一种纳米晶体图形转印的方法及纳米晶体图形材料转让专利
申请号 : CN200710040307.4
文献号 : CN101261443B
文献日 : 2011-03-16
发明人 : 林健
摘要 :
本发明属于光电子信息技术领域和传统玻璃材料深加工领域,具体涉及一种玻璃或单晶基片中纳米晶体图形制备工艺方法。通过在玻璃或表面改性的单晶基片表面印制图形转印膜层,利用直流电场诱导下的热处理工艺引导金属离子定向扩散并析晶长大,实现纳米晶体图形向玻璃或单晶基片改性层中的转印。该方法步骤简单,得到的图形清晰稳定。采用该方法制备的玻璃或表面改性的单晶基片中纳米晶体图形材料可应用于纳米芯片、光电信息记录、显示及处理元件、玻璃及单晶基片表面功能化改性等领域。