防静电TFT基板及其加工工艺

摘要

一种TFT基板，它属于玻璃技术领域，特别是用于显示器的TFT基板加工技术领域，在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/之间；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为80±20方阻在700～1150(Ω/)之间。本发明采用低温、多靶、隔位溅射方法在TFT基板上镀制的高透过率、高方阻氧化铟锡膜层，即ITO膜，由于ITO膜的电阻值大，使得镀膜后的TFT基板具有良好的防静电功能，因此不容易吸附灰尘，同时防止镀膜时TFT基板的破碎和防止镀膜后TFT基板老化。

权利要求

1.一种用于防静电TFT基板的加工工艺，所述的防静电TFT基板为在TFT基板上设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层的防静电TFT基板，其特征在于所述的防静电TFT基板的加工工艺包括如下的步骤：A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

B：选用连续磁控溅射镀膜机完成镀膜：首先确定工艺参数：基片加热温度为50～

70℃，镀膜室传动速度频率为15～18HZ，加热时间为15～25分钟，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室总气压为0.3～0.5Pa，使用隔位的两个靶或多个靶进行镀膜，镀膜室氩-1 -1气流量为180～250Sccm，镀膜室真空度3.0*10 Pa～5.0*10 Pa之间，基板温度由70℃上升到85℃，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层；氧化铟锡膜层膜厚控制在 氩气的气体纯度为99.99％。

2.如权利要求1中所述的防静电TFT基板的加工工艺，其特征在于其优选的工艺步骤和参数如下：A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在 镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室真空度-1 -1

4.0*10 Pa～5.0*10 Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。

说明书

防静电TFT基板及其加工工艺

技术领域：

[0001] 本发明涉及一种TFT基板，它属于玻璃技术领域，特别是用于显示器的TFT基板加工技术领域。背景技术：

[0002] 目前TFT基板用于液晶显示面板已经被广泛的使用了，因为TFT型的显示器其具有比较高的对比度，反应速度快，视角较广等特点。 但是传统的TFT基板上由于没有进行防静电处理，在加工成为显示器使用时容易吸附空气中的灰尘，表面容易脏，影响显示面板的清晰度。另外，由于TFT基板属于超薄的玻璃，具有易碎的特点。通常，为了对玻璃进行防静电处理，主要采用真空镀膜的方法进行，传统的真空镀膜技术是在较高的温度下进行镀膜的，即镀膜时温度超过100℃，而在高温下镀膜，由于TFT基板又薄又脆的特性，不但会造成TFT基板破碎漏液，而且镀膜后还会造成TFT基板老化，降低显示器的使用寿命，同时也会影响到显示器的整体质量。发明内容：

[0003] 本发明的目的在于提供一种不会吸附灰尘，显示器表面可以保持清洁清晰的，加工工艺简单的防静电TFT基板及其加工工艺。

[0004] 本发明的目的是这样实现的：

[0005] 一种防静电TFT基板，在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层。

[0006] 所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之间。

[0007] 所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为 方阻在700～1150(Ω/□)之间。

[0008] 本发明的防静电TFT基板的加工工艺，它包括如下的步骤：

[0009] A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

[0010] B：选用连续磁控溅射镀膜机完成镀膜：首先确定工艺参数：基片加热温度为50～70℃，镀膜室传动速度频率为15～18HZ，加热时间为15～25分钟，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室总气压为0.3～0.5Pa，使用隔位的两个靶或多个靶进行镀膜，镀-1 -1
膜室氩气流量为180～250Sccm，镀膜室真空度3.0*10 Pa～5.0*10 Pa之间。 基板温度由70℃上升到85℃，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层；氧化铟锡膜层膜厚控制在 氩气的气
体纯度为99.99％。

[0011] 其优选的工艺步骤和参数如下：

[0012] A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

[0013] B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在 镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室-1 -1真空度4.0*10 Pa～5.0*10 Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。

[0014] 本发明的加工工艺的另一个优选的工艺步骤和参数如下：

[0015] A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

[0016] B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为60℃，加热时间为20分钟镀膜室传动速度频率为16HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.4Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由60℃上升到75℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由75℃下降到60℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，膜厚控制在 之间，镀膜室氩气的流量为200～250Sccm，镀膜室真-1 -1
空度3.5*10 Pa～4.5*10 Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。

[0017] 本发明的三个靶位溅射镀膜的加工工艺的工艺步骤和参数如下：

[0018] A：首先在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；

[0019] B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层的镀膜，基片加热温度为50℃，加热时间为25分钟，镀膜室传动速度频率为15HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.3Pa，使用隔位的三个靶进行镀膜，基板温度由50℃上升到65℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由65℃下降到50℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层，经过两个靶位的冷却，基板温度由65℃上升到50℃左右，再进行镀第三层氧化铟锡膜层，膜厚控制在 之间，镀膜室氩气的流量为200～230Sccm，-1 -1镀膜室真空度3.0*10 Pa～4.0*10 Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。

[0020] 本发明采用低温、多靶、隔位溅射方法在TFT基板上镀制的高透过率、高方阻氧化铟锡膜层，即ITO膜，由于ITO膜的电阻值大，使得镀膜后的TFT基板具有良好的防静电功能，因此不容易吸附灰尘，同时防止镀膜时TFT基板的破碎和防止镀膜后TFT基板老化。具体实施方式：

[0021] 下面结合实施例，对本发明进行进一步的说明：

[0022] 实施例1：

[0023] 本实施例为两个靶位的溅射方法，其工艺步骤如下：

[0024] 在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，即ITO膜，镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在 镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室真空度4.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。