通过加热衬底生产的半导体器件的制造设备和制造方法转让专利
申请号 : CN200810160808.0
文献号 : CN101388330B
文献日 : 2011-02-09
发明人 : 上野昌纪 , 上田登志雄 , 渡边容子
摘要 :
本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法,允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括:夹持衬底(1)的基座(2);被安排在基座(2)的背侧的加热器;位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11);以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。