本发明公开一种制备方法简单、对衬底材料及金属配线腐蚀率低、对环境无污染的用以去除经干蚀、灰化工艺后光刻胶残留物的清洗剂。清洗剂原料及重量百分比如下：表面活性剂1％～15％，氟化铵盐0.01％～5％，有机磺酸5％～20％，有机溶剂5％～20％，渗透剂1％～5％，含氮羧酸0.1％～5％，缓蚀剂0.01％～5％，纯水余量。
1.一种光刻胶残留物清洗剂，其特征在于含有原料及重量百分比如下：表面活性剂
1％～15％，氟化铵盐0.01％～5％，有机磺酸5％～20％，有机溶剂5％～20％，渗透剂
1％～5％，含氮羧酸0.1％～5％，缓蚀剂0.01％～5％，纯水余量，所述的表面活性剂是聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、环氧乙烷、环氧丙烷的嵌段共聚物、在所述嵌段共聚物中加入烷基获得的亲水聚合物中的至少一种，所述渗透剂是JFC渗透剂。
2.根据权利要求1所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于含有原料及重量百分比如下：表面活性剂 5％
3.根据权利要求2所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于所述的氟化铵盐是氟化铵、二氟化铵、四甲基氟化铵、四丁基氟化铵、三乙醇氟化铵、甲基二乙醇氟化铵中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于所述的有机磺酸是甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于所述的有机溶剂是乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于所述的含氮羧酸是乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸或次氮基三乙酸中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于所述的缓蚀剂是聚丙烯酸铵、聚丙烯酸、聚马来酸酐、巯基琥珀酸、柠檬酸、乳酸、没食子酸、马来酸、马来酸酐中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的光刻胶残留物清洗剂，其特征在于所述纯水是经过离子交换树脂过滤的水，25℃其电阻率至少为18MΩ。
光刻胶残留物清洗剂
技术领域：
[0001] 本发明涉及一种清洗剂，尤其是一种应用于集成电路(IC)、超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，用以去除经干蚀、灰化工艺后的光刻胶残留物清洗剂。背景技术：
[0002] 在集成电路(IC)、超大规模集成电路(ULSI)的制造工艺中，使用光刻胶在晶圆上形成导电层图案是非常重要的一道工序。一般是用光刻胶均匀涂抹在绝缘膜或金属膜上，经曝光、显影后在光刻胶上形成导电层图像，然后再利用光刻胶作为掩模，对绝缘膜或金属膜进行蚀刻，以在晶圆上形成导电层，最后再除去光刻胶。目前，通常采用等离子体干蚀、灰化工艺处理光刻胶掩模，但是，由于在干蚀、灰化工艺过程中，刻蚀气体中的离子和自由基与光刻胶发生复杂的化学反应，使光刻胶容易发生固化而难以去除，同时，在化学退化的侧壁区域形成的抗蚀剂聚合物也很难去除。而且，由于爆裂现象产生表面固化层，退化的光刻胶即变成残余图案和粒子，亦成为难以去除的残留物。此外，金属导电膜在蚀刻过程中也会产生难以去除的金属离子。因此，干蚀、灰化工艺后的晶圆表面存在光刻胶残留、金属离子等污染物，严重影响了集成电路的质量。发明内容：
[0003] 本发明是为了解决现有技术所存在的上述问题，提供一种制备方法简单、成本低、对衬底材料及金属配线腐蚀率低、对环境无污染的光刻胶残留物清洗剂。
[0004] 本发明的技术解决方案是：一种光刻胶残留物清洗剂，其特征在于含有原料及重量百分比如下：
[0005] 表面活性剂 1％～15％
[0006] 氟化铵盐 0.01％～5％
[0007] 有机磺酸 5％～20％
[0008] 有机溶剂 5％～20％
[0009] 渗透剂 1％～5％
[0010] 含氮羧酸 0.1％～5％
[0011] 缓蚀剂 0.01％～5％
[0012] 纯水 余量。
[0013] 含有原料及重量百分比的最佳方案如下：
[0014] 表面活性剂 5％
[0015] 氟化铵盐 0.5％
[0016] 有机磺酸 10％
[0017] 有机溶剂 10％
[0018] 渗透剂 2％
[0019] 含氮羧酸 0.5％
[0020] 缓蚀剂 0.05％
[0021] 纯水 余量。
[0022] 所述的表面活性剂是聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、环氧乙烷、环氧丙烷的嵌段共聚物、在所述嵌段共聚物中加入烷基获得的亲水聚合物中的至少一种。
[0023] 所述的氟化铵盐是氟化铵、二氟化铵、四甲基氟化铵、四丁基氟化铵、三乙醇氟化铵、甲基二乙醇氟化铵中的至少一种。
[0024] 所述的有机磺酸是甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸中的至少一种。
[0025] 所述的所述的渗透剂是JFC渗透剂。
[0026] 所述的有机溶剂是乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚中的至少一种。
[0027] 所述的含氮羧酸是乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸或次氮基三乙酸、铵盐、钠盐中的至少一种。
[0028] 所述的缓蚀剂是聚丙烯酸铵、聚丙烯酸、聚马来酸酐、巯基琥珀酸、柠檬酸、乳酸、没食子酸、马来酸、马来酸酐中的至少一种。
[0029] 所述纯水是经过离子交换树脂过滤的水，25℃其电阻率至少为18MΩ。
[0030] 本发明各组分协调作用，具有以下优点：
[0031] 1.本发明含有的非离子表面活性剂与JFC渗透剂协同作用，能快速均匀渗透到晶圆表面，具有高效的脱脂能力，可迅速去除晶圆表面和衬底金属表面的光刻胶等残留物。
[0032] 2.本发明含有的含氮羧酸，可以捕获污染物中的金属离子并与其形成络离子，从而去除金属离子污染物。
[0033] 3.本发明在清洗过程中不产生残留杂质微粒；
[0034] 4.本发明的挥发性小，对衬底材料及金属配线的腐蚀率低，毒性低，对操作人员不造成健康危害，对环境无污染。具体实施方式：
[0035] 实施例1：
[0036] 原料和重量百分比如下：
[0037] 表面活性剂1％～15％，氟化铵盐0.01％～5％，有机磺酸5％～20％，有机溶剂5％～20％，渗透剂1％～5％，含氮羧酸0.1％～5％，缓蚀剂0.01％～5％，纯水余量。各原料在其重量范围内选择，总重量为100％。
[0038] 所述的表面活性剂是聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、环氧乙烷、环氧丙烷的嵌段共聚物、在所述嵌段共聚物中加入烷基获得的亲水聚合物中的至少一种。
[0039] 所述的氟化铵盐是氟化铵、二氟化铵、四甲基氟化铵、四丁基氟化铵、三乙醇氟化铵、甲基二乙醇氟化铵中的至少一种。
[0040] 所述的有机磺酸是甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸中的至少一种。
[0041] 所述的所述的渗透剂是JFC渗透剂。
