闪存器件及其操作方法

摘要

本发明公开了一种闪存器件及其操作方法，其中根据累积的编程操作、擦除操作或者读取操作的次数(累积的操作循环的数量)而不同地调节在读取操作过程中施加的电压(或者电流)的状况。即使与正常执行的编程操作(或者擦除操作)无关而由于累积的操作循环的数量的增加，阈值电压的电平变为与目标电压的电平不同的电平，也可以增强读取操作的可靠性，从而防止存储单元发生故障。

权利要求

1.一种闪存器件，包括：

主单元阵列，其包括串，每一个串连接到多个第一位线中的一个；

标记单元阵列，其包括串，每一个串连接到多个第二位线中的一个；

页缓冲器，每一个页缓冲器连接到第一和第二位线；

操作电压发生器，用于对主单元阵列和标记单元阵列提供编程/擦除/读取操作所需的电压；以及位线电流控制单元，被配置为调节在第一位线中流动的电流的量以改变用来感测主单元阵列中包含的存储单元的导通/关断状态的参考电流的值。

2.根据权利要求1所述的闪存器件，其中将以递增阶跃脉冲擦除方式执行的擦除操作中的擦除次数存储在标记单元阵列中包含的标记单元的一部分中。

3.根据权利要求2所述的闪存器件，其中位线电流控制单元根据存储在标记单元中的擦除次数调节在第一位线中流动的电流的量。

4.根据权利要求2所述的闪存器件，其中位线电流控制单元根据擦除次数控制连接在页缓冲器中的感测节点和第一位线之间的开关元件的导通程度，以调节在第一位线中流动的电流的量。

5.根据权利要求4所述的闪存器件，其中位线电流控制单元控制开关元件的导通程度，以随着擦除次数的增加降低参考电流的值。

6.一种闪存器件的操作方法，包括下列步骤：

以递增阶跃脉冲擦除方式执行存储单元块的擦除操作；

在擦除操作过程中存储存储单元块的擦除的次数；

根据擦除的次数调节在读取操作或者编程验证操作过程中要施加到选择的字线的电压的电平；以及将调节后的电压施加到选择的字线以执行读取操作或者编程验证操作。

7.根据权利要求6所述的闪存器件的操作方法，其中与擦除的次数成比例地调节电压。

8.根据权利要求6所述的闪存器件的操作方法，其中存储单元块包括主单元阵列和标记单元阵列。

9.根据权利要求6所述的闪存器件的操作方法，还包括在执行擦除操作之后增加擦除的次数的步骤。

10.根据权利要求8所述的闪存器件的操作方法，其中将擦除的次数存储在标记单元阵列中包含的标记单元中。

11.一种闪存器件的操作方法，包括下列步骤：以递增阶跃脉冲擦除方式执行存储单元块的擦除操作；

在擦除操作过程中存储存储单元块的擦除的次数；

根据擦除的次数设置在读取操作或者编程验证操作过程中感测存储单元的导通/关断所需的参考电流的值；以及将电压施加到存储单元的字线，并比较在存储单元中流动的电流的量和参考电流的值，以执行读取操作或者编程验证操作。

12.根据权利要求11所述的闪存器件的操作方法，其中随着擦除的次数的增加，降低参考电流。

13.根据权利要求12所述的闪存器件的操作方法，其中通过调节在位线中流动的电流的量来设置参考电流。

14.根据权利要求13所述的闪存器件的操作方法，其中在位线中流动的电流的量根据连接在页缓冲器的感测节点和位线之间的开关元件的导通程度发生变化。

15.根据权利要求11所述的闪存器件的操作方法，其中存储单元块包括主单元阵列和标记单元阵列。

16.根据权利要求15所述的闪存器件的操作方法，其中将擦除的次数存储在标记单元阵列中包含的标记单元中。

17.根据权利要求11所述的闪存器件的操作方法，还包括在执行擦除操作之后增加擦除的次数的步骤。

说明书

闪存器件及其操作方法

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求2007年9月10日提交的韩国专利申请第10-2007-91518号的优先权，其全部内容通过引用包含于此。

技术领域

[0003] 本发明涉及一种闪存器件及其操作方法，更具体地，涉及一种能够补偿随着操作数量的增加而变化的操作特性的闪速器件及其操作方法。

背景技术

[0004] 作为存储器件中的一种，非易失性存储器件具有即使切断电源也不擦除存储在擦除单元中的数据的特性。闪存器件是典型的非易失性存储器件。基于存储单元阵列的结构，闪存器件可以分为NOR闪存器件和NAND闪存器件。闪存单元的栅极具有包括隧道绝缘层、浮动栅、电介质层和控制栅的结构。

[0005] 在这种闪存器件(尤其是NAND闪存器件)中，通过F-N(Fowler-Nordheim)隧穿现象执行编程操作和擦除操作。通过编程操作在浮动栅上累积电子，通过擦除操作将累积在浮动栅上的电子放电到衬底。此外，当执行读取操作时，检测根据累积在浮动栅上的电子量变化的存储单元的阈值电压，通过检测到的阈值电压的电平读取数据。

[0006] 随着操作循环的数量(即执行上述操作的次数)的增加，存储单元在编程状态(或者擦除状态)下的阈值电压发生变化。

[0007] 图1是示出根据闪存器件的操作循环数量，阈值电压变化的特性曲线图。

[0008] 参考图1，随着操作循环数量的增加，即使在相同的条件下执行编程操作，存储单元的阈值电压也会逐渐增大。在执行擦除操作时，阈值电压也可能增大。随着操作循环的数量的增加，电子陷入隧道绝缘层中，这可能影响编程操作。

[0009] 如果在编程操作的相同条件下阈值电压发生了变化，则当执行读取操作时，不正常地读取存储在存储单元中的数据，从而导致存储单元故障。

发明内容

[0010] 在本发明中公开的闪存器件及其操作方法中，根据累积的编程操作、擦除操作或者读取操作的次数(累积的操作循环的数量)而不同地调节在读取操作过程中施加的电压(或者电流)的状况，这样，即使与正常执行的编程操作(或者擦除操作)无关而由于累积的操作循环的数量的增加，阈值电压的电平变为与目标电压的电平不同的电平，也可以增强读取操作的可靠性，从而防止存储单元发生故障。

[0011] 根据本发明的一个实施例的闪存器件包括：主单元阵列，其包括串，每一个串连接到多个第一位线中的一个；标记单元阵列，其包括标记单元，在标记单元中存储在以ISPE方式执行的擦除操作过程中的存储单元的擦除次数；页缓冲器，每一个页缓冲器连接到位线；操作电压发生器，用于对主单元阵列和标记单元阵列提供编程/擦除/读取操作所需的电压；以及位线电流控制单元，用于控制在位线中流动的电流的量，以根据存储在标记单元中的擦除次数来改变用来感测存储单元的导通/关断状态的参考电流的值。

[0012] 在上述闪存器件中，位线电流控制单元根据擦除次数控制连接在页缓冲器中的感测节点和位线之间的开关元件的导通程度，以调节在位线中流动的电流的量。

[0013] 位线电流控制单元控制开关元件的导通程度，以随着擦除次数的增加降低参考电流的值。

[0014] 根据本发明的第一实施例的闪存器件的操作方法包括步骤：对存储单元施加擦除电压以执行存储单元的擦除操作；比较存储单元的阈值电压和目标电压；如果阈值电压大于目标电压，则提高擦除电压的电平以再次执行存储单元块的擦除操作；以及如果阈值电压小于目标电压，则存储擦除操作的次数。

[0015] 在上述方法中，可以将擦除操作的次数存储在标记单元中。

[0016] 根据本发明的第二实施例的闪存器件的操作方法包括步骤：对包括主单元阵列和标记单元阵列的存储单元块执行擦除操作；比较在主单元阵列中包含的存储单元的阈值电压和目标电压；如果阈值电压大于目标电压，则提高擦除电压的电平以再次执行存储单元块的擦除操作；以及如果阈值电压小于目标电压，则存储擦除操作的次数。

[0017] 在上述方法中，可以将擦除操作的次数存储在标记单元阵列中包含的标记单元中。

[0018] 根据本发明的第二实施例的闪存器件的操作方法还包括在执行擦除操作之后增加擦除操作的次数的步骤。

[0019] 根据本发明的第三实施例的闪存器件的操作方法包括步骤：以ISPE(递增阶跃脉冲擦除)方式执行存储单元块的擦除操作；在擦除操作过程中存储存储单元块的擦除的次数；根据擦除的次数调节在读取操作或者编程验证操作过程中要施加到选择的字线的电压的电平；以及将调节后的电压施加到选择的字线以执行读取操作或者编程验证操作。

[0020] 在上述方法中，与擦除的次数成比例地调节电压。

[0021] 根据本发明的第四实施例的闪存器件的操作方法包括步骤：以ISPE(递增阶跃脉冲擦除)方式执行存储单元块的擦除操作；在擦除操作过程中存储存储单元块的擦除的次数；根据擦除的次数设置在读取操作或者编程验证操作过程中感测存储单元的导通/关断所需的参考电流的值；以及将电压施加到存储单元的字线，并比较在存储单元中流动的电流的量和参考电流的值，以执行读取操作或者编程验证操作。

[0022] 在上述方法中，随着擦除的次数的增加，降低参考电压。通过调节在位线中流动的电流的量来设置参考电流，在位线中流动的电流的量根据连接在页缓冲器的感测节点和位线之间的开关元件的导通程度发生变化。

[0023] 存储单元块包括主单元阵列和标记单元阵列，可以将擦除的次数存储在标记单元阵列中包含的标记单元中。

[0024] 根据本发明的第四实施例的闪存器件的操作方法还包括在执行擦除操作之后增加擦除的次数的步骤。

附图说明

[0025] 在结合附图考虑时，通过参考以下详细的描述，本发明的上述和其它特征以及优点将变得非常明显，其中：

[0026] 图1是示出根据闪存器件的操作循环数量，阈值电压变化的特性曲线图；

[0027] 图2是示出根据本发明的一个实施例的闪存器件的电路图；

[0028] 图3和图4是示出根据本发明的一个实施例的闪存器件的操作方法的流程图；以及

[0029] 图5是示出在根据本发明的一个实施例的闪存器件的操作方法中调节的读取条件的曲线图。

具体实施方式

[0030] 下文中，参考附图更详细地说明本发明的优选实施例。然而，可以对本发明的实施例进行各种变化，本发明的范围应当不限于下面的实施例。这里对本领域技术人员提供描述，用于进行更完整的说明。

[0031] 图2是示出根据本发明的一个实施例的闪存器件的电路图。

[0032] 参考图2，根据本发明的一个实施例的闪存器件包括具有多个存储单元块MB(为了方便，在图中仅示出一个单元块)的存储单元阵列、页缓冲单元PB、操作电压发生器210、控制单元220、位线电流控制单元230和数据输入/输出电路240。

[0033] 存储单元阵列包括多个存储单元块MB。存储单元块MB包括主单元阵列MCA和标记单元阵列FCA。除了串的数量(也就是存储单元的数量)之外，主单元阵列MCA的整体结构与标记单元阵列FCA的整体结构相同。进一步具体地说明，主单元阵列MCA包括多个串。串具有漏极选择晶体管DST、多个存储单元C0～Cn(n是整数)和源极选择晶体管SST彼此串联连接的结构。漏极选择晶体管DST的漏极连接到位线BLm，源极选择晶体管SST的源极连接到公共源极线CSL。每一个包含在每一个串中的漏极选择晶体管DST的栅极彼此连接以作为漏极选择线DSL，源极选择晶体管SST的栅极彼此连接以作为源极选择线SSL，存储单元的栅极彼此连接以用作字线WL0～WLn。在标记单元阵列FCA中，串联连接在漏极选择晶体管DST和源极选择晶体管SST之间的存储单元用作标记单元FC0～FCn。稍后描述标记单元的用途。

[0034] 页缓冲单元PB包括多个页缓冲器MPB和FPB。这里，页缓冲器MPB通过位线BLm连接到在主单元阵列MCA中包含的串，页缓冲器FPB通过位线BLf连接到在标记单元阵列FCA中包含的串。页缓冲器MPB主要包括：第一开关元件N201，用于响应于位线选择信号Vsel连接位线BLm和感测节点SO1；第二开关元件P201，用于响应于预充电信号PRECHb对感测节点SO1进行预充电；第三开关元件N202，其根据感测节点SO1的电势被操作；锁存器LAT1，其连接到第三开关元件N202的一端；以及第四开关元件N203，其连接到第三开关元件N202的另一端，并且响应于读取控制信号LATCH被操作。

[0035] 上述页缓冲器MPB是用于作为一般的页缓冲器工作所需的最小结构元件。页缓冲器MPB可以包括至少两个锁存器以提高工作速度。一般的页缓冲器的基本结构和操作对本领域技术人员是公知的，因此这里省略其详细描述。

[0036] 页缓冲器MPB和FPB中包含的锁存器LAT1和LAT2的输出端连接到数据输入/输出电路240，数据输入/输出电路240顺序输出存储在锁存器LAT1和LAT2中的数据，或者将从外部输入的数据发送到锁存器LAT1和LAT2。

[0037] 操作电压发生器210产生使存储单元工作所需的电压。进一步具体地说明，操作电压发生器210产生多种工作电压(例如，Vpgm、Vpass、Vvfy、Vgnd、Vdsl、Vssl、Vwell)，并将其发送到全局字线和全局选择线。此外，操作电压发生器还响应于块选择信号(未示出)对所选择的存储单元MB提供操作电压。

[0038] 控制单元220控制操作电压发生器210，以使操作电压发生器210根据存储单元的工作模式输出编程操作、擦除操作和读取操作所需的电压。另外，当以递增阶跃脉冲擦除(ISPE，increasement step pulse erase)方式执行存储单元的擦除操作时，控制单元220对向形成存储单元块MB的阱区施加擦除电压Vwell的次数进行计数。也就是说，控制单元220对以ISPE方式在擦除操作中执行的擦除的次数进行计数。进一步具体地说明，在以ISPE方式执行的擦除操作中，操作电压发生器210向阱施加正电压以擦除选择的存储单元块的存储单元，然后控制单元220验证该存储单元的阈值电压是否降低到目标电压。如果该存储单元的阈值电压没有降低到目标电压，则操作电压发生器210以更高的电平向阱施加正电压以再次擦除该存储单元，然后检测存储单元的阈值电压的电平。如上所述，在以ISPE方式执行的擦除操作中，可以几次向阱施加正电压，控制单元220在以ISPE方式执行的擦除操作过程中对向阱施加正电压的次数(擦除的次数)进行计数。

[0039] 将擦除的次数存储在存储单元块MB的标记单元FC0～FCn中的一些标记单元中。根据在使用ISPE方式的擦除操作中执行擦除的次数可以掌握存储器的工作特性(尤其是循环特性)，并且根据存储在标记单元中的施加正电压的次数改变存储单元的读取操作。也就是说，存储擦除的次数成为掌握并存储存储单元的循环特性的一个实施方案。控制单元
220控制上述所有操作。稍后描述其详细说明。

[0040] 位线电流控制单元230由控制单元220控制，在存储单元的读取操作过程中根据存储在标记单元中的循环特性(即擦除的次数)来调节用来感测存储单元的导通/关断状态的参考电流(图5中的Itrip1或者Itrip2)。进一步具体地说明，位线电流控制单元230根据循环特性将电流控制信号Vsel输出到连接在页缓冲器MPB的感测节点SO1和位线BLm之间的开关元件N201，响应于电流控制信号Vsel调节开关元件N201的导通程度，从而调节在位线BLm中流动的电流Itrip的量。根据在位线BLm中流动的电流Itrip的量的调节，可以在读取操作或者编程验证操作过程中改变用来感测存储单元的导通/关断状态的参考电流(图5中的Itrip1或者Itrip2)的值。进一步具体地说明，如果在位线中流动的电流Itrip的量减小，则可以降低参考电流的值。

[0041] 下面描述具有上面所示结构的闪存器件的操作方法。

[0042] 图3和图4是示出根据本发明的一个实施例的闪存器件的操作方法的流程图。

[0043] 参考图2和图3，本发明通过以ISPE方式执行的擦除操作掌握存储单元的循环特性，然后存储该循环特性。随着执行擦除操作和读取操作的次数的累积，存储单元的阈值电压特性发生变化，如图1所示。在本发明中，在以ISPE方式执行的擦除澡作过程中，对擦除存储单元的次数进行计数(即对施加正电压的次数进行计数)，以将存储单元的阈值电压降低到目标电压，根据擦除的次数调节读取操作过程中施加的电压的状况。下面更详细地描述上述处理。

[0044] 首先，如果输入擦除命令信号，则响应于地址信号选择多个存储单元块中的一个，以ISPE方式对所选择的存储单元块MB执行擦除操作。该存储单元块包括具有小于0(零)伏的阈值电压的存储单元以及具有大于0(零)伏的阈值电压的存储单元。如果在具有小于0(零)伏的阈值电压的存储单元中存在具有已经为低的阈值电压的存储单元，则可以通过执行擦除操作进一步降低阈值电压。因此，为了提高具有远远小于0(零)伏的阈值电压的存储单元的阈值电压，可以执行预编程操作(步骤310)。除了对字线施加具有比在传统的编程操作中施加的编程电压的电平小的电平的编程电压之外，与传统的编程操作相同地执行预编程操作。

[0045] 随后，对所选择的存储单元块MB中包含的存储单元执行第一擦除操作(步骤320)。这时，对存储单元块MB的体(bulk)(例如P阱)施加15伏的擦除电压Vwell。在第一擦除操作之后，进行擦除验证以检测存储单元的阈值电压是否降低到目标电压(步骤
330)。如果存储单元的阈值电压降低到目标电压，则ISPE方式的擦除操作完成，如果存储单元的阈值电压没有降低到目标电压，则增大擦除电压Vwell，再次执行擦除操作。下面更详细地描述上述处理。

[0046] 如果在擦除验证处理中存储单元的阈值电压没有降低到目标电压，则增加擦除的次数以对进行擦除的次数进行计数(步骤340)。也就是说，擦除的次数从初始值“1”增大到“2”。在以ISPE方式执行的擦除操作中，可以将擦除的次数存储在控制单元220中包含的临时存储装置(例如寄存器)中。随后，增大擦除电压Vwell。例如，可以将擦除电压增大到15伏至20伏，擦除电压可以每次增大0.1伏至1.0伏。在擦除电压每次增大1.0伏的情况下，擦除电压增大到16伏，然后执行存储单元的第二擦除操作(步骤320)。

[0047] 如果存储单元的阈值电压降低到目标电压，则停止上述步骤320、330和340。在存储单元的阈值电压降低到目标电压之后，由于擦除比率过高，因此可能存在具有过于小于目标电压的阈值电压的存储单元(过擦除存储单元)。为了将这种过擦除存储单元的阈值电压增大到目标电压或者目标电压的近似值，执行软编程操作(步骤350)。与预编程操作类似，除了施加比在传统的编程操作中施加的编程电压小的编程电压之外，可以与传统的编程操作相同地执行软编程操作。

[0048] 如果软编程操作完成，则以ISPE方式执行的擦除操作完成。

[0049] 在以ISPE方式执行的擦除操作完成之后，存储在以ISPE方式执行的擦除操作中擦除存储单元的次数(步骤360)。将擦除存储单元的次数存储在存储单元块MB的标记单元FC0～FCn中的一部分中。

[0050] 随着操作循环的数量的增加，电子陷入存储单元的隧道绝缘层中，并影响存储单元的阈值电压(参见图1)。例如，操作循环的数量增加得越多，存储单元的阈值电压变得越高，因此应当以ISPE方式执行几次存储单元的擦除操作以降低存储单元的阈值电压。也就是说，操作循环的数量增加越多，应当以ISPE方式执行越多的存储单元的擦除操作。因此，可以通过以ISPE方式执行的存储单元的擦除操作的次数掌握根据操作循环的累积数量变化的存储单元的阈值电压特性。

[0051] 与此类似，在本发明中，通过以ISPE方式执行存储单元的擦除操作的次数来判断由增加的操作循环的数量所引起的存储单元的阈值电压的变化。另外，通过所存储的执行擦除操作的次数来调节在存储单元的读取操作过程中用来感测阈值电压的电平的状况。

[0052] 参考图2和图4，如果从外部发送了读取命令信号(步骤410)，则启动读取操作以读取通过编程操作存储在存储器中的数据。首先，读取存储在标记单元阵列FAC的标记单元中的擦除操作的次数(步骤420)。根据从标记单元中读取的擦除操作的次数，控制单元220修正执行读取操作时的读取条件。例如，控制单元220可以控制操作电压发生器210以改变要对主单元阵列MCA的选择线SSL和DSL以及字线WL0～WLn施加的操作电压的电平(第一方法)，或者可以控制位线电流控制单元230以改变发送到连接在位线BLm和页缓冲器MPB的感测节点SO1之间的开关元件N201的信号Vsel的电平，从而改变用来感测存储单元的导通/关断的参考电流的值(第二方法)。

[0053] 参考图5更详细地描述执行读取操作时用于调节读取条件的方法。图5是示出在根据本发明的一个实施例的闪存器件的操作方法中调节的读取条件的曲线图。

[0054] 参考图5，可以看出，根据增加的操作循环的数量，与施加到存储单元的栅极(即字线)的电压Vg相比，流过存储单元的电流Id的量减小。这种现象意味着存储单元的阈值电压增大。

[0055] 假设第一电流Itrip1是用来确定存储单元的导通/关断状态的参考电流，如果在早先的阶段Cyc1对栅极施加4伏的电压Vg，则第一电流Itrip1在存储单元中流动，通过第一电流可以感测到导通/关断状态。然而，当累积的操作循环的数量是1000时，如果对栅极施加4伏的电压Vg，则小于第一电流Itrip1的电流流动。为了使流动的电流处于与第一电流Itrip1相同的水平，对栅极施加的电压Vg应当是大约5伏。如果累积的操作循环的数量是10000，则流动的电流大大小于第一电流Itrip1。为了使流动的电流处于与第一电流Itrip1相同的水平，应当对栅极施加更高的电压Vg。如果不调节对栅极施加的电压Vg，则应当将用来感测存储单元的导通状态和关断状态的参考电流从第一电流Itrip1降低到第二电流Itrip2。

[0056] 再一次参考图2和图5，可以在以ISPE方式执行的擦除操作中通过第一方法根据存储在标记单元中的操作循环的数量来调节要对存储单元的栅极(即字线)施加的电压的电平。这里所提及的字线表示要读取的单元连接到的字线。例如，在施加读取操作所需的电压(具体是对字线施加的电压)之前，读取存储在标记单元中的擦除的次数。另外，在擦除的次数是“1”的情况下，这可能意味着累积的操作循环的数量对应于初始值，因此将字线电压设置为3伏，在擦除的次数是“2”的情况下，这可能意味着累积的操作循环的数量对应于与1000相对应的值，因此将字线电压设置为4伏。此外，在擦除的次数是“3”的情况下，这可能意味着累积的操作循环的数量对应于10000，因此可以将字线电压设置为5伏。示例性地提供上述擦除的次数和操作循环的数量以及字线电压之间的关系以说明该操作，该关系可以发生变化。

[0057] 当执行读取操作时，如果字线电压按照阈值电压的变化根据擦除的次数发生变化，则可以防止存储单元发生故障。如先前所描述的，可以通过根据存储在标记单元中的擦除的次数通过控制单元220控制操作电压发生器210，来调节字线电压。

[0058] 作为第二方法，用来感测存储单元的导通/关断状态的参考电流(图5中的Itrip1或者Itrip2)的值可以根据存储在标记单元中的操作循环的数量发生变化。具体地说明，可以控制连接在位线BLm和页缓冲器MPB的感测节点SO1之间的开关元件N201的导通程度，以根据擦除的次数改变参考电流的值。也就是说，如果调节开关元件N201的导通程度以减小在位线BLm中流动的电流Itrip的量，则可以降低参考电流的值。

[0059] 例如，在施加执行读取操作所需的电压(具体是要对字线施加的电压)之前，读取存储在标记单元中的擦除的次数。此外，在擦除的次数是“1”的情况下，这可能意味着累积的操作循环的数量对应于初始值，据此控制开关元件N201的导通程度。相应地，调节在位线BLm中流动的电流Itrip的量以将用来感测存储单元的导通/关断的参考电流的值设置为第一电流Itrip1。在擦除的次数是“2”的情况下，这可能意味着累积的操作循环的数量对应于1000，据此控制开关元件N201的导通程度。相应地，再次调节在位线BLm中流动的电流Itrip的量以将用来感测存储单元的导通/关断的参考电流的值设置为小于第一电流Itrip1的第二电流Itrip2。在擦除的次数是“3”的情况下，可以通过相同的方法将参考电流的值设置为小于第二电流Itrip2的第三电流Itrip3。

[0060] 示例性地提供上述擦除的次数和操作循环的数量以及在字线中流动的电流的量之间的关系以说明该操作，该关系可以发生变化。

[0061] 在如上所述调节了感测存储单元的导通状态或者关断状态所需的电压(即字线电压)或者参考电流之后，执行读取操作(图4中的步骤440)。

[0062] 在上述方法中，通过在以ISPE方式执行的擦除操作中存储单元的擦除次数来掌握累积的操作循环的数量，随着累积的操作循环的数量的增加，增大读取操作所需的字线电压或者降低参考电流，因此，即使存储单元的阈值电压发生了变化，也可以防止存储单元发生故障。

[0063] 另一方面，可以以对读取操作类似的方式执行在闪存单元的预编程操作之后执行的编程验证操作。

[0064] 虽然存储单元的编程特性或者擦除特性由于增加的操作循环的数量而发生变化，但是本发明可以调节在读取操作过程中施加的操作电压(或者电流)以提高读取操作的准确性，从而防止存储单元发生故障。

[0065] 虽然参考本发明的多个说明性实施例描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以提出落入本公开的原理的精神和范围内的大量其它变形例和实施例。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内对本组合设备的部件和/或设备进行各种变化和变形。除了部件和/或设备的变化和变形之外，可选用途对于本领域技术人员也将是明显的。