结合晶片及用来制造结合晶片的方法

摘要

一种结合晶片及用来制造结合晶片的方法，通过在没有绝缘膜的情况下直接结合作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片，并且减薄作为活性层的硅晶片到给定的厚度而获得，其中相对于预定的晶面以0-0.1°(复合角)的切割角从锭上切割下的硅晶片被用于每一个作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

权利要求

1.一种用来制造结合晶片的方法，在没有绝缘膜的情况下而直接结合作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片，并且减薄作为活性层的硅晶片到给定的厚度，其特征在于相对于预定的晶面以由复合角表示的0-0.1°的切割角从锭上切割下的硅晶片，其被用于每一个所述作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

2.根据权利要求1所述的用来制造结合晶片的方法，其中作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片在疏水面的状态下结合。

3.根据权利要求1所述的用来制造结合晶片的方法，其中具有不同的晶体取向的晶片被用作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

4.根据权利要求1所述的用来制造结合晶片的方法，其中通过离子注入分离工艺实施作为活性层的硅晶片的减薄。

5.一种结合晶片，通过在没有绝缘膜的情况下直接结合作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片，并且减薄作为活性层的硅晶片到给定的厚度而获得，其特征在于相对于预定的晶面以由复合角表示的0-0.1°的切割角从锭上切割下的硅晶片，其被用于每一个所述作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

6.根据权利要求5的结合晶片，其中作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片具体不同的晶体取向。

说明书

结合晶片及用来制造结合晶片的方法

[0001] 发明背景1.技术领域

[0002] 本发明涉及一种结合晶片(bonded wafer)及用来制造结合晶片的方法，并且更加特别地，其尽可能地抑制在结合面上的残留氧化物。2.背景技术

[0003] 作为结合晶片的一种代表性的制造方法，其中公知的一种方法是通过一绝缘膜(insulating film)例如氧化膜等结合两个硅晶片或没有绝缘膜直接结合，然后研磨和抛光作为活性层(active layer)的晶片以形成活性层(研磨抛光法)，并且其中公知的一种方法是将氢离子等注入到作为活性层的硅晶片的表面层部分中以形成一离子注入层并且结合到作为支持基板的硅晶片，然后进行热处理以剥离在离子注入层处的晶片，从而形成活性层(离子注入分离法)或者所谓的智能切割法(注册商标)(参见JP-A-H11-67701和JP-A-H05-211128)。

[0004] 然而，当通过浸入到HF溶液中以去除本身具有的(native)氧化物之后直接结合两个硅晶片时，或者特别地当不使用例如氧化膜等的绝缘膜而直接结合具有不同的晶体取向(例如，(110)面和(100)面)的两个硅晶片时，在结合晶片的制造步骤(热处理步骤)中，在界面之间俘获的氧化物可能作为阶梯状(step-like)的氧化物局部地集中并且残留在界面上。结果，存在一个问题是在器件的准备步骤中这种残留氧化物损坏了器件特性而且形成了缺陷的中心。

发明内容

[0005] 因此，本发明的一个目标是方便地解决上述问题并且提供一种用来制造结合晶片的方法，即当没有绝缘膜而直接结合两个硅晶片时，能够有效地去除在界面上残留的氧化物，和通过这种制造方法获得一个结合晶片。

[0006] 下面将描述本发明的改进。即，当没有绝缘膜而直接结合两个硅晶片时，认为通过冷凝在结合界面上俘获的氧化物而形成残留在结合界面上的氧化物。因此，为了防止这种氧化物的残留，通常在使用HF溶液清洗晶片以从晶片的表面去除本身具有的的氧化物之后进行结合。

[0007] 然而，即使在结合以前使用HF溶液等清洗晶片的表面，也可能在结合界面上残留阶梯状的氧化物。

[0008] 为了解决上述问题，发明者进行了多方面的研究并且获得了下列知识。

[0009] 即，当从锭上切割下来将被结合的晶片时，一般的，切割角在X轴和Y轴上都不超过1°。然而，已经发现相对于预定的晶面，通过严格地控制来自锭上的切割角在0-0.1°(复合角)的范围内，就能够有效地去除在结合界面上残留的阶梯状的氧化物，并且结果是实现了本发明。

[0010] 即，本发明的概要和结构如下。

[0011] 1.一种用来制造结合晶片的方法，在没有绝缘膜的情况下而直接结合作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片，并且减薄作为活性层的硅晶片到给定的厚度，其特征在于相对于预定的晶面以0-0.1°(复合角)的切割角从锭上切割下的硅晶片被用于每一个所述作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

[0012] 2.根据项目1所述的用来制造结合晶片的方法，其中作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片在疏水面的状态下结合。

[0013] 3.根据项目1所述的用来制造结合晶片的方法，其中具有不同的晶体取向的晶片被用作作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

[0014] 4.根据项目1所述的用来制造结合晶片的方法，其中通过离子注入分离工艺实施作为活性层的硅晶片的减薄。

[0015] 5.一种结合晶片，通过在没有绝缘膜的情况下直接结合作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片，并且减薄作为活性层的硅晶片到给定的厚度而获得，其特征在于相对于预定的晶面以0-0.1°(复合角(compound angle))的切割角从锭上切割下的硅晶片被用于每一个所述作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。

[0016] 根据本发明，其能够大量地减少当没有绝缘膜而直接结合两个硅晶片时而担心出现的阶梯状氧化物的残留。

附图说明

[0017] 图1是切割角和复合角的示意图。

[0018] 图2是实施例1和比较实施例1各自的结合界面的TEM相片(a)和(b)。

具体实施方式

[0019] 下面，将根据附图详细地描述本发明。

[0020] 在本发明中，重要的是当从锭上切割下硅晶片时，相对于预定的晶面(也称作标准面)，控制切割角在0-0.1°(复合角)的范围内。当切割角(复合角)超过0.1°时，阶梯状的氧化物会残留在结合界面上，其会严重地影响器件的准备步骤及其性质。

[0021] 在这里使用的术语“切割角”意指如图1所示的切割面相对于标准面的X轴或Y轴的角度，同时，复合角θ复合了标准面在X轴方向上的倾角θx(在X轴方向上的切割角)和标准面在Y轴方向上的倾角θy(在Y轴方向上的切割角)。

[0022] 在本发明中，因为如果只控制晶片中任何一个的复合角，就不会减少氧化物的残留，所以同样重要的是被结合的两个硅晶片中的每一个的复合角是0-0.1°。

[0023] 根据本发明，虽然尚未明确地说明通过控制来自于锭上的两个硅晶片中每一个的切割角在的0-0.1°(复合角)的范围内，就能够大量地去除在结合界面上残留的阶梯状的氧化物，但是发明者们已经作出了如下推测。

[0024] 在结合界面上，据说氧化物被形成在将被结合的晶片的面上并且聚集在结合界面上，且最终作为阶梯状的氧化物而残留。因此，认为通过结合每一个都具有与晶体的标准面充分地平行的切割面的硅晶片，就能够抑制在结合界面上阶梯状氧化物的残留。

[0025] 在两个硅晶片的结合中，需要尽可能地清洗晶片的表面。在本发明中，方便的是在结合晶片之前通过清洗晶片的表面以去除本身具有的氧化物膜等将晶片的表面变为疏水面。在这里使用的术语“疏水面”意指没有氧化物膜等的洁净面。同样，没有特别地限定清洗方法，并且能够利用常规的众所周知的在HF溶液等中清洗的方法。

[0026] 此外，本发明对具有不同的晶体取向的硅晶片的直接结合，例如，(110)晶体和(100)晶体的直接结合是有影响的。

[0027] 在本发明中，使用氢气等的离子注入分离工艺能够被用作一种减薄作为活性层的晶片的方法。离子注入分离工艺是一种方法，其中在结合之前，例如氢气等的稀有气体从其结合面被注入到作为活性层的硅晶片中以形成一离子注入层，然后作为活性层的硅晶片被结合到作为支持基板的硅晶片上，并且在大约500℃时进行热处理以剥离一部分作为活性层的硅晶片，这部分硅晶片限定为离子注入层。在不使用研磨、抛光或蚀刻的情况下，通过使用离子注入分离工艺能够均匀地减薄活性层。

[0028] [实施例]

[0029] 实施例1

[0030] 当从通过CZ法生长的硅锭上切割下硅晶片时，相对于作为标准面的(100)面以0.07°的复合角切割作为活性层的硅晶片，并且以0.07°的复合角切割作为支持基板的硅晶片。将因此而得到的两个硅晶片浸入到HF清洗溶液中以完全地去除本身具有的氧化物膜，并且彼此直接结合以及为了进一步改善结合强度在1100℃时进行120分钟的热处理。
然后，研磨和抛光作为活性层的晶片以便使活性层的厚度变为100nm。

[0031] 通过平面TEM(透射电子显微镜法)观察存在于因此得到的结合晶片的界面上的氧化物。

[0032] 测量的结果如表1和图2(a)所示。

[0033] 表1

[0034]作为活性层的晶片 作为支持基板的晶 阶梯状的氧化物
的复合角(°) 片的复合角(°)
实施例1 0.07 0.07 无
实施例2 0.07 0.07 无
比较实施例1 0.12 0.12 存在
比较实施例2 0.12 0.12 存在

[0035] 如表1和图2(a)所示，根据本发明，在使用从锭上切割下的硅晶片的情况下，观察不到残留的阶梯状的氧化物。

[0036] 实施例2

[0037] 当从通过CZ法生长的硅锭上切割下硅晶片时，相对于作为标准面的(100)面以0.07°的复合角切割作为活性层的硅晶片，并且以0.07°的复合角切割作为支持基板的硅晶片。然后，在加速电压为50keV以及剂量为1×1017atoms/cm2的条件下将氢离子注入到作为活性层的硅晶片的表面以形成氢离子注入层，氢离子注入层从作为活性层的晶片的表面起具有大约500nm的深度位置。

[0038] 然后，将作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片浸入到HF清洗溶液中以完全地去除本身具有的氧化物膜，并且彼此直接结合以及在500℃时进行热处理以剥离一部分结合晶片，这部分结合晶片限定为氢离子注入层。

[0039] 接下来，为了进一步改善结合强度，使结合晶片在1100℃时进行120分钟的热处理，并且更进一步进行氧化处理以减薄活性层的厚度到100nm。

[0040] 通过平面TEM观察存在于因此得到的结合晶片的界面上的氧化物。

[0041] 测量的结果如表1所示。

[0042] 在这种情况下，和实施例1一样不能观察到阶梯状的氧化物。

[0043] 比较实施例1

[0044] 除了作为活性层的硅晶片的复合角是0.12°和作为支持基板的硅晶片的复合角是0.12°以外，用和实施例1一样的方法准备结合晶片。

[0045] 通过平面TEM观察存在于因此得到的结合晶片的界面上的氧化物以获得如表1和图2(b)所示的结果。

[0046] 如表1和图2(b)所示，当硅晶片的切割角超出了本发明可接受的范围时，在结合界面上能够观察到阶梯状氧化物的残留。

[0047] 比较实施例2

[0048] 除了作为活性层的硅晶片的复合角是0.12°和作为支持基板的硅晶片的复合角是0.12°以外，用和实施例2一样的方法准备结合晶片。

[0049] 通过平面TEM观察存在于因此得到的结合晶片的界面上的氧化物以获得如表1所示的结果。

[0050] 从表中可知，和比较实施例1一样，同样能够观察到残留的阶梯状的氧化物。