采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法转让专利

申请号 : CN200780005600.5

文献号 : CN101384756B

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发明人 : 关和秀幸小林纯宫本美幸

摘要 :

本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法,其特征在于,使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解,然后,使种晶或基板与该熔液直接接触,从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。