载置台和使用该载置台的等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种载置台，其能够不引起屏蔽环那样的屏蔽部件的破损的危险性而减少由热膨胀差所引起的屏蔽部件和基材之间的间隙。在对基板(G)实施等离子体处理的处理腔室内载置基板的载置台(3)，包括：金属制的基材(5)；设置于其上的用于载置基板的载置部(6)；和以围绕上述载置部(6)和上述基材(5)的上部的周围的方式而设置的由绝缘性陶瓷构成的屏蔽部件(7)，上述屏蔽部件(7)被分割成多个分割片(7a)，并且具有以使上述分割片(7a)相互接近的方式施力的施力机构(50)。

权利要求

1.一种载置台，其在对基板实施等离子体处理的处理腔室内载置基板，其特征在于，包括：金属制的基材；

设置于基材上的载置基板的载置部；和

以围绕所述载置部和所述基材的上部的周围的方式而设置的由绝缘性陶瓷构成的屏蔽部件，所述屏蔽部件被分割成多个分割片，并且具有以使所述分割片相互接近的方式施力的施力机构。

2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：所述施力机构具有连接邻接的分割片，并沿相互拉近它们的方向施力的施力部件。

3.如权利要求2所述的载置台，其特征在于：所述基板为矩形基板，所述屏蔽部件呈框架状，所述各分割片包括各角部形成4个曲柄状。

4.如权利要求2或3所述的载置台，其特征在于：所述基材具有设置有所述载置部的凸部，所述屏蔽部件以围绕所述凸部和所述载置部的方式设置。

5.如权利要求2或3所述的载置台，其特征在于：所述施力机构具有覆盖所述施力部件的盖部件。

6.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：所述基材具有设置有所述载置部的凸部，所述屏蔽部件以围绕所述载置部和所述凸部的方式设置，所述施力机构具有设置于所述分割片的凹部；插入所述凹部，连接所述分割片和所述基材的螺钉部件；和设置于所述螺钉部件和所述分割片的所述凹部内的壁部之间，向所述基材的凸部侧对所述分割片施力的施力部件。

7.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：所述基材具有设置有所述载置部的凸部，所述屏蔽部件以围绕所述凸部的方式设置，所述施力机构具有设置于所述分割片的研钵状的凹部；插入所述凹部的锥形垫圈；隔着所述锥形垫圈连接所述分割片和所述基材的螺钉部件；和介于所述螺钉部件和所述锥形垫圈之间的施力部件，当在冷却过程中所述基材和所述分割片之间产生热膨胀差时，所述施力部件通过所述锥形垫圈向所述基材的凸部侧对所述分割片施力。

8.如权利要求7所述的载置台，其特征在于：具有介于所述螺钉部件的头部和所述基材之间，固定所述螺钉部件的固定部件。

9.如权利要求6～8的任一项所述的载置台，其特征在于：所述基板为矩形基板，所述屏蔽部件呈框架状，所述各分割片包括各角部形成4个曲柄状，所述施力机构设置于各分割片的角部，在各分割片的邻接部，形成有当随着所述施力机构的施加力使所述分割片变位时，使邻接的分割片向内侧变位那样的台阶。

10.如权利要求6～8的任一项所述的载置台，其特征在于：所述施力机构具有覆盖所述凹部的盖部件。

11.如权利要求6～8的任一项所述的载置台，其特征在于：所述施力部件为弹簧部件。

12.如权利要求1～3的任一项所述的载置台，其特征在于：所述载置部具有静电吸附基板的静电卡盘。

13.如权利要求1～3的任一项所述的载置台，其特征在于：还具有向所述基材供给等离子体生成用的高频电力的高频电力供给电源。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容基板的处理腔室；

在所述处理腔室内载置基板的、具有所述权利要求1～13的任一项的结构的载置台；

向所述处理腔室内供给处理气体的处理气体供给机构；

在所述处理腔室内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构；和对所述处理腔室内进行排气的排气机构。

15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述等离子体处理机构具有向所述基材供给等离子体生成用的高频电力的高频电力供给电源。

说明书

载置台和使用该载置台的等离子体处理装置

技术领域

[0001] 本发明涉及在对液晶显示装置(LCD)那样的平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板实施干蚀刻等的等离子体处理的处理腔室内，载置基板的载置台和使用该载置台的等离子体处理装置。

背景技术

[0002] 例如在FPD或半导体的制造工艺中，对作为被处理基板的玻璃基板进行干蚀刻等的等离子体处理。在进行这样的等离子体处理的等离子体处理装置中，在设置于处理腔室的载置台上载置有基板的状态下生成等离子体，利用该等离子体对基板进行规定的等离子体处理。

[0003] 在这样的等离子体处理装置中，载置有被处理基板的载置台具备作为施加用于生成等离子体的高频电力的下部电极起作用的基材，和设置于基材的周围的屏蔽环。该屏蔽环是为了提高聚焦性和高频电力的绝缘而设置的，由氧化铝等绝缘性陶瓷形成，螺钉固定在基材上。

[0004] 但是，近年来FPD用玻璃基板越发大型化，难以一体地形成屏蔽环，如专利文献1中记载的那样，使用分割型的屏蔽环。

[0005] 如图10a所示，专利文献1所记载的分割型的屏蔽环107，例如在组合呈曲柄形状的4个分割片107a的状态下配置于基材105的周围。而且，屏蔽环107的各分割片107a通过固定螺钉109固定于基材105。在这种情况下，由于基材105的温度调节和等离子体的连续照射而产生的热，使基材105和屏蔽环107热膨胀，但基材105为铝等金属制品，与由氧化铝等绝缘性陶瓷构成的屏蔽环107相比热膨胀系数大，因此由于热，基材105发生更大变位。在此，如果固定螺钉109没有游隙地进行固定，则由于两者的热膨胀差而导致屏蔽环107破裂，因此为了防止此种情况发生，如作为图10(a)的AA截面的图10(b)所示，在螺纹孔109a和固定螺钉109之间设有间隙。因而，当温度上升时，屏蔽环107的各分割片107a由于螺纹孔109a的间隙的存在而以被热膨胀更大的基材105推压的方式跟着基材105变位，但当温度回到常温时，如图11(a)所示，在基材105和屏蔽环107之间产生间隙108。即，但当温度回到常温时，随着基材105的收缩，螺钉109返回到原来的位置，但由于固定螺钉
109为了不损坏屏蔽环107而拧的不紧，所以如作为图11(a)的BB截面图的图11(b)那样仅固定螺钉109在间隙109a移动，屏蔽环107的分割片107a无法返回到原来的位置，其结果是在基材105和屏蔽环107之间产生间隙108。

[0006] 当像这样在基材105和屏蔽环107之间一旦产生间隙时，有可能当下次的等离子体施加时即使载置台的温度上升，该间隙被维持，由该间隙而引起异常放电的发生。此外，为了防止这样的间隙的发生，如果加强固定屏蔽环107的螺钉109的连接力，则有可能导致陶瓷制的屏蔽环由于热应力而破损。

[0007] 专利文献1日本特开2003-115476号公报

发明内容

[0008] 本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种能够不引起屏蔽环那样的屏蔽部件的破损的危险性而减少由热膨胀差所引起的屏蔽部件和基材之间的间隙的载置台和使用那样的载置台的等离子体处理装置。

[0009] 为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供一种载置台，其在对基板实施等离子体处理的处理腔室内载置基板，其特征在于，包括：金属制的基材；设置于其上的载置基板的载置部；和以围绕上述载置部和上述基材的上部的周围的方式而设置的由绝缘性陶瓷构成的屏蔽部件，上述屏蔽部件被分割成多个分割片，并且具有以使上述分割片相互接近的方式施力的施力机构。

[0010] 在上述第一观点中，上述施力机构也可以构成为具有连接邻接的分割片，沿相互牵引它们的方向施力的施力部件。此外，也能够构成为上述基板为矩形基板，上述屏蔽部件呈框架状，上述各分割片包括各角部形成4个曲柄状。而且，也可以构成为上述基材具有设置上述载置部的凸部，上述屏蔽环以围绕上述凸部和上述载置部的方式设置。此外，能够构成为上述施力机构具有覆盖上述施力部件的盖部件。

[0011] 也能够构成为，上述基材具有设置上述载置部的凸部，上述屏蔽环以围绕上述载置部和上述凸部的方式设置，上述施力机构具有设置于上述分割片的凹部，和插入上述凹部，连接上述分割片和上述基材的螺钉部件，和设置于上述螺钉部件和上述分割片的上述凹部内的壁部之间，向上述基材的凸部侧对上述分割片施力的施力部件。此外，也可以构成为，上述基材具有设置上述载置部的凸部，上述屏蔽环以围绕上述凸部的方式设置，上述施力机构具有设置于上述分割片的研钵状的凹部，和插入上述凹部的锥形垫圈，和插入上述锥形垫圈从而连接上述分割片和上述基材的螺钉部件，和介于上述螺钉部件和上述锥形垫圈之间的施力部件，当在冷却过程中上述基材和上述分割片之间产生热膨胀差时，上述施力部件通过上述锥形垫圈向上述基材的凸部侧对上述分割片施力。在这种情况下，具有介于上述螺钉部件的头部和上述基材之间，固定上述螺钉部件的固定部件。而且，还可以构成为，在这些的结构中，上述基板为矩形基板，上述屏蔽部件呈框架状，上述各分割片包括各角部形成4个曲柄状，上述施力机构设置于各分割片的角部，在各分割片的邻接部，当随着由上述施力机构的弹力使上述分割片变位时，形成使邻接的分割片向内侧变位那样的台阶。此外，上述施力机构具有覆盖上述凹部的盖部件。

[0012] 而且，即使在上述的任一个中，也优选上述施力部件为弹簧部件。

[0013] 即使在上述的任一结构中，上述载置部能够具有静电吸附基板的静电卡盘。此外，还能够具有向上述基材供给等离子体生成用的高频电力的高频电力供给电源。

[0014] 在本发明的第二观点中，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容基板的处理腔室；在上述处理腔室内载置基板的，具有上述第一观点的结构的载置台；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；在上述处理腔室内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构；和对上述处理腔室内进行排气的排气机构。

[0015] 在上述第二观点中，作为上述等离子体生成机构，能够使用具有向上述基材供给等离子体生成用的高频电力的高频电力供给电源的机构。

[0016] 根据本发明，因为将屏蔽部件分割成多个分割片，并且具有以相互接近的方式对上述分割片施力的施力机构，所以在载置台暂时被加热后的冷却过程中，能够难以由于屏蔽部件的分割片和基材的热膨胀差而引起在它们之间形成间隙。

附图说明

[0017] 图1是表示设置有本发明一实施方式涉及的载置台的等离子体处理装置的截面图。

[0018] 图2是表示图1的等离子体处理装置所使用的本发明一实施方式涉及的载置台的俯视图。

[0019] 图3是表示图2的载置台的屏蔽环所使用的施力机构的俯视图和截面图。

[0020] 图4是表示在现有的载置台中，在加热后的冷却过程中在基材和屏蔽环之间产生间隙的状态的图。

[0021] 图5是表示利用图3的施力机构在基材和屏蔽环之间不产生间隙的状态的图。

[0022] 图6是表示本发明的其它的实施方式涉及的载置台的俯视图。

[0023] 图7是表示图6的载置台的屏蔽环所使用的施力机构的截面图和俯视图。

[0024] 图8是表示本发明的另一其它实施方式涉及的载置台的俯视图。

[0025] 图9是表示图8的载置台的屏蔽环所使用的施力机构的截面图。

[0026] 图10是表示现有的载置台的俯视图和其AA截面图。

[0027] 图11是表示在加热后的过程中在基材和屏蔽环之间产生间隙的状态的俯视图和其BB截面图。

[0028] 符号说明

[0029] 1等离子体处理装置

[0030] 2处理腔室

[0031] 3载置台

[0032] 5基材

[0033] 6载置部(静电卡盘)

[0034] 7、7′屏蔽环

[0035] 7a、7b分割片

[0036] 14高频电源

[0037] 20喷淋头

[0038] 28处理气体供给源

[0039] 34直流电源

[0040] 50、60、70施力机构

[0041] 51、64、77弹簧部件

[0042] 53、65、78盖部件

[0043] 61、62凹部

[0044] 63螺钉部件

[0045] 71、72凹部

[0046] 72a 壁部

[0047] 73锥形垫圈

[0048] 74螺钉部件

[0049] 75套环

[0050] G玻璃基板

具体实施方式

[0051] 以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示设置有本发明一实施方式涉及的载置台的等离子体处理装置的截面图。该等离子体处理装置1，为进行FPD用玻璃基板G等的规定处理的装置的截面图，作为容量结合型平行平板等离子体蚀刻装置而构成。在此，作为FPD例示有液晶显示器(LCD)、场致发光(Electro LuminescenceEL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。

[0052] 该等离子体处理装置1，具有例如由表面经过氧化铝膜处理(阳极氧化处理)的铝构成的成形为角筒形状的腔室2。在该处理腔室2内的底部设有用于载置作为被处理基板的玻璃基板G的载置台3。

[0053] 载置台3通过绝缘部件4支撑在处理腔室2的底部，具有铝等金属制的凸型的基材5，设置在基材5的凸部5a上的载置玻璃基板G的载置部6，和设置在载置部6和基材5的凸部5a的周围的由绝缘性陶瓷例如氧化铝构成的框架状的屏蔽环7。载置部6构成用于静电吸附玻璃基板G的静电卡盘。此外，在基材5的内部设置有用于对玻璃基板G温度调节的温度调节机构(未图示)。而且，在基材5的周围设置有由绝缘性陶瓷、例如氧化铝构成的环状的绝缘环8，用于支撑屏蔽环7。构成静电卡盘的载置部6具有以氧化铝等绝缘陶瓷构成的陶瓷溶射薄膜41，和埋设于其内部的电极42。直流电源34通过供电线33与电极42连接，利用来自该直流电源34的直流电压静电吸附玻璃基板G。

[0054] 以贯通腔室2的底壁、绝缘部件4和载置台3的方式，可以升降地插通用于对其上的玻璃基板G进行装载和卸载的升降销10。当该升降销10搬送玻璃基板G时，上升至载置台3的上方的搬送位置，在除此之外的时候处于没入载置台3内的状态。

[0055] 在载置台3的基材5上连接有用于供给高频电力的供电线12，在该供电线12上连接有匹配器13和高频电源14。从高频电源14向载置台3的基材5供给例如13.56MHz的高频电力。因而，载置台3作为下部电极发挥作用。

[0056] 在载置台3的上方设置有与该载置台3平行相对且作为上部电极起作用的喷淋头20。喷淋头20被支撑在处理腔室2的上部，在内部具有内部空间21，并且在与载置台3的相对面形成有喷出处理气体的多个喷出孔22。该喷淋头20接地，与作为下部电极起作用的载置台3一起构成一对平行平板电极。

[0057] 在喷淋头20的上面设置有气体导入口24，在该气体导入口24上连接有处理气体供给管25，该处理气体供给管25与气体供给源28连接。此外，在处理气体供给管25上插入有开闭阀26和质量流量控制器27。从处理气体供给源28供给用于等离子体处理、例如等离子体蚀刻的处理气体。作为处理气体，能够使用卤类气体、O2气体、Ar气体等通常该领域所使用的气体。

[0058] 在处理腔室2的底部形成有排气管29，该排气管29与排气装置30连接。排气装置30具备涡轮分子泵等真空泵，由此能够将处理腔室2内抽真空至规定的减压环境。此外，在处理腔室2的侧壁设置有基板搬入搬出口31，该搬入搬出口31能够通过闸阀32进行开闭。而且，在打开该闸阀32的状态下通过搬送装置(未图示)搬入搬出玻璃基板G。

[0059] 接着，对载置台3进行详细说明。

[0060] 图2是表示载置台3的俯视图。如该图所示，作为载置台3的构成要素的屏蔽环7为分割型，在该例子中被分割成4个呈曲柄形状的分割片7a。而且，在邻接的分割片7a之间设置有在分割片7a相互接近的方向分割片7a施力的施力机构50。

[0061] 如图3(a)的俯视图和(b)的截面图所示，施力机构50具有弹簧部件51，该弹簧部件51连接屏蔽环7的邻接的分割片7a彼此之间，以使这些邻接的分割片彼此之间相互接近的方式，具体而言在拉近它们的方向上施力。在这些分割片7a中埋设有固定弹簧部件51的端部的固定部件52。此外，分割片7a的与施力机构50对应的部分，上面被切口，在该切口部分设置有用于在从等离子体保护弹簧部件51的同时阻止弹簧部件51向上方飞出的盖部件53。该盖部件53由与屏蔽环7相同的陶瓷部件构成，在角部的四个部位形成有长孔状的螺纹孔54a，通过该螺纹孔54a被螺钉54固定在分割片7a上。

[0062] 接着，对这样构成的等离子体蚀刻装置1的处理动作进行说明。

[0063] 首先，打开闸阀32，利用搬送臂(未图示)将玻璃基板G通过基板搬入搬出口31搬入到腔室2内，并载置到载置台3的静电卡盘6上。在这种情况下，使升降销10向上方突出并位于支撑位置，将搬送臂上的玻璃基板G转移到升降销10上。其后，使升降销10下降从而将玻璃基板G载置到构成载置台3的静电卡盘的载置部6上。

[0064] 其后，关闭闸阀32，利用排气装置30将腔室2内抽真空至规定的真空度。然后，通过从直流电源34向载置部6的电极42施加电压，静电吸附玻璃基板G。然后，开放阀门26，从处理气体供给源28利用质量流量控制器27调整处理气体的流量，并通过处理气体供给管25、气体导入口24导入到喷淋头20的内部空间21，并且通过喷出孔22相对基板G均匀地喷出，调节排气量并将腔室2内控制在规定压力。

[0065] 在该状态下从高频电源14通过匹配器13向载置台3的基材5供给等离子体生成用的高频电力，在作为下部电极的载置台3和作为上部电极的喷淋头20之间产生高频电场，从而生成处理气体的等离子体，利用该等离子体对玻璃基板G实施等离子体处理。

[0066] 当进行该等离子体处理时，在利用基材5的温度调节机构进行温度调节至比室温高的温度的情况下，或者是在从高频电源14连续施加高频电力从而连续照射等离子体的情况下，由此对载置台3进行加热，使基材5和屏蔽环7一起热膨胀。

[0067] 这种情况下，如果如现有的那样只简单地对屏蔽环7的分割片7a进行络顶固定，则如图4所示，屏蔽环7追随基材5进行热膨胀之后，在冷却到室温的过程中，由于陶瓷制的屏蔽环7于金属制的基材5的热膨胀系数差，而在基材5与屏蔽环7之间产生间隙s。

[0068] 但是，在本实施方式中，如图5所示，利用施力机构50，向邻接的分割片彼此之间以它们相互接近的方式，具体而言沿相互拉近的方向提供弹力A，因此在一旦加热后的冷却过程中，能够将往无法返回到原来的位置的分割片7a向原来的位置拉引，从而能够在基材5和屏蔽环7之间不产生间隙。

[0069] 再者，施力机构50作为提供弹力的单元使用弹簧部件51，但只要是能够在使邻接的分割片7a接近的方向提供弹力就不限定与此。

[0070] 接着，对载置台的其它的实施方式进行说明。

[0071] 图6为表示其它实施方式涉及的载置台的俯视图。如该图所示，在该实施方式中，具有被分割成4个呈曲柄形状的分割片7b的屏蔽环7′，在各分割片7b的角部设有1处兼作螺钉固定部的施力机构60。在本实施方式中，如图6所示，在分割片7b的邻接部形成有台阶部7c。而且，施力机构60沿图6的箭头B所示的内侧方向(中心方向)对分割片7b施力。即，施力机构60以使分割片7b朝向基材5的凸部5a(参照图1)相互接近的方式施力。而且，台阶部7c在由于施力机构60的弹力而使分割片变位时，以按压邻接的分割片7b从而向箭头C所示的内侧方向变位的方式形成。

[0072] 如图7(a)的截面图和(b)的俯视图所示，施力机构60具有：设置于屏蔽环7′的分割片7b上的呈圆形的凹部61和设置于凹部61的正下方的比凹部61小的呈纺锤形的凹部62；插入到凹部61和62从而连接分割片7b和基材5的螺钉63；凹部62内的设置于螺钉63和分割片7b的壁部之间的弹簧部件64。此外，在凹部61的上部，为为了从等离子体保护弹簧部件64，并且阻止弹簧部件64飞出，螺合有由与屏蔽环7′相同的陶瓷部件构成的盖部件65。螺钉63的头部位于凹部61内且使凹部61的底面成为连接面，该螺钉部贯通凹部62而与基材5螺合。在该状态下，螺钉63为被固定于基材5的状态，因此弹簧部件64以基材5为基准向箭头B的方向对分割片7b施力。即，以相互接近分割片7b的方式施力。

[0073] 因而，与以前的实施方式相同，在载置台3暂时被加热后的冷却过程中，能够将分割片7b朝向原来的位置拉引，能够使基材5和屏蔽环7′之间不产生间隙。在这种情况下，如果在各分割片7b上将兼作螺钉固定部的施力机构60在角部设置一个，则也能够利用台阶部7c使邻接的分割片7b向所希望的方向推压变位，因此不必如现有的那样需要两个螺钉，能够消减螺钉的个数。但是，也可以与现有技术相同设置2处的螺钉固定部(施力机构)。

[0074] 再者，即使在该实施方式中作为施力机构60的提供弹力的单元，也并不限定于弹簧部件64，只要能在使邻接的分割片7b接近的方向提供弹力的部件即可。

[0075] 接着，对载置台的另一其它实施方式进行说明。

[0076] 图8是表示另一其它实施方式涉及的载置台的俯视图。本实施方式的载置台，除了施力机构的构造以外具有与图6所示的相同的构造。即，代替施力机构60而使用与施力机构60构造不同的施力机构70。

[0077] 如图9的截面图所示，施力机构70具有设置于屏蔽环7′的分割片7b的呈圆形的凹部71和同心状连续地设置于凹部71的正下方的研钵状的凹部72，在凹部72中嵌入有锥形垫圈73。在锥形垫圈73的中心形成有贯通孔，套环75被插入该贯通孔。套环75在其中心形成有插入螺钉部件74的孔，螺钉部件74被插入该孔。此时，该套环75插入到螺钉部件74的头部的下表面与基材5之间，具有固定螺钉部件74的功能。而且，螺钉部件74和其周围的套环75插入锥形垫圈73的贯通孔，螺钉部件74的下端部螺合在基材5上。套环75的上端成为凸缘部75a，在锥形垫圈73的上部的贯通孔的周围形成有凹部76，在凸缘部75a的下表面与凹部76的底面之间设有线圈状的弹簧部件77。再者，在锥形垫圈73的下表面和基材5的上表面之间形成有间隙。此外，在凹部71的上部，为了从等离子体保护弹簧部件77和螺钉部件74，并且阻止弹簧部件77和螺钉部件74飞出，螺合有由与屏蔽环7′相同的陶瓷构成的盖部件78。

[0078] 在此，将屏蔽环7′固定在基材5的力仅为弹簧部件77的反弹力。在该状态下，当使载置台从加热状态返回到常温时，由于锥形垫圈75已被定位，所以牵引基材5的收缩从而处于与凹部72的内侧的壁部72a抵接的状态。而且，弹簧部件77对锥形垫圈73施力(压缩)，由于该弹力而在与螺钉部件74的轴方向垂直的箭头B方向产生推压屏蔽环7′的力。

[0079] 因而，与以前的实施方式相同，在载置台3暂时被加热后的冷却过程中，能够将分割片7b朝向原来的位置拉引，能够在基材5和屏蔽环7′之间不产生间隙。在这种情况下，如果在各分割片7b上设置一个兼作螺钉固定部的施力机构70，则也能够利用台阶部7c向所希望的方向推压邻接的分割片7b，因此不必如现有的那样需要两个螺钉，能够消减螺钉的个数。但是，也可以与现有技术相同设置2处的螺钉固定部(施力机构)。

[0080] 再者，即使在该实施方式中作为施力机构70的提供弹力的单元，也并不限定于弹簧部件77，能够使用其它的弹簧部件。而且，并不限定于弹簧部件，只要是在使邻接的分割片7b接近的方向提供弹力的部件即可。

[0081] 以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，可以进行多种变形。例如，作为施力机构，只要是当加热后的收缩时，能够以相互接近的方式对屏蔽环的分割片施力，就不限定于上述实施方式。此外，在上述实施方式中，以将屏蔽环分割成4份进行了表示，但并不限定与此。而且，在上述实施方式中，对将本发明应用于FPD用的玻璃基板的等离子体处理的情况进行了表示，但并不限定与此，也可以应用于其它的各种基板。