本发明公开了一种延胡索块茎的培植法，包括以下步骤：1)将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽；2)将带芽的延胡索块茎切割成所需的带芽块茎，经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；3)待带芽块茎上的小芽长成小苗时，割取小苗；4)将小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；5)待小苗长成类球形小块茎时，将其接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；6)待步骤3)所得的带芽块茎重新长出小苗时，割取小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。采用本发明的方法能获得大量的延胡索块茎。
1.一种延胡索块茎的培植法，其特征是包括以下步骤：
1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；
2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm～0.5cm×0.2cm～
0.5cm×0.1cm～0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的-2 -1MS培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m .s ，温度为
26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；所述含有活性炭的MS培养基为：MS基本培养基+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0；
3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；
4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强-2 -1度10～30μmol m .s ，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；所述诱导块茎培养基为：MS基本培养基+0.01～0.5mg/l萘乙酸+2～
3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0；
5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16小-2 -1时光照，光照强度10～30μmol m .s ，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～
22℃；上述光照和暗培养交替进行；所述块茎增殖培养基为：1/2MS基本培养基+0.01～
0.5mg/1NAA+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0；
6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。
一种延胡索块茎的培植法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种延胡索块茎的培植法。
背景技术
[0002] 生产上，延胡索品种混杂严重，造成栽培技术体系规范化程度不高；而长期以来一直采用块茎繁育的无性繁殖方法进行繁殖，繁殖系数低，严重阻碍了良种推广。据生产调查，延胡索的田间块茎繁殖系数一般为10倍左右，田间品种混杂程度高达40％，严重影响到优良品种的大规模应用和药材品质的一致性和稳定性。
发明内容
[0003] 本发明要解决的技术问题是提供一种延胡索块茎的培植法，采用该方法能获得大量的延胡索块茎。
[0004] 为了解决上述技术问题，本发明提供一种延胡索块茎的培植法，包括以下步骤：
[0005] 1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；
[0006] 2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm～0.5cm×0.2cm～0.5cm×0.1cm～0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的-2 -1
MS培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m .s (即10～
30微摩尔/平方米.秒)，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
[0007] 3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；
[0008] 4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光-2 -1照强度10～30μmol m .s ，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
[0009] 5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时-2 -1光照，光照强度10～30μmol m .s ，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；
上述光照和暗培养交替进行。
[0010] 6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。
[0011] 作为本发明的延胡索块茎的培植法的改进，步骤2)中的含有活性炭的MS培养基为：MS基本培养基+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
[0012] 上述含有活性炭的MS培养基的制作方法具体如下：以MS基本培养基作为基础，分别加入糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HCl调节pH为5.5～6.0；每1L的MS基本培养基中加20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。
[0013] 作为本发明的延胡索块茎的培植法的进一步改进，步骤4)中的诱导块茎培养基为：MS基本培养基+0.01～0.5mg/l萘乙酸+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
[0014] 上述诱导块茎培养基的制作方法具体如下：以MS基本培养基作为基础，分别加入萘乙酸(NAA)、糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HCl调节pH为5.5～6.0；每1L的MS基本培养基加入0.01～0.5mgNAA、20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。
[0015] 作为本发明的延胡索块茎的培植法的进一步改进，步骤5)中的块茎增殖培养基为：1/2MS基本培养基+0.01～0.5mg/l NAA+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
[0016] 上述块茎增殖培养基的制作方法具体如下：以1/2MS基本培养基(即溶液中所有物质的含量为MS基本培养基的一半)作为基础，分别加入NAA、糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HCl调节pH为5.5～6.0；每1L的1/2MS基本培养基加入0.01～0.5mg NAA、20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。
[0017] 本发明的延胡索块茎的培植法，属于一种诱导延胡索试管块茎的组织培养方法。依照植物组织培养中细胞全能性的原理，可以在短时间内生产大量遗传背景相同、长势一致的优质种苗(种子)，而且依靠实验室可以实现周年的长期提供优质种苗。在本发明的方法中，将健壮的延胡索块茎先进行催芽，有助于打破块茎休眠；这样可以保证诱导获得一定量的无菌苗，从而诱导获得试管块茎。采用本发明的方法，延胡索块茎一周年内的繁殖系数为1000倍以上，且块茎田间移栽成活率达到100％。所以，本发明的延胡索块茎的培植法，是一种不受季节等因素影响，高效、快速提供优质延胡索块茎的方法，可以加速良种推广速度，提高田间品种种植纯度。
具体实施方式
[0018] 实施例1、一种延胡索块茎的培植法，依次进行以下步骤：
[0019] 1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的至少1个的芽眼长成0.3cm高的小芽，培养条件为：26～28℃暗培养。
[0020] 2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm×0.5cm×0.1cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养-2 -1条件为：16小时光照，光照强度10μmol m .s ，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为
20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
[0021] 该种含有活性炭的MS培养基为MS+2％糖+0.8％琼脂+0.1％活性炭，pH为5.5～6.0。
[0022] 3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗。
[0023] 4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光-2 -1照强度20μmol m .s ，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
[0024] 该种诱导培养基为：MS+0.2mg/l NAA+2％糖+0.9％琼脂+0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
