通过加热衬底生产的半导体器件的制造设备和制造方法转让专利

申请号 : CN200810160808.0

文献号 : CN101388330B

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发明人 : 上野昌纪上田登志雄渡边容子

摘要 :

本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法,允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括:夹持衬底(1)的基座(2);被安排在基座(2)的背侧的加热器;位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11);以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。