薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种采用氧化锡薄膜的薄膜晶体管及其制备方法，还涉及氧化锡薄膜的制备方法及包括利用该制备方法制备的电子器件。本发明氧化锡薄膜的制备方法包括：将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液，将前驱体溶液均匀涂敷在器件基底上形成前驱体溶液膜，再将此基底在含有氧气的气氛中加热退火，生成含有氧化锡的半导体薄膜。本发明的薄膜制备方法工艺简单，处理温度低，可以降低半导体器件的制造成本。

权利要求

1.一种薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层为氧化锡薄膜，该氧化锡薄膜的制备方法包括：将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液的步骤，该含锡有机化合物的分子式为CnH2n-xO4Sn，其中x选自0、2或6，n选自12至64的整数；

将制备的前驱体溶液均匀涂敷在基片上，形成前驱体溶液膜的步骤；

将形成有所述前驱体溶液膜的基片在含有氧气的气氛中加热退火，生成氧化锡的半导体薄膜的步骤。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基片材料选自玻璃、硅片、金属或者陶瓷。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基片是柔性基片。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锡的半导体薄膜的薄膜厚度在0.1nm-10mm范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化锡的半导体薄膜对可见光是透明的。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，含锡有机化合物选自2-乙基己酸亚锡、辛酸亚锡、三丁基醋酸锡、三丁基氯化锡、三苯基氯化锡、三辛基醋酸锡、三癸基醋酸锡中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，有机溶剂选自二甲苯、甲苯、苯、丙酮、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、乙氰、四氢呋喃中的一种，或者选自上述溶剂中的至少两种混合而成的溶剂。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，含锡有机化合物与有机溶剂的体积比范围为1∶9到1∶1。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，均匀涂覆前驱体溶液膜的方法选自旋涂法、喷涂法、喷墨打印法、印刷法、滴漏法或浸蘸法。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述加热退火的过程包括：在氧气环境中缓慢升温到最高不超过600℃，热处理时间范围为10分钟至24小时，然后自然降温。

11.一种制备氧化锡半导体薄膜的方法，包括：

将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液的步骤，该含锡有机化合物的分子式为CnH2n-xO4Sn，其中x选自0、2或6，n选自12至64的整数；

将制备的前驱体溶液均匀涂敷在基片上，形成前驱体溶液膜的步骤；

将形成有所述前驱体溶液膜的基片在含有氧气的气氛中加热退火，生成氧化锡的半导体薄膜的步骤。

12.根据权利要求11所述方法，其特征在于，含锡有机化合物优选自2-乙基己酸亚锡、辛酸亚锡、三丁基醋酸锡、三丁基氯化锡、三苯基氯化锡、三辛基醋酸锡、三癸基醋酸锡中的至少一种。

13.根据权利要求11所述方法，其特征在于，有机溶剂选自二甲苯、甲苯、苯、丙酮、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、乙氰、四氢呋喃中的一种，或者选自上述溶剂中的至少两种混合而成的溶剂。

14.根据权利要求11所述方法，其特征在于，均匀涂覆前驱体溶液膜的方法选自旋涂法、喷涂法、喷墨打印法、印刷法、滴漏法或浸蘸法。

15.根据权利要求11所述方法，其特征在于，所述加热退火的过程包括：在氧气环境中缓慢升温到最高不超过600℃，热处理时间范围为10分钟至24小时，然后自然降温。

16.一种电子器件，其特征在于，包括：使用权利要求11-15任何一项所述方法制备的含有氧化锡的半导体薄膜。

17.根据权利要求16所述的电子器件，该器件选自半导体薄膜电阻型器件、半导体光伏器件。

说明书

薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种薄膜晶体管以及采用溶液法制备其中半导体薄膜的方法，还包括利用这种方法制备的半导体薄膜的应用。

背景技术

[0002] 近些年来，由于有机电子器件生产工艺简单，成本低，可在低温下操作，还可以大面积生产，所以有机半导体材料在制备电子器件中受到了越来越多的关注。然而，有机半导体的电子器件的性能远远比不上采用传统方法制备的无机半导体电子器件的性能，但是采用传统制备无机半导体材料的方法例如真空气相沉积等技术，因需要高温、高真空等苛刻的工艺条件，在产业中应用也存在问题。

[0003] 假如把无机半导体的高性能与有机溶液的制备方法相结合，可简化制备电子器件的工艺，而且器件性能优良，这样就可以实现大面积制备无机半导体层，将扩大其应用，比如制备大面柔性显示屏等等。因此，利用有机溶液湿法制备无机半导体材料的意义重大。

[0004] 目前，半导体技术的发展主要是基于无机半导体材料(硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓等)，始于上世纪四十年代，经过半个多世纪的发展，无论其材料提纯、器件结构、制备工艺，还是以能带理论为中心的一整套相关无机半导体材料的理论，都非常成熟，给人类带来了空前的巨大物质和精神财富。但其加工技术一般需要使用高温、高纯度的化学气相沉积技术，无法实现大面积的制备，且其制造成本过高，功能又往往单一。

[0005] SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物，由其制备的气敏传感器具有灵敏度高，工作温度低、响应时间短等特点，广泛应用于还原气体或有毒气体检测。还由于SnO2具有化学和机械稳定性，独特的光学、电学及催化性能，在透明导电薄膜、电池电极、光催化剂等方面发挥着重要作用。目前氧化锡薄膜的制备方法有化学气相沉积法、溶胶凝胶法、磁控溅射法。

[0006] 发明内容

[0007] 本发明的目的在于克服上述现有技术中存在的问题，提供一种薄膜晶体管以及采用溶液法制备其中氧化锡半导体薄膜的方法。

[0008] 本发明的另一个目的在于提供利用溶液法制备的含有氧化锡的半导体薄膜的用途。

[0009] 本发明提出一种薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其中半导体层为氧化锡薄膜，该氧化锡薄膜制备的方法包括：

[0010] 将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液的步骤；将制备的前驱体溶液均匀涂敷在基底上，形成前驱体溶液膜的步骤；将形成有所述前驱体溶液膜的基底在含有氧气的气氛中加热退火，生成氧化锡的半导体薄膜的步骤。

[0011] 上述制备薄膜晶体管中半导体薄膜的方法中，含锡有机化合物的分子式为CnH2n-xO4Sn，其中x选自0、2或6，n选自12至64的整数。含锡有机化合物优选自2-乙基己酸亚锡、辛酸亚锡、三丁基醋酸锡、三丁基氯化锡、三苯基氯化锡、三辛基醋酸锡、三癸基醋酸锡中的至少一种。

[0012] 有机溶剂选自二甲苯、甲苯、苯、丙酮、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、乙氰、四氢呋喃中的一种，或者选自上述溶剂中的至少两种混合而成的溶剂。

[0013] 均匀涂覆前驱体溶液膜的方法选自旋涂法、喷涂法、喷墨打印法、印刷法、滴漏法或浸蘸法。

[0014] 上述方法中加热退火的过程包括：在氧气环境中缓慢升温到最高不超过600℃，热处理时间范围为10分钟至24小时，然后自然降温。

[0015] 上述薄膜晶体管的基片材料选自玻璃、硅片、金属或者陶瓷。该基片可以是柔性基片。

[0016] 上述薄膜晶体管中含有氧化锡的半导体薄膜的薄膜厚度在0.1nm-10mm范围内。该氧化锡的半导体薄膜对可见光可以是透明的。

[0017] 本发明还提出一种制备薄膜晶体管中半导体薄膜的方法，包括：将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液的步骤；将制备的前驱体溶液均匀涂敷在基底上，形成前驱体溶液膜的步骤；将形成有所述前驱体溶液膜的基底在含有氧气的气氛中加热退火，生成氧化锡的半导体薄膜的步骤。

[0018] 上述制备薄膜晶体管中半导体薄膜的方法中，含锡有机化合物的分子式为CnH2n-xO4Sn，其中x选自0、2或6，n选自12至64的整数。含锡有机化合物优选自2-乙基己酸亚锡、辛酸亚锡、三丁基醋酸锡、三丁基氯化锡、三苯基氯化锡、三辛基醋酸锡、三癸基醋酸锡中的至少一种。

[0019] 有机溶剂选自二甲苯、甲苯、苯、丙酮、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、乙氰、四氢呋喃中的一种，或者选自上述溶剂中的至少两种混合而成的溶剂。

[0020] 均匀涂覆前驱体溶液膜的方法选自旋涂法、喷涂法、喷墨打印法、印刷法、滴漏法或浸蘸法。

[0021] 上述方法中加热退火的过程包括：在氧气环境中缓慢升温到最高不超过600℃，热处理时间范围为10分钟至24小时，然后自然降温。

[0022] 本发明还提出了

[0023] 技术效果

[0024] 采用本发明中的制备方法，通过调节前躯体溶液的浓度，调控氧化锡薄膜中原子的堆积方式以及堆积的紧密程度，从而调节薄膜的结晶程度。溶液的浓度越大，得到的薄膜的结晶程度越大。而薄膜的结晶度直接影响着晶体管的载流子迁移率。薄膜的结晶度越大制备的晶体管的迁移率越大。

[0025] 根据本发明的制备方法，利用含锡有机前躯体溶液，通过涂覆步骤，再通过加热退火工艺，能够容易地利用溶液法制备氧化锡的半导体薄膜，这种工艺简单，不用高温高真空，可以快速在大面积基底上生成无机半导体薄膜，降低了半导体器件的制造成本，提高器件性能.采用本发明中的溶液法制备的氧化锡薄膜为多晶薄膜，不需要后处理，减少了工艺的复杂性。同时得到的多晶薄膜有利于电荷的传输，所以提高了器件的性能。

附图说明

[0026] 图1是本发明实施例1中的氧化锡薄膜在原子力显微镜下观察的微观图。

[0027] 图2是本发明实施例2中的氧化锡薄膜的XRD分析图。

[0028] 图3是本发明实施例3制备的含有氧化锡半导体薄膜的晶体管结构图。

[0029] 图4是本发明实施例3制备的含有氧化锡半导体薄膜的晶体管的输出特性曲线。

[0030] 图5是本发明实施例4制备的含有氧化锡半导体薄膜的晶体管结构图。

[0031] 图6是本发明实施例4制备的含有氧化锡半导体薄膜的晶体管的输出特性曲线。

[0032] 图7是本发明实施例5中的氧化锡薄膜在原子力显微镜下观察的微观图。

[0033] 图8是本发明实施例5制备的含有氧化锡半导体薄膜的晶体管的输出特性曲线。

[0034] 图9是本发明实施例6制备的含有氧化锡半导体薄膜的晶体管的输出特性曲线。

具体实施方式

[0035] 下面结合附图详细说明本发明的实施方式。注意的是，这里说明的各个实施例仅仅是用于例示说明本发明，不应当将这些实施例理解为限定性的。

[0036] 按照薄膜制备方法、用该方法制备的半导体器件，我们将分两部分说明本发明内容。

[0037] (1)氧化锡半导体薄膜的制备方法

[0038] 本发明是利用可溶于有机溶剂的含锡元素的前驱体，溶解于有机溶剂中形成溶液，把溶液涂覆于基底(该基底上可以已经存在其他功能薄膜)表面后，在含氧的环境中加热，生成含有氧化锡的半导体薄膜。

[0039] 本发明中含锡的前驱体可以优选包括含锡有机无机复合物(比如卤化锡或卤化亚锡与有机胺的复合物)、含锡有机金属化合物(比如2-乙基己酸亚锡、辛酸亚锡、三丁基醋酸锡、三丁基氯化锡、三苯基氯化锡)和含锡无机半导体纳米材料(比如SnO2纳米材料)，也可以是它们的混合物质。

[0040] 本发明中用到的有机溶剂可以优选包括甲苯、苯等芳香类溶剂，或者丙酮、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、乙氰、四氢呋喃，也可以是这些溶剂混合而成的溶剂。

[0041] 本发明中，含锡溶液的浓度可以根据实验的需要而调整，比如含锡有机化合物和有机溶液的体积比范围为1∶9到1∶1。

[0042] 本发明中，在基底上涂敷溶液的方法可以优选包括喷涂法、喷墨打印法、印刷法、滴漏法和浸蘸法等，这些方法也可以交替使用。

[0043] 本发明的退火环境一定要有氧气存在，加热退火的过程包括：在氧气环境中缓慢升温到最高不超过600℃，优选地，退火温度为210摄氏度到500摄氏度，退火时间为10分钟-24小时，然后自然降温。

[0044] 在实际制备薄膜的过程中，可以根据实验的需要，涂覆溶液于基底上(该基底上可以已经存在其他功能薄膜。)，经退火成膜后，在此基底上再次重复涂覆和退火工艺，涂覆和退火可以循环多次以制备多层薄膜，而且涂覆方法可以交替使用、不同的涂覆和退火循环里，使用的溶液浓度、涂覆方法和退火温度以及时间可以不同，比如：利用2-乙基己酸亚锡溶于二甲苯，以二者的体积比分别为1∶1和1∶4形成两种溶液。在已制备上ITO导电薄膜的玻璃基片作为的基底上，首先旋涂涂1∶1的溶液，退火后，再次旋涂1∶4的溶液，再退火，形成致密的氧化锡半导体薄膜。

[0045] 实施例1

[0046] 制备氧化锡半导体薄膜

[0047] 采用2-乙基己酸亚锡(C16H30O4Sn)作为含锡的有机化合物，溶于二甲苯中制备成前驱体溶液，二者的体积比为1∶4。利用已制备上ITO导电薄膜的玻璃基片作为基底，对基底进行清洗和干燥后，把基底置于旋涂设备上，设置旋涂机的转速为3500rpm，持续30s。把前驱体溶液滴到ITO玻璃基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到
300℃，热处理70min，然后自然降温，这样在ITO玻璃基底上就形成了致密的氧化锡薄膜。

[0048] 反应方程式：

[0049]

[0050] 图1为该薄膜表面的原子力显微镜(AFM)图。从图中可以看到制备的氧化锡半导体薄膜连续光滑，其表面起伏仅仅为1.33nm.

[0051] 实施例2

[0052] 利用辛酸亚锡作为含锡的有机化合物，溶于二甲苯中制备成前驱体溶液，取二者的体积比分别为1∶4和1∶1，得到两种浓度的溶液。

[0053] 利用已制备上ITO导电薄膜并光刻成图形的玻璃基片作为基底，对基底进行清洗和干燥后，把基底置于旋涂设备上，设置旋涂机的转速为3500rpm，持续30s。把体积比为1∶1的前驱体溶液滴到基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到
300℃，热处理70min，然后自然降温。

[0054] 再把上述基底放到旋涂设备上，设置旋涂机的转速为3500rpm，持续30s。把体积比为1∶4的前驱体溶液滴到ITO玻璃基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到300℃，热处理70min，然后自然降温。这样在ITO玻璃基底上就形成了平整、致密的氧化锡薄膜。

[0055] 图2是该氧化锡薄膜的x射线衍射图(XRD)分析图。从图中可以看出溶液法制得的氧化锡薄膜为多晶薄膜，其择优取向晶面为(110)晶面。

[0056] (2)本发明的薄膜晶体管的制备方法

[0057] 本发明制备的薄膜晶体管中氧化锡半导体薄膜的厚度一般在0.1nm-10mm范围内，一般对可见光是透明的。

[0058] 本发明薄膜晶体管的基片可以优选包括玻璃、石英、塑料、硅片、金属、陶瓷、胶木，以及含有以上这些材料成分的复合基片、耐高温(例如大于等于200度)的纤维织物、柔性基片等。

[0059] 在沉积氧化锡薄膜前，作为基底的这些基片上还可以已经制备上的功能薄膜层，比如为了使金属基片绝缘而制备的一层绝缘薄膜、为了使基片表面平整而制备的表面修饰薄膜，以及为了保护已经存在于基片上的绝缘层薄膜、导电层薄膜和半导体薄膜而制备的钝化层薄膜等。

[0060] 实施例3

[0061] 利用已制备上ITO导电薄膜并光刻成图形的玻璃基片作为基底，用丙酮/乙醇(1∶1)混合液、去离子水超声清洗基底，清洗好的基底在红外灯下烘干1小时。

[0062] 利用三癸基醋酸锡(C64H126O4Sn)作为含锡的有机化合物，溶于二甲苯中制备成前驱体溶液，取二者的体积比分别为1∶4和1∶1，得到两种浓度的溶液。

[0063] 把基底置于旋涂机样品台上，设置旋涂机的转速为3500rpm，持续30s。把体积比为1∶1的前驱体溶液滴到基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到300℃，热处理70min，然后自然降温。

[0064] 再把上述基底放到旋涂设备上，设置旋涂机的转速为3500rpm，持续30s。把体积比为1∶4的前驱体溶液滴到ITO玻璃基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到300℃，热处理70min，然后自然降温。这样在ITO玻璃基底上就形成了平整、致密的氧化锡薄膜。

[0065] 把制备好氧化锡薄膜的基底再次置于旋涂设备样品台上，旋涂一层2％的聚甲基丙烯酸甲酯的1，2-二氯乙烷溶液，旋涂工艺后，基底置于红外灯下烘烤1小时，然后把基底固定在制备晶体管栅极的模板上，并置模板和基底于真空腔室中，待真空度达到要求后，蒸镀金属银，厚度为80nm.

[0066] 这样从真空中取出模板，取出模板中的试验片，完成器件的制备。

[0067] 制备好的薄膜晶体管器件结构如图3所示，图4为晶体管的输出特性曲线，从这些特性曲线中可以看出，器件具有典型的输入电压控制输出电流特性，经过计算，该器件的场2 -1 -1 5
效应迁移率为38.9cmV s ，开关电流比为6.9×10。

[0068] 实施例4

[0069] 利用已制备上ITO导电薄膜并光刻成图形的玻璃基片作为基底，用丙酮/乙醇(1∶1)混合液、去离子水超声清洗基底，清洗好的基底在红外灯下烘干1小时。

[0070] 利用三辛基醋酸锡(C52H102O4Sn)作为含锡的有机化合物，溶于二甲苯中制备成前驱体溶液，取二者的体积比为1∶1。

[0071] 把基底放入制备栅极绝缘层得模板中并随模板一起置入磁控溅射设备，经过一定的工艺过程后，在ITO基底上形成图案化的、厚度为300nm的Ta2O5薄膜。此薄膜在器件中将作为晶体管的栅极绝缘层。

[0072] 把基底置于旋涂机样品台上，设置旋涂机的转速为3500rpm，持续30s。把体积比为1∶1的前驱体溶液滴到基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到300℃，热处理70min，然后自然降温。

[0073] 把基底取出固定在制备晶体管漏源电极的模板上，并置模板和基底于真空腔室中，待真空度达到要求后，蒸镀金属银，厚度为80nm。

[0074] 这样从真空中取出模板，取出模板中的试验片，制备好的器件结构的如图5所示，图6所示为该薄膜晶体管的输出特性曲线，从图中可见，器件是典型的输入电压控制输出2 -1 -1
电流的晶体管器件，器件的迁移率为6.57cmV s ，开关电流比为3000。

[0075] 实施例5

[0076] 利用已制备上ITO导电薄膜并光刻成图形的玻璃基片作为基底，用丙酮/乙醇(1∶1)混合液、去离子水超声清洗基底，清洗好的基底在红外灯下烘干1小时。

[0077] 利用三丁基醋酸锡作为含锡的有机化合物，溶于甲苯中制备成前驱体溶液，取二者的体积比分别为1∶4，得到一定浓度的溶液。

[0078] 把基底置于旋涂机样品台上，设置旋涂机的转速为3000rpm，持续35s。把体积比为1∶4的前驱体溶液滴到基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，35秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到350℃，热处理90min，然后自然降温。这样在ITO玻璃基底上就形成了平整、致密的氧化锡薄膜。

[0079] 把制备好氧化锡薄膜的基底再次置于旋涂设备样品台上，旋涂一层2％的聚甲基丙烯酸甲酯的1，2-二氯乙烷溶液，旋涂工艺后，基底置于红外灯下烘烤1小时，然后把基底固定在制备晶体管栅极的模板上，并置模板和基底于真空腔室中，待真空度达到要求后，蒸镀金属银，厚度为80nm.

[0080] 这样从真空中取出模板，取出模板中的试验片，完成器件的制备。制备好的薄膜晶体管器件结构如图3所示，图7是氧化锡薄膜在原子力显微镜下观察的微观图。图8为晶体管的输出特性曲线，从这些特性曲线中可以看出，器件具有典型的输入电压控制输出电2 -1 -1 3
流特性，经过计算，该器件的场效应迁移率为2.66cmV s ，开关电流比为6.0×10。

[0081] 实施例6

[0082] 利用已制备上ITO导电薄膜并光刻成图形的玻璃基片作为基底，用丙酮/乙醇(1∶1)混合液、去离子水超声清洗基底，清洗好的基底在红外灯下烘干1小时。

[0083] 利用三苯基氯化锡作为含锡的有机化合物，溶于甲苯中制备成前驱体溶液，取二者的体积比为1∶4。

[0084] 把基底放入制备栅极绝缘层得模板中并随模板一起置入磁控溅射设备，经过一定的工艺过程后，在ITO基底上形成图案化的、厚度为300nm的Ta2O5薄膜。此薄膜在器件中将作为晶体管的栅极绝缘层。

[0085] 把基底置于旋涂机样品台上，设置旋涂机的转速为3000rpm，持续35s。把体积比为1∶4的前驱体溶液滴到基底上，并铺满整个基底，开启旋涂设备，30秒后设备停止，在ITO玻璃基底上形成均匀的前驱体溶液膜。把基底放入退火炉内，使得基底温度缓慢升温到350℃，热处理90min，然后自然降温。

[0086] 把基底取出固定在制备晶体管漏源电极的模板上，并置模板和基底于真空腔室中，待真空度达到要求后，蒸镀金属银，厚度为80nm。

[0087] 这样从真空中取出模板，取出模板中的试验片，制备好的器件结构的如图5所示，图9所示为该薄膜晶体管的输出特性曲线，从图中可见，器件是典型的输入电压控制输出2 -1 -1
电流的晶体管器件，器件的迁移率为2.44cmV s ，开关电流比为3000。

[0088] 湿法制备的氧化锡薄膜晶体管器件有很重要的应用价值，它可以用于平板显示器件的有源驱动背板电路，比如可以驱动电泳显示器件、液晶显示器件、有机发光二极管显示器件等；该薄膜晶体管还可以用于射频识别(Radio FrequencyIdentification，RFID)电路中。

[0089] 本发明的薄膜晶体管结构可分为两大类。第一类是晶体管的源漏电极先形成于基片上，其后湿法制备半导体氧化锡薄膜。这类晶体管结构还可分为两种，一种是在晶体管的栅极绝缘层薄膜形成于所述的半导体薄膜上，在栅极绝缘层薄膜上是栅电极，另一种是栅电极最先沉积在基片上，然后是栅极绝缘层薄膜，此后才是漏源电极、湿法制备的半导体薄膜。第二类晶体管的半导体薄膜先形成于基片上，其后沉积的是该器件的源漏电极。这类晶体管结构也可分为两种，一种是半导体薄膜是形成于栅极绝缘层薄膜之上的，在栅极绝缘层薄膜下是栅电极，另一种是栅极绝缘层薄膜在所述的半导体薄膜和漏源电极之上，栅极绝缘层薄膜之上是栅电极。这四种薄膜晶体管结构中的绝缘层可以是有机材料，也可以是无机材料。