TFT基板检查装置转让专利
申请号 : CN200680016715.X
文献号 : CN101176006B
文献日 : 2010-09-01
发明人 : 小西康雄
申请人 : 株式会社岛津制作所
摘要 :
一种TFT基板检查装置，能够以短时间利用高温进行基板检查。本发明的TFT基板检查装置(1)包括对已导入的TFT基板(9)进行基板检查的检查室(4)、以及将TFT基板导入至检查室内的加载互锁真空室(2)，加载互锁真空室(2)包括对所导入的TFT基板进行预备加热的加热单元(10)，检查室(4)包括将从加载互锁真空室导入的TFT基板进行保温的保温单元(11)。利用加热单元(10)对TFT基板(9)预备加热，可将处于高温状态下的TFT基板导入至检查室内，因而检查室内无需用于加热至高温的机构，而且无需使检查室内升温的时间即可进行基板检查。
权利要求 :
1.一种TFT基板检查装置，是使用电子束的检查装置，包括对所导入的TFT基板进行基板检查的检查室、以及将TFT基板导入至上述检查室内的加载互锁真空室，其特征在于：上述加载互锁真空室包括加热单元，用于对导入的TFT基板预备加热，以及上述检查室包括保温单元，用于将从加载互锁真空室导入的TFT基板进行保温。
2.如权利要求1所述的TFT基板检查装置，其中上述加热单元的热容量设为大于上述保温单元的热容量，并且上述加热单元对TFT基板进行快速加热。
3.如权利要求1或2所述的TFT基板检查装置，其中上述加热单元的加热设定温度高于上述保温单元的保温设定温度。
4.如权利要求1或2所述的TFT基板检查装置，其中上述加热单元是加热灯，上述保温单元是薄膜加热器或者护套加热器。
说明书 :
技术领域
本发明关于一种TFT基板检查装置，特别是关于在高温状态下对导入至检查装置内的TFT基板进行检查的TFT基板检查装置。
背景技术
已知悉，利用半导体制造装置，可在真空状态下对包括护套加热器(sheath heater)的基板等进行加热(请参照日本专利早期公开第8-20868号公报)。
关于TFT基板检查装置，虽然TFT基板检查通常是在常温下进行，但是期待通过在高温状态下进行TFT基板检查，可易于检出在常温下难以检出的TFT基板缺陷，并提高缺陷检出的效率。
上述在高温状态下检查TFT基板时，可考虑在检查室设置加热单元，并利用加热单元将已导入至检查室内的TFT基板加热到特定温度，之后进行检查。
采用高温加热器作为设置于检查室的加热单元时，可将TFT基板以短时间从常温加热至特定的高温状态，但是高温加热器必须具有较多的热容量，因此需要较大的空间。通常，基板检查是在真空状态下进行，为此，检查室为缩短排气时间而设为仅有有限的空间，进而，于该有限的空间内设置有荷电粒子束源、可移动地支持TFT基板的平台机构、及利用光束照射而对于从TFT基板所放出的二次电子等进行检查的检出器等各种检查用装置。因此，难以在此狭窄的空间内设置必须具有较大空间的高温加热器。
假设，于检查室内设定有高温加热器的情形时，因检查室的空间被扩大，因此检查室需要排气时间，使得TFT基板的检查时间延长，于TFT基板的基板制造线上，在生产线上进行TFT基板检查时，TFT基板的产量下降。
又，采用例如可安装于检查室内狭窄空间的小型加热器设为加热单元时，因加热器的热容量较小，将已导入至检查室内的TFT基板从常温加热至高温状态需要较长时间，且与上述情形相同，TFT基板置检查需要较长的时间，于TFT基板的基板制造线上，在生产线上进行TFT基板检查时，TFT基板的产量下降。进而，流通于加热单元的大电流所产生的电场可能对电子束造成影响。
因此，将TFT基板加热至高温并进行基板检查时，存在以下问题：TFT基板检查需要较长时间；TFT基板产量下降；或者因电场导致电子束混乱。
关于TFT基板检查装置，虽然TFT基板检查通常是在常温下进行，但是期待通过在高温状态下进行TFT基板检查，可易于检出在常温下难以检出的TFT基板缺陷，并提高缺陷检出的效率。
上述在高温状态下检查TFT基板时，可考虑在检查室设置加热单元，并利用加热单元将已导入至检查室内的TFT基板加热到特定温度，之后进行检查。
采用高温加热器作为设置于检查室的加热单元时，可将TFT基板以短时间从常温加热至特定的高温状态，但是高温加热器必须具有较多的热容量，因此需要较大的空间。通常，基板检查是在真空状态下进行，为此，检查室为缩短排气时间而设为仅有有限的空间，进而，于该有限的空间内设置有荷电粒子束源、可移动地支持TFT基板的平台机构、及利用光束照射而对于从TFT基板所放出的二次电子等进行检查的检出器等各种检查用装置。因此，难以在此狭窄的空间内设置必须具有较大空间的高温加热器。
假设，于检查室内设定有高温加热器的情形时，因检查室的空间被扩大，因此检查室需要排气时间，使得TFT基板的检查时间延长，于TFT基板的基板制造线上，在生产线上进行TFT基板检查时，TFT基板的产量下降。
又，采用例如可安装于检查室内狭窄空间的小型加热器设为加热单元时，因加热器的热容量较小，将已导入至检查室内的TFT基板从常温加热至高温状态需要较长时间，且与上述情形相同，TFT基板置检查需要较长的时间，于TFT基板的基板制造线上，在生产线上进行TFT基板检查时，TFT基板的产量下降。进而，流通于加热单元的大电流所产生的电场可能对电子束造成影响。
因此，将TFT基板加热至高温并进行基板检查时，存在以下问题：TFT基板检查需要较长时间；TFT基板产量下降；或者因电场导致电子束混乱。
发明内容
因此，本发明的目的在于解决上述先前的问题点，利用TFT基板检查装置，以短时间于高温下进行基板检查。
又，本发明的目的在于利用TFT基板装置于高温下进行基板检查，而不会使其产量下降。
本发明中，利用TFT基板检查装置，在将TFT基板导入至检查室内的前段时期进行预备加热，并且于检查室仅对已加热的基板加以保温。借此，无需于检查室内进行高温加热，可避免基板在检查室内长时间滞留，因此能够以短时间进行检查。又，也可使设置于检查室的加热器小型化。
本发明的TFT基板检查装置是使用电子束的检查装置，其构成为，包括对已导入的TFT基板进行基板检查的检查室、以及用以将TFT基板导入至检查室内的加载互锁真空室(load-lock chamber)，其中加载互锁真空室包括对所导入的TFT基板进行预备加热的加热单元，检查室包括对从加载互锁真空室所导入的TFT基板加以保温的保温单元。
根据上述构成，由于利用设置于加载互锁真空室内的加热单元对TFT基板进行预备加热，而可将处于高温状态下的TFT基板导入至检查室内，故检查室内可无需加热至高温的机构，又，无需时间用以使检查室升温即可进行基板检查。
又，本申请发明的构成，由于在加载互锁真空室内进行预备加热，于对先前导入至检查室内的TFT基板进行基板检查期间，可将下一个TFT基板加热至高温，因此，可最小限度地控制因预备加热引起的检查时间的累加，当预备加热在通常的检查时间内结束时，可使用与通常相同的检查时间在高温下进行基板检查。
又，由于检查室中可在防止经过预备加热的基板温度下降的程度下加以保温，因而小型的保温单元便足够。为此，因要设置保温单元而需要的检查室容积的增加可控制在最小限度。而且，可降低对检查室中电子束的影响。
又，加热单元的热容量大于保温单元的热容量，因此可快速加热TFT基板。
将TFT基板从加载互锁真空室传送至检查室期间，已在加载互锁真空室中预备加热的TFT基板的温度有所下降。本发明的加热单元，可先预测从加载互锁真空室传送至检查室期间TFT基板的温度下降量，并根据此温度下降量，将加热单元的加热设定温度设定为高于保温单元的保温设定温度。藉由设定该加热设定温度及保温设定温度，即使当TFT基板在传送中温度下降时，由于检查室内仅对TFT基板加以保温，因此亦可进行高温检查。
本申请发明的TFT基板检查装置中，可使用加热灯作为加热单元，又，可使用薄膜加热器或者护套加热器作为保温单元。
根据本发明，利用TFT基板检查装置，可使用短时间于高温下进行基板检查。又，利用TFT基板装置，可于高温下进行基板检查而不降低其产量。
又，本发明的目的在于利用TFT基板装置于高温下进行基板检查，而不会使其产量下降。
本发明中，利用TFT基板检查装置，在将TFT基板导入至检查室内的前段时期进行预备加热，并且于检查室仅对已加热的基板加以保温。借此，无需于检查室内进行高温加热，可避免基板在检查室内长时间滞留，因此能够以短时间进行检查。又，也可使设置于检查室的加热器小型化。
本发明的TFT基板检查装置是使用电子束的检查装置，其构成为，包括对已导入的TFT基板进行基板检查的检查室、以及用以将TFT基板导入至检查室内的加载互锁真空室(load-lock chamber)，其中加载互锁真空室包括对所导入的TFT基板进行预备加热的加热单元，检查室包括对从加载互锁真空室所导入的TFT基板加以保温的保温单元。
根据上述构成，由于利用设置于加载互锁真空室内的加热单元对TFT基板进行预备加热，而可将处于高温状态下的TFT基板导入至检查室内，故检查室内可无需加热至高温的机构，又，无需时间用以使检查室升温即可进行基板检查。
又，本申请发明的构成，由于在加载互锁真空室内进行预备加热，于对先前导入至检查室内的TFT基板进行基板检查期间，可将下一个TFT基板加热至高温，因此，可最小限度地控制因预备加热引起的检查时间的累加，当预备加热在通常的检查时间内结束时，可使用与通常相同的检查时间在高温下进行基板检查。
又，由于检查室中可在防止经过预备加热的基板温度下降的程度下加以保温，因而小型的保温单元便足够。为此，因要设置保温单元而需要的检查室容积的增加可控制在最小限度。而且，可降低对检查室中电子束的影响。
又，加热单元的热容量大于保温单元的热容量，因此可快速加热TFT基板。
将TFT基板从加载互锁真空室传送至检查室期间，已在加载互锁真空室中预备加热的TFT基板的温度有所下降。本发明的加热单元，可先预测从加载互锁真空室传送至检查室期间TFT基板的温度下降量，并根据此温度下降量，将加热单元的加热设定温度设定为高于保温单元的保温设定温度。藉由设定该加热设定温度及保温设定温度，即使当TFT基板在传送中温度下降时，由于检查室内仅对TFT基板加以保温，因此亦可进行高温检查。
本申请发明的TFT基板检查装置中，可使用加热灯作为加热单元，又，可使用薄膜加热器或者护套加热器作为保温单元。
根据本发明，利用TFT基板检查装置，可使用短时间于高温下进行基板检查。又，利用TFT基板装置，可于高温下进行基板检查而不降低其产量。
附图说明
图1是用以说明本发明的TFT基板检查装置的概略图。
图2是用以说明本发明的TFT基板检查装置的一构成例的说明图。
图3是用以说明本发明的加热平台的构成例的说明图。
图4是表示本发明的检查室中温度状态的实验例的图式。
图5是表示本发明的检查室中温度状态的另一实验例的图式。
1：基板检查装置 2：加载互锁真空室
2a：IR灯 2b：闸门
3：传送室 3a：传送机器人
3b：支持臂 4：检查室
4b：θ平台
4c：XY平台 5：加热平台
5a：支持面 5b：槽部
9：TFT基板 9A：导入的TFT基板
9B：导出的TFT基板 9a：位于外部的TFT基板
9b：导入至加热单元的TFT基板 9c：导入至检查室的TFT基板
9d：保持于高温状态的TFT基板 9e：已完成基板检查的TFT基板
9f：从传送室所传送的TFT基板 10：加热单元
11：保温单元 11a：加热器
图2是用以说明本发明的TFT基板检查装置的一构成例的说明图。
图3是用以说明本发明的加热平台的构成例的说明图。
图4是表示本发明的检查室中温度状态的实验例的图式。
图5是表示本发明的检查室中温度状态的另一实验例的图式。
1：基板检查装置 2：加载互锁真空室
2a：IR灯 2b：闸门
3：传送室 3a：传送机器人
3b：支持臂 4：检查室
4b：θ平台
4c：XY平台 5：加热平台
5a：支持面 5b：槽部
9：TFT基板 9A：导入的TFT基板
9B：导出的TFT基板 9a：位于外部的TFT基板
9b：导入至加热单元的TFT基板 9c：导入至检查室的TFT基板
9d：保持于高温状态的TFT基板 9e：已完成基板检查的TFT基板
9f：从传送室所传送的TFT基板 10：加热单元
11：保温单元 11a：加热器
具体实施方式
以下，对于本发明的实施形态，参照图加以详细说明。
图1是用以说明本发明所述的TFT基板检查装置的概略图。TFT基板检查装置1包括检查TFT基板9的检查室4、在外部与TFT基板检查装置1之间传出传TFT基板9的加载互锁真空室(LL室)2、以及在加载互锁真空室2与检查室4之间传送TFT基板9的传送室3。
加载互锁真空室2包括加热单元10，其在外部与传送室3之间导出导入TFT基板9、并且对所导入的TFT基板9进行预备加热。加热单元10是利用较大热容量，将导入至加载互锁真空室2内的TFT基板9，从常温快速加热至进行高温检查时所需的特定高温状态的加热单元，可使用例如IR灯。
传送室3是在加载互锁真空室2与检查室4之间传送TFT基板9的单元，可使用例如传送机器人。再者，未必需要传送室3，可将传送机器人设置于加载互锁真空室2内或者检查室4内。
检查室4除包括用以对TFT基板9进行基板检查的机构以外，亦包括将TFT基板保持于高温状态的保温单元11。基板检查机构可为TFT基板检查装置通常所包括的机构，例如包括使电子束等荷电粒子束在TFT基板上扫描的荷电粒子束源、样本平台、利用荷电粒子束的扫描而对从样本所放出的二次电子等进行检出的检出器等。
保温单元11是利用上述加热单元10进行预备加热，而将已加热至高温的TFT基板9保持于高温状态的单元。保温单元11目的在于维持在特定的高温状态，因此，与以从常温快速预备加热至高温为目的的加热单元9相比，其具有更小的热容量便足够，例如可使用薄膜加热器或护套加热器等。由于该保温单元11所必要的热容量可为较小，因而可将其尺寸设为小型，例如使其内置于支持TFT基板的平台，则亦可容易地配置在空间受限制的检查室4内。
其次，就TFT基板9的传送动作与TFT基板的预备加热以及保温动作加以说明。将位于外部的TFT基板9a(图1中的(A)状态)导入至加载互锁真空室2内，并利用加热单元10将所导入的TFT基板9b从常温快速地预备加热至高温(图1中的(B)状态)。关于此预备加热的加热温度，预计在由传送室3进行传送期间会有所下降，因此可将其设为高于在检查室4进行的高温检查的温度。
高温状态下经过预备加热的TFT基板9b，从加载互锁真空室2经由传送室3而被传送至检查室4。传送室3中，利用传送机器人，将TFT基板9c导入至检查室4(图1中的(C)状态)。
检查室4中，在利用保温单元11将TFT基板9d保持于高温的状态(图1中的(D)状态)下进行基板检查。
传送室3从检查室4接收已完成基板检查的TFT基板9e，并传送至加载互锁真空室2(图1中的(E)状态)。
加载互锁真空室2将从传送室3所传送的TFT基板9f(图1中的(F)状态)搬出至外部(图1中的(G)状态)。
图1(b)表示将TFT基板从加载互锁真空室2经由传送室3导入至检查室4时的温度状态。于加载互锁真空室2内，利用加热单元10将上述TFT基板从常温快速加热至高温(图1中的(B)状态)。传送室3在传送时TFT基板的温度有所下降(图1中的(C)状态)。
关于加载互锁真空室2中的预备加热，例如，预计因传送室而引起的温度下降，而将温度设定为将检查室4的导入时的温度与温度下降量相加后的温度，以使已导入至检查室4时的温度成为特定的高温状态。
检查室4中，将已导入至检查室4的高温TFT基板保持于特定的高温状态。该特定的温度状态，可根据对TFT基板进行高温检查时所需要的温度而设定。
再者，该温度设定，可考虑因TFT基板的位置所引起的温度偏差或时间改变而设定。
图2是TFT基板检查装置1的一个构成例，图2(a)表示从上方观察TFT基板检查装置的俯视图，图2(b)表示从侧面观察TFT基板检查装置的侧视图。
图2中所示的TFT基板检查装置1，是将加载互锁真空室2配置于下方位置、并将检查室4配置于加载互锁真空室2的上方位置的构成例；传送室3的传送机器人3a，在位于下方的加载互锁真空室2与上方的检查室4之间传送TFT基板。
加载互锁真空室2包括IR灯(红外灯)2a，作为对已导入的TFT基板9A进行预备加热的加热单元。再者，于IR灯2a的上方，配置有已完成基板检查的TFT基板9B，并导出至TFT基板检查装置的外部。对于导出的TFT基板9B可根据需要进行加热，并且从TFT基板检查装置1导出后，当必须以高温对TFT基板进行处理时，即使将其从加载互锁真空室2导出至外部时，亦可利用IR灯2a进行加热。
检查室4包括平台，其对于由传送机器人3a所传送的处于高温状态下的TFT基板加以保持。该平台包括用以进行角度调整的θ平台4b、以及用以调整X轴方向及Y轴方向的XY平台4c，而且，包括用以维持TFT基板的高温状态的加热器11a。该加热器11a可使用薄膜加热器或护套加热器。
再者，加载互锁真空室2与传送室3以及检查室4之间具有闸门2b，可使传送室3与检查室4内保持真空状态。
于TFT基板检查装置内的检查室4，TFT基板9载置于加热平台5上，从而进行预备加热。
图3是用以说明加热平台的构成例的说明图
图3(a)表示将加热平台5与TFT基板9分离后的状态。加热平台5包括将TFT基板9支持于上方、且平行排列的多个支持面5a，以及形成于该等支持面5a之间的多个槽部5b。进而，于支持面5a上设置有加热器11a。关于该加热平台5的构成，除设置于上述θ平台4b上以外，亦可与θ平台4b形成一体。
槽部5b形成用以插入传送机器人的支持臂3b(图3(a)中仅表示其一部分)的空间。于支持臂3b上载置有TFT基板9的状态下，传送机器人将该支持臂3b插入槽部5b内，藉此，使TFT基板9在加热平台5上移动。
传送机器人的支持臂3b于该臂上载置TFT基板9并进行传送。传送机器人在将TFT基板9载置于支持臂3b上的状态下使其在加热平台5上移动后，使支持臂3b下降，藉此将TFT基板9载置于加热平台5的支持面5a上。图3(b)表示于加热平台5上载置有TFT基板9的状态。支持臂3b在将TFT基板9载置于加热平台5上以后，从槽部5b抽回。基板检查是在已抽回支持臂3b的状态下进行。
设置于加热平台5的支持面5a上的加热器11a，将所载置的TFT基板9保持于高温状态，并在进行基板检查期间，将TFT基板9维持在特定的高温状态。
再者，于基板检查结束后，使支持臂3b在插入槽部5b内之后上升，并于支持臂3b上载置并支持已完成检查的TFT基板9，并将其从槽部5b抽回而进行传出。
以下，利用图4、图5，表示本发明中的检查室的温度状态的实验例。图4表示利用加热单元的预备加热，而将基板向检查室内导入时的温度设为120℃，并于检查室内利用保温单元将其保温在120℃时的实验结果；图5表示利用加热单元的预备加热，而将向检查室内导入基板时的温度设为100℃，并利用保温单元将其保温于125℃时的实验结果。
再者，加热单元中进行加热，使加载互锁真空室2的出口处的温度，成为将向检查室内导入基板时的温度与在传送部的温度下降量相加后所得的温度。
各图中的A、B、C表示基板温度在加热平台上各点A、B、C上的时间变化。此处，时间“0”是将TFT基板导入至检查室内的时刻。
根据图4、图5的实验结果，可将检查室内TFT基板的各部分大致保持于100℃。
本发明的TFT基板检查装置所包括的加热单元及保温单元，并非限于TFT基板，亦可适用于在高温状态下进行的任意半导体基板的检查中。
图1是用以说明本发明所述的TFT基板检查装置的概略图。TFT基板检查装置1包括检查TFT基板9的检查室4、在外部与TFT基板检查装置1之间传出传TFT基板9的加载互锁真空室(LL室)2、以及在加载互锁真空室2与检查室4之间传送TFT基板9的传送室3。
加载互锁真空室2包括加热单元10，其在外部与传送室3之间导出导入TFT基板9、并且对所导入的TFT基板9进行预备加热。加热单元10是利用较大热容量，将导入至加载互锁真空室2内的TFT基板9，从常温快速加热至进行高温检查时所需的特定高温状态的加热单元，可使用例如IR灯。
传送室3是在加载互锁真空室2与检查室4之间传送TFT基板9的单元，可使用例如传送机器人。再者，未必需要传送室3，可将传送机器人设置于加载互锁真空室2内或者检查室4内。
检查室4除包括用以对TFT基板9进行基板检查的机构以外，亦包括将TFT基板保持于高温状态的保温单元11。基板检查机构可为TFT基板检查装置通常所包括的机构，例如包括使电子束等荷电粒子束在TFT基板上扫描的荷电粒子束源、样本平台、利用荷电粒子束的扫描而对从样本所放出的二次电子等进行检出的检出器等。
保温单元11是利用上述加热单元10进行预备加热，而将已加热至高温的TFT基板9保持于高温状态的单元。保温单元11目的在于维持在特定的高温状态，因此，与以从常温快速预备加热至高温为目的的加热单元9相比，其具有更小的热容量便足够，例如可使用薄膜加热器或护套加热器等。由于该保温单元11所必要的热容量可为较小，因而可将其尺寸设为小型，例如使其内置于支持TFT基板的平台，则亦可容易地配置在空间受限制的检查室4内。
其次，就TFT基板9的传送动作与TFT基板的预备加热以及保温动作加以说明。将位于外部的TFT基板9a(图1中的(A)状态)导入至加载互锁真空室2内，并利用加热单元10将所导入的TFT基板9b从常温快速地预备加热至高温(图1中的(B)状态)。关于此预备加热的加热温度，预计在由传送室3进行传送期间会有所下降，因此可将其设为高于在检查室4进行的高温检查的温度。
高温状态下经过预备加热的TFT基板9b，从加载互锁真空室2经由传送室3而被传送至检查室4。传送室3中，利用传送机器人，将TFT基板9c导入至检查室4(图1中的(C)状态)。
检查室4中，在利用保温单元11将TFT基板9d保持于高温的状态(图1中的(D)状态)下进行基板检查。
传送室3从检查室4接收已完成基板检查的TFT基板9e，并传送至加载互锁真空室2(图1中的(E)状态)。
加载互锁真空室2将从传送室3所传送的TFT基板9f(图1中的(F)状态)搬出至外部(图1中的(G)状态)。
图1(b)表示将TFT基板从加载互锁真空室2经由传送室3导入至检查室4时的温度状态。于加载互锁真空室2内，利用加热单元10将上述TFT基板从常温快速加热至高温(图1中的(B)状态)。传送室3在传送时TFT基板的温度有所下降(图1中的(C)状态)。
关于加载互锁真空室2中的预备加热，例如，预计因传送室而引起的温度下降，而将温度设定为将检查室4的导入时的温度与温度下降量相加后的温度，以使已导入至检查室4时的温度成为特定的高温状态。
检查室4中，将已导入至检查室4的高温TFT基板保持于特定的高温状态。该特定的温度状态，可根据对TFT基板进行高温检查时所需要的温度而设定。
再者，该温度设定，可考虑因TFT基板的位置所引起的温度偏差或时间改变而设定。
图2是TFT基板检查装置1的一个构成例，图2(a)表示从上方观察TFT基板检查装置的俯视图，图2(b)表示从侧面观察TFT基板检查装置的侧视图。
图2中所示的TFT基板检查装置1，是将加载互锁真空室2配置于下方位置、并将检查室4配置于加载互锁真空室2的上方位置的构成例；传送室3的传送机器人3a，在位于下方的加载互锁真空室2与上方的检查室4之间传送TFT基板。
加载互锁真空室2包括IR灯(红外灯)2a，作为对已导入的TFT基板9A进行预备加热的加热单元。再者，于IR灯2a的上方，配置有已完成基板检查的TFT基板9B，并导出至TFT基板检查装置的外部。对于导出的TFT基板9B可根据需要进行加热，并且从TFT基板检查装置1导出后，当必须以高温对TFT基板进行处理时，即使将其从加载互锁真空室2导出至外部时，亦可利用IR灯2a进行加热。
检查室4包括平台，其对于由传送机器人3a所传送的处于高温状态下的TFT基板加以保持。该平台包括用以进行角度调整的θ平台4b、以及用以调整X轴方向及Y轴方向的XY平台4c，而且，包括用以维持TFT基板的高温状态的加热器11a。该加热器11a可使用薄膜加热器或护套加热器。
再者，加载互锁真空室2与传送室3以及检查室4之间具有闸门2b，可使传送室3与检查室4内保持真空状态。
于TFT基板检查装置内的检查室4，TFT基板9载置于加热平台5上，从而进行预备加热。
图3是用以说明加热平台的构成例的说明图
图3(a)表示将加热平台5与TFT基板9分离后的状态。加热平台5包括将TFT基板9支持于上方、且平行排列的多个支持面5a，以及形成于该等支持面5a之间的多个槽部5b。进而，于支持面5a上设置有加热器11a。关于该加热平台5的构成，除设置于上述θ平台4b上以外，亦可与θ平台4b形成一体。
槽部5b形成用以插入传送机器人的支持臂3b(图3(a)中仅表示其一部分)的空间。于支持臂3b上载置有TFT基板9的状态下，传送机器人将该支持臂3b插入槽部5b内，藉此，使TFT基板9在加热平台5上移动。
传送机器人的支持臂3b于该臂上载置TFT基板9并进行传送。传送机器人在将TFT基板9载置于支持臂3b上的状态下使其在加热平台5上移动后，使支持臂3b下降，藉此将TFT基板9载置于加热平台5的支持面5a上。图3(b)表示于加热平台5上载置有TFT基板9的状态。支持臂3b在将TFT基板9载置于加热平台5上以后，从槽部5b抽回。基板检查是在已抽回支持臂3b的状态下进行。
设置于加热平台5的支持面5a上的加热器11a，将所载置的TFT基板9保持于高温状态，并在进行基板检查期间，将TFT基板9维持在特定的高温状态。
再者，于基板检查结束后，使支持臂3b在插入槽部5b内之后上升，并于支持臂3b上载置并支持已完成检查的TFT基板9，并将其从槽部5b抽回而进行传出。
以下，利用图4、图5，表示本发明中的检查室的温度状态的实验例。图4表示利用加热单元的预备加热，而将基板向检查室内导入时的温度设为120℃，并于检查室内利用保温单元将其保温在120℃时的实验结果；图5表示利用加热单元的预备加热，而将向检查室内导入基板时的温度设为100℃，并利用保温单元将其保温于125℃时的实验结果。
再者，加热单元中进行加热，使加载互锁真空室2的出口处的温度，成为将向检查室内导入基板时的温度与在传送部的温度下降量相加后所得的温度。
各图中的A、B、C表示基板温度在加热平台上各点A、B、C上的时间变化。此处，时间“0”是将TFT基板导入至检查室内的时刻。
根据图4、图5的实验结果，可将检查室内TFT基板的各部分大致保持于100℃。
本发明的TFT基板检查装置所包括的加热单元及保温单元，并非限于TFT基板，亦可适用于在高温状态下进行的任意半导体基板的检查中。