薄膜处理的方法

摘要

本发明提供一种薄膜的处理方法，其中一种用于形成半导体结构的方法包括在衬底表面上形成多个特征结构，在两个相邻特征结构之间具有至少一个空间。第一电介质层形成于该特征结构上并位于至少一个空间内。部分第一电介质层与得自第一前驱物和第二前驱物的反应物反应，以形成第一固体产物。第一固体产物分解以基本去除部分第一电介质层。第二电介质层形成以基本填充至少一个空间。

权利要求

1.一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：在衬底表面上形成多个特征结构，在两个邻近特征结构之间存在至少一个空间；

在所述特征结构上和所述至少一个空间内形成第一电介质层；

使部分所述第一电介质层与反应物反应以形成第一固体产物，所述反应物得自第一前驱物和第二前驱物；

分解所述第一固体产物以去除所述部分第一电介质层；以及形成第二电介质层以填充所述至少一个空间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成多个特征结构包含形成至少多个沟槽、导线、开口、和晶体管栅极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一电介质层包含形成硅氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：离子化所述第一前驱物和所述第二前驱物；以及使所离子化的第一前驱物和所离子化的第二前驱物与所述部分第一电介质层反应。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氨气而所述第二前驱物为三氟化氮。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与所述反应物反应包含：使所述部分第一电介质层与所述第一前驱物和第二前驱物反应。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氨气而所述第二前驱物为氟化氢。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一电介质层包含形成硅氮化物层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：离子化所述第一前驱物和所述第二前驱物；以及使所述部分硅氮化物层与所离子化的第一前驱物和所离子化的第二前驱物反应。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氢气而所述第二前驱物为三氟化氮。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解所述第一固体产物包含热处理所述第一固体产物以升华所述第一固体产物。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解所述第一固体产物包含将所述产物溶解在液体溶液中。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液体溶液包含水或极性溶剂。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含在所述第一电介质层下面形成衬垫，其中所述第一电介质层对所述衬垫的蚀刻选择性为5：1或更高。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包含：使部分所述衬垫与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应，以产生第二固体产物；以及分解所述第二固体产物以去除所述部分衬垫。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：使另一部分所述第一电介质层与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应，以产生第二固体产物；以及分解所述第二固体产物以去除所述另一部分第一电介质层。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述特征结构上和所述至少一个空间内形成所述第一电介质层具有600Torr或更高的工艺压力。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解所述第一固体产物在所去除的第一电介质层的倾斜侧壁和所去除的第一电介质层的底部之间形成87°或更小的角度。

19.一种在具有底部和侧壁的半导体结构中沉积电介质材料的方法，其特征在于，所述方法包含：在所述结构的所述底部和侧壁上形成第一电介质层，其中所述第一电介质层部分地填充所述结构；

使部分所述第一电介质层与得自第一前驱物和第二前驱物的反应物反应以形成第一固体产物；

热处理所述第一固体产物以升华所述第一固体产物并在所述结构中形成倾斜开口；以及形成第二电介质层以填充所述空间。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述结构为间隙，并且在所述间隙的所述底部和其中一个侧壁之间形成的第一角度在89°到91°的范围内，以及其中在所述倾斜开口的侧壁和底部之间的第二角度小于87°。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：由所述第一前驱物和所述第二前驱物形成等离子体；以及使所述等离子体与所述部分第一电介质层反应。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氨气而所述第二前驱物为三氟化氮或氟化氢。

23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：将所述第一前驱物和所述第二前驱物引入到蚀刻腔室中；以及使所述部分第一电介质层与所述第一前驱物和所述第二前驱物反应。

24.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，形成所述第一电介质层包含形成硅氮化物层。

25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：离子化所述第二前驱物；

将所述第一前驱物和所离子化的第二前驱物引入到蚀刻腔室中；以及使所述部分硅氮化物层与所述第一前驱物和所离子化的第二前驱物反应。

说明书

薄膜处理的方法

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本发明要求享有2006年12月7日提交的美国临时申请No.60/869,066的权益。该申请还涉及与本发明在同一天提交的具有代理人档案号No.A11598/T76820题目为“Molt-step Dep-Etch-Dep High Aspect Ratio Process for Dielectric Gapfills”的美国专利申请。在此引入两个专利的全部内容作为参考。

[0003] 本发明涉及2006年5月30日由Lubomirsky等人提交且题目为“PROCESS CHAMBER FOR DIELECTRIC GAPFILL”的共同转让的美国临时专利申请No.60/803,499。该申请涉及2002年5月14日授权给Janakiraman等人题目为“NTEGRATION OF REMOTE PLASMA GENERATOR WITH SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER”的共同转让美国专利No.6,387,207。该申请涉及2004年12月14日授权给Janakiraman等人且题目为“BLOCKER PLATE BY-PASS FOR REMOTE PLASMA CLEAN”的共同转让美国专利No.6,830,624。该申请还涉及授权给Zhao等人且题目为“CVDPROCESSING CHAMBER”的共同转让的美国专利No.5,558,717。在此引入以上专利的全部内容作为参考。

技术领域

[0004] 本发明涉及薄膜处理的方法。

背景技术

[0005] 半导体器件的几何结构从它们引入数十年之前的尺寸显著降低。现代半导体制造设备一般产生具有250nm、180nm和65nm特征尺寸的器件，并且新的设备正在研究中并可执行以制造具有更小几何结构的器件。然后，更小的尺寸意味着器件元件必须在一起更邻近地运行，其将增加电干扰的几率，包括串扰和寄生电容。

[0006] 为了降低电干扰的程度，电解质绝缘材料用于填充间隙、沟槽和在器件元件、金属线及其它器件特征之间的其他空间。间隙的纵宽比由间隙的高度或深度与其宽度的比率定义。这些空间难以使用传统CVD方法填充。薄膜弯曲填充该间隙的能力指薄膜的“填隙能”能力。硅氧化物是在金属层间电介质(IMD)应用、金属层下电介质(PMD)应用和浅槽隔离(STI)应用等中通常用于填充间隙的一种类型的绝缘膜。该硅氧化物膜常常指填隙膜或填隙层。

[0007] 该集成电路制造转向使用高密度等离子体CVD(HDP-CVD)系统以沉积硅氧化物填隙层。HDP-CVD系统形成的密度约为标准、电容性耦合等离子体CVD系统的密度两个数量级，或者比标准、电容性耦合等离子体CVD系统的密度大。HDP-CVD系统的实施例包括电容性耦合等离子体CVD系统和电子回旋共振(ECR)等离子体系统等。HDP-CVD系统一般在比低密度等离子体系统低的压力范围下操作。在HDP-CVD系统中采用的低腔室压力提供具有长平均自由程和降低的角分布的活性物质。这些因素与等离子体的密度结合有助于来自甚至达到紧密间隔间隙的最深部分的等离子体的大部分元素，提供与在低密度等离子体CVD系统中沉积膜相比改善填隙能力的膜。

[0008] 允许通过HDP-CVD技术所沉积的膜具有与通过其他CVD技术所沉积膜相比的改善填隙属性的其他因素为由等离子体的高密度促进的溅射发生，并同时具有膜沉积发生。HDP沉积的溅射元素减缓特定特征上的沉积，诸如凸起表面的角落，从而有助于增加IDP沉积膜的填隙能力。部分HDP-CVD系统引入氩或类似的重惰性气体以进一步促进溅射效应。
这些HDP-CVD系统通常采用衬底支撑底座内的电极，该衬底支撑底座能产生电场以偏执朝向衬底的等离子体。电场可通过HDP沉积工艺施加以产生溅射并对于给定膜提供更好的填隙属性。一种常用于沉积硅氧化物膜的HDP-CVD工艺由包括硅烷(SiH4)、分子氧(O2)和氩(Ar)的工艺气体而形成等离子体。

[0009] 然而，与溅射相关的限制在于所溅射材料的角度重分布。例如，在STI填隙中，所溅射的O2可从沟槽上方溅射并沉积在沟槽的侧部上，导致过度累积，并限制通过其实现自底向上填隙的开口。如果存在过多的再沉积，则沟槽将在底部填充之前被填满，从而在沟槽内留下掩埋的孔。

发明内容

[0010] 根据示例性实施方式，一种用于形成半导体结构的方法包括：在衬底表面上形成多个特征结构，其中在两个相邻特征结构之间具有至少一个空间。第一电介质层形成于该特征结构上且位于至少一个空间内。部分第一电介质层与得自第一前驱物和第二前驱物的反应物反应，以形成第一固体产物。第一固体产物分解以基本去除部分第一电介质层。第二电介质层形成以基本填充至少一个空间。

[0011] 根据示例性实施方式，形成多个特征结构包含形成至少多个沟槽、导线、开口、和晶体管栅。

[0012] 根据示例性实施方式，形成所述第一电介质层包含形成硅氧化物层。

[0013] 根据示例性实施方式，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：离子化所述第一前驱物和所述第二前驱物；以及使所离子化的第一前驱物和所离子化的第二前驱物与所述部分第一电介质层反应。

[0014] 根据示例性实施方式，所述第一前驱物为氨气(NH3)而所述第二前驱物为三氟化氮(NF3)。

[0015] 根据示例性实施方式，使所述部分第一电介质层与所述反应物反应包含：使所述部分第一电介质层与所述第一前驱物和第二前驱物反应。

[0016] 根据示例性实施方式，所述第一前驱物为三氟化氮(NF3)而所述第二前驱物为氟化氢(HF)或氨气(NH3)。

[0017] 根据示例性实施方式，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：使所述部分第一电介质层与第一前驱物和第二前驱物反应。

[0018] 根据示例性实施方式，所述第一前驱物为氨气(NH3)而所述第二前驱物为氟化氢(HF)。

[0019] 根据示例性实施方式，使所述部分第一电介质层与所述反应物反应包含：离子化所述第一前驱物和第二前驱物；以及使所述部分硅氮化物层与所离子化的第一前驱物和所离子化的第二前驱物反应。

[0020] 根据示例性实施方式，所述第一前驱物为氢气(H2)而所述第二前驱物为三氟化氮(NF3)。

[0021] 根据示例性实施方式，分解所述第一固体产物包含热处理所述第一固体产物以基本升华所述第一固体产物。

[0022] 根据示例性实施方式，所述方法进一步包含在所述第一电介质层下面形成衬垫，其中所述第一电介质层对所述衬垫的蚀刻选择性为大约8∶1或更高。

[0023] 根据示例性实施方式，所述方法进一步包括：使部分衬垫与得自所述第三前驱物和第四前驱物的反应物反应以产生第二固体产物；以及分解所述第二固体产物以去除所述部分衬垫。

[0024] 根据示例性实施方式，所述方法进一步包含：使另一部分所述第一电介质层与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应，以产生第二固体产物；以及分解所述第二固体产物以去除所述另一部分的第一电介质层。

[0025] 根据示例性实施方式，在所述特征结构上和所述至少一个空间内形成所述第一电介质层具有大约600Torr或更高的工艺压力。

[0026] 根据示例性实施方式，分解所述第一固体产物在所去除的第一电介质层的倾斜侧壁和所去除的第一电介质层的底部之间形成大约87°或更小的角度。

[0027] 根据示例性实施方式，一种用于形成半导体结构的方法包括：在衬底表面上形成多个沟槽。第一电介质层形成于所述沟槽上以及所述沟槽内。部分所述第一电介质层与得自第一前驱物和第二前驱物的反应物反应以形成第一固体产物。该第一固体产物热处理以基本升华所述第一固体产物，从而基本去除所述部分第一电介质层。第二电介质层形成以基本填充所述空间。

[0028] 根据示例性实施方式，在以上所述的方法中的步骤重复蚀刻和沉积电介质层的一个或多个额外循环。例如，在以上所述方法结尾沉积的部分所述第二电介质层可进一步与反应物反应以形成第二固体产物，其在热处理中升华以去除部分所述第二电介质层。第三电介质层可形成于残留部分(即，未蚀刻)的第二电介质层上。可执行额外的蚀刻和电介质沉积循环，直到沉积基本填充剩余空间(例如，电介质盖层)的最终电介质层。

附图说明

[0029] 本发明的本质和优点的进一步理解可通过参照其余部分的说明书和附图来实现，其中类似的附图标记在整个附图中用于指类似的元件。在部分实施例中，子标记与附图标记相关并跟随连字号以表示多个类似元件的其中之一。当参照附图标记而不是参照说明书中的现有子标记时，其指所有该多个类似元件。

[0030] 图1A-1D是示出用于形成示例性浅槽隔离结构的示例性工艺方法的示意性附图；

[0031] 图2是形成示例性浅槽隔离结构的示例性流程的示意图；

[0032] 图3是用于形成示例性浅槽隔离结构的示例性工艺的示意性流程；

[0033] 图4是用于形成示例性浅槽隔离结构的示例性工艺的示意性流程；

[0034] 图5A示出了示例性薄膜沉积系统的垂直横截面视图；

[0035] 图5B是薄膜沉积系统的示例性系统监视器/控制器组件的简要视图；

[0036] 图6是示例性蚀刻系统的示意性横截面视图。

具体实施方式

[0037] 以下详细描述了用于在至少一个特征结构，例如在衬底的整个表面上的晶体管栅极上方形成至少一个电介质层的系统和方法。部分电介质层与由第一前驱物和第二前驱物衍生的反应物发生反应以形成固体产物。固体产物可分解以基本去除电介质层部分。然后，其它电介质层形成于被蚀刻的电介质层上方，使得纵宽比间隙和/或沟槽可由电介质材料填充而基本不会存在间隙或缝隙。

[0038] 示例性工艺

[0039] 图1A-1D是示出用于形成示例性浅槽隔离结构的示例性工艺方法的示意图。图2是示出形成示例性浅槽隔离结构的示例性流程的示意图。

[0040] 参照图1A，至少一个特征结构115形成于衬底100的整个表面上。特征结构115可以为，例如，晶体管、晶体管栅极、沟槽、开口、间隙、导线或具有约5∶1或更大纵宽比的其他特征结构。在一些实施方式中，特征结构115可以为沟槽。沟槽15可以形成于衬底100上。衬底100可以为硅衬底、III-V化合物衬底、硅/锗(SiGe)衬底、外延衬底、绝缘体上硅(SOI)衬底、显示器衬底诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器、电致发光(EL)灯显示器或发光二极管(LED)衬底，例如。在一些实施方式中，衬底100可以为半导体晶圆(例如，200mm、300mm、400mm等的硅晶圆)。

[0041] 参照图2，用于形成浅槽隔离结构的示例性工艺200可包括步骤210-250。步骤210可在衬底100的整个表面上形成多个特征结构115。

[0042] 再次参照图1A，至少一个垫电介质层105，诸如垫氧化物，可形成于衬底100上方。在一些实施方式中，至少一个垫电介质层110，诸如垫氮化物，可形成于垫氧化物105上方。
垫电介质层105和110可以，例如，通过化学气相沉积(CVD)工艺、热工艺和/或可预期地形成电介质薄膜层的其他工艺形成。在一些实施方式中，沟槽115可通过去除部分垫电介质层105、110和衬底100的蚀刻工艺形成。在一些实施方式中，垫电介质层105是氮化物而垫电介质层110是氧化物。在一些实施方式中，垫电介质层105和110可以为具有期望的蚀刻选择性的不同电介质材料。

[0043] 参照图1B和图2，步骤220可在沟槽115上方形成至少一个电介质层，诸如电介质层120。电介质层120可将沟道115的尺寸降低到沟道115a的尺寸。电介质层120可包括硅氧化物层、硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧碳化物层和其他电介质层的至少其中之一。在一些实施方式中，电介质层120可为热CVD氧化物，诸如高纵宽比工艺(HARP)氧化物、eHARP氧化物、常压CVD(APCVD)氧化物，或高温未掺杂硅酸盐玻璃(HTUSG)；高密度等离子体(HDP)氧化物；等离子体增强CVD(PECVD)氧化物；退火沉积的氧化物，诸如高温氧化物、中间温度氧化物或低温氧化物；原子层沉积(ALD)氧化物及其它氧化物。在一些实施方式中，电介质层120可以为，例如，PECVD氮化物、退火沉积氮化物、HDP氮化物、热CVD氮化物、ALD氮化物及其它氮化物。在一些实施方式中，电介质层120可指高纵宽比工艺(HARP)衬垫。在一些实施方式中，步骤220可具有约600吨或更高的工艺压力。

[0044] 在一些实施方式中，电介质层120可由诸如硅烷(SiH4)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、、三氯硅烷(SiHCl3)和四氯化硅(SiCl4)的含硅前驱物以及诸如氮气(N2)和氨气(NH3)的含氮前驱物形成。在一些实施方式中，电介质层125可由诸如烷氧基乙硅烷、烷氧基-烷基乙硅烷、烷氧基-乙酰乙硅烷和聚硅烷的含硅前驱物；以及诸如氮气和氨气的含氮前驱物。例如，烷氧基乙硅烷可包括Si2(EtO)6乙氧基乙硅烷、Si2(MeO)6甲氧基乙硅烷和Si6(MeO)12甲氧基环己基硅烷，其中Et表示乙基基团(C2H6)而Me表示甲基基团(CH3)。在一些实施方式中，烷氧基-烷基乙硅烷可包括Si2(EtO)4(Me)2四乙氧基二甲基乙硅烷、Si2(EtO)4(Et)2四乙氧基二乙基乙硅烷、Si2(EtO)2(Me)4二乙氧基-四甲基乙硅烷、Si2(MeO)4(Me)2四甲氧基-二甲基乙硅烷和Si2O4(Me)8甲基环己基硅氧烷、Si6(MeO)6(Me)6甲氧基环己基硅烷、Si4O2(H2)4含氢环己基硅烷(hydrocyclohexylsiloxane)。在一些实施方式中，烷氧基-乙酰氧基乙硅烷可包括Si2(AcO)6乙酰氧基乙硅烷、Si2(Me)4(AcO)2四甲基二乙酰氧基乙硅烷和Si2(Me)2(AcO)4二甲基四乙酰氧基乙硅烷，其中Ac表示乙酰基基团。在一些实施方式中，聚硅烷可包括环戊基硅烷或其它替代成分。

[0045] 在一些实施方式中，电介质层120可形成于垫电介质层110上方，使得沟槽115a可具有小于沟槽115a中间和/或底部间隙的顶间隙。

[0046] 参照图1C，蚀刻工艺130可去除部分电介质层120，使得被蚀刻的电介质层120a可具有沿着沟槽115b的锥形侧壁。在一些实施方式中，蚀刻工艺130可包括在图2中示出的步骤230和240。步骤230使部分电介质层120与反应物反应以形成固体产物。步骤240可分解固体产物以去除电介质层120的反应部分，从而产生电介质层120a。以下为蚀刻工艺130的示例性实施方式。

[0047] 示例性实施方式1

[0048] 在一些实施方式中，电介质层120可以为硅氧化物层。第一前驱物可以为，例如，氢气(H2)、氨气(NH3)、肼(N2H4)、叠氮酸(HN3)、其他含氢前驱物及其各种组合。第二前驱物可以为，例如三氟化氮(NF3)、四氟化硅(SiF4)、四氟甲烷(CF4)、氟代甲烷(CH3F)、二氟甲烷(CH2F2)、三氟甲烷(CHF3)、八氟丙烷(C3F8)、六氟乙烷(C2F6)、其它含氟前驱物及其各种组合。在一些实施方式中，第一前驱物诸如氨气(NH3)和第二前驱物诸如三氟化氮(NF3)可离子化为等离子体。在一些实施方式中，可在沉积电介质层120的腔室内执行离子化工艺。在一些实施方式中，离子化工艺可在外部发生，然后引入到沉积电介质层120的腔室中。在一些实施方式中，蚀刻工艺130在不同于沉积腔室的蚀刻腔室中执行。在一些实施方式中，蚀刻工艺130可在沟槽115b的倾斜侧壁和沟槽115b的底部之间形成约87°或更小的角度。

[0049] 在一些实施方式中，NH3可具有在约10每分钟标准毫升(sccm)和约1000sccm之间的流速。在一些实施方式中，NH3可具有约100sccm的流速。NF3可具有在约10sccm和约1000sccm之间的流速。在一些实施方式中，NF3可具有约100sccm的流速。工艺温度可在约0℃和约80℃之间。在一些实施方式中，工艺温度可以为约30℃。工艺压力可以在大约
1毫托(mTorr)和约1atm之间。在一些实施方式中，工艺压力可以为3Torr。等离子体功率可以在约10Watt和约2000Watt之间。在一些实施方式中，等离子体功率可以为约45Watt。
NH3和NF3的等离子体的反应可以通过以下的反应式表示：

[0050] NH3(g)+NF3(g)→NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)

[0051] 然后，引入反应物NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)以与部分硅氧化物层反应。反应物NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)可以与硅氧化物反应以形成固体产物，例如(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，衬底100可设置温度在大约-100℃和约1000℃之间(例如，约-50℃至约200℃)的底座上方。在其它实施方式中，底座可具有大约30℃的温度。底座的温度可期望地增强等离子体与硅氮化物的反应。硅氧化物与反应物NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)的反应可由以下的反应式表示：

[0052] NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)+SiO2(s)→(NF4)2SiF6(s)+H2O

[0053] 再次参照图2，步骤240可分解固体产物(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，步骤240可包括热处理固体产物以基本升华固体产物(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，热工艺可通过使固体产物(NF4)2SiF6接近喷头而实施，其可操作以提供在大约-100℃和约1000℃之间(例如，大约-50℃至大约200℃)的工艺温度。在实施方式中，工艺温度为大约180℃。在其它实施方式中，热工艺可通过，例如，烤箱、炉子、快速热退火(RTA)设备或其它热设备实施。固体产物(NF4)2SiF6的分解和/或升华可由以下反应式描述：

[0054] (NF4)2SiF6(s)→SiF4(g)+NH3(g)+HF(g)

[0055] 用于去除固体产物的方法的其它实施方式可包括利用水溶液(例如，纯净水)冲洗含衬底的产物的步骤而不是由热处理升华产物。该衬底还可由极性溶剂诸如乙醇或乙二醇冲洗而不是(或者除外)水溶液冲洗。

[0056] 示例性实施方式2

[0057] 在一些实施方式中，电介质层120可以为硅氧化物层。第一前驱物可以为，例如，氢气(H2)、氨气(NH3)、肼(N2H4)、叠氮酸(HN3)、其他含氢前驱物及其各种组合。第二前驱物可以为，例如，氟化氢(HF)、三氟化氮(NF3)、四氟化硅(SiF4)、四氟甲烷(CF4)、氟代甲烷(CH3F)、二氟甲烷(CH2F2)、三氟甲烷(CHF3)、八氟丙烷(C3F8)、六氟乙烷(C2F6)、其它含氟前驱物及其各种组合。在一些实施方式中，第一前驱物诸如氨气(NH3)和第二前驱物诸如氟化氢(HF)用于与电介质层120反应。在一些实施方式中，NH3和HF可引入到沉积电介质层120的腔室内。在一些实施方式中，NH3和HF可引入到不同于沉积腔室的蚀刻腔室内以与电介质层120反应。

[0058] 在一些实施方式中，NH3可具有在约10每分钟标准毫升(sccm)和约1000sccm之间的流速。在一些实施方式中，NH3可具有约100sccm的流速。HF可具有在约10sccm和约2000sccm之间的流速。在一些实施方式中，HF可具有约200sccm的流速。工艺温度可在约
0℃和约80℃之间。在一些实施方式中，工艺温度可以为约30℃。工艺压力可以在大约1毫托(mTorr)和约1atm之间。在一些实施方式中，工艺压力可以为3Torr。NH3和HF的反应可以通过以下的反应式表示：

[0059] NH3(g)+HF(g)→NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)

[0060] 在一些实施方式中，NH3和HF可引入到腔室中用于与部分硅氧化物层反应。NH3和HF可与硅氧化物反应以形成固体产物，例如(NF4)2SiF6(s)。在一些实施方式中，衬底100可设置温度在大约-100℃和约1000℃之间(例如，约-50℃至约200℃)的底座上方。在其它实施方式中，底座可具有大约30℃的温度。底座的温度可期望地增强等离子体与硅氮化物的反应。硅氧化物与等离子体的反应可由以下的反应式表示：

[0061] NH4F(s)和/或NH4Fy.HF(s)+SiO2(s)→(NF4)2SiF6(s)+H2O

[0062] 再次参照图2，步骤240可分解固体产物，(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，步骤240可包括热处理固体产物以基本升华固体产物(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，热工艺可通过使固体产物(NF4)2SiF6接近喷头而实施，其可操作以提供在大约-100℃和约1000℃之间(例如，大约-50℃至大约200℃)的工艺温度。在实施方式中，工艺温度为大约180℃。在其它实施方式中，热工艺可通过，例如，烤箱、炉子、快速热退火(RTA)设备或其它热设备实施。固体产物(NF4)2SiF6的分解和/或升华可描述为以下反应式：

[0063] (NF4)2SiF6(s)→SiF4(g)+NH3(g)+HF(g)

[0064] 如上所述，用于去除固体产物的方法的其它实施方式可包括利用水溶液(例如，纯净水)冲洗含衬底的产物的步骤而不是(或者除外)由热处理升华产物。该衬底还可由极性溶剂诸如乙醇或乙二醇冲洗而不是(或者除外)水溶液冲洗。

[0065] 示例性实施方式3

[0066] 在一些实施方式中，电介质层120可以为硅氮化物层。第一前驱物可以为，例如，氢气(H2)、氨气(NH3)、肼(N2H4)、叠氮酸(HN3)、其他含氢前驱物及其各种组合。第二前驱物可以为，例如，氟化氢(HF)、三氟化氮(NF3)、四氟化硅(SiF4)、四氟甲烷(CF4)、氟代甲烷(CH3F)、二氟甲烷(CH2F2)、三氟甲烷(CHF3)、八氟丙烷(C3F8)、六氟乙烷(C2F6)、其它含氟前驱物及其各种组合。第一前驱物诸如氢气(H2)和第二前驱物诸如三氟化氮(NF3)可离子化等离子体。在一些实施方式中，离子化工艺可在沉积电介质层120的腔室内发生。在一些实施方式中，离子化工艺可在外部发生，然后引入到沉积电介质层120的腔室中。在一些实施方式中，蚀刻工艺130在不同于沉积腔室的蚀刻腔室中执行。

[0067] 在一些实施方式中，NH3可具有在约10每分钟标准毫升(sccm)和约1000sccm之间的流速。在一些实施方式中，NH3可具有约100sccm的流速。H2可具有在约10sccm和约3000sccm之间的流速。在一些实施方式中，H2可具有约600sccm的流速。工艺温度可在约
0℃和约80℃之间。在一些实施方式中，工艺温度可以为约30℃。工艺压力可以在大约1毫托(mTorr)和约1atm之间。在一些实施方式中，工艺压力可以为3Torr。等离子体功率可以在约10Watt和约2000Watt之间。在一些实施方式中，等离子体功率可以为约45Watt。

[0068] 然后，等离子体引入腔室中用于与硅氧化物层反应。远程产生的等离子体与硅氧化物反应以形成固体产物，例如(NF4)2SiF6(s)。在一些实施方式中，衬底100可设置温度在大约-100℃和约1000℃之间(例如，约-50℃至约200℃)的底座上方。在其它实施方式中，底座可具有大约30℃的温度。底座的温度可期望地增强等离子体与硅氮化物的反应。硅氧化物与等离子体的反应可表示为以下的反应式：

[0069] NH3(g)+H2(g)+Si3N4→(NF4)2SiF6(s)

[0070] 再次参照图2，步骤240可分解固体产物，(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，步骤240可包括热处理固体产物以基本升华固体产物(NF4)2SiF6。在一些实施方式中，热工艺可通过使固体产物(NF4)2SiF6接近喷头而实施，其可操作以提供在大约-100℃和约1000℃之间的工艺温度。在实施方式中，工艺温度为大约180℃。在其它实施方式中，热工艺可通过，例如，烤箱、炉子、快速热退火(RTA)设备或其它热设备实施。固体产物(NF4)2SiF6的分解和/或升华可描述为以下反应式：

[0071] (NF4)2SiF6(s)→SiF4(g)+NH3(g)+HF(g)

[0072] 如上所述，用于去除固体产物的方法的其它实施方式可包括利用水溶液(例如，纯净水)冲洗含衬底的产物的步骤而不是(或者除外)由热处理升华产物。该衬底还可由极性溶剂诸如乙醇或乙二醇冲洗而不是(或者除外)水溶液冲洗。

[0073] 再次参照图1C，可基本去除电介质层120的夹紧和负性轮廓。被蚀刻的电介质层120a可具有期望的轮廓，使得随后的电介质层诸如电介质层140(在图1D中示出)可期望地形成于沟道115b内。

[0074] 参照图1D和图2，步骤250可在所蚀刻的电介质层120a上方形成电介质层140。电介质层140可由，例如，氧化物、氮化物、氮氧化物、低-k电介质材料、超低-k电介质材料、其它电介质材料或其各种组合形成。电介质层140可通过，例如，CVD工艺、旋涂工艺、适于形成电介质层或其各种组合的其它方法形成。在一些实施方式中，电介质层层140可以为热CVD氧化物，诸如高纵宽比工艺(HARP)氧化物、eHARP氧化物、常压CVD(APCVD)氧化物或高温未掺杂硅酸盐玻璃(HTUSG)、高密度等离子体(HDP)氧化物、等离子体增强CVD(PECVD)氧化物、炉(fumace)沉积的氧化物，诸如高温氧化物、中间温度氧化物或低温氧化物，原子层沉积(ALD)氧化物和其它氧化物。在一些实施方式中，电介质层140可以为，例如，PECVD氮化物、炉沉积的氮化物、HDP氮化物、热CVD氮化物、ALD氮化物和其它氮化物。在一些实施方式中，电介质层140可以指高纵宽比工艺(HARP)盖层。由于电介质层120的压紧且负性轮廓(在图1B中示出)基本去除，所以电介质层140可期望地填充在所蚀刻的电介质层120a之间的间隙内。

[0075] 在一些实施方式中，执行回蚀工艺和/或化学机械平坦化(CMP)工艺以基本平坦化电介质层140的顶表面。

[0076] 图3是用于形成示例性沟槽隔离结构的示例性工艺的示意性流程。参照图3，步骤310、320、330、340和350分别类似于以上结合图2所描述的步骤210、220、230、240和250。

[0077] 在图3中，步骤312可在形成电介质层层120之前形成衬垫。在一些实施方式中，衬垫可包括硅氧化物层、硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧碳化物层和其他电介质层的至少其中之一。在一些实施方式中，蚀刻工艺可具有电介质层120对衬底约8∶1或更高的蚀刻选择性。

[0078] 在一些实施方式中，衬底为氧化物而电介质层120为氮化物。对于使用等离子体反应的实施方式，电介质层120对衬垫的蚀刻选择性可通过改变工艺温度、等离子体功率、NF3流速、NH3流速和/或工艺压力而改变。对于不使用等离子体反应的实施方式，电介质层120对衬垫的蚀刻选择性可以通过改变工艺温度、NH3流速、HF流速和/或工艺压力而变化。

[0079] 在一些实施方式中，衬垫为氮化物而电介质层120为样化物。对于使用等离子体反应的实施方式，电介质层120对衬垫的蚀刻选择性可通过改变工艺温度、等离子体功率、NF3流速、H2流速和/或工艺压力而改变。

[0080] 再次参照图3，步骤314可使衬垫与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应以形成固体产物。在一些实施方式中，步骤314可类似于以上结合图2陈述的步骤230。步骤316可分解该固体产物以去除部分衬垫。在一些实施方式中，步骤316类似于以上结合图2描述的步骤240。

[0081] 在一些实施方式中，步骤314和316可去除部分衬垫，使得被蚀刻的衬垫可提供在其上形成电介质层120(未示出)的期望轮廓。通过使用步骤314和316以蚀刻部分衬垫，电介质层120的夹紧且负性轮廓可期望地去除。

[0082] 图4是用于形成示例性沟槽隔离结构的示例性工艺的示意性流程。参照图4，步骤410、420、430、440和450分别类似于以上结合图2所描述的步骤210、220、230、240和250。

[0083] 在图4中，步骤442可使其它部分的所蚀刻电介质层120a与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应以形成固体产物。在一些实施方式中，步骤442可类似于以上结合图2描述的步骤230。步骤444可分解固体产物以去除被蚀刻电介质层120a的反应部分。在一些实施方式中，步骤444类似于以上结合图2描述的步骤240。

[0084] 在一些实施方式中，步骤442和444可去除部分被蚀刻的电介质层120a，使得被蚀刻的电介质层120a可提供在其上形成电介质层140(在图1A中示出)的期望轮廓。通过使用步骤442和444以蚀刻部分被蚀刻的电介质层120a，电介质层120的夹紧且负性轮廓可期望地去除。在一些实施方式中，可重复步骤442和444一次或多次以实现被蚀刻电介质层120a的期望轮廓。

[0085] 如上所述，本发明不限于以上结合图1A-1D和图2-4描述的实施方式。用于期望地填充半导体衬底的间隙或开口内的电介质层的其它方法可根据以上陈述的示例性实施方式而改变。例如，在图3中示出的步骤312-316可与在图4中示出的步骤442-444结合以期望地填充半导体衬底的间隙或开口内的电介质层。

[0086] 示例性薄膜沉积系统

[0087] 可沉积电介质层的沉积系统可包括高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)系统、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统、准常压化学气相沉积(SACVD)系统，以及热化学气相沉积系统以及其他类型的系统等。可实施本发明的实施方式的CVD系统的特定实施例包括可从加利福尼亚的Santa Clara的Applied Materials购得的TM TM TMCENTURA ULTIMA HDP-CVD腔室/系统，以及PRODUCER PECVD腔室/系统诸如PRODUCER TM
Celera PECVD。

[0088] 可与本发明的示例性方法一起使用的衬底处理系统的实施例可包括在2006年5月30日由Lubomirsky等人提交且题目为“PROCESS CHAMBER FOR DIELECTRIC GAPFILL”的共同转让的美国临时专利申请No.60/803,499中示出并描述的系统，在此引入其全部内容作为参考。额外的示例性系统可包括在美国专利No.6,387,207和6,830,624中示出并描述的系统，再次引入其全部内容作为参考。

[0089] 现在参照图5A，示出CVD系统10的垂直横截面视图，其具有包括腔室壁15a和腔室盖组件15b的真空或处理腔15。CVD系统10可包含气体分配歧管11，其用于将工艺气体分散到放置在工艺腔室15中间的热底座12上的衬底(未示出)。气体分配歧管11可由导电材料形成以用做形成电容等离子体的电极。在处理期间，衬底(例如，半导体晶圆)可放置在底座12的平(或稍微凸起)表面12a上。底座12可在下负载/减荷位置(在图5A中示出)和紧邻歧管11的上处理位置(在图15A中通过短划线14示出)之间受控地移动。中插板(未示出)可包括在晶圆位置上用于提供信息的传感器。

[0090] 沉积和载气可通过传统的平、圆形气体分配面板13a的多孔引入到腔室15。在一些实施方式中，沉积工艺气体可通过入口歧管11，穿过传统的多空阻挡板以及然后通过气体分配面板13a中的孔而流入腔室。

[0091] 在到达歧管11之前，沉积气体和载气可通过气体供应管道从气源输入到混合系统中，其中气体在该处组合并随后传送到歧管11。在一些实施方式中，每种工艺气体的供应管道可包括(i)可用于自动或手动截止工艺气体流入腔室中的数个安全截流阀(未示出)，以及(ii)测量通过供应管道的气流的质量流量控制器(也未示出)。当在工艺中使用有毒气体时，在传统配置中数个安全截流阀放置在每个气体供应管道上。

[0092] 在CVD系统10中执行的沉积工艺可以为热工艺和/或等离子体增强工艺。在等离子体增强工艺中，RF功率供应可在气体分配面板13a和底座12之间施加电功率，以激发工艺气体混合物，从而在面板13a和底座12之间的柱状区域内形成等离子体。(该区域在此将指“反应区域”)。等离子体的组分反应以在底座12上支撑的半导体晶圆表面上沉积期望薄膜。RF功率供应可以为通常供应13.56MHz的高RF频率(RF1)和360KHz的低RF频率(RF2)的功率的混合频率RF功率供应，以增强引入到真空腔室15的反应物质的分解。在热工艺中，RF功率供应44不能使用，并且工艺气体混合物可热反应以在支撑在底座12上的半导体晶圆表面上沉积期望薄膜，其中底座12电阻式加热以提供用于反应的热能。

[0093] 在等离子体增强沉积工艺期间，等离子体可加热整个工艺腔室10，包括围绕排气通道23截流阀24的腔体15a的壁。当没有打开等离子体或者在热沉积工艺期间，热流体通过工艺腔室15的壁15a循环以保持腔室在上升温度。在剩余腔室壁15a中的通道没有示出。用于加热腔室壁15a的流体可包括典型的流体类型，即，水基乙二醇或油基热传递流体。该加热(指通过“热交换器”加热)可期望地降低和/或去除不期望反应产物的浓缩并改善工艺气体和其它污染物的挥发产物的去除，如果这些工艺气体和其它污染物聚集在冷却真空通道的壁上并在没有气体流动时期迁移回到处理腔室中，它们将污染工艺。

[0094] 不沉积在层中的残留气体混合物，包括反应副产物，通过真空泵(未示出)从腔室15排除。在一些实施方式中，气体可通过围绕反应区域的环形、槽形孔16排出到环形排气增压部17中。环形槽16和进气增压部17可通过腔室的柱状侧壁15a(包括壁上的上电介质衬套19)的顶部和环形腔室盖20的底部之间的间隙限定。360度的环形对称且均匀的槽孔16和进气增压部17可配置以实现晶圆上方的工艺气体的均匀流动，从而在晶圆上沉积均匀薄膜。

[0095] 从排气增压部17，气体可在排出增压部17的水平延伸部分21下面流动，经过观察孔(未示出)，穿过向下延伸的气体通道23，经过真空截流阀24(其主体与下腔室壁15一体成形)，并流入通过前级真空管道(也未示出)连接到外部真空泵(未示出)的排出口25。

[0096] 底座12(优选为铝、陶瓷或其组合)的晶圆支撑大浅盘可使用配置以平行同心圆方式进行两个完整循环的单环嵌入式加热器元件进行电阻式加热。加热器元件的外部分可邻近支撑大浅盘的周界运行，同时内部分在具有较小半径的同心圆路径上运行。到加热器元件的布线可通过底座12的座(stem)。

[0097] 通常，部分或全部腔室衬套、气体入口歧管面板和各种其它反应器硬件可由诸如铝、阳极化铝或陶瓷制成。该CVD设备的一实施例在授权给Zhao等人的题目为“CVD Processing Chamber”的共同转让的美国专利No.5,558,717中进行了描述，并在此引入其全部内容作为参考。

[0098] 当机械叶片(未示出)通过腔室10侧部中的插入/去除开口26传送晶圆进出腔室15的主体时，升降机构和马达32(图5A)可提升和/或降低加热器底座组件12及其晶圆升降杆12b。马达32可在处理位置14和较低晶圆负载位置之间提升和/或降低底座12。连接到供应管道、气体传输系统、截流阀、RF功率供应和腔室的马达、阀或流量控制器以及衬底加热系统可通过仅示出部分的控制管道上方的系统控制器控制。控制器依靠来自光学传感器的反馈以确定在控制器的控制下通过适当的马达移动的可移动机械组件诸如截流阀和基座(susceptor)的位置。

[0099] 在示例性实施方式中，系统控制器可包括硬盘驱动(存储器)、软盘驱动和处理器。处理器可包含单板计算机(SBC)、模拟和数字输入/输出板、接口板和步进马达控制器板。CVD系统10的各部分可符合限定板、插件盒和连接器尺寸等类型的Versa Modular European(VME)标准。该VME标准可将总线结构限定为具有16-字节数据总线和24-字节地址总线。

[0100] 系统控制器可控制CVD机器的激活。该系统控制器执行系统可控制软件，其为存储在计算机可读介质诸如存储器中的计算机程序。在一些实施方式中，存储器可以为硬盘驱动或其他类型的存储器。计算机程序可包括指示时序、气体混合、腔室压力、腔室温度、RF功率级别、基座位置以及特定工艺的其它参数的指令集。存储在包括，例如软盘或其它另一适当驱动的其它存储器件上的其它计算机程序也可用于操作控制器。

[0101] 用于在衬底上沉积薄膜的工艺或用于清洗腔室15的工艺可使用通过控制器执行的计算机程序产品来实施。计算机程序代码可以任何传统计算机可读程序语言写入：例如，68000汇编语言、C、C++、Pascal、Fortran等。适当的程序代码使用传统的文本编辑器进入单一文件或多个文件中，并存储或嵌入到计算机可用介质中，诸如计算机的存储系统。如果所进入的代码文本是高级语言，则编译代码，并且所产生的编译代码随后与预编译的Microsoft 库程序的目标代码链接。为了执行该链接，编译的目标代码系统使用者调用目标代码，导致计算机系统负载存储器中的代码。然后，该CPU读取并执行该代码以执行程序中识别的任务。

[0102] 在使用者和控制器34之间的接口可以经由CRT监控器50a和光笔50b，如图5B所示，其可以为包括一个或多个腔室的衬底处理系统中的系统监控器和CVD系统10的简化程序。在一些实施方式中，可以使用两个监控器50a，一个为了操作者安装在清洗室壁中而另一个为了服务技术人员安装在壁后面。监控器50a可同时显示相同的信息。在一些实施方式中，仅允许一支光笔50b。在光笔50b的顶部中的光传感器可检测通过CRT显示器发射的光。为了选择特定的显示屏或功能，操作者可触摸显示器屏幕的指定区域并按笔50b上的按钮。所触摸的区域可改变其高亮度颜色，或者显示新的菜单或屏幕，确定光笔和显示屏幕之间的通信。可使用其它器件，诸如键盘、鼠标或其它指向或通信器件，而不用或除外光笔50b以使使用者与控制器34通信。

[0103] 图5A示出了安装在包括气体分配面板13a和气体分配歧管11的工艺腔室15的盖组件15b上的远程等离子体产生器60。案子适配器64可将远程等离子体产生器60安装在盖组件15b上，如图5A最佳所见。适配器64可以由金属制成。适配器64可包括孔95，其耦接到绝缘体66。混合器件70可耦接到气体分配歧管11的上游侧(图5A)。混合器件70可包括混合插入物(insert)72，其设置在混合挡板的槽内部用于混合工艺气体。陶瓷绝缘体66可放置在安装适配器64与混合器件70之间(图5A)。陶瓷绝缘体66可由陶瓷材料诸如Al2O3(99％纯度)、 等制成。当卸载时，混合器件70和陶瓷绝缘体66可形成部分盖组件15b。绝缘体66可使金属适配器64与混合器件70以及气体分配歧管11绝缘，从而最小化二级等离子体的电势，以形成盖组件15b，如以下详细讨论。三通阀可直接或通过远程等离子体产生器60控制到工艺腔室15的工艺气体流量。

[0104] 远程等离子体产生器60可期望地为小型、整装单元，其可传统式地安装在盖组件15b上并易于改造到现有腔室上而不用昂贵且耗时修改。一个适当的单元为可用Mass的Woburn的应用材料与科技有限公司购得的 产生器。 产生器利用低
场环形等离子体以分离工艺气体。在一个实施例中，等离子体分离包括诸如NF3的含氟气体的工艺气体以及诸如氩的载气以产生自由氟，用于清洗工艺腔室15中的薄膜沉积物。

[0105] 示例性蚀刻系统

[0106] 可执行蚀刻工艺的蚀刻系统可包括，例如，可从加利福尼亚的Santa Clara的应用TM材料有限公司购得的SiConi 预清洗腔室/系统。

[0107] 图6是示例性蚀刻腔室的示意性横截面视图。蚀刻腔室600可包括腔室壁630。蚀刻腔室600可包括等离子体分配装置610诸如管、导管和/或歧管，用于将工艺等离子体
615分散到防止工艺腔室中间的底座620上的衬底100。蚀刻腔室600可通过等离子体分配装置610耦接到等离子体产生器605。等离子体产生器605配置以产生等离子体615。衬底100可在邻近喷头650的下位置/上位置之间通过升降杆640可控地移动。衬底100可具有沟槽115以及在其上形成的电介质层120(在图1B中示出)。

[0108] 在一些实施方式中，等离子体分配装置610可将通过，例如，在以上结合图2-4描述的步骤230、330、430、314和442所产生的等离子体引入到处理腔室600。在一些实施方式中，用于蚀刻等离子体615的供应管道可包括(i)可用于自动或手动截止工艺等离子体流入腔室中的数个安全截流阀(未示出)，以及(ii)测量通过供应管道的等离子体615的流动的质量流量控制器(也未示出)。

[0109] 再次参照图6，腔室壁630可具有基本防止蚀刻剂和/或副产物在其上浓缩的温度。在一些实施方式中，底座620可操作以提供在大约-100℃和大约1000℃度之间(例如，大约-50℃至大约200℃)的预期温度以将蚀刻剂浓缩到衬底100表面上，即在衬底100上方的电介质层120上。然后，蚀刻剂可期望地与在衬底100上方形成的电介质层120反应，从而产生结合图2-4描述的固体产物。在副产物产生之后，升降杆640可朝向喷头650提升衬底100。喷头650可操作以提供在大约-50℃和大约1000℃度之间的工艺温度。在一些实施方式中，喷头650可至以上结合图2-4所描述的步骤240、340、440、316和444以分解和/或升华固体产物，从而去除部分电介质层120和衬垫。

[0110] 再次参照图6，至少一个泵送沟道660可配置在蚀刻腔室600内以期望地去除副产物和/或分解的气体。泵送沟道660可耦接到，例如，泵或马达，使得可期望地去除副产物。在一些实施方式中，泵送沟道660可具有至少一个孔(未示出)，通过可期望地去除该孔副产物。

[0111] 在一些实施方式中，RF功率供应(未示出)可耦接到等离子体产生器605以激发包括含氟前驱物和含氢前驱物的工艺气体以形成等离子体615。RF功率供应可操作以提供在大约5watt和大约3000watt之间的RF功率。RF功率供应可供应在大约100kHz和大约64MHz之间的RF频率下的功率。

[0112] 系统控制器(未示出)可控制蚀刻系统的所有激活。系统控制器执行系统控制软件，其为存储在计算机可读介质诸如存储器中的计算机程序。在一些实施方式中，存储器为硬盘驱动，但是存储器也可以为其它类型的存储器。计算机程序包括指示时序、气体混合、腔室压力、腔室温度和特定工艺的其它参数的指令集。存储在包括，例如，软盘或其它另一适当的区域的其它存储器件中的其它计算机程序也可用于操作控制器。

[0113] 用于蚀刻衬底上方的部分薄膜的工艺可使用通过以上所述的控制器执行的计算机程序产物来实施。计算机程序代码可以任何传统计算机可读程序语言写入：例如，68000汇编语言、C、C++、Pascal、Fortran等。适当的程序代码使用传统的文本编辑器进入单一文件或多个文件中，并存储或嵌入到计算机可用介质中，诸如计算机的存储系统。
如果所进入的代码文本是高级语言，则编译代码，并且所产生的编译代码随后与预编译的Microsoft 库程序的目标代码链接。为了执行该链接，编译的目标代码系统使用者调用目标代码，导致计算机系统在存储器中负载该代码。然后，该CPU读取并执行该代码以执行程序中识别的任务。

[0114] 通过以上所述的数个实施方式，本领域的普通技术人员将意识到在不脱离本发明的精神下可使用各种修改、可选组成及其等效物。另外，为了避免不必要地模糊本发明，没有描述多个众所周知的工艺和元件。因此，以上什么并不应该用于限制本发明的范围。

[0115] 在提供数值范围处，应该理解除非文本清晰地指出否则在该范围的上下限之间的每个中间值，到下限单元的十分之一，也是特定的公开内容。包含在所陈述范围中的所陈述数值或中间值与所陈述范围中的任何其它所陈述或中间值之间的每个较小范围。这些较小范围的上下限可独立地包括于或不包括于范围中，并且其上下限的每个、都不或都包括于较小范围中的每个范围也包含于本发明内，取决于任何特定包括于所陈述范围中的限制。在包含一个或两个限的所陈述范围中，不包括这些所包括上下限的任一个或两个的范围也包括于本发明中。

[0116] 如在此以及在附加的权利要求书中使用，单一形式的“一”和“该”包括多个涉及对象，除非文本清晰指出另外的规定。因而，例如，标记“一方法”包括多个该方法并且标记“该前驱物”包括指本领域的普通技术人员公知的一个或多个前驱物及其等效物等。

[0117] 同样，当在本说明书中以及以下的权利要求书中使用时，词语“包含”、“包含于”、“包括”、“包括于”和“含在”意指说明存在所陈述特征结构、组分、组件或步骤，但是它们不排除存在或另外地一个或多个其它特征结构、组分、组件、步骤、动作或基团。