FFS透射反射型阵列基板及制造方法转让专利
申请号 : CN200710175203.4
文献号 : CN101399235B
文献日 : 2010-06-09
发明人 : 金秉勳 , 柳在一 , 崔承镇
申请人 : 北京京东方光电科技有限公司
摘要 :
本发明涉及一种FFS反透过型阵列基板及制造方法，其中FFS反透过型阵列基板制造方法包括：在玻璃基板上沉积透明电极层，在反射区域形成透明电极图案；刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；依次形成栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、源漏电极、像素电极、钝化层、公共电极；FFS反透过型阵列基板包括玻璃基板和阵列结构，玻璃基板设置有反射区域和透射区域，玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。本发明使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量，同时提高了反射率。
权利要求 :
1.一种FFS透射反射型阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在玻璃基板上沉积透明电极层，通过掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案；
步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，同时刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；
步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅极和栅线；
步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅绝缘层和有源层；
步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成源漏电极；
步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成像素电极；
步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成钝化层；
步骤8、在完成步骤7的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成公共电极。
2.根据权利要求1所述的FFS透射反射型阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1和步骤8中所述掩膜工艺均采用制作梳齿状电极的掩膜版。
3.根据权利要求1或2所述的FFS透射反射型阵列基板制造方法，其特征在于，在所述步骤5中形成源漏电极的同时，在所述反射区域形成反射电极。
4.一种FFS透射反射型阵列基板，包括玻璃基板和在所述玻璃基板上形成的阵列结构，所述玻璃基板设置有反射区域和透射区域，其特征在于，所述玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。
5.根据权利要求4所述的FFS透射反射型阵列基板，其特征在于，所述压花由数个连续的凹谷组成。
6.根据权利要求5所述的FFS透射反射型阵列基板，其特征在于，所述凹谷的深度小于1微米。
7.根据权利要求4-6任一所述的FFS透射反射型阵列基板，其特征在于，所述阵列结构包括：栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、源漏电极、像素电极、钝化层以及公共电极。
说明书 :
技术领域
本发明涉及一种FFS(Fringe Field Switching)透射反射型阵列基板及制造方法，尤其涉及一种在玻璃基板位于反射区域的表面上形成压花的透射反射型阵列基板及制造方法，属于电子设备制造领域。
背景技术
为了获得较宽的视角，提高室外环境中阵列基板的可读性，现有的透射反射型阵列基板通过以下方法来获得最大化的反射率：
如图1所示，为现有技术中FFS透射反射型阵列基板的结构示意图，在玻璃基板10上依次形成栅极和栅线11、栅绝缘层12、有源层13、树脂层14、像素电极15、源漏电极16、反射板17、钝化层18、公共电极19，其中形成树脂层14具体为：在反射区域施涂光敏树脂，对光敏树脂进行刻蚀形成具有微凹凸压花的树脂层14；树脂层14和反射板17共同作用使得透射反射型阵列基板获得反射率。
上述现有技术中FFS透射反射型阵列基板获得反射率的方法具有以下缺点：
(1)相比于现有的透射型阵列基板，透射反射型阵列基板需要增加施涂光敏树脂、压花以及形成反射板17等若干掩膜工艺，因此该透射反射型阵列基板的制造方法需要7层掩膜工艺和7个掩膜版，工艺较复杂，成本较高，导致产量低下；
(2)透射反射型阵列基板利用树脂层形成压花，因为光敏树脂的性能受工程环境影响较大，最终形成的压花与理想的压花结构存在误差，影响了反射率。
如图1所示，为现有技术中FFS透射反射型阵列基板的结构示意图，在玻璃基板10上依次形成栅极和栅线11、栅绝缘层12、有源层13、树脂层14、像素电极15、源漏电极16、反射板17、钝化层18、公共电极19，其中形成树脂层14具体为：在反射区域施涂光敏树脂，对光敏树脂进行刻蚀形成具有微凹凸压花的树脂层14；树脂层14和反射板17共同作用使得透射反射型阵列基板获得反射率。
上述现有技术中FFS透射反射型阵列基板获得反射率的方法具有以下缺点：
(1)相比于现有的透射型阵列基板，透射反射型阵列基板需要增加施涂光敏树脂、压花以及形成反射板17等若干掩膜工艺，因此该透射反射型阵列基板的制造方法需要7层掩膜工艺和7个掩膜版，工艺较复杂，成本较高，导致产量低下；
(2)透射反射型阵列基板利用树脂层形成压花，因为光敏树脂的性能受工程环境影响较大，最终形成的压花与理想的压花结构存在误差，影响了反射率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种FFS透射反射型阵列基板及制造方法，能够提高反射率，相比于现有技术，能减少掩膜工艺，并使工艺更加简单，从而减少成本，提高产量。
本发明提供的FFS透射反射型阵列基板制造方法包括：
步骤1、在玻璃基板上沉积透明电极层，通过掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案；
步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，同时刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；
步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅极和栅线；
步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅绝缘层和有源层；
步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成源漏电极；
步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成像素电极；
步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成钝化层；
步骤8、在完成步骤7的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成公共电极。
本发明提供的FFS透射反射型阵列基板包括：玻璃基板和在所述玻璃基板上形成的阵列结构，所述玻璃基板设置有反射区域和透射区域，所述玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。
本发明提供的FFS透射反射型阵列基板及制造方法，通过刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花，减少了施涂光敏树脂、压花以及形成反射板等若干个掩膜工艺，使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量；同时，由于在玻璃基板上形成的压花受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，从而提高了反射率。
本发明提供的FFS透射反射型阵列基板制造方法包括：
步骤1、在玻璃基板上沉积透明电极层，通过掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案；
步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，同时刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；
步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅极和栅线；
步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅绝缘层和有源层；
步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成源漏电极；
步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成像素电极；
步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成钝化层；
步骤8、在完成步骤7的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成公共电极。
本发明提供的FFS透射反射型阵列基板包括：玻璃基板和在所述玻璃基板上形成的阵列结构，所述玻璃基板设置有反射区域和透射区域，所述玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。
本发明提供的FFS透射反射型阵列基板及制造方法，通过刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花，减少了施涂光敏树脂、压花以及形成反射板等若干个掩膜工艺，使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量；同时，由于在玻璃基板上形成的压花受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，从而提高了反射率。
附图说明
图1为现有技术中FFS透射反射型阵列基板的结构示意图；
图2为本发明FFS透射反射型阵列基板制造方法一具体实施例流程图；
图3A为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀前的示意图；
图3B为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀中的示意图；
图3C为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀后的示意图；
图4为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例的结构示意图。
图2为本发明FFS透射反射型阵列基板制造方法一具体实施例流程图；
图3A为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀前的示意图；
图3B为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀中的示意图；
图3C为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀后的示意图；
图4为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图2为本发明FFS透射反射型阵列基板制造方法一具体实施例的流程图，图4为利用图2所示的方法制造出的FFS透射反射型阵列基板的结构示意图。如图2所示，FFS透射反射型阵列基板制造方法执行以下步骤：
步骤101、在玻璃基板40上沉积透明电极层，通过第一次掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案31，如图3A所示，为本实施例玻璃基板刻蚀前的示意图，透明电极图案31的厚度可以为40-100皮米，长度为3-10微米；
步骤102、在完成步骤101的玻璃基板上同时刻蚀透明电极图案31和玻璃基板40，因为玻璃基板40的刻蚀率比较大，所以会被先刻蚀掉，从而在透明电极图案31之间的玻璃基板40处形成微凹谷，如图3B所示，为本实施例玻璃基板刻蚀中的示意图；继续刻蚀直至透明电极图案31被完全刻蚀掉，在玻璃基板40上就形成由数个连续的凹谷组成的压花，如图3C所示，为本实施例玻璃基板刻蚀后的示意图；
步骤103、在完成步骤102的玻璃基板40上，通过第二次掩膜工艺形成栅极和栅线41(如图4所示)；
步骤104、在完成步骤103的玻璃基板上，通过第三次掩膜工艺形成栅绝缘层42和有源层43；
步骤105、在完成步骤104的玻璃基板上，通过第四次掩膜工艺形成源漏电极44；
步骤106、在完成步骤105的玻璃基板上，通过第五次掩膜工艺形成像素电极45；
步骤107、在完成步骤106的玻璃基板上，通过第六次掩膜工艺形成钝化层46；
步骤108、在完成步骤107的玻璃基板上，通过第七次掩膜工艺形成公共电极47。
本实施例中，进一步地，步骤101中第一次掩膜工艺和步骤108中第七次掩膜工艺可以采用同一掩膜版，均采用制作梳齿状电极的掩膜版，与现有技术相比，减少了一个掩膜版，从而减少了成本。
本实施例中，还可以在步骤105中形成源漏电极44的同时，形成反射电极48。
本实施例中通过利用制作梳齿状电极的掩膜版在反射区域形成透明电极图案，与形成公共电极47的掩膜工艺使用同一掩膜版，用6个掩膜版实现了7个掩膜工艺，减少了成本；通过刻蚀透明电极图案和玻璃基板40，在玻璃基板上形成压花，并在形成源漏电极44的同时，形成反射电极48，减少了施涂光敏树脂、压花以及形成反射板等若干个掩膜工艺，使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量；同时，由于在玻璃基板上形成的压花受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，从而提高了反射率。
如图4所示，为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例的结构示意图，本实施例包括玻璃基板40和在玻璃基板上形成的阵列结构，该玻璃基板40设置有反射区域和透射区域。
如图3C所示，在玻璃基板40位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花，该压花由数个连续的凹谷32组成，凹谷32的深度一般小于1微米。
如图4所示，在玻璃基板上形成的阵列结构包括：栅极和栅线41、栅绝缘层42、有源层43、源漏电极44、反射电极48、像素电极45、钝化层46以及公共电极47，其中在栅线41上方覆盖栅绝缘层42，使栅线41与其他层互相绝缘；在栅绝缘层42的表面，位于栅线41的正上方设置有源层43；在有源层43的上部设置源漏电极44，源漏电极44设有隔离沟道，源漏电极44的一端与数据线(图中未示出)连接，另一端通过反射电极48与像素电极45连接；在源漏电极44的表面设置钝化层46，用于保护源漏电极44；在钝化层46之上还设置有公共电极47。
本实施例中，在玻璃基板40上形成压花的过程中所使用的掩膜版与形成公共电极47的掩膜版相同，减少了成本；通过在玻璃基板40上形成压花，受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，提高了反射率。
上述反射区域可以设置在像素区域的任何部位，不应该限于本实施例中给出的部位。
由于FFS透射反射型阵列基板与全反射型阵列基板的区别在于反射区域的面积不同，因此本发明FFS透射反射型阵列基板及制造方法同样也适用于全反射型阵列基板。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
图2为本发明FFS透射反射型阵列基板制造方法一具体实施例的流程图，图4为利用图2所示的方法制造出的FFS透射反射型阵列基板的结构示意图。如图2所示，FFS透射反射型阵列基板制造方法执行以下步骤：
步骤101、在玻璃基板40上沉积透明电极层，通过第一次掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案31，如图3A所示，为本实施例玻璃基板刻蚀前的示意图，透明电极图案31的厚度可以为40-100皮米，长度为3-10微米；
步骤102、在完成步骤101的玻璃基板上同时刻蚀透明电极图案31和玻璃基板40，因为玻璃基板40的刻蚀率比较大，所以会被先刻蚀掉，从而在透明电极图案31之间的玻璃基板40处形成微凹谷，如图3B所示，为本实施例玻璃基板刻蚀中的示意图；继续刻蚀直至透明电极图案31被完全刻蚀掉，在玻璃基板40上就形成由数个连续的凹谷组成的压花，如图3C所示，为本实施例玻璃基板刻蚀后的示意图；
步骤103、在完成步骤102的玻璃基板40上，通过第二次掩膜工艺形成栅极和栅线41(如图4所示)；
步骤104、在完成步骤103的玻璃基板上，通过第三次掩膜工艺形成栅绝缘层42和有源层43；
步骤105、在完成步骤104的玻璃基板上，通过第四次掩膜工艺形成源漏电极44；
步骤106、在完成步骤105的玻璃基板上，通过第五次掩膜工艺形成像素电极45；
步骤107、在完成步骤106的玻璃基板上，通过第六次掩膜工艺形成钝化层46；
步骤108、在完成步骤107的玻璃基板上，通过第七次掩膜工艺形成公共电极47。
本实施例中，进一步地，步骤101中第一次掩膜工艺和步骤108中第七次掩膜工艺可以采用同一掩膜版，均采用制作梳齿状电极的掩膜版，与现有技术相比，减少了一个掩膜版，从而减少了成本。
本实施例中，还可以在步骤105中形成源漏电极44的同时，形成反射电极48。
本实施例中通过利用制作梳齿状电极的掩膜版在反射区域形成透明电极图案，与形成公共电极47的掩膜工艺使用同一掩膜版，用6个掩膜版实现了7个掩膜工艺，减少了成本；通过刻蚀透明电极图案和玻璃基板40，在玻璃基板上形成压花，并在形成源漏电极44的同时，形成反射电极48，减少了施涂光敏树脂、压花以及形成反射板等若干个掩膜工艺，使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量；同时，由于在玻璃基板上形成的压花受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，从而提高了反射率。
如图4所示，为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例的结构示意图，本实施例包括玻璃基板40和在玻璃基板上形成的阵列结构，该玻璃基板40设置有反射区域和透射区域。
如图3C所示，在玻璃基板40位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花，该压花由数个连续的凹谷32组成，凹谷32的深度一般小于1微米。
如图4所示，在玻璃基板上形成的阵列结构包括：栅极和栅线41、栅绝缘层42、有源层43、源漏电极44、反射电极48、像素电极45、钝化层46以及公共电极47，其中在栅线41上方覆盖栅绝缘层42，使栅线41与其他层互相绝缘；在栅绝缘层42的表面，位于栅线41的正上方设置有源层43；在有源层43的上部设置源漏电极44，源漏电极44设有隔离沟道，源漏电极44的一端与数据线(图中未示出)连接，另一端通过反射电极48与像素电极45连接；在源漏电极44的表面设置钝化层46，用于保护源漏电极44；在钝化层46之上还设置有公共电极47。
本实施例中，在玻璃基板40上形成压花的过程中所使用的掩膜版与形成公共电极47的掩膜版相同，减少了成本；通过在玻璃基板40上形成压花，受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，提高了反射率。
上述反射区域可以设置在像素区域的任何部位，不应该限于本实施例中给出的部位。
由于FFS透射反射型阵列基板与全反射型阵列基板的区别在于反射区域的面积不同，因此本发明FFS透射反射型阵列基板及制造方法同样也适用于全反射型阵列基板。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。