状的区域，在这些多个矩形形状的区域中分别形成有器件。关于搬出单元3，其将收容在晶片盒6中的晶片W搬出到可由搬送单元5搬送的临时放置工作台4上，临时放置工作台4临时放置由搬出单元3搬出的晶片W。搬送单元5用于把持被搬出到临 时放置工作台4上的晶片W的框体F部分，并将其搬送到吸盘工作台20上。此处，在本实施方式中，如后所述，吸盘工作台20由在Y轴方向上彼此相邻地配设的两个吸盘工作台构成，利用搬送单元5的由门型支柱结构形成的搬送导轨5a部分被设定为这样的长度：可从临时放置工作台4部分横亘两个吸盘工作台部分进行移动。

[0032] 此外，吸盘工作台20用于保持晶片W，切削单元30具有对保持在吸盘工作台20上的晶片W进行切削的切削刀具33，加工进给单元40使吸盘工作台20在X轴方向上进行加工进给，分度进给单元50使切削单元30在Y轴方向上进行分度进给，切深进给单元60使切削单元30在Z轴方向上进行切深进给，对准单元70对保持在吸盘工作台20上的晶片W进行摄像，以检测出应当切削的区域，对准分度进给单元80使对准单元70在Y轴方向上进行分度进给。

[0033] 此处，在本实施方式中，如图2所示，吸盘工作台20由以在Y轴方向上相邻的方式配设的第一吸盘工作台20a和第二吸盘工作台20b构成。与此对应，如图2～图4等所示，切削单元30、加工进给单元40、分度进给单元50、切深进给单元60、对准单元70、以及对准分度进给单元80，也分别由第一、第二切削单元30a、30b，第一、第二加工进给单元40a、40b，第一、第二分度进给单元50a、50b，第一、第二切深进给单元60a、60b，第一、第二对准单元70a、70b，以及第一、第二对准分度进给单元80a、80b构成，这些部件配置在设置于装置壳体7内的底座8上。下面对这些部件的结构例参照图2～图4进行说明。

[0034] 第一、第二吸盘工作台20a、20b由多孔质陶瓷等多孔性材料构成，它们与未图示的抽吸单元连接。从而，通过利用抽吸单元使第一、第二吸盘工作台20a、20b有选择地连通到抽吸源，来抽吸保持载置在载置面上的晶片W或伪晶片DW。这些第一、第二吸盘工作台20a、20b分别可旋转地配设在第一、第二圆筒部件21a、21b上，并与设置在第一、第二圆筒部件21a、21b内的未图示的脉冲电动机等驱动源连接，而且构成为可以适当地转动。并且，在圆筒部件21a、21b的上端部，配设有矩形形状的第一、第二盖部件22a、22b，在第一、第二盖部件22a、22b的上表 面，配设有用于检测后述的第一、第二切削刀具的位置的第一、第二刀具检测单元23a、23b。此外，在第一、第二盖部件22a、22b的X轴方向两端连接有可自由伸缩的未图示的波纹部件，从而构成为即使第一、第二吸盘工作台20a、20b被加工进给而发生位置移动，也可以与第一、第二盖部件22a、22b一起，始终覆盖第一、第二加工进给单元40a、40b上方。

[0035] 第一、第二加工进给单元40a、40b用于通过使安装有第一、第二圆筒部件21a、21b的第一、第二支承底座41a、41b沿着X轴方向移动，来使第一、第二吸盘工作台20a、20b分别相对于第一、第二切削单元30a、30b在X轴方向上进行加工进给(切削进给)。这些第一、第二加工进给单元40a、40b由以下部分构成：滚柱丝杠42a、42b，它们沿X轴方向配设；脉冲电动机43a、43b，它们连接在滚柱丝杠42a、42b的一端；一对导轨44a、44b，它们与滚柱丝杠42a、42b平行地配设在底座8上，在滚柱丝杠42a、42b上旋合有设置在支承底座41a、
41b的下部的未图示的螺母。从而构成为这样的结构：滚柱丝杠42a、42b由可以自由正反转的脉冲电动机43a、43b驱动而旋转，伴随该旋转，支承底座41a、41b由导轨44a、44b引导着在X轴方向上往复移动。

[0036] 此外，本实施方式的切削装置1具有支承框体9，该支承框体9以跨过导轨44a、44b并与X轴方向正交的方式配设在底座8上，而且形成为门型形状以便不妨碍第一、第二吸盘工作台20a、20b在X轴方向上的移动，在该支承框体9的沿Y轴方向配设的支承部9a上安装有：第一、第二切削单元30a、30b，第一、第二分度进给单元50a、50b，第一、第二切深进给单元60a、60b，第一、第二对准单元70a、70b，以及第一、第二对准分度进给单元80a、
80b。并且，支承框体9的两侧的支柱9b、9c的一部分形成为宽度较大，在宽度较大的部分上形成有开口9d、9e，开口9d、9e允许第一、第二切削单元30a、30b在Y轴方向上的移动。 [0037] 第一、第二对准单元70a、70b分别与第一、第二吸盘工作台20a、20b对应地配设在支承框体9的支承部9a的X轴方向的一面，第一、第二对准单元70a、70b由第一、第二移动块71a、71b、以及安装在第一、 第二移动块71a、71b上的第一、第二摄像单元72a、72b构成。
第一、第二摄像单元72a、72b分别具有CCD等摄像元件，从而可从上方对保持在第一、第二吸盘工作台20a、20b上的晶片W进行摄像，并将摄像得到的图像信号输出到未图示的控制单元中。

[0038] 第一、第二对准分度进给单元80a、80b用于通过使安装有第一、第二摄像单元72a、72b的第一、第二移动块71a、71b在Y轴方向上移动，来使第一、第二对准单元70a、70b分别相对于第一、第二吸盘工作台20a、20b上的晶片W在Y轴方向上进行分度进给。这些第一、第二对准分度进给单元80a、80b由以下部分构成：滚柱丝杠81a、81b，它们在支承部
9a的一面沿Y轴方向配设；脉冲电动机82a、82b，它们连接在滚柱丝杠81a、81b的一端；以及一对共用导轨83，其与滚柱丝杠81a、81b平行地配设在支承部9a的一面上，在滚柱丝杠
81a、81b上旋合有设置在移动块71a、71b内的未图示的螺母。从而成为这样的结构：滚柱丝杠81a、81b被可以自由正反转的脉冲电动机82a、82b驱动而旋转，伴随该旋转，移动块71a、
71b由导轨83引导着在Y轴方向上往复移动。

[0039] 第一、第二切削单元30a、30b配设在支承框体9的支承部9a的下部，如图3和图4所示，其具有：主轴箱31a、31b；旋转主轴32a、32b，它们可旋转地由主轴箱31a、31b支承；
第一、第二切削刀具33a、33b，它们可自由更换地安装在旋转主轴32a、32b的一端；切削液供给喷嘴34a、34b，它们对第一、第二切削刀具33a、33b提供切削液；刀具罩35a、35b，它们覆盖第一、第二切削刀具33a、33b；以及未图示的伺服电动机，其旋转驱动旋转主轴32a、
32b。此处，旋转主轴32a、32b的轴线方向配设成与Y轴方向所示的分度方向一致，为了同时并行地进行对同一晶片W的切削的双切割，由同一结构构成的第一、第二切削刀具33a、
33b设定为在Y轴方向上对置。

[0040] 第一、第二切深进给单元60a、60b用于通过使安装有第一、第二切削单元30a、30b的第一、第二切深移动底座61a、61b在Z轴方向上移动，来使第一、第二切削刀具33a、33b相对于吸盘工作台20a或20b上的晶片W在Z轴方向上进行切深进给。这里，第一、第二切深移动底座 61a、61b在Y轴方向上观察形成为大致L字形状，它们使第一、第二切削刀具33a、33b位于内侧，使主轴箱31a、31b安装在正下方，并且第一、第二切深移动底座61a、61b配设在支承部9a的X轴方向的另一面上。这些第一、第二切深进给单元60a、60b由以下部分构成：滚柱丝杠62a、62b，它们配设在Z轴方向上；脉冲电动机63a、63b，它们连接在滚柱丝杠62a、62b的一端；以及一对导轨64a、64b，它们与滚柱丝杠62a、62b平行地配设在第一、第二分度移动底座51a、51b上。在滚柱丝杠62a、62b上旋合有设置在切深移动底座
61a、61b内的未图示的螺母。从而成为这样的结构：滚柱丝杠62a、62b被可以自由正反转的脉冲电动机63a、63b驱动而旋转，伴随该旋转，切深移动底座61a、61b由导轨64a、64b引导着在Z轴方向上往复移动。

[0041] 第一、第二分度进给单元50a、50b用于通过使具有可在Z轴方向上自由移动的第一、第二切深移动底座61a、61b的第一、第二分度进给移动底座51a、51b在Y轴方向上移动，来使第一、第二切削刀具33a、33b相对于吸盘工作台20a或20b上的晶片W在Y轴方向上进行分度进给。这些第一、第二分度进给单元50a、50b由以下部分构成：滚柱丝杠52a、52b，它们沿Y轴方向配设；脉冲电动机53a、53b，它们连接在滚柱丝杠52a、52b的一端；以及一对共用导轨54，其与滚柱丝杠52a、52b平行地配设在支承部9a的X轴方向的多面侧上，在滚柱丝杠52a、52b上旋合有设置在分度移动底座51a、51b内的未图示的螺母。从而成为这样的结构：滚柱丝杠52a、52b被可以自由正反转的脉冲电动机53a、53b驱动而旋转，伴随该旋转，分度移动底座51a、51b由导轨54引导着在Y轴方向上往复移动。这里，由这些第一、第二分度进给单元50a、50b驱动的第一、第二切削刀具33a、33b的分度进给量，被设定为使其可跨越吸盘工作台20a、20b之间进行移动。

[0042] 接下来，对使用这样的切削装置1的晶片W的加工方法进行说明。首先，从晶片盒6中由搬出单元3将晶片W搬出到临时放置工作台4上，通过搬送单元5将搬出到临时放置工作台4上的晶片W搬送到第一吸盘工作台20a上。此时，第一吸盘工作台20a定位在图2所示的晶片装卸 位置上。然后，通过使未图示的抽吸单元工作，将晶片W抽吸保持在第一吸盘工作台20a上(晶片保持工序)。

[0043] 接着，通过第一加工进给单元40a的工作，使抽吸保持有晶片W的第一吸盘工作台20a移动到第一对准单元70a的对准区域。然后，使第一对准分度进给单元80a工作，使第一对准单元70a移动成使得保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W定位在第一对准单元70a的第一摄像单元72a的正下方。因此，通过第一摄像单元72a，对第一吸盘工作台20a上的晶片W的表面进行摄像，检测出形成在晶片W的表面上的分割预定线，以供利用第一、第二切削刀具33a、33b的切削加工动作的定位(对准工序)。

[0044] 在对这样保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W，通过第一对准单元70a执行对准工序的期间，通过搬送单元5将晶片W搬送到定位在图2所示的晶片装卸位置上的第二吸盘工作台20b上。然后，通过使未图示的抽吸单元工作，来将载置在第二吸盘工作台20b上的晶片W抽吸保持在第二吸盘工作台20b上(晶片保持工序)。

[0045] 接着，通过第二加工进给单元40b的工作，使抽吸保持有晶片W的第二吸盘工作台20b移动到第二对准单元70b的对准区域。然后执行这样的对准工序：使第二对准分度进给单元80b工作，使第二对准单元70b移动成使保持在第二吸盘工作台20b上的晶片W定位在第二对准单元70b的第二摄像单元72b的正下方，通过第二摄像单元72b，对第二吸盘工作台20b上的晶片W的表面进行摄像，检测出形成在晶片W的表面上的分割预定线。该对准工序也与上述对准工序同样地执行。

[0046] 另一方面，在结束了上述第一摄像单元72a的对准工序后，使第一切削单元30a的分度进给单元50a工作，使第一切削单元30a的第一切削刀具33a定位于与形成在由第一吸盘工作台20a保持的晶片W上的中央分割预定线对应的位置，然后，使第一切深进给单元60a工作，使第一切削刀具33a下降，并定位在预定的切深进给位置上。同样地，使第二切削单元30b的分度进给单元50b工作，使第二切削单元30b的第二切削刀具33b定位于与形成在由第一吸盘工作台20a保持的晶片W上的端 部的分割预定线对应的位置，然后使第二切深进给单元60b工作，使第二切削刀具33b下降，定位在预定的切深进给位置上。接下来，一边使第一、第二切削单元30a、30b的第一、第二切削刀具33a、33b旋转，一边使第一加工进给单元40a工作，使第一吸盘工作台20a在X轴方向上进行加工进给，由此，利用高速旋转的第一、第二切削刀具33a、33b，对保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W的预定的分割预定线进行切削(切削工序)。亦即，如图5-1所示，第一、第二切削刀具33a、33b以双切割方式同时并行地执行对同一晶片W的切削。

[0047] 当沿着保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W的预定的分割预定线进行切削时，使第一、第二切削单元30a、30b的第一、第二分度进给单元50a、50b，在Y轴方向进行相当于分割预定线的间隔的分度进给，然后再次执行上述切削工序。这样，通过在反复进行分度进给的同时每次都执行切削工序，晶片W被沿着在预定方向上形成的所有的分割预定线切削。当沿着在预定方向上形成的所有的分割预定线对晶片W进行了切削之后，使保持有晶片W的第一吸盘工作台20a旋转90度。然后对保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W，反复执行伴随上述分度进给的切削工序，由此，晶片W被沿着形成为格子状的所有的分割预定线切削，从而被分割为一个个器件芯片。另外，即使晶片W被分割为一个个器件芯片，由于其粘贴在安装于环状框体F的保持胶带T上，因此，不会分散开来，可维持晶片的形态。 [0048] 当对保持在这样的第一吸盘工作台20a上的晶片W结束了切削工序之后，对于保持在第二吸盘工作台20b上的、执行过了对准工序的晶片W，与上述情况一样地以双切割方式利用第一、第二切削刀具33a、33b执行切削工序。

[0049] 另一方面，在对保持在第二吸盘工作台20b上的晶片W执行切削工序的过程中，保持有结束了切削工序的晶片W的第一吸盘工作台20a，借助于第一加工进给单元40a，从切削区域朝向晶片装卸位置移动，并在该晶片装卸位置解除对晶片W的抽吸保持。然后，被分割为一个个器件芯片的晶片W，通过搬送单元5被搬送到下一工序。当分割过的晶片W 向下一工序的搬送结束时，在第一吸盘工作台20a上执行搬送和保持下一个晶片W的晶片保持工序，然后，依次执行对准工序、切削工序。

[0050] 此外，在对保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W执行切削工序的过程中，保持有结束了切削工序的晶片W的第二吸盘工作台20b，借助于第二加工进给单元40b从切削区域朝向晶片装卸位置移动，并在该晶片装卸位置解除对晶片W的抽吸保持。然后，被分割为一个个器件芯片的晶片W，通过搬送单元5被搬送到下一工序。当分割后的晶片W向下一工序的搬送结束时，在第二吸盘工作台20b上执行搬送和保持下一个晶片W的晶片保持工序，然后依次执行对准工序、切削工序。

[0051] 接下来，说明以下情况下的处理：在对这样的晶片W进行切削的半途中，第一、第二切削刀具33a、33b中的某个上产生破损，而更换为新的切削刀具。

[0052] 首先，在利用第一、第二切削刀具33a、33b对保持在例如如图5-1所示的第一吸盘工作台20a上的晶片W，进行切削的半途中，以第二切削刀具33b产生破损，将第二切削刀具33b更换为新的第二切削刀具33b′的情况进行说明。当在切削过程中第二切削刀具33b产生破损的情况下，暂时中断对保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W的切削动作，使破损了的第二切削刀具33b返回到初始位置。然后由操作者从旋转主轴32b上卸下第二切削刀具33b，将新的第二切削刀具33b′安装到旋转主轴32b上。

[0053] 此时，切削半途中的晶片W仍维持保持在第一吸盘工作台20a上的状态，当在第二吸盘工作台20b上载置有未切削的晶片W的情况下，解除对该未切削的晶片W的抽吸保持，通过搬送单元5和搬出单元3使其返回到晶片盒6内之后，将收容在晶片盒6内的最下层的伪晶片DW，通过搬出单元3和搬送单元5搬送到第二吸盘工作台20b上进行保持。然后，如图5-2所示，将具有更换的新的第二切削刀具33b′的第二切削单元30b，通过第二分度进给单元50b、第二切深进给单元60b，定位在第二吸盘工作台20b上的伪晶片DW上。接着，执行这样的预切割：一边使新的第二切削刀具33b′旋转，一边使第二加工进给单元40b工作，使 第二吸盘工作台20b在X轴方向上进行加工进给，从而，利用高速旋转的新的第二切削刀具33b′，对保持在第二吸盘工作台20b上的伪晶片DW进行切削(预切割工序)。这样的预切割工序通过使新的切削刀具33b′进行适当次数的分度进给以反复进行加工进给，来重复执行切削工序，以使切削刀具33b′与晶片W磨合。

[0054] 在这样的预切割工序中是这样的情况：第二切削刀具33b′位于保持伪晶片DW的第二吸盘工作台20b侧，利用该第二切削刀具33b′执行对伪晶片DW进行切削的预切割的情况，由于第一切削刀具33a不需要进行更换和退避动作等，因此，如图5-2所示，对维持保持在第一吸盘工作台20a上状态的切削半途中的晶片W，可切换到只利用第一切削刀具33a的单切割模式，继续进行剩余的切削工序。从而，在利用更换后的切削刀具33b′对伪晶片DW进行的预切割动作中，可以用第一切削刀具33a继续进行对切削半途中的晶片W的切削动作，可以使晶片加工的效率提高。

[0055] 另一方面，考虑这样的情况：在利用第一、第二切削刀具33a、33b对保持在例如如图5-1所示的第一吸盘工作台20a上的晶片W进行切削的半途中，第一切削刀具33a产生破损，将第一切削刀具33a更换为新的第一切削刀具33a′。当在切削过程中第一切削刀具33a产生破损的情况下，暂时中断对保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W的切削动作，使第一、第二切削刀具33a、33b均返回到初始位置。然后由操作者从旋转主轴32a上卸下第一切削刀具33a，将新的第一切削刀具33a′安装到旋转主轴32a上。

[0056] 此时，切削半途中的晶片W仍维持保持在第一吸盘工作台20a上的状态，当在第二吸盘工作台20b上载置有未切削的晶片W的情况下，解除对该未切削的晶片W的抽吸保持，通过搬送单元5、搬出单元3，使其返回到晶片盒6内之后，将收容在晶片盒6内的最下层的伪晶片DW，通过搬出单元3和搬送单元5搬送到第二吸盘工作台20b上进行保持。然后如图5-3所示，使不需要更换的第二切削刀具33b维持在初始位置待机的状态，将具有更换的新的第一切削刀具33a′的第一切削单元30a，通 过第一分度进给单元50a和第一切深进给单元60a，定位在第二吸盘工作台20b上的伪晶片DW上。接着，执行这样的预切割：一边使新的第一切削刀具33a′旋转，一边使第二加工进给单元40b动作，使第二吸盘工作台20b在X轴方向上进行加工进给，从而，利用高速旋转的新的第一切削刀具33a′，对保持在第二吸盘工作台20b上的伪晶片DW进行切削(预切割工序)。这样的预切割工序使新的第一切削刀具33a′进行适当次数的分度进给以反复进行加工进给，反复执行切削工序，以使切削刀具33a′与晶片W磨合。

[0057] 在这样的预切割工序中是这样的情况：利用不是位于保持伪晶片DW的第二吸盘工作台20b侧的第二切削刀具33b的第一切削刀具33a′，来执行切削伪晶片DW的预切割，如图5-3所示，由于在第一吸盘工作台20a上并不存在切削刀具，因此，对维持保持在第一吸盘工作台20a上的状态的、处于切削半途中的晶片W的切削工序中断，直到对第一切削刀具33a′的预切割工序结束。当预切割工序结束之后，通过使第一、第二切削刀具33a′、33b定位于维持保持在第一吸盘工作台20a上状态的处于切削半途中的晶片W的中断前的切削位置上，再次开始切削工序。由此，不需要卸下第一吸盘工作台20a上的切削半途中的晶片W，也不需要再次进行对准，可以高效地加工晶片W。

[0058] 并且，上述预切割工序以对保持在第一吸盘工作台20a上的晶片W进行切削的半途中必须更换切削刀具的情况的示例进行了说明，但对保持在第二吸盘工作台20b上的晶片W进行切削的半途中必须更换切削刀具33a或33b的情况下，也同样可以适用。 [0059] 此外，在本实施方式中，对双切割方式的切削单元30的示例进行了说明，该切削单元30具有使同一结构的第一、第二切削刀具33a、33b对置的结构，并同时并行地进行对同一晶片W的切削，但对这样的步进切割方式的情况也可以适用：具有第一、第二切削单元，第一、第二切削单元具有对晶片W的切削深度不同的第一、第二切削刀具，对同一分割预定线利用第一、第二切削刀具分两个阶段依次进行切削，此外，也可以适用于使用只有一个切削刀具的切削单元来对晶片W进行切削的情 况。在这些情况下，在切削刀具产生破损而更换为新的切削刀具之后的预切割动作过程中，由于对维持在切削半途中的状态的晶片无法继续进行切削工序，因此，可使切削工序中断直到预切割工序结束为止，在预切割工序结束之后再次开始切削工序。

[0060] 此外，在本实施方式中，在执行预切割时，将收容在晶片盒6的最下层的伪晶片DW作为预切割用进行供给，但例如也可以如图6和图7所示，在形成于晶片盒工作台2下部的伪晶片收容部2a中，预先收容一块或两块伪晶片DW，在执行预切割时，使伪晶片收容部2a上升到可供给伪晶片DW的位置，以进行预切割用的供给。如果这样，就不需要将切削刀具破损时很少进行的预切割所用的伪晶片DW每次都收容到晶片盒6内，可以只收容成为切削对象的晶片W。并且，在图6和图7中，90是使晶片盒工作台2升降的升降单元，其具有：滚柱丝杠91，其与晶片盒工作台2的一部分旋合；可自由地正反旋转的电动机92，其使滚柱丝杠91旋转；以及导轨93，其引导晶片盒工作台2在Z轴方向上的移动。