薄膜晶体管基板转让专利
申请号 : CN200710306554.4
文献号 : CN101236972B
文献日 : 2010-07-28
发明人 : 宋武炯 , 洪性珍 , 朴成珍
申请人 : 乐金显示有限公司
摘要 :
本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板，包括：多条选通配线；多条数据配线，其与所述选通配线绝缘交叉以限定多个像素；多条公共电压线，其沿所述像素边缘形成并且在所述选通配线的延伸方向上互连；以及多个公共电极，其形成在所述像素处，以使得所述多个公共电极与所述公共电压线部分交叠并且该所述多个公共电极在所述数据配线的延伸方向上互连。因此，一致的公共电压可以被稳定地施加在TFT基板的整个表面上。
权利要求 :
1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：
多条选通配线；
多条数据配线，其与所述选通配线绝缘交叉以限定多个像素，其中，各像素包括显示像素和伪像素，所述显示像素位于形成图像的显示区，而所述伪像素位于显示区以外的非显示区，并且各公共电极包括显示部分公共电极、非显示部分公共电极和公共电极连接单元，所述显示部分公共电极形成在所述显示像素处，所述非显示部分公共电极形成在所述伪像素处，并且所述公共电极连接单元对所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极进行连接并对多个所述显示部分公共电极进行连接，多条公共电压线，其沿所述像素边缘形成并且在所述选通配线的延伸方向上互连；以及
多个公共电极，其形成在所述像素处，所述多个公共电极与所述公共电压线部分交叠并且该所述多个公共电极在所述数据配线的延伸方向上互连，其中，所述显示部分公共电极包括第一显示部分公共电极和第二显示部分公共电极，所述第一显示部分公共电极经由公共电压接触孔与所述公共电压线相连，所述第二显示部分公共电极沿所述数据配线从所述第一显示部分公共电极延伸，所述非显示部分公共电极被形成为覆盖所述伪像素的整个表面，并且经由所述公共电压接触孔与所述公共电压线相连。
2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述显示部分公共电极包括第一显示部分公共电极和第二显示部分公共电极，所述第一显示部分公共电极经由公共电压接触孔与所述公共电压线相连，而所述第二显示部分公共电极沿所述数据配线从所述第一显示部分公共电极延伸，所述非显示部分公共电极包括第一非显示部分公共电极和第二非显示部分公共电极，所述第一非显示部分公共电极和第二非显示部分公共电极分别形成在所述伪像素在所述数据配线的延伸方向上的两端，并且经由所述公共电压接触孔与所述公共电压线相连。
3.根据权利要求2所述的基板，其中，所述第一非显示部分公共电极被形成为与所述数据配线的端部相邻，所述第二非显示部分公共电极被形成为与所述显示部分公共电极相邻，并且所述公共电极连接单元对彼此相邻设置的所述第二非显示部分公共电极和所述第一显示部分公共电极相连。
4.根据权利要求1所述的基板，其中，所述公共电极连接单元在所述数据配线的延伸方向延伸以与所述选通配线部分交叠。
5.根据权利要求1所述的基板，其中，所述公共电极连接单元对所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极进行连接，所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极分别设置在各不同像素处并且在所述数据配线的延伸方向彼此相邻。
6.根据权利要求1所述的基板，其中，所述公共电极连接单元对所述第一显示部分公共电极和所述第二显示部分公共电极进行连接，所述第一显示部分公共电极和所述第二显示部分公共电极设置在各不同像素处并且在所述数据配线的延伸方向彼此相邻。
7.根据权利要求6所述的基板，所述基板还包括：
形成在所述多条选通配线和所述多条数据配线的各交叉处的多个TFT，并且所述公共电极连接单元沿所述数据配线形成从而与形成在所述相邻像素处形成的所述TFT的所述数据配线相邻。
8.根据权利要求1所述的基板，其中，所述非显示部分公共电极沿所述选通配线的延伸方向互连。
9.根据权利要求1所述的基板，所述基板还包括：
多个像素电极，所述像素电极与所述显示部分公共电极一起形成板内场，并且各像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极形成为与所述选通配线相邻以在所述显示像素处与所述公共电压线交叠，所述第二像素电极位于所述多个第二显示部分公共电极之间以使所述像素电极重复地与所述第二显示公共电极一起交替设置。
10.根据权利要求9所述的基板，其中，所述公共电极连接单元形成为不与所述像素电极交叠。
11.根据权利要求9所述的基板，其中，所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极从所述数据配线分支，所述漏极与所述源极分离并延伸以插入到所述公共电压线和所述第一像素电极之间，并且所述像素电极经漏接触孔与所述漏极相连。
12.根据权利要求9所述的基板，其中，所述公共电极和所述像素电极由铟锡氧化物和铟锌氧化物之一形成。
13.根据权利要求1所述的基板，其中，所述伪像素设置在所述数据配线的两端。
14.根据权利要求4所述的基板，其中，与所述公共电压线的公共电压相同的公共电压被施加到限定所述伪像素的所述选通配线。
15.根据权利要求14所述的基板，其中，所述公共电极连接单元与所述交叠选通配线电连接，从而向其提供公共电压。
说明书 :
技术领域
本发明涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管基板，更具体地说，涉及一种通过向薄膜晶体管基板的整个表面稳定地施加一致的公共电压而将显示装置在显示图像时的闪烁或残留图像最小化的薄膜晶体管基板。
背景技术
近来，诸如液晶显示器(LCD)、PDP(等离子显示板)、OLED(有机发光装置)、电泳指示显示器等的平板显示装置已发展为常规CRT的替代。
在众多平板显示装置中，LCD因其相对CRT更薄、更轻且低能耗的优点而被广泛使用。
通常，LCD通过改变两电极(像素电极和公共电极)间的电势所产生的电场来控制液晶的排列状态，并根据液晶的排列状态来控制透光率，从而显示图像。LCD包括液晶板，该液晶板包括具有滤色器的滤色器基板、具有多个薄膜晶体管(TFT)的TFT基板、以及位于滤色器基板和TFT基板之间的液晶层。
在此，TFT基板1包括用于显示图像的显示区(a)和不显示图像的非显示区(b)。显示区(a)包括以矩阵形式形成的多个显示像素P1以显示图像，并且非显示区(b)包括用于保持滤色器基板和TFT基板1接合时的单元间隙的伪像素(dummy pixel)P2。与位于显示区(a)的显示像素P1不同，不显示图像的伪像素P2不具有TFT，但具有与显示像素P1相同的结构。
在此，如图1所示，TFT 1包括形成为彼此交叉的选通配线2和数据配线3。选通配线2包括大体上沿水平方向延伸的选通线2a，在选通线2a末端部分形成的选通焊盘(未示出)，以及作为选通线2a的一部分而构成TFT的栅极2b。栅极2b所形成的宽度大于选通线2a。数据配线3包括大体上沿垂直方向延伸的数据线3a和在数据线3a末端形成的数据焊盘3b。选通线2a和数据线3a交叉的区域被限定为像素。例如，如图1所示，具有IPS(板内切换)结构的像素包括交替而重复形成的像素电极4和公共电极5。沿像素边缘设置的公共电压线6，从而向公共电极5施加公共电压Vcom。公共电压线6在选通线2a的延伸方向互连。
然而，由于公共电压线6的自身阻抗，导致施加到公共电压线6的公共电压Vcom(压降)被降低，从而造成公共电压不能一致地施加到TFT基板1的整个表面的问题。公共电压的不一致性降低了画面质量，如残留图像或闪烁。
在众多平板显示装置中，LCD因其相对CRT更薄、更轻且低能耗的优点而被广泛使用。
通常，LCD通过改变两电极(像素电极和公共电极)间的电势所产生的电场来控制液晶的排列状态，并根据液晶的排列状态来控制透光率，从而显示图像。LCD包括液晶板，该液晶板包括具有滤色器的滤色器基板、具有多个薄膜晶体管(TFT)的TFT基板、以及位于滤色器基板和TFT基板之间的液晶层。
在此，TFT基板1包括用于显示图像的显示区(a)和不显示图像的非显示区(b)。显示区(a)包括以矩阵形式形成的多个显示像素P1以显示图像，并且非显示区(b)包括用于保持滤色器基板和TFT基板1接合时的单元间隙的伪像素(dummy pixel)P2。与位于显示区(a)的显示像素P1不同，不显示图像的伪像素P2不具有TFT，但具有与显示像素P1相同的结构。
在此，如图1所示，TFT 1包括形成为彼此交叉的选通配线2和数据配线3。选通配线2包括大体上沿水平方向延伸的选通线2a，在选通线2a末端部分形成的选通焊盘(未示出)，以及作为选通线2a的一部分而构成TFT的栅极2b。栅极2b所形成的宽度大于选通线2a。数据配线3包括大体上沿垂直方向延伸的数据线3a和在数据线3a末端形成的数据焊盘3b。选通线2a和数据线3a交叉的区域被限定为像素。例如，如图1所示，具有IPS(板内切换)结构的像素包括交替而重复形成的像素电极4和公共电极5。沿像素边缘设置的公共电压线6，从而向公共电极5施加公共电压Vcom。公共电压线6在选通线2a的延伸方向互连。
然而，由于公共电压线6的自身阻抗，导致施加到公共电压线6的公共电压Vcom(压降)被降低，从而造成公共电压不能一致地施加到TFT基板1的整个表面的问题。公共电压的不一致性降低了画面质量，如残留图像或闪烁。
发明内容
因此，为了解决上述问题，在此构思所描述的各种特征。示例性实施方式的一方面用于提供一种能够在显示装置显示图像时通过向薄膜晶体管基板的整个表面稳定地施加一致的公共电压而将闪烁和残留图像最小化的薄膜晶体管(TFT)基板。
本说明书提供了一种TFT基板，该TFT基板包括：多条选通配线；多条数据配线，其与所述选通配线绝缘交叉以限定多个像素；多条公共电压线，其沿所述像素边缘形成并且在所述选通配线的延伸方向上互连；以及多个公共电极，其形成在所述像素处，所述多个公共电极与所述公共电压线部分交叠并且该所述多个公共电极在所述数据配线的延伸方向上互连。
这里，各像素包括显示像素和伪像素，所述显示像素位于形成图像的显示区，而所述伪像素位于除显示区以外的非显示区，并且各公共电极包括显示部分公共电极、非显示部分公共电极和公共电极连接单元，所述显示部分公共电极形成在所述显示像素处，所述非显示部分公共电极形成在所述伪像素处，并且所述公共电极连接单元对所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极进行连接并对多个显示部分公共电极进行连接。
所述显示部分公共电极包括第一显示部分公共电极和第二显示部分公共电极，所述第一显示部分公共电极经由公共电压接触孔与所述公共电压线相连，所述第二显示部分公共电极沿所述数据配线从所述第一显示部分公共电极延伸，所述非显示部分公共电极被形成为覆盖所述伪像素的整个表面，并且经由所述公共电压接触孔与所述公共电压线相连。
所述显示部分公共电极包括第一显示部分公共电极和第二显示部分公共电极，所述第一显示部分公共电极经由公共电压接触孔与所述公共电压线相连，而所述第二显示部分公共电极沿所述数据配线从所述第一显示部分公共电极延伸，所述非显示部分公共电极包括第一非显示部分公共电极和第二非显示部分公共电极，所述第一非显示部分公共电极和第二非显示部分公共电极分别形成在所述伪像素在所述数据配线的延伸方向上的两端，并且经由所述公共电压接触孔与所述公共电压线相连。
所述第一非显示部分公共电极可以被形成为与所述数据配线的端部相邻，所述第二非显示部分公共电极被形成为与所述显示部分公共电极相邻，并且所述连接部分公共电极对彼此相邻设置的所述第二非显示部分公共电极和所述第一显示部分公共电极相连。
所述连接部分公共电极在所述数据配线的延伸方向延伸以与所述选通配线部分交叠。
所述连接部分公共电极对所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极进行连接，所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极分别设置在各不同像素处并且在所述数据配线的延伸方向彼此相邻。
所述连接部分公共电极对所述第一显示部分公共电极和所述第二显示部分公共电极进行连接，所述第一显示部分公共电极和所述第二显示部分公共电极设置在各不同像素处并且在所述数据配线的延伸方向彼此相邻。
所述TFT基板还包括：形成在所述多条选通配线和所述多条数据配线的各交叉处的多个TFT，并且所述连接部分公共电极沿所述数据配线形成从而与形成所述相邻像素处的所述TFT的所述数据配线相邻。
所述非显示部分公共电极沿所述选通配线的延伸方向互连。
所述TFT基板还包括：多个像素电极，所述像素电极与所述显示部分公共电极一起形成共平面场，并且各像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极形成为与所述选通配线相邻以在所述显示像素处与所述公共电压线交叠，所述第二像素电极位于所述多个第二显示部分公共电极之间以使所述像素电极重复地与所述第二显示公共电极一起交替设置。
所述连接部分公共电极形成为不与所述像素电极交叠。
所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极从所述数据配线分支，所述漏极与所述源极分离并延伸以插入到所述公共电压线和所述第一像素电极之间，并且所述像素电极经漏接触孔与所述漏极相连。
所述公共电极和所述像素电极由ITO(铟锡氧化物)和IZO(铟锌氧化物)之一形成。
所述伪像素设置在所述数据配线的两端。
与所述公共电压线的公共电压相同的公共电压被施加到限定所述伪像素的所述选通配线。
所述连接部分公共电极与所述交叠选通配线电连接，从而向其提供公共电压。
结合附图，本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点根据本发明接下来的详细说明将更清楚。
本说明书提供了一种TFT基板，该TFT基板包括：多条选通配线；多条数据配线，其与所述选通配线绝缘交叉以限定多个像素；多条公共电压线，其沿所述像素边缘形成并且在所述选通配线的延伸方向上互连；以及多个公共电极，其形成在所述像素处，所述多个公共电极与所述公共电压线部分交叠并且该所述多个公共电极在所述数据配线的延伸方向上互连。
这里，各像素包括显示像素和伪像素，所述显示像素位于形成图像的显示区，而所述伪像素位于除显示区以外的非显示区，并且各公共电极包括显示部分公共电极、非显示部分公共电极和公共电极连接单元，所述显示部分公共电极形成在所述显示像素处，所述非显示部分公共电极形成在所述伪像素处，并且所述公共电极连接单元对所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极进行连接并对多个显示部分公共电极进行连接。
所述显示部分公共电极包括第一显示部分公共电极和第二显示部分公共电极，所述第一显示部分公共电极经由公共电压接触孔与所述公共电压线相连，所述第二显示部分公共电极沿所述数据配线从所述第一显示部分公共电极延伸，所述非显示部分公共电极被形成为覆盖所述伪像素的整个表面，并且经由所述公共电压接触孔与所述公共电压线相连。
所述显示部分公共电极包括第一显示部分公共电极和第二显示部分公共电极，所述第一显示部分公共电极经由公共电压接触孔与所述公共电压线相连，而所述第二显示部分公共电极沿所述数据配线从所述第一显示部分公共电极延伸，所述非显示部分公共电极包括第一非显示部分公共电极和第二非显示部分公共电极，所述第一非显示部分公共电极和第二非显示部分公共电极分别形成在所述伪像素在所述数据配线的延伸方向上的两端，并且经由所述公共电压接触孔与所述公共电压线相连。
所述第一非显示部分公共电极可以被形成为与所述数据配线的端部相邻，所述第二非显示部分公共电极被形成为与所述显示部分公共电极相邻，并且所述连接部分公共电极对彼此相邻设置的所述第二非显示部分公共电极和所述第一显示部分公共电极相连。
所述连接部分公共电极在所述数据配线的延伸方向延伸以与所述选通配线部分交叠。
所述连接部分公共电极对所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极进行连接，所述显示部分公共电极和所述非显示部分公共电极分别设置在各不同像素处并且在所述数据配线的延伸方向彼此相邻。
所述连接部分公共电极对所述第一显示部分公共电极和所述第二显示部分公共电极进行连接，所述第一显示部分公共电极和所述第二显示部分公共电极设置在各不同像素处并且在所述数据配线的延伸方向彼此相邻。
所述TFT基板还包括：形成在所述多条选通配线和所述多条数据配线的各交叉处的多个TFT，并且所述连接部分公共电极沿所述数据配线形成从而与形成所述相邻像素处的所述TFT的所述数据配线相邻。
所述非显示部分公共电极沿所述选通配线的延伸方向互连。
所述TFT基板还包括：多个像素电极，所述像素电极与所述显示部分公共电极一起形成共平面场，并且各像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极形成为与所述选通配线相邻以在所述显示像素处与所述公共电压线交叠，所述第二像素电极位于所述多个第二显示部分公共电极之间以使所述像素电极重复地与所述第二显示公共电极一起交替设置。
所述连接部分公共电极形成为不与所述像素电极交叠。
所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极从所述数据配线分支，所述漏极与所述源极分离并延伸以插入到所述公共电压线和所述第一像素电极之间，并且所述像素电极经漏接触孔与所述漏极相连。
所述公共电极和所述像素电极由ITO(铟锡氧化物)和IZO(铟锌氧化物)之一形成。
所述伪像素设置在所述数据配线的两端。
与所述公共电压线的公共电压相同的公共电压被施加到限定所述伪像素的所述选通配线。
所述连接部分公共电极与所述交叠选通配线电连接，从而向其提供公共电压。
结合附图，本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点根据本发明接下来的详细说明将更清楚。
附图说明
图1为例示了根据现有技术的形成在薄膜晶体管(TFT)基板处的像素的结构图；
图2为根据本发明的TFT基板的设计图；
图3a为示出了根据本发明的第一实施方式的形成在TFT基板处的像素的结构图；
图3b为沿图3a线IIIb-IIIb截取的截面图；
图4为示出了根据本发明第二实施方式的形成在TFT基板处的像素的结构图；
图5为示出了根据本发明第三实施方式的公共电极的结构图。
图2为根据本发明的TFT基板的设计图；
图3a为示出了根据本发明的第一实施方式的形成在TFT基板处的像素的结构图；
图3b为沿图3a线IIIb-IIIb截取的截面图；
图4为示出了根据本发明第二实施方式的形成在TFT基板处的像素的结构图；
图5为示出了根据本发明第三实施方式的公共电极的结构图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行详细描述。
如果在不同膜(层)上形成(设置)特定膜(层)，其包括如下两种情况：两个膜(层)彼此接触的情况，以及在该两个膜(层)间存在另一不相同的膜(层)的情况。
图2为根据本发明的薄膜晶体管(TFT)基板的设计图，图3a为示出了根据本发明的第一实施方式的形成在TFT基板上的像素的结构图，图3b为沿图3a线IIIb-IIIb截取的截面图。
通常，如图2所示，TFT基板100包括形成图像的显示区a以及非显示区。通常，左非显示区b和右非显示区b各有三个像素P2，并且上非显示区b和下非显示区b各有一个或更多个像素P2。即，位于显示区a的像素P1被位于非显示区b的像素P2所包围。在TFT基板100的边缘形成像素P2的原因是为了当滤色器基板和TFT基板接合时而一致地保持单元间隙。
具体地说，在TFT基板100左部和右部设置三个像素P2的原因如下。当使用单个掩模在滤色器基板上制造三色滤色器时，向左方向连续地移动该单个掩模而制造蓝、绿和红色滤色器，从而在制造出的滤色器基板的左部和右部需要对应于三个像素P2的额外间距。如果与显示区a的像素P1相同的像素P2未被设置在与设置滤色器基板的额外间距相对应的TFT基板的区域，当接合滤色器基板和TFT基板时，则两基板间的间隙在各个位置不相同。因而，单元间隙在总体上不一致，从而降低了光学性能。由此，为了避免这种问题，与显示区a相同的像素P2被设置在TFT基板100的左部和右部，从而当接合滤色器基板和TFT基板时，两基板间的间隙在各个位置相同。
这里，像素P1和P2由形成为彼此交叉的选通配线121和123与数据配线141和143来限定。位于显示区a的像素P1是显示像素，并且位于非显示区b的像素P2为伪像素。与位于显示区a的像素P1不同，不显示图像的伪像素P2不具有TFT。另外，根据本发明的伪像素P2的公共电极170具有与显示像素P1的公共电极不同的形状。下面参考图3a和3b来说明不同于显示像素P1的伪像素P2的结构。
如图3a和3b所示，TFT基板100包括选通配线121、123和125，公共电压线128，与选通配线121、123和125交叉的数据配线141、143、145和148，在选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148交叉处形成的多个TFT，以及在由选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148所限定的各像素处形成的像素电极160和公共电极170，上述全部形成在绝缘基板110上。
绝缘基板110由诸如玻璃、石英、陶瓷或塑料等的绝缘材料制成。
选通配线121、123和125包括沿水平方向延伸的选通线121、选通焊盘123和栅极125，所述选通焊盘123与选通线121末端相连(参考图2)，从外部接收选通信号并向选通线121传送该选通信号，所述栅极125作为选通线121的一部分而构成TFT。如图3a所示，栅极125可随着选通线121的宽度扩展而形成，或者另选地，可从选通线121分支栅极125。
在其上形成有选通配线121、123和125的同一层上形成公共电压线128。沿由彼此交叉的选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148所限定的像素P1和P2的边缘形成公共电压线128，并且该公共电压线128沿选通线121的延伸方向互连。公共电压线128经由公共电压接触孔131与公共电极170相连并向公共电极170施加公共电压。公共电压线128由与选通配线121、123和125相同的材料制成，但与其物理上是分离的。在各像素P1和P2中形成的公共电压线128在选通线121的延伸方向相连。
选通配线121、123和125与公共电压线128可以被形成为金属单层或多层，并且可由钼、锰、钨、镍、铝、铬、金、银及其合金等制成。以多层形成选通配线121、123和125与公共电压线128的原因是为了补充各金属或合金的不足之处并且获得期望的物理特性。
向限定伪像素P2的选通配线121、123和125施加与公共电压线128的公共电压相同的公共电压。这是因为，与显示像素P1不同，不具有TFT的伪像素P2为不形成图像的区域。在这种情况下，限定伪像素P2的选通配线121、123和125为非必要的额外配线。然而，在本发明中，向限定伪像素P2的选通配线121、123和125施加公共电压Vcom，并且虽未详细示出，但是选通配线121和125以及连接部分公共电极173经由接触孔彼此接触，从而稳定地向公共电极170传输公共电压。
在选通配线121、123和125与公共电压线128上以及未被选通配线121、123和125与公共电压线128覆盖的部分绝缘基板110上形成栅绝缘层130。栅绝缘层130是由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等制成的有机绝缘层。暴露部分公共电压线128的公共电压接触孔131形成在栅绝缘层130上。
尽管未示出，但是在显示像素P1，在选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148的交叉处形成TFT。即，尽管未示出，半导体层和电阻接触层相继层叠在栅极125上。半导体层可由诸如非晶硅或者多晶硅等的半导体制成。由高密度掺杂有硅化物或者n型杂质的n+氢化非晶硅制成的电阻接触层被形成在半导体层上。
数据配线141、143、145和148包括数据线141、数据焊盘143、源极145和漏极148，该数据线141在绝缘层130上沿与选通线121交叉的方向延伸，该数据焊盘143被设置在数据线141的末端并接收来自外部的驱动信号或控制信号，该源极145从数据线141分支并向栅极125延伸，并且该漏极148被设置为基于栅极123并与源极145分离。
如图3所示，数据线141可被形成为具有类似夹子的形状(ㄑ)的局部弯曲形状，并且尽管未示出，但是数据线141可具有线性形状。漏极148与源极145分离，在与栅极125相邻的公共电压线128上延伸，并且被插入在公共电压线128和第一像素电极160a之间。由此，制造了TFT(T)。
数据配线141、143、145和148可包括以下材料至少之一：Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd及其合金。数据配线141、143、145和148可被形成为具有上述材料至少之一的单层或多层。数据线141绝缘地与选通线121交叉以限定多个像素(显示像素P1和伪像素P2)。栅极125上的源极145和漏极148之间的区域被限定为沟道区域。
已说明了与普通显示像素P1相对应的数据配线141、143、145和148，与伪像素P2相对应的数据配线141和143不包括源极145和漏极148。这是因为伪像素P2形成于不形成图像的区域，由此不需要TFT。因此，如图3a所示，在与伪像素P2相对应的栅极125上不形成源极145和漏极148。
钝化膜150被形成在栅绝缘层130和数据配线141、143、145和148上。在钝化膜150形成露出漏极148的漏接触孔151。钝化膜可由有机绝缘材料制成并且例如可包含丙烯酸聚合物。
在钝化膜150上形成像素电极160和公共电极170。
首先，仅在显示像素P1而不在伪像素P2处形成像素电极160。形成在显示像素P1的像素电极160包括第一像素电极160a和第二像素电极160b，该第一像素电极160a形成为与栅极125相邻以与部分公共电极线128交叠，该第二像素电极160b沿数据线141延伸，与第一像素电极160a相分离。第二像素电极160b具有与数据线141类似的局部弯曲形状并且与第二显示部分公共电极171b交替而重复地设置。
公共电极170被形成在像素(显示像素P1和伪像素P2)处从而使其与公共电压线128部分交叠，并且各公共电极170包括形成在显示部分P1的显示部分公共电极171、形成在伪像素P2处的非显示部分公共电极175、以及对非显示部分公共电极175和显示部分公共电极171进行连接以及对多个显示部分公共电极171进行连接的连接部分公共电极173。
显示部分公共电极171包括第一显示部分公共电极171a、第二显示部分公共电极171b，该第一显示部分公共电极171a经由公共电压接触孔131与公共电压线128相连，该第二显示部分公共电极171b从第一显示部分公共电极171a沿数据线141延伸。第一显示部分公共电极171a沿选通线121延伸并从公共电压线128接收公共电压Vcom。第二显示部分公共电极171b与第二像素电极160b交替而重复地形成并且与第二像素电极160b一起形成板内(水平)场。
根据本发明第一实施方式的非显示部分公共电极175被形成为覆盖伪像素P2的整个表面。即，非显示部分公共电极175被形成为具有与公共电压线128和显示部分公共电极171相比而相当大的宽度。具体地说，非显示部分公共电极175被设置为覆盖数据线141和选通线121所形成的空间的内部，并且接收来自公共电压线128的公共电压Vcom。
连接部分公共电极173在非显示部分公共电极175和显示部分公共电极171之间以及多个显示部分公共电极171之间沿数据线141的延伸方向延伸，并且与在数据线141的延伸方向设置的显示部分公共电极171和非显示部分公共电极175一体连接。即，连接部分公共电极173连接位于不同像素(显示像素P1和伪像素P2)并且在数据线141的延伸方向上彼此互邻的非显示部分公共电极175和显示部分公共电极171，并且还连接多个显示部分公共电极171。
具体地说，形成在与数据焊盘143相邻的伪像素P2和显示像素P1之间的连接部分公共电极173对非显示部分公共电极175和第一显示部分公共电极171a进行连接。尽管未示出，但是形成在数据焊盘143相对一侧设置的伪像素P2和显示像素P1之间的连接部分公共电极173对非显示部分公共电极175和第二显示部分公共电极171b进行连接。连接显示像素P1的连接部分公共电极173对第一显示部分公共电极171a和第二显示部分公共电极171b进行连接。这里，连接显示像素P1的连接部分公共电极173沿数据线141形成以与构成形成在相邻显示像素P1中的TFT(T’)的数据线141相邻。
连接部分公共电极173被形成为与选通配线121和125部分交叠，并且被形成为不与像素电极160交叠。如上所述，同样向限定伪像素P2的选通配线121、123和125施加公共电压Vcom，并且尽管未详细示出，但是通过允许选通配线121和125与连接部分公共电极173(接下来说明)彼此接触而稳定地向公共电极170传输公共电压。
公共电极170和像素电极160由ITO和IZO其中之一制成。即，公共电极170和像素电极160由相同材料制成。
如此形成的多个公共电极170在数据线141的方向互连。多个公共电压线128在选通线121的方向互连。因此，流经公共电压线128和公共电极170的公共电压Vcom以类似网状结构被传输。即，在现有技术中，公共电压Vcom仅沿公共电压线128在选通线121的方向流通，而根据公共电极170的结构，公共电压Vcom还可在数据线141的方向流通。因此，在TFT基板100的整个表面上流通的公共电压Vcom的大小偏差可被最小化并且可平滑且稳定地提供公共电压Vcom。
具体地说，由于在伪像素P2形成具有延伸宽度的非显示部分公共电极175并且向非显示部分公共电极175施加公共电压Vcom以使公共电压Vcom被传输到显示部分公共电极171，从而显著地减小了对于公共电压Vcom的流通的阻抗。因此，施加到多个显示部分公共电极171的公共电压Vcom的大小偏差和施加时间偏差可被最小化。由此，因公共电压的不平衡而造成的诸如残留图像或闪烁的缺陷图像质量可被最小化。
参考附图4来说明根据本发明第二实施方式的TFT基板。在本发明的第二实施方式中，仅说明与第一实施方式中不同的特征部分，所省略的说明参照本发明的第一实施方式。为了进行描述，对相同的元件给定相同的附图标记。
根据本发明第二实施方式的非显示部分公共电极175包括第一非显示部分公共电极175a和第二非显示部分公共电极175b，其在数据线141的延伸方向被分别形成在伪像素P2的两端。在这种情况下，连接部分公共电极173对第二非显示部分公共电极175b和第一显示部分公共电极171a进行连接，该第二非显示部分公共电极175b和第一显示部分公共电极171a被设置为互邻。
与第一实施方式中的不同，本发明的第二实施方式在以下方面进行变型：不一体地形成非显示部分公共电极。在第二实施方式中，非显示部分公共电极175的宽度延伸并且公共电压以类似网状结构而流通，从而在TFT基板100的整个表面上的公共电压不平衡可被最小化。
参考图5来说明根据本发明第三实施方式的TFT基板。在本发明的第三实施方式中，仅说明与第一实施方式中不同的特征部分，所省略的说明参照本发明的第一实施方式。为了进行描述，对相同的元件给定相同的附图标记。
图5仅例示了根据本发明第三实施方式的公共电极170。与第一实施方式不同，根据本发明第三实施方式的公共电极170包括连接图案178。即，公共电极170包括在选通线121的延伸方向连接非显示部分公共电极175的连接图案178(参考图3a)。
因此，在选通线121的方向，公共电压Vcom可以更稳定地流通，压降最小。由此，在TFT基板100的整个表面上的公共电压不平衡可被最小化。
如上所述，根据本发明的TFT基板具有如下优点：由于可向TFT基板的整个表面稳定地施加一致的公共电压，从而当在显示装置上显示图像时可将闪烁或残留图像最小化。
由于在不背离本发明特征的情况下，本发明可以多种形式进行实施，因此还应该理解的是，上述实施方式并不限于前述说明中的任何细节，除非另有说明，上述实施方式应在所附权利要求定义的范围内进行广义的解释，并且因此本发明所附的权利要求希望包括所有落入权利要求的范围和范围或者该边界和范围的等同物范围内修改和变型。
如果在不同膜(层)上形成(设置)特定膜(层)，其包括如下两种情况：两个膜(层)彼此接触的情况，以及在该两个膜(层)间存在另一不相同的膜(层)的情况。
图2为根据本发明的薄膜晶体管(TFT)基板的设计图，图3a为示出了根据本发明的第一实施方式的形成在TFT基板上的像素的结构图，图3b为沿图3a线IIIb-IIIb截取的截面图。
通常，如图2所示，TFT基板100包括形成图像的显示区a以及非显示区。通常，左非显示区b和右非显示区b各有三个像素P2，并且上非显示区b和下非显示区b各有一个或更多个像素P2。即，位于显示区a的像素P1被位于非显示区b的像素P2所包围。在TFT基板100的边缘形成像素P2的原因是为了当滤色器基板和TFT基板接合时而一致地保持单元间隙。
具体地说，在TFT基板100左部和右部设置三个像素P2的原因如下。当使用单个掩模在滤色器基板上制造三色滤色器时，向左方向连续地移动该单个掩模而制造蓝、绿和红色滤色器，从而在制造出的滤色器基板的左部和右部需要对应于三个像素P2的额外间距。如果与显示区a的像素P1相同的像素P2未被设置在与设置滤色器基板的额外间距相对应的TFT基板的区域，当接合滤色器基板和TFT基板时，则两基板间的间隙在各个位置不相同。因而，单元间隙在总体上不一致，从而降低了光学性能。由此，为了避免这种问题，与显示区a相同的像素P2被设置在TFT基板100的左部和右部，从而当接合滤色器基板和TFT基板时，两基板间的间隙在各个位置相同。
这里，像素P1和P2由形成为彼此交叉的选通配线121和123与数据配线141和143来限定。位于显示区a的像素P1是显示像素，并且位于非显示区b的像素P2为伪像素。与位于显示区a的像素P1不同，不显示图像的伪像素P2不具有TFT。另外，根据本发明的伪像素P2的公共电极170具有与显示像素P1的公共电极不同的形状。下面参考图3a和3b来说明不同于显示像素P1的伪像素P2的结构。
如图3a和3b所示，TFT基板100包括选通配线121、123和125，公共电压线128，与选通配线121、123和125交叉的数据配线141、143、145和148，在选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148交叉处形成的多个TFT，以及在由选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148所限定的各像素处形成的像素电极160和公共电极170，上述全部形成在绝缘基板110上。
绝缘基板110由诸如玻璃、石英、陶瓷或塑料等的绝缘材料制成。
选通配线121、123和125包括沿水平方向延伸的选通线121、选通焊盘123和栅极125，所述选通焊盘123与选通线121末端相连(参考图2)，从外部接收选通信号并向选通线121传送该选通信号，所述栅极125作为选通线121的一部分而构成TFT。如图3a所示，栅极125可随着选通线121的宽度扩展而形成，或者另选地，可从选通线121分支栅极125。
在其上形成有选通配线121、123和125的同一层上形成公共电压线128。沿由彼此交叉的选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148所限定的像素P1和P2的边缘形成公共电压线128，并且该公共电压线128沿选通线121的延伸方向互连。公共电压线128经由公共电压接触孔131与公共电极170相连并向公共电极170施加公共电压。公共电压线128由与选通配线121、123和125相同的材料制成，但与其物理上是分离的。在各像素P1和P2中形成的公共电压线128在选通线121的延伸方向相连。
选通配线121、123和125与公共电压线128可以被形成为金属单层或多层，并且可由钼、锰、钨、镍、铝、铬、金、银及其合金等制成。以多层形成选通配线121、123和125与公共电压线128的原因是为了补充各金属或合金的不足之处并且获得期望的物理特性。
向限定伪像素P2的选通配线121、123和125施加与公共电压线128的公共电压相同的公共电压。这是因为，与显示像素P1不同，不具有TFT的伪像素P2为不形成图像的区域。在这种情况下，限定伪像素P2的选通配线121、123和125为非必要的额外配线。然而，在本发明中，向限定伪像素P2的选通配线121、123和125施加公共电压Vcom，并且虽未详细示出，但是选通配线121和125以及连接部分公共电极173经由接触孔彼此接触，从而稳定地向公共电极170传输公共电压。
在选通配线121、123和125与公共电压线128上以及未被选通配线121、123和125与公共电压线128覆盖的部分绝缘基板110上形成栅绝缘层130。栅绝缘层130是由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等制成的有机绝缘层。暴露部分公共电压线128的公共电压接触孔131形成在栅绝缘层130上。
尽管未示出，但是在显示像素P1，在选通配线121、123和125与数据配线141、143、145和148的交叉处形成TFT。即，尽管未示出，半导体层和电阻接触层相继层叠在栅极125上。半导体层可由诸如非晶硅或者多晶硅等的半导体制成。由高密度掺杂有硅化物或者n型杂质的n+氢化非晶硅制成的电阻接触层被形成在半导体层上。
数据配线141、143、145和148包括数据线141、数据焊盘143、源极145和漏极148，该数据线141在绝缘层130上沿与选通线121交叉的方向延伸，该数据焊盘143被设置在数据线141的末端并接收来自外部的驱动信号或控制信号，该源极145从数据线141分支并向栅极125延伸，并且该漏极148被设置为基于栅极123并与源极145分离。
如图3所示，数据线141可被形成为具有类似夹子的形状(ㄑ)的局部弯曲形状，并且尽管未示出，但是数据线141可具有线性形状。漏极148与源极145分离，在与栅极125相邻的公共电压线128上延伸，并且被插入在公共电压线128和第一像素电极160a之间。由此，制造了TFT(T)。
数据配线141、143、145和148可包括以下材料至少之一：Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd及其合金。数据配线141、143、145和148可被形成为具有上述材料至少之一的单层或多层。数据线141绝缘地与选通线121交叉以限定多个像素(显示像素P1和伪像素P2)。栅极125上的源极145和漏极148之间的区域被限定为沟道区域。
已说明了与普通显示像素P1相对应的数据配线141、143、145和148，与伪像素P2相对应的数据配线141和143不包括源极145和漏极148。这是因为伪像素P2形成于不形成图像的区域，由此不需要TFT。因此，如图3a所示，在与伪像素P2相对应的栅极125上不形成源极145和漏极148。
钝化膜150被形成在栅绝缘层130和数据配线141、143、145和148上。在钝化膜150形成露出漏极148的漏接触孔151。钝化膜可由有机绝缘材料制成并且例如可包含丙烯酸聚合物。
在钝化膜150上形成像素电极160和公共电极170。
首先，仅在显示像素P1而不在伪像素P2处形成像素电极160。形成在显示像素P1的像素电极160包括第一像素电极160a和第二像素电极160b，该第一像素电极160a形成为与栅极125相邻以与部分公共电极线128交叠，该第二像素电极160b沿数据线141延伸，与第一像素电极160a相分离。第二像素电极160b具有与数据线141类似的局部弯曲形状并且与第二显示部分公共电极171b交替而重复地设置。
公共电极170被形成在像素(显示像素P1和伪像素P2)处从而使其与公共电压线128部分交叠，并且各公共电极170包括形成在显示部分P1的显示部分公共电极171、形成在伪像素P2处的非显示部分公共电极175、以及对非显示部分公共电极175和显示部分公共电极171进行连接以及对多个显示部分公共电极171进行连接的连接部分公共电极173。
显示部分公共电极171包括第一显示部分公共电极171a、第二显示部分公共电极171b，该第一显示部分公共电极171a经由公共电压接触孔131与公共电压线128相连，该第二显示部分公共电极171b从第一显示部分公共电极171a沿数据线141延伸。第一显示部分公共电极171a沿选通线121延伸并从公共电压线128接收公共电压Vcom。第二显示部分公共电极171b与第二像素电极160b交替而重复地形成并且与第二像素电极160b一起形成板内(水平)场。
根据本发明第一实施方式的非显示部分公共电极175被形成为覆盖伪像素P2的整个表面。即，非显示部分公共电极175被形成为具有与公共电压线128和显示部分公共电极171相比而相当大的宽度。具体地说，非显示部分公共电极175被设置为覆盖数据线141和选通线121所形成的空间的内部，并且接收来自公共电压线128的公共电压Vcom。
连接部分公共电极173在非显示部分公共电极175和显示部分公共电极171之间以及多个显示部分公共电极171之间沿数据线141的延伸方向延伸，并且与在数据线141的延伸方向设置的显示部分公共电极171和非显示部分公共电极175一体连接。即，连接部分公共电极173连接位于不同像素(显示像素P1和伪像素P2)并且在数据线141的延伸方向上彼此互邻的非显示部分公共电极175和显示部分公共电极171，并且还连接多个显示部分公共电极171。
具体地说，形成在与数据焊盘143相邻的伪像素P2和显示像素P1之间的连接部分公共电极173对非显示部分公共电极175和第一显示部分公共电极171a进行连接。尽管未示出，但是形成在数据焊盘143相对一侧设置的伪像素P2和显示像素P1之间的连接部分公共电极173对非显示部分公共电极175和第二显示部分公共电极171b进行连接。连接显示像素P1的连接部分公共电极173对第一显示部分公共电极171a和第二显示部分公共电极171b进行连接。这里，连接显示像素P1的连接部分公共电极173沿数据线141形成以与构成形成在相邻显示像素P1中的TFT(T’)的数据线141相邻。
连接部分公共电极173被形成为与选通配线121和125部分交叠，并且被形成为不与像素电极160交叠。如上所述，同样向限定伪像素P2的选通配线121、123和125施加公共电压Vcom，并且尽管未详细示出，但是通过允许选通配线121和125与连接部分公共电极173(接下来说明)彼此接触而稳定地向公共电极170传输公共电压。
公共电极170和像素电极160由ITO和IZO其中之一制成。即，公共电极170和像素电极160由相同材料制成。
如此形成的多个公共电极170在数据线141的方向互连。多个公共电压线128在选通线121的方向互连。因此，流经公共电压线128和公共电极170的公共电压Vcom以类似网状结构被传输。即，在现有技术中，公共电压Vcom仅沿公共电压线128在选通线121的方向流通，而根据公共电极170的结构，公共电压Vcom还可在数据线141的方向流通。因此，在TFT基板100的整个表面上流通的公共电压Vcom的大小偏差可被最小化并且可平滑且稳定地提供公共电压Vcom。
具体地说，由于在伪像素P2形成具有延伸宽度的非显示部分公共电极175并且向非显示部分公共电极175施加公共电压Vcom以使公共电压Vcom被传输到显示部分公共电极171，从而显著地减小了对于公共电压Vcom的流通的阻抗。因此，施加到多个显示部分公共电极171的公共电压Vcom的大小偏差和施加时间偏差可被最小化。由此，因公共电压的不平衡而造成的诸如残留图像或闪烁的缺陷图像质量可被最小化。
参考附图4来说明根据本发明第二实施方式的TFT基板。在本发明的第二实施方式中，仅说明与第一实施方式中不同的特征部分，所省略的说明参照本发明的第一实施方式。为了进行描述，对相同的元件给定相同的附图标记。
根据本发明第二实施方式的非显示部分公共电极175包括第一非显示部分公共电极175a和第二非显示部分公共电极175b，其在数据线141的延伸方向被分别形成在伪像素P2的两端。在这种情况下，连接部分公共电极173对第二非显示部分公共电极175b和第一显示部分公共电极171a进行连接，该第二非显示部分公共电极175b和第一显示部分公共电极171a被设置为互邻。
与第一实施方式中的不同，本发明的第二实施方式在以下方面进行变型：不一体地形成非显示部分公共电极。在第二实施方式中，非显示部分公共电极175的宽度延伸并且公共电压以类似网状结构而流通，从而在TFT基板100的整个表面上的公共电压不平衡可被最小化。
参考图5来说明根据本发明第三实施方式的TFT基板。在本发明的第三实施方式中，仅说明与第一实施方式中不同的特征部分，所省略的说明参照本发明的第一实施方式。为了进行描述，对相同的元件给定相同的附图标记。
图5仅例示了根据本发明第三实施方式的公共电极170。与第一实施方式不同，根据本发明第三实施方式的公共电极170包括连接图案178。即，公共电极170包括在选通线121的延伸方向连接非显示部分公共电极175的连接图案178(参考图3a)。
因此，在选通线121的方向，公共电压Vcom可以更稳定地流通，压降最小。由此，在TFT基板100的整个表面上的公共电压不平衡可被最小化。
如上所述，根据本发明的TFT基板具有如下优点：由于可向TFT基板的整个表面稳定地施加一致的公共电压，从而当在显示装置上显示图像时可将闪烁或残留图像最小化。
由于在不背离本发明特征的情况下，本发明可以多种形式进行实施，因此还应该理解的是，上述实施方式并不限于前述说明中的任何细节，除非另有说明，上述实施方式应在所附权利要求定义的范围内进行广义的解释，并且因此本发明所附的权利要求希望包括所有落入权利要求的范围和范围或者该边界和范围的等同物范围内修改和变型。