液晶显示器驱动集成电路及其制造方法

摘要

一种液晶显示器驱动集成电路及其制造方法。在本发明的一个示例性实施例中，液晶显示器驱动集成电路包括：相互隔开形成的第一和第二主多晶硅图样，连接主多晶硅图样的连接多晶硅图样，以及形成于主多晶硅图样上以阻挡该主多晶硅图样的自对准硅化物阻挡层(SAB)图样。

权利要求

1.一种液晶显示器驱动集成电路，包括：

第一和第二主多晶硅图样，相互隔开地形成；

连接多晶硅图样，连接所述第一和第二主多晶硅图样；以及自对准硅化物阻挡层(SAB)图样，形成于所述第一和第二主多晶硅图样上以阻挡所述第一和第二主多晶硅图样；

其中，所述连接多晶硅图样以线形形状形成来将所述第一主多晶硅图样的上侧连接至所述第二主多晶硅图样的下侧。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器驱动集成电路，进一步包括在所述连接多晶硅图样的相对侧面处形成的接触图样。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器驱动集成电路，其中，所述连接多晶硅图样的上部和所述连接多晶硅图样的下部具有相同的宽度，所述连接多晶硅图样的上部连接至所述第一主多晶硅图样的上侧，所述连接多晶硅图样的下部连接至所述第二主多晶硅图样的下侧。

4.一种用于制造液晶显示器驱动集成电路的方法，包括：形成第一和第二主多晶硅图样；

以线形形状形成连接多晶硅图样以将所述第一主多晶硅图样的上侧连接至所述第二主多晶硅图样的下侧；以及形成自对准硅化物阻挡层(SAB)图样，所述自对准硅化物阻挡层(SAB)图样形成于所述第一和第二主多晶硅图样上以阻挡所述第一和第二主多晶硅图样。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述连接多晶硅图样包括形成所述连接多晶硅图样以便上部线和下部线具有相同的宽度，所述上部线连接至所述第一主多晶硅图样的上侧，而下部线连接至所述第二主多晶硅图样的下侧。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在所述连接多晶硅图样的相对侧面处形成接触图样。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述接触图样和所述连接多晶硅图样同时形成。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一和第二主多晶硅图样和所述连接多晶硅图样同时形成。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第一和第二主多晶硅图样以及形成所述连接多晶硅图样包括：在衬底上形成多晶硅；

在所述多晶硅上形成光刻胶图样；以及

使用所述光刻胶图样作为蚀刻掩膜来蚀刻所述多晶硅以形成所述第一和第二主多晶硅图样以及所述连接多晶硅图样。

说明书

液晶显示器驱动集成电路及其制造方法

[0001] 相关申请的交叉参考

[0002] 本申请要求于2007年8月30日提交的韩国专利申请第10-2007-0087563号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

[0003] 技术领域

[0004] 本发明实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及液晶显示器驱动集成电路及其制造方法的实施例。

[0005] 背景技术

[0006] 液晶显示器(LCD)驱动集成电路(IC)可以用于控制LCD面板的若干个部分，并且可以在单个LCD面板中使用若干个LCD驱动IC。在普通的LCD驱动IC中，通过在宽的多晶硅图样(polypattern)中改变自对准硅化物阻挡层(金属硅化物阻挡层，salicideblocking)(SAB)图样的尺寸来调节阻抗以调节输出电压。然而，在使用了若干个LCD驱动IC的LCD面板中，由于LCD驱动IC之间的输出电压的不同，可能产生块模糊(block dim)现象，导致LCD面板中的灰度不同。LCD驱动IC之间的阻抗比(resistanceratio)不同可能导致这种输出电压的不同。

[0007] 例如，当SAB图样在水平方向(X方向)具有比另一个SAB图样更大或更小的临界尺寸(critical dimension)(CD)时，将导致阻抗的很大不同。SAB图样的阻抗主要由非自对准硅化物多晶硅(非金属硅化物多晶硅，non-salicide poly)阻抗决定。当SAB图样的CD在X方向变化时，非自对准硅化物多晶硅(非金属硅化物多晶硅，non-salicide poly)区域和阻抗也被改变。结果，在LCD驱动IC之间的阻抗出现不同，从而导致输出电压不同。 [0008] 此外，当SAB图样转为垂直方向(Y方向)时，改变了非自对准硅化物多晶硅区域和阻抗，从而导致输出电压不同。

发明内容

[0009] 总体而言，本发明示例性实施例涉及一种液晶显示器(LCD)驱动集成电路(IC)及其制造方法。在一些本发明示例性实施例中，LCD驱动IC能够降低芯片之间输出电压的不同。

[0010] 在一个本发明示例性实施例中，LCD驱动IC包括：相互隔开形成的第一和第二主多晶硅图样(main poly pattern)，连接主多晶硅图样的连接多晶硅图样(connection poly pattern)，以及形成于主多晶硅图样上以阻挡该主多晶硅图样的自对准硅化物阻挡层(SAB)图样。

[0011] 在另一个本发明示例性实施例中，一种用于制造LCD驱动IC的方法包括：形成第一和第二主多晶硅图样，形成连接主多晶硅图样的连接多晶硅图样，以及形成自对准硅化物阻挡层(SAB)图样，该自对准硅化物阻挡层(SAB)图样形成于主多晶硅图样上以阻挡该主多晶硅图样。

[0012] 提供这些概要的目的在于以简单的形式引入一种概念的选择，这些概念将在以下的具体实施方式中作进一步描述。这些概要不是为了确定所要求的主题内容的关键特征或本质特性，也不是为了用作确定所要求的主题内容的范围的辅助。此外，可以理解的是，本 发明的上述概括描述和以下具体描述都是示例性的和说明性的，并且是为了提供对所要求的本发明的进一步解释。

附图说明

[0013] 本发明示例性实施例的多个方面将在结合附图所给出的示例性实施例的以下详细描述中变得显而易见，在附图中：

[0014] 图1是一个示例性的LCD驱动IC的横截面图；以及

[0015] 图2至图4是与图1中的示例性LCD驱动IC类似的其他示例性LCD驱动IC的横截面图。

具体实施方式

[0016] 在以下的本发明实施例的详细描述中，对在附图中示出的具体实施方式、实施例作详细的说明。在所有可能的地方，在整个附图中使用相同的标号以表示相同或相似的部件。这些具体实施方式描述的足够详细以使本领域技术人员能够实施本发明。可以利用其他的具体实施方式，并在不脱离本发明的范围内可以作结构的、逻辑的和电的改变。而且，可以理解的是，本发明的各种具体实施方式，尽管不同，但不是一定互相独立的。例如，在一个具体实施方式中描述的特定特征、结构或特性也可能包含在其他的具体实施方式中。因此，以下的具体描述不应该被局限的理解，而本发明的范围仅通过所附的权利要求以及这些权利要求所享有的等同替换的全部范围来限定。

[0017] 在下面的描述中，当某一层被描述为形成在另一层“上/下方”时，该某一层可以直接接触另一层(直接地)或可以在这两层之间(间接地)插入第三层。

[0018] 图1是一个示例性LCD驱动IC的横截面图。如图1中所披露，示例性的LCD驱动IC包括：相互隔开形成的第一主多晶硅图样110和第二主多晶硅图样112，连接主多晶硅图样110和112的连接多晶硅图样111，以及形成于主多晶硅图样110和112上的自对准硅化物阻挡层(SAB)图样120。如图1中所披露，可以形成连接多晶硅图样111以将第一主多晶硅图样110的上侧连接至第二主多晶硅图样112的下侧。此外，可以在连接多晶硅图样111的相对侧面处形成接触图样(contact pattern)130。

[0019] 如图1中所披露，主多晶硅图样110和112被设计为在SAB图样120之下相互隔开。非自对准硅化物主多晶硅图样(非金属硅化物主多晶硅图样，non-salicide main poly pattern)110和112用作被SAB图样120阻挡的电阻器。同样如图1中所披露，连接多晶硅图样111以线形形状(line shape)形成。从而，即使当SAB图样120的临界尺寸(critical dimension)(CD)改变或SAB图样移位时，示例性LCD驱动IC的阻抗也基本上不受影响。这样稳定的阻抗导致降低了LCD面板内的LCD驱动IC之间的输出电压的不同，从而显著地减少了故障。此外，在垂直方向重新布置接触图样对SAB图样120的CD变化或SAB图样120的移位具有小到没有影响。

[0020] 图2至图4是与图1中的示例性LCD驱动IC类似的其他示例性LCD驱动IC的横截面图。首先参照图2，图样化SAB图样120a以在垂直方向上具有比图1的SAB图样120大的CD(大值‘a’)。在水平方向上形成SAB图样120a。从而，阻挡主多晶硅图样110和112的区域没有改变而且阻抗没有变化。在这种情况下，由于SAB图样120a被图样化以在垂直方向上具有更大的CD(大值‘a’)，SAB图样120a的整个阻挡区域可以大于SAB图样
120的整个阻挡区域。然而，阻挡主多晶硅图样110和112的区域没有改变而受SAB图样
120a的CD影响的连接多晶硅图样111被图样化成多晶硅线。 从而，图2的LCD驱动IC与图1的LCD驱动IC之间的阻抗变化小到没有。

[0021] 接下来参照图3，SAB图样120b被图样化以在垂直方向上具有比图1所示的SAB图样120小的CD(小值‘b’)。在水平方向上形成SAB图样120b。从而，阻挡主多晶硅图样110和112的区域没有改变而且阻抗没有变化。在这种情况下，由于SAB图样120b被图样化以在垂直方向上具有更小的CD，所以SAB图样120b的整个阻挡区域可以小于SAB图样120的整个阻挡区域。然而，阻挡主多晶硅图样110和112的区域没有改变而受SAB图样120b的CD影响的连接多晶硅图样111被图样化成多晶硅线。从而，图3的LCD驱动IC与图1的LCD驱动IC之间的阻抗变化小到没有。

[0022] 接下来参照图4，SAB图样120c相比于图1所示的SAB图样120(在方向‘c’上)移位。当主多晶硅图样110和112相互隔开地形成并且连接多晶硅图样111以线形形状形成来补偿移位方向‘c’上的阻挡区域时，尽管SAB图样120c移位，阻抗也可能没有变化。例如，由于连接多晶硅图样111的上侧和下侧形成具有相同的宽度，所以当SAB图样120c移位时，在移位方向‘c’上补偿阻挡区域是可能的。

[0023] 下面将描述用于制造图1的示例性LCD驱动IC的示例性方法。首先，形成第一主多晶硅图样110和第二主多晶硅图样112、连接多晶硅图样111和接触图样130。主多晶硅图样110和112、连接多晶硅图样111和/或接触图样130可以同时或不同时形成。例如，在衬底(未示出)上形成多晶硅(未示出)之后，可以使用特定的光刻胶图样(未示出)作为蚀刻掩膜蚀刻该多晶硅以形成主多晶硅图样110和112、连接多晶硅图样111和接触图样130。如图1所披露，可以形成连接多晶硅图样111以连接第一主多晶硅图样110的上侧 和第二主多晶硅图样112的下侧。接下来，在主多晶硅图样110和112上形成自对准硅化物阻挡层(SAB)图样120。

[0024] 尽管已经示出和描述了本发明多个示例性实施例，可以对这些示例性实施例进行改变。因此，本发明的范围限定在下述权利要求以及这些权利要求的等同替换中。