一种显示组件的像素结构及其驱动方法。像素结构包括：像素电容、开关、预写入单元以及一重置单元。预写入单元耦接至开关，用以在开关导通时，将显示数据预先写入预写入单元。重置单元耦接于预写入单元与像素电容之间，用以重置像素电容。当像素电容重置时，先将显示数据预先写入预写入单元；当像素电容重置后且准备显示显示数据时，将显示数据写入像素电容。
1.一种像素结构，适用于分色序列驱动，前述像素结构包括：像素电容；
第一晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极连接到扫描线，前述源极连接到数据线；
预写入单元，耦接至前述第一晶体管，用以在前述第一晶体管导通时，将显示数据预先写入前述预写入单元；以及重置单元，耦接于前述预写入单元与前述像素电容之间，用以重置前述像素电容，其中，当前述像素电容重置时，先将前述显示数据预先写入前述预写入单元，当前述像素电容重置后且准备显示前述显示数据时，将前述显示数据异步写入前述像素电容，其中，前述预写入单元包括：第一存储电容，一端与前述第一晶体管的前述漏极连接，另一端连接预定电压；以及第二晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极接收像素设定信号，前述源极与前述第一晶体管的前述漏极连接，其中，前述重置单元包括：第二存储电容，一端连接到前述第二晶体管的前述漏极与前述像素电容的一端，且另一端连接到前述预定电压；以及第三晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极接收像素重置信号，前述源极连接到前述第二晶体管的前述漏极。
2.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述第一、前述第二与前述第三晶体管为薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述预定电压为接地电压或共同电极电压。
4.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述第三晶体管的前述漏极连接到前述预定电压。
5.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述第三晶体管的前述漏极连接到高频信号。
6.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述像素电容的另一端连接至高频信号。
7.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述第三晶体管的前述漏极与前述像素电容的另一端连接到高频信号。
8.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述像素电容的另一端连接至预定电压或透明电极电压。
9.如权利要求8所述的像素结构，其中，前述预定电压为接地电压或共同电极电压。
10.如权利要求1所述的像素结构，其中，前述像素电容为液晶电容。
11.一种像素结构，适用于分色序列驱动，前述像素结构包括：像素电容；
第一晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极连接到扫描线，前述源极连接到数据线；
预写入单元，耦接至前述第一晶体管，用以在前述第一晶体管导通时，将显示数据预先写入前述预写入单元；以及重置单元，耦接于前述预写入单元与前述像素电容之间，用以重置前述像素电容，其中，当前述像素电容重置时，先将前述显示数据预先写入前述预写入单元，当前述像素电容重置后且准备显示前述显示数据时，将前述显示数据异步写入前述像素电容，其中前述预写入单元包括：第一存储电容，一端与前述第一晶体管的前述漏极连接，另一端连接到前一条扫描线；
第二晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极接收像素设定信号，前述源极与前述第一晶体管的前述漏极连接；
第二存储电容，一端连接到前述第二晶体管的前述漏极与前述像素电容的一端，且另一端连接到前述前一条扫描线；
第三晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极接收像素重置信号，前述源极连接到前述第二晶体管的前述漏极，前述漏极连接到前述第二晶体管的前述栅极或前述前一条扫描线。
12.如权利要求11所述的像素结构，其中，前述第一、前述第二与前述第三晶体管为薄膜晶体管。
13.如权利要求11所述的像素结构，其中，前述像素电容的另一端连接至高频信号。
14.如权利要求11所述的像素结构，其中，前述像素电容的另一端连接至预定电压或透明电极电压。
15.如权利要求14所述的像素结构，其中，前述预定电压为接地电压或共同电极电压。
16.如权利要求11所述的像素结构，其中，前述像素电容为液晶电容。
17.一种像素结构，适用于分色序列驱动，前述像素结构包括：像素电容；
第一晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极连接到扫描线，前述源极连接到数据线；
预写入单元，耦接至前述第一晶体管，用以在前述第一晶体管导通时，将显示数据预先写入前述预写入单元；以及重置单元，耦接于前述预写入单元与前述像素电容之间，用以重置前述像素电容，其中，当前述像素电容重置时，先将前述显示数据预先写入前述预写入单元，当前述像素电容重置后且准备显示前述显示数据时，将前述显示数据异步写入前述像素电容，其中前述预写入单元包括：第一存储电容，一端与前述第一晶体管的前述漏极连接；
第二晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极接收像素设定信号，前述源极与前述第一晶体管的前述漏极连接，其中前述重置单元包括：
第二存储电容，一端连接到前述第二晶体管的前述漏极与前述像素电容的一端，其中，前述第一存储电容的另一端连接到前一条扫描线且前述第二存储电容的另一端连接到预定电压，或前述第一存储电容的另一端连接到前述预定电压且前述第二存储电容的另一端连接到前述前一条扫描线；以及第三晶体管，具有栅极、源极与漏极，其中，前述栅极接收像素重置信号，前述源极连接到前述第二晶体管的前述漏极，前述漏极连接到前述第二晶体管的前述栅极。
18.如权利要求17所述的像素结构，其中，前述预定电压为接地电压或共同电极电压。
19.如权利要求17所述的像素结构，其中，前述第一、前述第二与前述第三晶体管为薄膜晶体管。
20.如权利要求17所述的像素结构，其中，前述像素电容的另一端连接至高频信号，前述高频信号的频率为10kHz-50kHz。
21.如权利要求17所述的像素结构，其中，前述像素电容的另一端连接至预定电压或透明电极电压。
22.如权利要求17所述的像素结构，其中，前述像素电容为液晶电容。
23.一种显示面板驱动方法，前述面板由多个像素所构成，这些像素分别位于多条扫描线与多条数据线的交叉处，并且前述各像素为由权利要求1、11或17所述的像素结构所构成，前述显示面板驱动方法包括：a)设定前述面板，使前述面板的显示区域至少包括第一显示区域与第二显示区域；
b)重置前述第一显示区域中的这些像素，并驱动显示前述第二显示区域中的这些像素；
c)在重置前述第一显示区域的这些像素后，更将图像数据写入前述第一显示区域；
d)重置前述第二显示区域的这些像素，并驱动前述第一显示区域的这些像素，以显示前述图像数据；以及e)在重置前述第二显示区域的这些像素后，更将图像数据写入前述第二显示区域，并回到前述步骤b)。
24.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，前述步骤a)更包括：依据扫描线，划分前述第一与前述第二显示区域。
25.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，前述步骤a)更包括：依据数据线，划分前述第一与前述第二显示区域。
26.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，前述步骤a)更包括：依据扫描线以及数据线，划分前述第一与前述第二显示区域。
27.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，前述步骤a)更包括：将前述第一和/或前述第二显示区域更分别划分成多个显示区域。
28.如权利要求27所述的显示面板驱动方法，其中，前述步骤a)更包括：使前述第一显示区域的这些显示区域为相邻排列，并且使前述第二显示区域的这些显示区域为相邻排列。
29.如权利要求27所述的显示面板驱动方法，其中，前述步骤a)更包括：使前述第一显示区域中的这些显示区域与前述第二显示区域中的各这些显示区域为交错排列。
30.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，重置前述第一显示区域与重置前述第二显示区域的步骤在时序上可重迭。
31.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，显示前述第一显示区域与显示前述第二显示区域的步骤在时序上可重迭。
32.如权利要求23所述的显示面板驱动方法，其中，这些像素为液晶像素。
33.一种显示面板驱动方法，前述面板由多个像素所构成，这些像素分别位于多条扫描线与多条数据线的交叉处，并且前述各像素为由权利要求1、11或17所述的像素结构所构成，前述显示面板驱动方法包括：设定前述面板，区分前述面板为多个显示区域；
依据区域顺序，分别将前述图像数据显示于各这些显示区域。
34.如权利要求33所述的显示面板驱动方法，更包括：依据扫描线，划分各这些显示区域。
35.如权利要求33所述的显示面板驱动方法，更包括：依据数据线，划分各这些显示区域。
36.如权利要求33所述的显示面板驱动方法，更包括：依据扫描线以及数据线，划分各这些显示区域。
37.如权利要求33所述的显示面板驱动方法，其中，这些像素为液晶像素。
显示组件的像素结构及其驱动方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种显示组件的像素结构及其驱动方法。
背景技术
[0002] 随着数字时代的来临，平面显示器市场蓬勃发展下，带动主动式的平面液晶显示器的需求急剧的成长，如家用电视、携带式信息产品、笔记型计算机、数字相机等许多的应用如雨后春笋般的出现带给人们更便利的生活。因此许多新颖的制作技术与薄膜晶体管的相关研究备受瞩目。在非晶硅方面的研究主要着眼于高分辨率高画质液晶电视面板大面积化的需求趋势，非晶硅薄膜晶体管的特性也被要求日益增进，除了本身的导线与寄生电容产生的RC延迟的影响外，降低整体面板的制程成本也将是另一发展趋势。
[0003] 另外，藉由分色序列(color sequential)的技术，例如美国专利第6,392,620号可有效降低面板后段的制程成本，以及提升面板的色彩饱和度。因此，新形式背光模块的引入也将对于整体液晶电视面板的色彩饱和度、省能、及降低制作成本上有显著的提升。
[0004] 然而此新型背光技术的显示方式为利用单一像素显示三原色以时间积分的方式达到面板的显示效果。为了因应此项技术的显示需求，薄膜晶体管组件对于像素电容的充电时间将缩短为原来的三分之一(约为3-4μsec)。因此，为了因应大尺寸大面积化以及新型背光技术(color sequential)的引进，像素充电时间的要求上也将缩短，如何在更短的时间内将正确的信号写入像素电容为目前所急需解决的问题之一。
发明内容
[0005] 有鉴于上述问题，本发明提出一种像素结构，并且基于前述像素结构提出一种区域转移(area transfer)的面板驱动方法，以期可在更短的时间内将正确的信号写入像素电容。
[0006] 因此，依据本发明实施方式，提出一种像素结构，适用于分色序列驱动。前述像素结构包括像素电容、开关、
[0007] 预写入单元以及一重置单元。预写入单元耦接至开关，用以在开关导通时，将显示数据预先写入预写入单元。重置单元耦接于预写入单元与像素电容之间，用以重置像素电容。当像素电容重置时，先将显示数据预先写入预写入单元；当像素电容重置后且准备显示显示数据时，将显示数据写入像素电容。
[0008] 依据本发明一实施例，开关可为第一晶体管，其具有栅极、源极与漏极，其中，栅极连接到扫描线，源极连接到数据线。预写入单元可更包括第一存储电容与第二晶体管。第一存储电容的一端与第一晶体管的漏极连接，另一端连接预定电压。第二晶体管具有栅极、源极与漏极，其中，栅极接收像素设定信号，源极与第一晶体管的漏极连接。重置单元可更包括第二存储电容与第三晶体管。
[0009] 第二存储电容的一端连接到第二晶体管的漏极，且另一端连接到预定电压。第三(重置)晶体管具有栅极、源极与漏极，其中，栅极接收像素重置信号，源极连接到第二晶体管的漏极。
[0010] 另外，上述像素结构更可以修改为适用于电容位于栅极上的结构。此时，两个存储电容的另一端是连接到上一条扫描线。
[0011] 此外，本发明更提出一种显示面板驱动方法，前述面板由多个像素所构成，这些像素分别位于多条扫描线与多条数据线的交叉处。上述显示面板驱动方法包括：a)设定前述面板，使前述面板的显示区域至少包括第一显示区域与第二显示区域或以上；b)重置第一显示区域中的这些像素，并驱动显示第二显示区域中的这些像素；c)在重置第一显示区域的这些像素时，更将图像数据写入第一显示区域；d)重置第二显示区域的这些像素，并驱动第一显示区域的这些像素，以显示图像数据；以及e)在重置第二显示区域的这些像素时，更将图像数据写入第二显示区域，并回到步骤b)。
[0012] 依据本发明的实施方式，前述面板显示区域的划分可以依据扫描线、数据线或两者。上述的第一和/或第二显示区域更分别划分成多个显示区域。此外，第一和第二显示区域的各显示区域可以是相邻排列，或者是使第一显示区域中的各显示区域与第二显示区域中的各显示区域为交错排列。
[0013] 为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
[0014] 图1示出了分色序列驱动方式的时序示意图。
[0015] 图2A是依据本发明实施例所示出了的像素结构的示意图，其对应到电容位于共同电极上的结构。
[0016] 图2B示出了图2A的像素结构的变化例。
[0017] 图3A是依据本发明实施例所示出了的另一像素结构的示意图，其对应到电容位于栅极上的结构。
[0018] 图3B示出了图3A的像素结构的变化例。
[0019] 图4A与4B是依据本发明实施例所示出了的另一种像素结构的示意图，其对应到电容位于共同电极上与电容位于栅极上的混合结构。
[0020] 图5是依据本发明实施例所示出了的驱动方式流程示意题。
[0021] 图6A-6H依据本实施例所示出了的数种划分面板区域的例子。
[0022] 图7示出了本发明一实施例的面板驱动方式。
[0023] 图8示出了本发明另一实施例的面板驱动方式。
[0024] 图9示出了本发明另一实施例的面板驱动方式。
[0025] 图10A-10C示出了本发明另一实施例的面板驱动方式。
[0026] 附图符号说明
[0027] M1、M2、M3：晶体管
[0028] CS1、CS2： 存储电容
[0029] CLC： 像素电容
具体实施方式
[0030] 图1示出了分色序列驱动方式的时序示意图。此种驱动方式没有使用彩色滤镜，而是以红色(R)、绿色(G)与蓝色(B)三种光源来取代。本发明实施例中将以RGB色来做说明，当然若使用其它的色彩系统，也可以做适度的修正。图1中标示有RGB的表示光输出周期，其它则是数据写入周期。光输出周期亦即将图像数据显示出的周期。如图1所示，在数据R的光输出周期前，数据会先写入像素结构中的存储电容中，等到写入周期结束，亦即数据以电荷形式对存储电容充电后，接下来就是使像素开始呈现图像数据。在输出数据R的同时，对应绿色的数据G也开始写入像素。等到数据R输出后，数据G便可以接着输出。同理，在输出数据G的同时，对应蓝色的数据B也开始写入像素。等到数据G输出后，数据B便可以接着输出。如此便可以达到以分色序列方式来驱动面板的像素显示。
[0031] 本发明除了架构在分色序列驱动外，更着重在解决残像与面板的分区驱动(区域移转)。首先以单一像素的结构及其操作方式来说明，下面的实施例则会更进一步地说明具有此种像素的液晶面板的驱动方式。依据电容的构造，本发明可以应用到电容位于共同电极上(CS on common)与电容位于栅极上(CSon gate)两种构造。图2A是依据本发明实施例所示出了的像素结构的示意图，其对应到电容位于共同电极上的结构。
[0032] 本实施例的像素结构可以包括像素电容、开关、预写入单元以及重置单元。以下针对此基本结构提出几种可以实施例电路例子。如图2A所示，一个像素结构可以由第一晶体管M1(开关)、做为预写入单元的第一存储电容CS1与第二晶体管M2、做为重置单元的第二存储电容CS2与重置晶体管M3以及像素(液晶)电容CLC所构成，以下实施例均以相同的方式区分。上述晶体管M1、M2与M3可以是薄膜晶体管。此外，在此实施例是以液晶显示器的液晶电容做为说明例，但是，只要是可以采用分色序列驱动方式的显示组件，均可以适用本发明的方法。因此，便不特限定像素电容是液晶电容。第一晶体管M1的栅极连接到扫描线(以第N条为例)，源极连接到数据线。第一存储电容CS1的一端与第一晶体管M1的漏极相连接，而另一端接到预定电压(例如接地或共同电极电压)。第二晶体管M2的源极连接到第一晶体管M1的漏极，栅极为液晶像素的设定端。第二存储电容CS2的一端与第二晶体管M1的漏极相连接，而另一端接到前述预定电压。重置晶体管M3的栅极可以接收控制信号，用以重置液晶电容CLC内所存储的电荷，源极与第二晶体管M2的漏极连接，漏极则接到前述预定电压。此外，重置晶体管M3的漏极也不一定要接到上述的预定电压，例如可以接到高频脉冲信号(参考后述的实施例)。
[0033] 接着说明图2A像素结构的驱动方式，且上述预定电压以接地电压为例。在驱动该像素前，要先将先前的电荷放电掉，或者以LCD而言，可以将像素电容充电到共同(中间)电压Vcom。此时，液晶重置信号会先施加到重置晶体管M3的栅极，此液晶重置信号例如是一个脉冲信号。此时，晶体管M1与M2均为关闭状态。当液晶重置信号施加在重置晶体管M3的栅极上，重置晶体管M3导通，此时因为晶体管M1、M2为关闭且晶体管M3的漏极则接地，造成像素电容CLC两端电极均为接地，故可以使像素电容CLC充分放电，排掉先前所存储的电荷。
[0034] 接着，扫描线信号施加在晶体管M1的栅极上，使晶体管M1导通。此时，从数据线来的图像数据便可以对第一存储电容CS1进行充电，充电完毕后，晶体管M1关闭。接着，液晶设定信号施加在晶体管M2的栅极上，使晶体管M2导通。此时，重置晶体管M3为关闭状态，所以第一存储电容CS1所存储的电荷便可以通过晶体管M2，对第二存储电容CS2进行充电，而使液晶电容CLC也达到相同的电荷量，得以显示该像素。
[0035] 图2B示出了的像素结构是图2A的变化例。图2B与图2A的差异点在于将像素电容CLC原来接地的一端，变更为连接到透明电极电压Vito。除此之外，其余的结构均相同，像素的驱动方式也与图2A的相同，在此便不多冗述。
[0036] 图3A是依据本发明实施例所示出了的另一种像素结构的示意图，其对应到电容位于栅极上的结构。图3A与图2A的差异在于将两个存储电容CS1、CS2原本的接地端改与前一条扫描线连接。此外，重置晶体管M3原本接地的漏极，变成与前一条扫描线栅极连接。
[0037] 第一存储电容CS1的值Q(电荷)是依据上一条扫描线N-1的低电压电平而定。在打开第N条扫描线之前，第N-1条扫描线的电压会有变化。当第一晶体管M1导通，第一存储电容CS1设定(充电)到所需要的电压后，即充电至要写入的数据电压Vdata后，第N-1条扫描线的电压电平便不在变化。直到所有的扫描线都扫描完成，将第N-1条扫描线的电压设定到共同电压Vcom。接着，将重置晶体管M3导通，此时因为先前将第N-1条扫描线的电压设定到共同电压Vcom，故节点Vpp设定为共同电压Vcom。因此，像素电容CLC的两电极端均为共同电压Vcom，便可以充分地放电，将上一帧的图像数据清除。之后，将第N-1条扫描线的电压设定到原电压值。接着，将液晶设定信号施加在第二晶体管上，以将第二晶体管M2导通，此时重置晶体管M3为关闭状态。因此，先前写入到第一存储电容CS1的图像数据信号(电荷)便可以对第二存储电容CS2与液晶电容充电CLC，藉以驱动该像素进行显像。
[0038] 图3B为图3A的变化例，其中，重置晶体管M3的漏极是连接到第二晶体管M的栅极。在图3B中，当导通重置晶体管M3时，将液晶电容CLC进行重置，此时要确定晶体管M2为关闭状态。之后，将重置晶体管M3关闭，再提高电压VCT使第二晶体管M2导通，以进行将电荷转移到第二存储电容CS2与液晶电容CLC充电，藉以驱动该像素进行显像。
[0039] 图4A与4B是依据本发明实施例所示出了的另一种像素结构的示意图，其对应到电容位于共同电极上与电容位于栅极上的混合结构。图4A、4B与图2A、2B的差异点在于存储电容的连接方式。此外，在图4A中，第一存储电容CS1原本的接地端改与前一条扫描线连接，第二存储电容CS2的连接方式则维持相同。在图4B中，第二存储电容CS2原本的接地端改与前一条扫描线连接，第一存储电容CS1的连接方式则维持相同。图4A与4B的驱动方式基本上类似于图2A的驱动方式，配合图中的时序图便可以理解，故在此不多做冗述。
[0040] 本发明驱动方式的概念为区域转移(area transfer)的驱动的方式，其可以将面板分成两组，先驱动一组后，完成后再驱动另一组。在此概念下，可以依不同的实施方式，将面板分成数个部分。下面将举出各种例子来做说明。
[0041] 图5是依据本发明实施例所示出了的驱动方式的其中一种流程示意图。面板的显示区域是由多个像素所构成，这些像素分别位于多条扫描线与多条数据线的交叉处。每一个像素的结构均可以为图2A至图4的任何一种结构或其它。以下以图2A做为配合说明的例子。首先，在步骤S100，在设计面板的驱动方式时，先要确认要将面板分成多少区域。本实施例至少可以将面板的显示区域划分成至少包括第一显示区域与第二显示区域或以上。此第一与第二区域的划分是依据扫描线、数据线或两者来进行。详细的划分方式与例子会在下文说明。
[0042] 接着，在步骤S102，重置第一显示区域中的这些像素，并驱动显示第二显示区域中的这些像素。这里是在进行第二区域的显示时，可以将第一显示区域中的所有像素结构中的像素电容重置，亦即将像素电容中的电荷进行放电，使其不会残留在下一帧的图像显示上。以图2A的结构来说，便是将重置晶体管M3，使像素电容CLC放电。
[0043] 在步骤S104，在对第一显示区域的所有像素进行重置后，图像数据便可以写入第一显示区域。以图2A的结构来说，便是将图像数据通过导通的晶体管M1，对第一存储电容CS1进行充电，使其具有对应该图像数据的电压电平。
[0044] 在步骤S106，第二区域的图像数据显示完毕时，即对这些像素的像素电容进行重置。对应的便是，写入第一区域的第一存储电容CS1的图像数据(电压)便得以对像素电容进行充电而显示图像数据。以图2A的结构来说，便是使晶体管M2导通且关闭重置晶体管M3，使第一存储电容CS1的电压对像素电容CLC进行充电。
[0045] 在步骤S108，就在显示第一区域的像素与重置第二区域的像素后，图像数据便可以继续写入对应第二区域的各像素结构的第一存储电容。步骤S110判断是否持续有图像数据输入，若有则上述的步骤S102至S108将会持续进行驱动面板，以显示图像。
[0046] 因此，通过上述的方法，便可以利用区域转移的方式，来驱动整个显示面板。当在步骤S100将面的显示区域画分成两个以上时，只要略做时序上的修正便可以达到。
[0047] 此外，也可以使第一区域与第二区域的动作重迭(重置与显示动作)，只要两区域是不同的步骤进行即可。此外，在对这些像素进行重置与区域转移时，可以将整个面板上的所有像素进行重置。之后，在依据选定区域转移顺序，分别将图像数据显示于各这些显示区域。藉此，可以减少瞬间电流，以达到省电的目的。
[0048] 图6A-6H依据本实施例所示出了的数种划分面板区域的例子。图6A的例子是将整个面板依据扫描线分为两个区域P1、P2，其中区域P1涵盖扫描线1至N的所有像素，区域P2涵盖扫描线N+1至M的所有像素。图6B的例子也是依据扫描线分为四个区域，但是区域P1、P2又分别区分为两区且彼此不连续。区域P1涵盖扫描线1至P以及N+1至Q的所有像素，区域P2涵盖扫描线P+1至N以及Q+1至M的所有像素。图6C的例子也是依据扫描线分为三个区域，其中有两个区域P1和一个区域P2，区域P1涵盖扫描线1至P以及N+1至M的所有像素，区域P2涵盖扫描线P+1至N的所有像素。上述的区域划分只是几个说明例子，在实际实施时可以依据实际需求，做适当的调整。
[0049] 图6D、6E与6F则是示出了其它的面板区域划分例子。在此些例中，区域划分的依据是数据线。图6D是将整个面板依据数据线分为两个区域P1、P2，其中，区域P1涵盖数据线1至R的所有像素，区域P2涵盖数据线R+1至Y的所有像素。图6E将面板分为四个区域，其中，区域P1涵盖数据线1至R以及Q+1至P的所有像素，区域P2涵盖数据R+1至Q以及P+1至Y的所有像素。图6F是将面板分为三个区域P1、P2，其中区域P1涵盖数据线1至R以及Q+1至Y的所有像素，区域P2涵盖数据线R+1至Q的所有像素。上述的区域划分只是几个说明例子，在实际实施时可以依据实际需求，做适当的调整。
[0050] 图6G与6H则是示出了其它的面板区域划分例，此例的区域划分是同时依据扫描线与数据线来进行。图6G是将面板划分为区域P1、P2各两个，其中区域P1涵盖数据线1至P且扫描线1至N的区域以及数据线P+1至Y且扫描线N+1至M的区域的所有像素，区域P2涵盖数据线1至P且扫描线N+1至M的区域以及数据线P+1至Y且扫描线1至N的区域的所有像素。图6H是将面板划分为区域P1、P2、P3与P4等四个区域，其中区域P1涵盖数据线1至P且扫描线1至N的所有像素，区域P2涵盖数据线P+1至Y且扫描线1至N的所有像素，区域P3涵盖数据线1至P且扫描线N+1至M的所有像素，区域P4涵盖数据线P+1至Y且扫描线N+1至M的所有像素。上述的区域划分只是几个说明例子，在实际实施时可以依据实际需求，区域划分的数目与区域的种类等等均可以做适当的调整。
[0051] 在驱动面板时，例如在对区域P2内个所有像素进行驱动以显示图像时，对区域P1的所有像素进行重置并且开始进行数据的写入。在结束对区域P2的像素进行驱动，对区域P2的像素进行重置(对像素电容)，此时便可以对区域P1的像素进行驱动。各像素的详细驱动时序可以参考上面图2A至图4的说明。
[0052] 图7示出了本发明一实施例的面板驱动方式。图7所示的例子是将整个面板的像素分成两区域P1、P2，并且对应到图6A的区域划分方式。图7所示的像素结构仅示出了整个区域P1或P2的其中一个像素。例如，在对应区域P1的像素(上图)中，在重置像素或设定像素时，扫描线所指的是第1条至第N条(图6A的区域P1中的所有像素)；对应区域P2的像素(中图)中，在重置像素或设定像素时，扫描线所指的是第N+1条至第M条(图6A的区域P2中的所有像素)。驱动的时序图可以参考下图，而驱动的方式可以参考图2A的说明。因此，在图7的实施例中，是将整个面板画分成两个相邻的区域。在显示区域P2进行显示时，便可以对重置区域P1的像素电容，并将数据先写入区域P1的第一存储电容中。
[0053] 此外在图7中，时序图的上半部是说明扫描线依序开启的时序图，而下半部是像素重置与设定的时序关系图。亦即，上下部分不一定是有先后时序的关系。以像素重置与设定的时序关系图来说，像素重置后才进行像素设定的动作，也就是进行区域转移。但是，像素重置的时间点并不见得要在扫描线M开启前，在扫描线M开启后才进行像素重置也是可行。同理，以下各图的表示方式也是相同。此外，关于P2区域的设定，没有一定要紧接在P1区域结束之后。在P1区域进行中，便可以开始对P2区域进行转移动作。
[0054] 图8示出了本发明另一实施例的面板驱动方式，所示的例子是将整个面板的像素分成两区域P1、P2，并且对应到图6B的区域划分方式。驱动的方式与图7类似，在此便不多做冗述。在此例中，区域P1与P2是以相间隔的方式排列而成。图9示出了本发明另一实施例的面板驱动方式，所示的例子是将整个面板的像素分成四区域P1、P2、P3与P4，并且对应到图6H的区域划分方式。根据前面图6A至6G的例子，配合适当的时序以及前述像素驱动方式便可以达到本发明的区域转移方式的面板驱动方式。此外，图7至图8所示的是以电容位于共同电极上结构做为例子。将各像素结构变更为上述图2B至图4的任何一种结构并配合对应的驱动时序，也是可行的。
[0055] 图10A-10C示出了本发明另一实施例的面板驱动方式。图10A-10C基本上是上述各实施例的一种变化例，在区域转移方面的驱动方式是相同的，在此便省略不说明，只说明相异的部分。
[0056] 如图10A所示，本实施例的重点在于当将重置信号施加到重置晶体管M3的栅极以对像素进行重置时，同时施加一高频信号给重置晶体管M3的漏极。此高频信号为例如频率10kHz-50kHz的信号。当施加此高频信号时，会产生对液晶分子加热的作用，使液晶分子的旋转速度变快，进而使液晶分子的反应速度变快。另外，此高频信号并不见得一定是一个固定的频率。高频信号可以依据外界温度，进行适当的回馈动作，来适时地改变操作频率。此外，高频信号的脉冲(pulse)的数目，也可依显示介质的温度回馈来改变。例如，温度在0℃时是50kHz，在25℃时降为20kHz，50℃时则不加此高频信号。换句话说，当显示介质温度较低时，可以调高频率或增加脉冲数，使液晶分子的反应速度变快。
[0057] 此外，如图10B所示，该高频信号也可以施加在液晶电容CLC的一端，一样会达到相同的效果。此外图10C所示的结构中，在对像素重置时，将高频信号同时施加到重置晶体管M3的漏极以及液晶电容CLC的一端。如此，可以提供更大的压差给液晶分子，使液晶分子的反应变得更快。次外，在同时施加高频信号给重置晶体管M3与液晶电容CLC时，两者相位须为反相，以加大压差。
[0058] 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附申请专利范围所界定者为准。
