具有用于减少电容的间隙的器件

摘要

一种用于减少半导体器件之间电容的方法。在介电层(208)内形成多个接触结构(210)。形成掩模(212)以覆盖该接触结构，其中该掩模具有用于暴露该介电层部分的掩模特征(214)，其中该掩模特征具有宽度。利用侧壁沉积物(215)收缩该掩模特征的宽度。穿过该侧壁沉积物将间隙(216)蚀刻入该介电层。闭合该间隙以在该间隙内形成袋室(220)。

权利要求

1.一种用于减少半导体器件配线之间电容的方法，包括：在介电层内形成多个接触结构；

形成掩模以覆盖该接触结构，其中该掩模具有用于暴露该介电层部分的掩模特征，其中该掩模特征具有宽度；

利用侧壁沉积物收缩该掩模特征的宽度；

穿过该侧壁沉积物将间隙蚀刻入该介电层；以及闭合该间隙以在该间隙内形成袋室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该收缩该掩模特征的宽度包括至少一个收缩循环，其中每个收缩循环包括：收缩沉积阶段，其在该掩模特征的侧壁上形成沉积物以收缩该掩模特征；以及收缩形貌成形阶段，其成形在该掩模特征的侧壁上的沉积物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该收缩该掩模特征的宽度将该掩模特征的宽度收缩5-80％，并且其中该形貌成形阶段成形该掩模特征侧壁上的沉积物以形成垂直侧壁。

4.根据权利要求2-3中任一项所述的方法，其中该收缩该掩模特征的宽度包括3到20个收缩循环。

5.根据权利要求1所述的方法，其中每个间隙具有容积并且每个袋室具有容积，其中每个袋室的容积是该袋室所处间隙的容积的至少一半。

6.根据权利要求2所述的方法，其中该收缩沉积阶段包括：提供沉积气体；

由该沉积气体形成等离子；以及

停止该沉积气体流。

7.根据权利要求2所述的方法，其中该收缩形貌成形阶段包括：提供形貌成形气体；

由该形貌成形气体形成等离子；以及

停止该形貌成形气体流。

8.根据权利要求6-7中任一项所述的方法，其中该沉积气体包括碳氢化合物、碳氟化合物和氢氟碳化合物的至少一种，并且该形貌成形气体包括CxFy、NF3和CxHyFz的至少一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中该闭合该间隙包括多个循环，其中每个循环包括：方包沉积阶段，该阶段通过沉积气体在间隙的侧壁上提供沉积物；以及方包形貌成形阶段，该阶段通过方包形貌成形气体成形沉积物的形貌以形成方包闭合部。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成接触结构，包括：在该介电层内蚀刻特征；以及

在该介电层中被蚀刻的特征内设置导电材料。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在形成该掩模以覆盖该接触结构之前，在该接触结构和介电层上形成阻挡层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成接触结构包括在该介电层内蚀刻特征，并且其中所述形成掩模以覆盖该接触结构包括利用光刻胶填充该接触结构。

13.根据权利要求1所述的方法，其中该接触结构各包括至少一个过孔和至少一个沟槽。

14.一种由根据权利要求1-13中任一项所述的方法形成的半导体器件。

15.一种用于减少半导体器件之间电容的方法，包括：在介电层内形成多个接触结构；

形成掩模以覆盖该接触结构，其中该掩模具有用于暴露该介电层部分的掩模特征，其中该掩模特征具有宽度；

利用侧壁沉积物收缩该掩模特征的宽度，其中收缩该掩模特征的宽度将该掩模特征的宽度收缩5-80％，其中该收缩该掩模特征的宽度包括至少一个收缩循环，其中每个收缩循环包括：收缩沉积阶段，其在该掩模特征侧壁上形成沉积物以收缩该掩模特征；以及收缩形貌成形阶段，其成形在该掩模特征侧壁上的沉积物，其中该形貌成形阶段成形该掩模特征侧壁上的沉积物以形成垂直侧壁；

穿过该侧壁沉积物将间隙蚀刻入该介电层；以及闭合该间隙以在该间隙内形成袋室，其中闭合该间隙包括多个循环，其中每个循环包括：方包沉积阶段，该阶段通过沉积气体在间隙的侧壁上提供沉积物；以及方包形貌成形阶段，该阶段通过方包形貌成形气体成形沉积物的形貌以形成方包闭合部。

16.根据权利要求15所述的方法，其中收缩该掩模特征的宽度包括3到20个收缩循环。

17.根据权利要求15-16中任一项所述的方法，其中该接触结构各包括至少一个过孔和至少一个沟槽。

说明书

具有用于减少电容的间隙的器件

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体器件的形成。更具体地，本发明涉及具有用于减少电容的间隙的半导体器件的形成。背景技术

[0002] 在基于半导体的器件(例如，集成电路或平板显示器)制造中，双大马士革结构可与铜导体材料结合使用，以减少与先前技术所使用的铝基材料中信号传播相关的RC延迟。在双大马士革中，不是蚀刻该导体材料，而是过孔和沟槽可蚀刻入介电材料并利用铜填充。多余的铜可利用化学机械抛光(CMP)去除，而保留利用过孔连接的铜线条以用于信号传输。为进一步减少RC延迟，可使用多孔或无孔的低k介电常数材料。在该说明书和权利要求书中，低k定义为k＜3.0。

[0003] 美国专利6,297,125披露了使用空气间隙以减少电容。发明内容

[0004] 为达到前述以及符合本发明的目的，提供了一种用于减少半导体器件之间电容的方法。在介电层内形成多个接触结构。形成掩模以覆盖该接触结构，其中该掩模具有用于暴露该介电层部分的掩模特征，其中该掩模特征具有宽度。利用侧壁沉积物收缩该掩模特征的宽度。穿过该侧壁沉积物将间隙蚀刻入该介电层。闭合该间隙以在该间隙内形成袋室。

[0005] 在本发明的另一个表现形式，提供了一种用于减少半导体器件之间电容的方法。在介电层内形成多个接触结构。形成掩模以覆盖该接触结构，其中该掩模具有用于暴露该介电层部分的掩模特征，其中该掩模特征具有宽度。利用侧壁沉积物收缩该掩模特征的宽度，其中收缩该掩模特征的宽度将该掩模特征的宽度收缩5-80％，其中收缩该掩模特征的宽度包括至少一个收缩循环，其中每个收缩循环包括：收缩沉积阶段，其在该掩模特征的侧壁上形成沉积物以收缩该掩模特征；以及收缩形貌成形阶段，其在该掩模特征的侧壁上成形该沉积物，其中该形貌成形阶段成形该掩模特征侧壁上的沉积物以形成垂直侧壁。穿过该侧壁沉积物将间隙蚀刻入该介电层。闭合该间隙以在该间隙内形成袋室，其中该闭合该间隙包括多个循环，其中每个循环包括方包沉积阶段以及方包形貌成形阶段。

[0006] 在本发明的另一个表现形式中，提供了一种用于减少半导体器件之间电容的装置。等离子处理室，包括：室壁，其形成等离子处理室内腔；基片支撑件，其用于在该等离子处理室内腔内支撑基片；压力调节器，其用于调节该等离子处理室内腔内的压力；至少一个电极，其用于提供功率到该等离子处理室内腔以维持等离子；气体入口，其用于提供气体到该等离子处理室内腔内；以及气体出口，其用于从该等离子处理室内腔排出气体。提供与该气体入口流动连接的气体源，包括收缩沉积气体源以及收缩形貌成形气体源。可控地连接到该气体源和该至少一个电极的控制器，包括至少一个处理器以及计算机可读介质。该计算机可读介质包括用于利用侧壁沉积物收缩掩模特征宽度的计算机可读代码，其包括多个循环。每个循环包括：用于从该收缩沉积气体源提供收缩沉积气体的计算机可读代码，用于从该收缩沉积气体产生等离子的计算机可读代码，用于停止来自该收缩沉积气体源的收缩沉积气体的计算机可读代码，用于从该收缩形貌成形气体源提供不同于该沉积气体的收缩形貌成形气体的计算机可读代码，用于从该收缩形貌成形气体产生等离子的计算机可读代码以及用于停止来自该收缩形貌成形气体源的收缩形貌成形气体的计算机可读代码。该计算机可读介质进一步包括用于穿过该侧壁沉积物将间隙蚀刻入接触结构之间的蚀刻层的计算机可读代码以及用于闭合该间隙以在该间隙内形成袋室的计算机可读代码。

[0007] 本发明的这些和其它特点将在以下详细描述中结合附图进行更详细地说明。附图说明

[0008] 在附图中，本发明以示例而非限制性的方式进行说明，并且其中相似的参考标号指代类似的元件，其中：

[0009] 图1是可用在本发明实施方式中的处理工艺的高层流程图；

[0010] 图2A-E是根据本发明实施方式的经处理堆栈的横截面示意图和俯视图；

[0011] 图3是收缩掩模内特征的步骤的更详细的流程图；

[0012] 图4是可用于实现本发明的等离子处理室的示意图；

[0013] 图5A-B说明了一种计算机系统，其适于实现用于本发明实施方式中的控制器；

[0014] 图6是形成袋室以及完成处理工艺的更详细的流程图；

[0015] 图7A-H是根据本发明另一个实施方式的处理的堆栈的横截面示意图和俯视图；

[0016] 图8是形成袋室及完成该处理工艺的另一种处理工艺的更详细的流程图；

[0017] 图9是形成方包闭合部的更详细的流程图。

具体实施方式

[0018] 现根据附图中说明的多个优选实施方式详细描述本发明。在以下描述中，阐述了许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域的技术人员来说，显然，本发明可不利用这些具体细节中的一些或全部来实施。在有的情况下，公知的工艺步骤和/或结构没有详细描述，以免不必要地混淆本发明。

[0019] 为便于理解，图1是可用于本发明实施方式中的处理工艺的高层流程图。在介电层内形成接触结构(步骤104)。在接触结构上形成掩模(步骤108)。该掩模具有用于形成间隙的掩模孔(掩模特征)。收缩该掩模特征(步骤112)。将间隙蚀刻入介电层(步骤116)。在间隙内形成袋室(步骤120)。优选地，每个袋室的容积至少是每个间隙容积大小的一半。这些袋室可利用多种流体填充，例如液体或气体(如空气)。更优选地，该袋室是利用气体填充的气体袋室，以形成气体袋室。示例1

[0020] 在本发明一个实施方式的示例中，接触结构在有机硅酸盐玻璃(OSG)组成的介电层内形成(步骤104)。图2A是由该示例形成的堆栈200的横截面视图。在该示例中，OSG介电层208在基片204上，基片可以是晶片或中间层电介质。接触结构210是双大马士革结构，其在该示例中是填充有铜的过孔和沟槽。在该示例中，过孔与沟槽部分重叠。可通过首先蚀刻过孔然后提供非对准的沟槽掩模来形成该结构。在该示例中，阻挡层209形成在OSG介电层208和接触结构210上。在该示例中，阻挡层209是氮化硅或碳化硅。

[0021] 在接触结构210上的阻挡层209部分上形成掩模212(步骤108)。在该示例中，掩模212是带有光刻胶特征(孔)214的光刻胶掩模。收缩光刻胶掩模特征214(步骤112)。为收缩光刻胶掩模特征214，将基片204置入处理室内。

[0022] 图4是可用于蚀刻间隙并且形成方包闭合的处理室400的示意图。等离子处理室400包括限制环402、上部电极404、下部电极408、气体源410以及排气泵420。气体源410包括收缩沉积气体源412和收缩形貌气体源416。该气体源可包括附加的气体源，例如蚀刻气体源418和间隙闭合气体源422。在等离子处理室400内，基片204设在下部电极408上。
下部电极408结合适合的基片卡盘机构(例如，静电、机械夹紧等)以把持基片204。反应器顶部428结合恰好对着下部电极408设置的上部电极404。上部电极404、下部电极408和限制环402限定受限等离子容积。通过气体源410向该受限等离子容积提供气体，并且由排气泵420通过限制环402和排气口从该受限等离子容积排出气体。第一RF源444与上部电极404电连接。第二RF源448与下部电极408电连接。室壁452围绕限制环402、上部电极404和下部电极408。第一RF源444和第二RF源448均可包括27MHz功率源和2MHz功率源。将RF功率连接到该电极的不同组合是可能的。在Lam ResearchCorporation的TM
双频电容(DFC)系统的情况中，由Fremont，California的LAM Research Corporation 制造，其可用在本发明的优选实施方式中，该27MHz和2MHz功率源两者构成连接到该下部电极的第二RF功率源448，而上部电极接地。在其它实施方式中，RF功率源可具有高达300MHz的频率。控制器435可控地连接到RF源444、448，排气泵420和气体源410。该DFC系统在待蚀刻层208为介电层(如二氧化硅或有机硅酸盐玻璃)时使用。

[0023] 图5A和5B说明了一种计算机系统1300，其适于实现用在本发明的实施方式中的控制器435。图5A示出该计算机系统一种可能的物理形式。当然，该计算机系统可具有许多物理形式，其范围从集成电路、印刷电路板以及小型手持设备到巨形超级计算机。计算机系统1300包括监视器1302、显示器1304、机箱1306、磁盘驱动器1308、键盘1310和鼠标1312。磁盘1314是用来从计算机系统1300传入和传出数据的计算机可读介质。

[0024] 图5B是用于计算机系统1300的方框图的示例。连接到系统总线1320的是多种多样的子系统。一个或多个处理器1322(也称为中央处理单元，或CPU)连接到存储设备，包括存储器1324。存储器1324包括随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。如本领域所公知的，ROM用来向CPU单向地传输数据和指令，而RAM一般用来以双向方式传输数据和指令。这两种类型的存储器均可包括下述任何合适的计算机可读介质。固定磁盘1326也双向连接到CPU 1322；其提供附加的数据存储能力并且可包括任何下述计算机可读介质。固定磁盘1326可用来存储程序、数据等，并且一般是次级存储介质(如硬盘)，其比主存储器慢。可以理解的是，在适合的情况下，保留在固定磁盘1326内的信息可作为虚拟存储器以标准的方式结合入存储器1324。可移动磁盘1314可采用下述任何计算机可读介质的形式。

[0025] CPU 1322也连接到多种输入/输出设备，如显示器1304、键盘1310、鼠标1312和扬声器1330。通常，输入/输出设备可以是下列任意设备：视频显示器、轨迹球、鼠标、键盘、麦克风、触摸显示器、传感读卡器、磁带或纸带阅读器、书写板、书写笔、语音或手写识别器、生物识别器或其它计算机。CPU 1322可选地使用网络接口1340连接到另一台计算机或连接到远端通信网络。利用该网络接口，设想CPU可在执行上述方法步骤过程中从网络接收信息或者向该网络输出信息。此外，本发明的方法实施方式可在CPU 1322上单独执行或可在如Internet的网络上与远程CPU协同执行，该远程CPU共享该处理的一部分。

[0026] 另外，本发明的实施方式进一步涉及具有计算机可读介质的计算机存储产品，在其上有用于执行多种计算机实现操作的计算机代码。该介质和该计算机代码可以是那些为本发明的目的专门设计和构建的，或者它们可以是对于计算机软件领域的技术人员来说公知的或者可以得到的类型。计算机可读介质的示例包括，但不限于：磁介质，如硬盘、软盘和磁带；光介质，如CD-ROM和全息设备；磁-光介质，如光软盘；以及为存储和执行程序代码专门配置的硬件设备，如专用集成电路(ASIC)，可编程逻辑设备(PLD)和ROM及RAM设备。计算机代码的示例包括如由编译器生成的机器代码，以及包含高级代码的文件，该高级代码可由计算机使用解释器执行。计算机可读介质还可以是由嵌入载波中的计算机数据信号传输并代表可由处理器执行的指令序列的计算代码。

[0027] 图3是收缩掩模特征214步骤的更详细的流程图(步骤112)。如图3所示，收缩该掩模特征包括多个循环性步骤的循环，每个循环包括收缩沉积阶段(步骤304)和形貌成形阶段(步骤308)。收缩沉积阶段(步骤304)的一个示例提供了150sccm CF3、75sccmN2和100sccm Ar的流。压力设定为80mTorr。基片保持在20℃的温度。第二RF源448提供在27MHz频率的400瓦特功率以及在2MHz频率的0瓦特功率。在沉积阶段中，提供沉积气体，该沉积气体转换为等离子，然后停止沉积气体。

[0028] 收缩形貌成形阶段(步骤308)的一个示例提供含卤素(例如，氟、溴、氯)气体，例如100sccm CF4。在该示例中，CF4是在形貌成形过程中提供的唯一气体。提供20mTorr的压力到该室。第二RF源448提供在27MHz频率的600瓦特功率以及在2MHz频率的0瓦特功率。在形貌成形阶段中，提供形貌成形气体，该形貌成形气体转变为等离子，然后停止该形貌成形气体。

[0029] 当存在由于非对准掩模而导致暴露铜的可能性时，期望避免使用含氧的制法以防止铜氧化。但是，阻挡层209的存在减少或防止了铜由于该非对准而被暴露的可能性。

[0030] 优选地，该处理执行2到20个循环。更优选地，该处理执行3到10个循环。经过多个循环的沉积和形貌成形的组合考虑到形成收缩的垂直侧壁。该处理工艺形成收缩侧壁215，如图2B所示。优选地，该收缩侧壁使光刻胶掩模孔的宽度减少5-80％。更优选地，该收缩侧壁使光刻胶掩模孔的宽度减少5-50％。该周期性的循环可具有额外的沉积和/或成形阶段或可具有其它额外的阶段。

[0031] 穿过收缩侧壁215之间的孔将间隙216蚀刻入介电层208，如图2C所示。对于蚀刻介电层208，使用常规的蚀刻制法。

[0032] 然后形成袋室(步骤120)。图6是该示例中形成该袋室以及完成该结构的更详细的流程图。剥除光刻胶掩模(步骤604)，如图2D所示。在该示例中，在光刻胶掩模剥除期间还去除侧壁沉积物。在介电层208、接触部210和间隙上形成中间层电介质(ILD)224(步骤608)，其密封该间隙以形成袋室220，如图2E所示。可使用形成ILD的常规方法，例如旋涂(spin on)或化学气相沉积(CVD)。

[0033] 该特征收缩处理工艺允许所形成间隙的关键尺寸比使用的光刻处理的关键尺寸更小。光刻胶特征214可具有对于使用的光刻处理可能的最小关键尺寸。在该示例中，沟槽宽度是对于使用的光刻胶处理可能的最小关键尺寸。该收缩处理考虑到进一步减少特征尺寸的关键尺寸。没有该收缩，则间隙的蚀刻会允许该接触结构暴露给该间隙蚀刻，这会破坏接触结构。另外，该处理工艺允许电介质为多种不同介电材料中的一种，其中在美国专利6,297,125中披露的处理工艺受到可使用的介电材料的限制，并且需要阻挡层以保护接触部，这会增加介电常数。示例2

[0034] 在本发明实施方式的第二个示例中，在介电层中形成接触结构(步骤104)。图7A是利用该示例形成的堆栈700的横截面示意图。在该示例中，介电层708是在基片704上的有机硅玻璃(OSG)，该基片可以是晶片或中间层电介质。接触结构710是已被蚀刻但未利用金属接触填充的双大马士革结构。接触结构利用填充材料711填充，例如光刻胶或其它聚合物或可不破坏电介质而不被去除的材料，如图7B所示。

[0035] 在接触结构内的填充材料711上形成掩模712(步骤108)。在该示例中，掩模712是具有光刻胶特征(孔)714的光刻胶掩模。通过在光刻胶掩模特征的侧壁上形成收缩侧壁715，收缩光刻胶掩模特征714(步骤112)，如图7C所示。为了收缩光刻胶掩模特征714，将基片704设置入处理室内，例如以上所述的处理室400。可使用以上关于图3示例中所描述的收缩处理。

[0036] 如图3所示，收缩间隙包括循环性工艺的多个循环，每个循环包括收缩沉积阶段(步骤304)和形貌成形阶段(步骤308)。优选地，收缩沉积阶段(步骤304)使用的沉积气体包括CF4与H2组合，或者CH3F和N2或CxFy或CxHyFz组合的至少一种，并带有氧化或还原添加剂，例如氢、氮或氧，以及载体气体，例如He、Ar、Ne、Kr、Xe等。更一般地，沉积气体包括碳氢化合物、碳氟化合物和氢氟碳化合物的至少一种。更优选地，沉积气体进一步包括载体气体，例如氩或氙。更优选地，沉积气体包括氧化添加剂和还原添加剂的至少一种，例如O2、H2或NH3。

[0037] 形貌成形阶段使用不同于沉积气体的形貌成形气体，其包括CxFy和NF3以及CxHyFz的至少一种。更优选地，形貌成形气体进一步包括载体气体，例如氩或氙。更优选地，形貌成形气体进一步包括氧化添加剂和还原添加剂的至少一种，例如O2、H2或NH3。

[0038] 收缩沉积阶段(步骤304)的一个示例提供了150sccm的CH3F、75sccm的N2和100sccm的Ar所组成的流。压力设定为80mTorr。基片维持在20℃的温度。第二RF源448提供在27MHz频率的400瓦特功率以及在2MHz频率的0瓦特功率。

[0039] 优选地，收缩形貌成形阶段使用的形貌成形气体包括CxFy和NF3以及CxHyFz的至少一种。更优选地，形貌成形气体进一步包括载体气体，例如氩或氙。更优选地，形貌成形气体进一步包括氧化添加剂和还原添加剂的至少一种，例如O2、H2或NH3。

[0040] 形貌成形阶段(步骤308)的一个示例提供含卤素(例如，氟、溴、氯)气体，例如100sccm CF4。在该示例中，CF4是在形貌成形过程中提供的唯一气体。提供20mTorr的压力到该室。第二RF源448提供在27MHz频率的600瓦特功率以及在2MHz频率的0瓦特功率。

[0041] 穿过收缩侧壁715之间的孔将间隙716蚀刻入介电层708，如图7D所示。使用常规的用于蚀刻介电层208的蚀刻制法。

[0042] 形成袋室(步骤120)。图8是该示例中形成袋室的更详细的流程图。方包沉积物用来形成对于该间隙的闭合部718，以形成闭合的袋室720，并且去除收缩侧壁(步骤804)，如图7E所示。优选地，每个袋室720具有的容积至少是该间隙容积的一半。可使用沉积处理工艺或通过使用多阶段循环沉积处理工艺形成方包闭合部718。图9是用于形成方包闭合部同时去除收缩侧壁步骤的多阶段处理的循环处理更详细的视图(步骤804)。执行方包沉积阶段(步骤904)。该阶段在间隙的侧壁上提供沉积物。在沉积阶段提供沉积气体，由该沉积气体形成等离子，以及然后停止该沉积气体。然后提供方包形貌成形阶段(步骤908)。该阶段成形沉积物的形貌以形成方包闭合部。在方包形貌成形阶段提供方包形貌成形气体，其不同于沉积气体，由该方包形貌成形气体形成等离子，以及然后停止该方包形貌成形气体。另外，该阶段用于去除收缩侧壁。优选地，该循环重复3到20次。该多阶段和多循环的处理工艺可在介电层上表面下的间隙内提供方包闭合部。

[0043] 形成方包闭合部同时去除收缩侧壁的优点是避免了后续的收缩侧壁去除，其会破坏方包闭合部。但是，其它实施方式可通过不破坏方包闭合部的处理工艺(如使用CMP处理工艺)单独地去除收缩侧壁。

[0044] 期望在间隙内形成方包闭合部，从而该闭合部位于蚀刻层上部表面下。这样做的一个好处是CMP处理工艺不会破坏这样的闭合部。确信多阶段和/或多循环处理工艺对于在间隙中形成闭合部是有利的处理工艺。

[0045] 然后剥除光刻胶掩模(步骤808)，如图7F所示。在其它实施方式中，光刻胶掩模可在形成方包闭合部的过程中被剥除。在该示例中，当剥除光刻胶掩模时，从接触结构710去除聚合物，如图7F所示。使用常规的金属填充处理工艺，利用金属材料732(如铜)填充接触结构(步骤812)，以形成金属接触部，如图7G所示。方包闭合部阻止了金属材料填充袋室720。

[0046] 在介电层708、接触部和方包闭合部718(步骤816)上形成中间层电介质(ILD)724，如图7H所示。可使用形成ILD的常规方法，例如旋涂或CVD。

[0047] 尽管本发明根据多个优选实施方式进行了描述，但仍存在落入本发明范围内的改变、修改、替换和各种替代等同方式。还应当注意的是，有许多替代的方式来实现本发明的方法和装置。因此，后附权利要求应解释为包括落入本发明主旨和范围内的所有这些改变、修改、替换以及各种替代等同方式。