等离子体显示面板及其驱动和制造方法转让专利
申请号 : CN200780001803.7
文献号 : CN101405827B
文献日 : 2010-09-22
发明人 : 郑文植 , 安泳准 , 徐周源 , 姜凤求 , 李树昌 , 全明帝
申请人 : LG电子株式会社
摘要 :
公开了一种等离子体显示面板和一种驱动所述等离子体显示面板的方法。所述等离子体显示面板包括：前基板；后基板，与所述前基板相对设置；以及荧光物层，位于所述前基板和后基板之间。所述荧光物层包括荧光材料粒子和氧化物材料粒子。所述氧化物材料粒子被设置于所述荧光材料粒子之间，并且所述氧化物材料粒子被设置于所述荧光物层内部。
权利要求 :
1.一种等离子体显示面板，包括：
前基板；
后基板，该后基板与所述前基板相对设置；以及
荧光物层，位于所述前基板和所述后基板之间，所述荧光物层包括荧光材料粒子和氧化物材料粒子，其中所述氧化物材料粒子被设置于所述荧光材料粒子之间，并且所述氧化物材料粒子被设置于所述荧光物层内部。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，至少一个氧化物粒子与其他的氧化物材料粒子隔离开。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述氧化物材料粒子中的至少一个被设置于所述荧光材料粒子中的至少一个以下。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述氧化物材料包括下列中的至少一个：氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镧(La2O3)、氧化铁、氧化铕(EuO)或者氧化钴。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示面板，其中，所述氧化物材料包括下列中的至少一个：氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)或氧化钛(TiO2)。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，氧化物材料粒子的大小与荧光材料粒子的大小的比率的范围为从0.005到1.0。
7.根据权利要求6所述的等离子体显示面板，其中，氧化物材料粒子的大小与荧光材料粒子的大小的比率的范围为从0.05到0.25。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述氧化物材料粒子的大小的范围为从20nm到3,000nm。
9.一种用于驱动等离子体显示面板的方法，包括：
在帧的至少一个子场的复位时段期间，向所述等离子体显示面板的扫描电极提供具有逐渐上升的电压的第一上升信号；以及在所述复位时段期间，向所述等离子体显示面板的维持电极提供具有逐渐上升的电压的第二上升信号，该第二上升信号与所述第一上升信号重叠，其中，所述等离子体显示面板包括：前基板，该前基板包括彼此平行设置的所述扫描电极和所述维持电极；后基板，该后基板包括与所述扫描电极和所述维持电极交叉的寻址电极；以及荧光物层，该荧光物层被设置于所述前基板和所述后基板之间，所述荧光物层包含荧光材料和氧化物材料，所述氧化物材料的粒子被设置于在所述荧光物层的内部的所述荧光材料的粒子之间。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述氧化物材料包括下列中的至少一个：氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镧(La2O3)、氧化铁、氧化铕(EuO)或者氧化钴。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，在向所述扫描电极提供所述第一上升信号后，在所述复位时段期间向所述扫描电极提供具有逐渐下降的电压的第一下降信号；以及在向所述维持电极提供所述第二上升信号后，在所述复位时段期间向所述维持电极提供具有逐渐下降的电压的第二下降信号。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，在至少一个子场的复位时段期间提供的所述第一上升信号或者所述第二上升信号中的至少一个的峰值电压与在所述帧的另一子场中提供的第一上升信号或者第二上升信号的峰值电压不同。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述复位时段后的寻址时段期间向所述扫描电极提供扫描信号，以及其中，所述扫描信号的宽度不同于在所述帧的另一子场中提供的扫描信号的宽度。
14.根据权利要求9所述的方法，其中，在寻址时段后的维持时段期间向所述扫描电极或者所述维持电极中的至少一个提供多个维持信号，以及其中，所述多个维持信号中首先被提供的维持信号的宽度大于其他维持信号的宽度。
15.一种等离子体显示面板，包括：
前基板；
后基板，该后基板与所述前基板相对设置；以及
用于基于在所述前基板和所述后基板之间产生的放电而发光的装置，所述发光装置被设置于所述前基板和所述后基板之间，所述发光装置包括荧光材料粒子和氧化物材料粒子，所述氧化物材料粒子被设置于所述发光装置的内部的所述荧光材料粒子之间。
16.根据权利要求15所述的等离子体显示面板，其中，所述氧化物材料粒子的大小与所述荧光材料粒子的大小的比率的范围是从0.05到0.25。
17.根据权利要求15所述的等离子体显示面板，其中，所述氧化物材料粒子的大小的范围为从20nm到3,000nm。
说明书 :
技术领域
本公开涉及一种等离子体显示面板和一种用于驱动和制造等离子体显示面板的方法。
背景技术
等离子体显示面板包括位于由障壁分割的放电单元内的荧光物层和多个电极。
驱动信号通过所述多个电极被提供给放电单元，由此在放电单元内产生放电。在放电的产生期间，被填充在放电单元内的放电气体产生真空紫外线，该真空紫外线使荧光物层发光，于是产生可见光。通过可见光在等离子体显示面板的屏幕上显示图像。
驱动信号通过所述多个电极被提供给放电单元，由此在放电单元内产生放电。在放电的产生期间，被填充在放电单元内的放电气体产生真空紫外线，该真空紫外线使荧光物层发光，于是产生可见光。通过可见光在等离子体显示面板的屏幕上显示图像。
发明内容
附图说明
图1示出了根据一种实施方式的等离子体显示面板的结构；
图2示出了图1的结构内的荧光物层；
图3示出了荧光物层的结构；
图4示出了在亮度、处理难度和氧化物粒子的大小之间的关系；
图5示出了一种示例性的用于制造荧光物层的方法；
图6和7示出了另一种示例性的用于制造荧光物层的方法；
图8示出了根据一种实施方式用于在等离子体显示面板中实现图像的灰度级的帧；
图9示出了在帧的一个子场期间、根据一种实施方式的等离子体显示面板的驱动方法的一个示例；
图10示出了光发射和扫描信号的波形；
图11和12示出了上升信号的斜率及其与寻址放电稳定性的关系；
图13和14是扫描电极上的电压波形；
图15是扫描电极上的另一电压波形；
图16和17是在不同的子场期间的上升信号的波形；
图18示出了上升信号的另一波形；
图19示出了扫描电极和寻址电极上的电压波形；
图20示出了用于维持时段的波形；
图21示出了被提供给寻址电极、扫描电极和维持电极的信号的波形；
图22和23是在复位时段期间提供的信号波形和在复位时段期间产生的放电形式的示意图；
图24示出了被提供给扫描电极和维持电极的信号波形；以及
图25示出了在复位时段期间被提供给扫描电极和寻址电极的信号波形。
图2示出了图1的结构内的荧光物层；
图3示出了荧光物层的结构；
图4示出了在亮度、处理难度和氧化物粒子的大小之间的关系；
图5示出了一种示例性的用于制造荧光物层的方法；
图6和7示出了另一种示例性的用于制造荧光物层的方法；
图8示出了根据一种实施方式用于在等离子体显示面板中实现图像的灰度级的帧；
图9示出了在帧的一个子场期间、根据一种实施方式的等离子体显示面板的驱动方法的一个示例；
图10示出了光发射和扫描信号的波形；
图11和12示出了上升信号的斜率及其与寻址放电稳定性的关系；
图13和14是扫描电极上的电压波形；
图15是扫描电极上的另一电压波形；
图16和17是在不同的子场期间的上升信号的波形；
图18示出了上升信号的另一波形；
图19示出了扫描电极和寻址电极上的电压波形；
图20示出了用于维持时段的波形；
图21示出了被提供给寻址电极、扫描电极和维持电极的信号的波形；
图22和23是在复位时段期间提供的信号波形和在复位时段期间产生的放电形式的示意图；
图24示出了被提供给扫描电极和维持电极的信号波形；以及
图25示出了在复位时段期间被提供给扫描电极和寻址电极的信号波形。
具体实施方式
可以在等离子体显示面板内的荧光物层的荧光材料内包含氧化物粒子，氧化物粒子可以改善二次电子发射特性，使得能够使用较低的放电电压，并且改善亮度。而且，也可以相对于对增强阻塞(occlusion)的期望来调整对于较低驱动电压的期望，其中，如果用于实现较低的驱动电压的粒子位于荧光物和观看表面之间或者如果它们相对于它们帮助驱动的荧光物粒子来说太多，则可能发生所述阻塞。具体地，在至少一个所述的实施方式中，当氧化物粒子位于荧光物层内或者位于荧光物层前以降低驱动电压(另外其是激励荧光物粒子的激发所需要的)时，相对于使来自荧光物粒子的亮度最大的期望，来平衡所述氧化物粒子的数量和位置。因此，要考虑在提高荧光物粒子层内的氧化物粒子的数量/密度/大小而因此降低用于该层的驱动电压的需要以及使由正被驱动的层产生的亮度最大的需要之间的平衡。更详细而言，可以增加氧化物粒子的量(例如氧化物粒子的数量或者单位体积/重量的粒子的数量)、氧化物粒子大小(例如每个氧化物粒子的大小)和/或氧化物粒子密度(例如氧化物粒子与荧光物粒子的比率)，并且相对于荧光物层内的氧化物粒子的阻塞效应而调整这些量度中的一个或多个，所述阻塞效应可以根据在荧光物粒子层的激发阶段降低的亮度来测量。
类似地，可以将氧化物粒子置于荧光物粒子层内，以使它们的阻塞效应最小。描述了将氧化物粒子置于荧光物粒子或者荧光物粒子层本身之内、之间、以下和周围的各种配置。
图1示出了一个示例性等离子体显示面板100的结构，该等离子体显示面板包括彼此相对和接合的前基板101和后基板111。在前基板101上，扫描电极102和维持电极103被设置成彼此平行。在后基板111上，寻址电极113被设置成与扫描电极102和维持电极103交叉。
在设置有扫描电极102和维持电极103的前基板101的上部上，设置有上电介质层104，用于覆盖扫描电极102和维持电极103。
上电介质层104限制扫描电极102和维持电极103的放电电流，并且在扫描电极102和维持电极103之间提供绝缘。
在上电介质层104的上表面上设置保护层105，以改善放电条件。保护层105包含具有高二次电子发射系数的材料，例如氧化镁(MgO)。
在设置有寻址电极113的后基板111上，设置有下电介质层115，用于覆盖寻址电极113。下电介质层115为寻址电极113提供绝缘。
障壁112可以是条型、井型、△形、蜂窝型等，其被设置在下电介质层115的上部上，以分割放电空间(即放电单元)。在前基板101和后基板111之间设置有红色(R)放电单元、绿色(G)放电单元和蓝色(B)放电单元等。
除了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元之外，在前基板101和后基板111之间还可设置白色(W)或者黄色(Y)放电单元。
红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元的宽度彼此可以基本相同。或者，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元中的至少一个放电单元的宽度可以与其他放电单元的宽度不同。
例如，红色(R)放电单元的宽度可以是最小的，而绿色(G)和蓝色(B)放电单元的宽度可以大于红色(R)放电单元的宽度。绿色(G)放电单元的宽度可以基本上等于蓝色(B)放电单元的宽度。或者，绿色(G)放电单元的宽度可以与蓝色(B)放电单元的宽度不同。
上述放电单元的宽度确定在放电单元内设置的荧光物层114的宽度。例如，在蓝色(B)放电单元内设置的蓝色(B)荧光物层的宽度可以大于在红色(R)放电单元内设置的红色(R)荧光物层的宽度。在绿色(G)放电单元内的绿色(G)荧光物层的宽度可以大于在红色(R)放电单元内设置的红色(R)荧光物层的宽度。
这样，改善了在等离子体显示面板上显示的图像的色温特性。
除了在图1中所示的障壁112的结构之外，等离子体显示面板可以具有各种形式的障壁结构。例如，虽然图1中的障壁112包括具有相同高度的第一障壁112b和第二障壁112a，但是障壁112可以具有不同类型的障壁结构，在该不同类型的障壁结构中，第一障壁112b的高度与第二障壁112a的高度彼此不同。
在该不同类型的障壁112结构中，第一障壁112b的高度可以小于第二障壁112a的高度。
虽然已经将等离子体显示面板示出和描述为具有排列成同一行的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元，但所述放电单元还可以用不同形式来排列。例如，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元被设置成三角形的△形排列可以适用。而且，放电单元可以具有多种多边形的形状，如矩形、五边形和六边形的形状。
虽然在图1中的等离子体显示面板中障壁112被设置在后基板111上，但是，替选地，障壁112可以被设置在前基板101上。
由障壁112b分割的每个放电单元被填充有放电气体。
在由障壁112分割的放电单元内设置了荧光物层114，用于在产生寻址放电期间发出用于图像显示的可见光。例如，可以在放电单元内设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光物层。
除了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光物层之外，还可以设置白色(W)荧光物层和/或黄色(Y)荧光物层。
在红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元内设置的荧光物层114中的至少一个荧光物层的厚度可以与其他荧光物层的厚度不同。例如，在绿色(G)和蓝色(B)放电单元内的绿色(G)和蓝色(B)荧光物层的厚度可以大于在红色(R)放电单元内的红色(R)荧光物层的厚度。在绿色(G)放电单元内的绿色(G)荧光物层的厚度可以与在蓝色(B)放电单元内的蓝色(B)荧光物层的厚度基本上相等或者彼此不同。
应当注意，已经示出和描述的仅仅是等离子体显示面板的一个示例，而本发明不限于具有上述结构的等离子体显示面板。例如，虽然上文的描述示出了上电介质层104和下电介质层115各自形成为单层结构的情况，但是上电介质层104和下电介质层115中的至少一个可以形成为多层的形式。
在障壁112的上部上还可以设置用于吸收外部光的黑层(未示出)，以防止由障壁112引起的对外部光的反射。而且，所述黑层可以设置在与障壁112对应的前基板101的特定位置处。
在后基板111上设置的寻址电极113可以具有基本上不变的宽度或者厚度。或者，在放电单元内的寻址电极113的宽度或者厚度可以与在放电单元外部的寻址电极113的宽度或者厚度不同。例如，在放电单元内的寻址电极113的宽度或者厚度可以大于在放电单元外部的寻址电极113的宽度或者厚度。
图2示出了一个荧光物层的结构。
参见图2，荧光物层114包含荧光材料和氧化物材料。在荧光物层114的表面上，氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间。
因为氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间，所以，改善了扫描电极和寻址电极之间或者维持电极和寻址电极之间的放电响应特性。
氧化物材料的示例包括下列中的至少一个：氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镧(La2O3)、氧化铁、氧化铕(EuO)或者氧化钴。
图3示出了其他类型的荧光物层。
图3示出了没有任何氧化物粒子的荧光物层，如图3中的(a)所示。
当在等离子体显示面板的驱动期间在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间产生放电时，电荷分布在荧光物层的表面上的荧光物粒子200的表面上。
对于图3中的(a)所示的荧光物层，由于荧光物层的高度不均匀，大多数电荷分布在荧光物层的特定部分中。这导致在荧光物层的特定部分中产生强放电。例如，当在扫描电极和寻址电极之间产生放电时，由于被施加到寻址电极的驱动信号，大多数电荷分布在荧光物层的特定部分中，从而在荧光物层的特定部分和扫描电极之间产生强放电。
因此，由于在分布有大多数电荷的荧光物层的特定部分中产生了相对强的放电，因此对比度特性恶化。而且，由于放电的强度或者放电的主要产生部分在各放电单元内可能是不同的，因此需要提高驱动电压，以使各放电单元内的放电特性均匀。但是，这会使对比度特性进一步恶化。
另一方面，如图2中所示，当氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间时，放电是均匀和稳定的。例如，当在扫描电极和寻址电极之间产生放电时，氧化物粒子210起到放电的催化剂的作用。因此，在扫描电极和寻址电极之间的放电是以比用于没有任何氧化物粒子的荧光物层的驱动电压低的驱动电压而稳定地产生的。这是因为，由于氧化物材料的电属性，使得可以以相对低的电压在氧化物粒子210附近产生放电。所产生的放电被扩散，以覆盖荧光物粒子200。
图3还示出了设置了覆盖荧光物粒子200的氧化物层300的情况，如图3中的(b)所示。为了覆盖荧光物粒子，在形成荧光物层后，通过使用沉积方法等，荧光物层的表面被覆以氧化物层300。
当使用这样的荧光物层时，由于氧化物层300的电属性，在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间均匀和稳定地产生放电。但是，因为荧光物粒子200被覆以氧化物层300，因此阻挡了从荧光物粒子200发出的可见光，从而过分地降低了亮度。
相对照地，如图2中所示，当氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间时，氧化物粒子210不覆盖荧光物粒子200，因此不阻挡从荧光物粒子200发出的光。同时，在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间稳定地产生放电。
氧化物粒子210的大小可以大于或小于荧光物粒子200的大小。图4示出了氧化物粒子的大小、亮度与氧化物处理过程的难度等级之间的关系。
在图4中，R1表示氧化物粒子的大小，而R2表示荧光物粒子的大小。所述大小可以是直径或者长度等。
图4说明了氧化物粒子的大小相对于荧光物粒子的大小的改变是如何影响亮度和氧化物处理过程的难度等级的。在图4中，“◎”表示所述亮度或者难度等级处于“极好的”情况，“○”表示“良好的”情况，“X”表示“不良的”情况。
参见图4，当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.001到0.25时(即当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2相比足够小时)，易于将氧化物粒子置于荧光物粒子之间，这样充分良好地保证了来自荧光物粒子的可见光的发射路径。相应地，亮度被标注为用于指示“极好的”亮度的“◎”。
当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.275到1.0时，亮度被标注为用于指示“良好的”亮度的“○”。
另一方面，当氧化物粒子的大小R1大于荧光物粒子的大小R2时，氧化物粒子截断来自荧光物粒子的可见光的发射路径。因此，亮度不良，如图4中的标记“X”所示。
当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.001到0.003时，氧化物粒子的处理过程中的难度等级高，并且被标注为“X”。在这种情况下，由于氧化物粒子的大小R1比荧光物粒子的大小R2小得多，因此氧化物粒子不是覆盖荧光物粒子，并且大多位于荧光物粒子内或者位于荧光物层内。因此，在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间稳定地产生放电。
当氧化物粒子的大小R1对于荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.005到0.03或者从0.4到1.0时，过程中的难度等级为良好，在图4中被标注为“○”。
当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.05到0.3时，氧化物的大小R1最佳，使得过程中的难度等级低(即“极好”)，在图4中被标注为“◎”。在这种情况下，大多数氧化物粒子位于在荧光物层表面上的荧光物粒子之间，使得在扫描电极和寻址电极之间或者维持电极和寻址电极之间稳定地产生放电。
因此，有利的是，氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.005到1.0。更有利的是，氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.05到0.25。例如，氧化物粒子的大小的范围是从20nm到3,000nm。
虽然图4已示出和描述了氧化物粒子的大小R1小于荧光物粒子的大小R2的情况，但是氧化物粒子的大小R1可以大于荧光物粒子的大小R2。
氧化物粒子可以具有一个取向或者具有两个或更多个取向。
例如，在MgO的情况下，可以仅仅使用(200)取向的MgO，或者可以使用(200)、(220)和(111)取向的MgO。
氧化物粒子的取向可以根据各种条件而改变，所述条件诸如放电气体、荧光材料和驱动信号的电压量值。
图5示出了一种用于制造荧光物层的示例性方法。
如图5中所示，首先，在步骤S400中制备氧化物材料粉。例如，通过使用可以通过加热Mg而产生的Mg蒸气来执行气体氧化处理，获得MgO粉。
接着，在步骤S410中，将所制备的氧化物粉与溶剂混合。例如，将在步骤S400中制备的MgO粉与甲醇混合，以制成例如氧化物膏或者氧化物浆。
随后，在步骤S420中，将与溶剂混合在一起的氧化物材料涂敷在荧光物层的上部上。在这种情况下，调整氧化物材料的粘性，以适当地将氧化物粒子置于荧光物粒子之间。
随后，在步骤S430中执行干燥处理或火法处理。这样，与氧化物材料混合在一起的溶剂被蒸发，使得氧化物粒子被置于荧光物粒子之间。
图6和7示出了另一种用于制造荧光物层的示例性方法。
如图6中所示，在步骤S500中制备氧化物材料粉。
在步骤S510中，将所制备的氧化物粉与荧光物粒子混合。
在步骤S520中，将氧化物粉、荧光物粒子与溶剂混合。
在步骤S530中，与溶剂混合在一起的氧化物粉和荧光物粒子被涂敷在放电单元内。可以使用配制方法。
在步骤S540中，执行干燥处理和火法处理。这样，溶剂被蒸发，使得氧化物粒子210被置于荧光物粒子200之间，如图7中所示。
与图5不同的是，在图6和7中，氧化物粒子被置于荧光物层内部和表面上的荧光物粒子之间。
如上所述，当氧化物粒子被置于荧光物层内部和表面上的荧光物粒子之间时，改善了扫描电极和寻址电极之间或者维持电极和寻址电极之间的放电响应特性。
图8示出了用于在等离子体显示面板中获得图像的灰度级的帧。
参见图8，所述帧被划分为多个子场，每个子场具有不同的持续时间。
所述多个子场中的至少一个子场被细分为：复位时段，在该复位时段期间，所有的放电单元被初始化；寻址时段，在该寻址时段期间，选择要放电的放电单元；以及维持时段，在该维持时段期间，根据放电的数量来表示灰度级。
例如，为了显示256个灰度级，如图8中所示，一个帧被划分为8个子场SF1到SF8。所述8个子场SF1到SF8的每个被细分为复位时段、寻址时段和维持时段。
在维持时段期间提供的维持信号的数量确定所述子场中的每个的灰度级加权。例如，为了将第一子场的灰度级加权设置为20并将第二子场的灰度级加权设置为21，维持时段在每个子场中以2n(其中，n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比率增加。由于从一个子场到下一子场维持时段是变化的，因此，通过在8个子场之间组合适当的子场来发光，获得了特定的灰度级，其中每个子场包括具有不同的持续时间的维持时段。
根据一种实施方式的等离子体显示面板在一秒的时间内使用多个帧来显示图像。例如，在一秒的时间内使用60个帧显示图像。在这种情况下，一个帧的长度T可以是1/60秒，即16.67ms。
虽然图8已示出和描述了一个帧包括8个子场的情况，但是，构成一个帧的子场的数量可以是变化的。例如，一个帧可以包括12个子场或者10个子场。
而且，虽然图8已示出和描述了以灰度级加权的升序来排列的子场，但是，所述子场可以以灰度级加权的降序来排列，或者可以与灰度级加权无关的方式来排列。
图9示出了在帧的一个子场期间的等离子体显示面板的驱动方法的一个示例。
参见图9，可以在复位时段期间向扫描电极提供复位信号。所述复位信号可以包括上升信号和下降信号。所述复位时段被进一步划分为设置时段(setup period)和撤消时段(set-down period)。
在设置时段期间，向扫描电极提供上升信号。所述上升信号从第一电压V1陡地上升到第二电压V2，然后从第二电压V2逐渐地上升到第三电压V3。第一电压V1可以等于地电平电压GND。
在设置时段期间，所述上升信号可以在放电单元内产生弱的暗放电(即设置放电(setup discharge))，从而在放电单元内累积适当量的壁电荷。
在所述撤消时段期间，向扫描电极提供下降信号。
所述下降信号从小于上升信号的最高电压(即第三电压V3)的第四电压V4逐渐降低到第五电压V5。
所述下降信号在放电单元内产生弱的擦除放电(即撤消放电(set-down discharge))。而且，剩余的壁电荷在放电单元内是均匀的，使得可以稳定地执行寻址放电。
在寻址时段期间，扫描电极处的电压保持在大于下降信号的最低电压(即第五电压V5)的第六电压V6，然后从第六电压降低到扫描信号电压(由图9中的Vy表示)，然后上升到第六电压并保持在第六电压。
在至少一个子场的寻址时段期间提供给扫描电极的扫描信号的宽度(即扫描信号电压被保持在扫描电极的持续时间)可以与在另一个子场的寻址时段期间提供给扫描电极的扫描信号的宽度不同。例如，在图8的子场设置中，每个子场的扫描信号的宽度可以以2.6μs、2.3μs、2.1μs、1.9μs等的次序或者以2.6μs、2.3μs、2.3μs、2.1μs、1.9μs、1.9μs等的次序逐渐降低。
当向扫描电极提供扫描信号时，对应于扫描信号的数据信号被提供给寻址电极。
当扫描信号和数据信号之间的电压差被加到在复位时段期间产生的壁电压时，在被提供了所述数据信号的放电单元内产生寻址放电。
在寻址时段期间，维持偏置信号被提供给维持电极，以便防止由维持电极的干扰引起的不稳定的寻址放电的产生。
所述维持偏置信号基本上保持在维持偏置电压Vz。所述维持偏置电压Vz低于在维持时段期间提供的维持信号的维持电压Vs，并且高于地电平电压GND。
在维持时段期间，维持信号或者维持脉冲被提供给扫描电极和维持电极。
当在通过执行寻址放电而选择的放电单元内的壁电压被加到维持信号的维持电压Vs时，每次提供维持脉冲时，在扫描电极和维持电极之间发生维持放电，即显示放电。
如图9中所示，在至少一个子场的维持时段期间提供维持脉冲。所述维持脉冲中的至少一个维持脉冲的宽度可以与其余的维持脉冲的宽度不同。例如，在维持时段期间首先提供的维持脉冲的宽度可以大于其他维持脉冲的宽度，以便更稳定地产生维持放电。
图10示出了光发射和扫描信号的波形，以说明氧化物材料的效果。在图10中，由(a)表示的波形示出了荧光物层包括氧化物材料的情况，而由(b)表示的波形示出了荧光物层不包括氧化物材料的情况。
参见图10，当在复位时段期间向扫描电极提供上升信号时，在扫描电极和寻址电极之间产生放电。但是，在如图10中的(b)所示的荧光物层不包括氧化物材料的情况下，电荷大多数被分布在荧光物层的特定部分中，因此在所述特定部分和扫描电极之间产生强放电。因此，在复位时段期间产生的光强度会急剧提高，由此导致对比度特性的恶化。
另一方面，在如图10中的(a)所示的荧光物层包括氧化物材料的情况下，在扫描电极和寻址电极之间的放电响应特性得以改善，因此，放电是以比当荧光物层不包括任何氧化物材料的情况下低的驱动电压而产生的。而且，在复位时段期间产生的光强度不会急剧改变，从而改善了对比度特性。
当荧光物层不包括任何氧化物材料时，在复位时段期间，主要在扫描电极和维持电极之间产生表面放电。当荧光物层包括氧化物材料时，主要在扫描电极和寻址电极之间产生相反的放电。因此，产生稳定的弱放电，从而改善了对比度和亮度。
图11和12示出了上升信号的斜率及其与寻址放电稳定性的关系。
参见图11，当在复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的斜率大于100V/μs时，在扫描电极和寻址电极之间产生的放电的强度急剧增加。这导致在复位时段期间产生的光亮度(称为暗亮度)急剧增加。
另一方面，当上升信号的斜率的范围为从50V/μs到100V/μs时，在扫描电极和寻址电极之间产生的放电的强度是稳定的，使得暗亮度具有相对低的值，该值的范围从0.76cd/m2到0.85cd/m2。
当上升信号的斜率的范围为从10V/μs到50V/μs时，在扫描电极和寻址电极之间产生的放电的强度是稳定的，使得暗亮度具有范围从0.71cd/m2到0.76cd/m2的稳定值。当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到10V/μs时，暗亮度具有范围从0.70cd/m2到0.71cd/m2的稳定值。
当上升信号的斜率等于或者小于4V/μs时，暗亮度为约0.70cd/m2。
图12示出了在复位时段期间扫描电极上的上升信号的斜率以及在寻址时段期间由扫描信号和数据信号产生的寻址放电的稳定性。复位时段期间的上升信号的斜率影响寻址放电的稳定性，因为所述斜率影响复位时段的持续时间，而复位时段的持续时间影响寻址时段的持续时间。在图12中，“◎”表示稳定性“极好”，“○”表示“良好”，而“X”表示“不良”。
参见图12，当上升信号的斜率等于或者小于2V/μs时，复位时段的持续时间过分地延长，使得寻址时段的长度过分地缩短。因此，扫描信号没有足够的宽度，相应地寻址放电的稳定性是不良的。
另一方面，当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到8V/μs时，复位时段和寻址时段的持续时间是适当的，因此，寻址放电的稳定性是良好的。
另外，当上升信号的斜率等于或者大于10V/μs时，复位时段的持续时间充分缩短，从而为寻址时段提供足够的时间。因此，扫描信号具有足够的宽度，使得寻址放电的稳定性是极好的。
为了在复位时段期间稳定寻址放电并充分地降低暗亮度，如图10a和10b中所示，上升信号的斜率的范围为从4V/μs到100V/μs是有利的。更有利的是，上升信号的斜率的范围为从10Vμs到50V/μs。
如上所述，当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到100V/μs或者为从10V/μs到50V/μs时，如图8中所示，设置时段的长度t1比撤消时段的长度t2短，并且寻址时段的长度充分增加。因此，扫描信号可以具有足够的宽度，从而产生足够稳定的寻址放电。
当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到100V/μs或者为从10V/μs到50V/μs以使壁电荷在复位时段期间稳定地分布时，在撤消时段期间提供的下降信号的电压降低量被相对减少。换句话说，下降信号的最低电压V5被提高，因此撤消时段的长度被缩短。
另外，在复位时段期间壁电荷在放电单元内稳定地分布。因此，虽然数据信号的电压量值ΔVd相对小，但是产生了足够稳定的寻址放电。
当数据信号的电压量值ΔVd过小时，寻址放电的强度变得过弱。另一方面，当数据信号的电压量值ΔVd过大时，在放电单元内的壁电荷被擦除，这样，虽然提供了维持信号，但是可能不产生维持放电。因此，有利的是，数据信号的电压量值ΔVd的范围为扫描信号的最低电压-Vy与下降信号的最低电压V5之间的差的0.5到6倍。
扫描信号的最低电压-Vy与下降信号的最低电压V5之间的差ΔV范围可以是从35V到45V。
图13和14示出一种省略了上升信号的情况。
在图13中，在至少一个子场的复位时段期间省略了上升信号的提供。
例如，在具有相对低的灰度级加权的第一子场的复位时段期间，提供上升信号和下降信号。在具有比第一子场高的灰度级加权的第二和第三子场的复位时段期间，上升信号的提供被省略，而仅提供下降信号。
在图13中，在第二和第三子场中的复位时段期间提供下降信号之前，扫描电极上的电压上升到等于或者大于地电平电压的预定电压。但是，如图14中所示，可以在前一子场的维持时段结束时直接提供下降信号，而不将电压提高到如图13中所示的预定电压。
图15示出一种省略了复位信号的情况。
参见图15，在具有相对低的灰度级加权的第一子场的复位时段期间，包括上升信号和下降信号的复位信号被提供给扫描电极。在具有比第一子场高的灰度级加权的第二和第三子场中省略了复位时段。
图16和17示出了在不同的子场期间提供具有不同的斜率的上升信号的一种示例性驱动方法。
假定一个帧包括总共7个子场SF1-F7，并且所述7个子场SF1-SF7被以灰度级加权的升序排列。
在图16中，在两个不同的子场中的上升信号的斜率可以彼此不同。例如，如图16中的(a)所示的第一子场SF1中被提供给扫描电极的上升信号的斜率大于如图16中的(b)所示的第六子场SF6中被提供给扫描电极的上升信号的斜率。
而且，如图16中所示的方法可以与图13、14和15中所出的方法组合，其中省略了上升信号的提供或者复位信号的提供。
参见图17，在至少一个子场的复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压可以与在另一个子场的复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压不同。例如，在如图17中的(a)所示的第一子场SF1中被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压V3比在如图13b中的(b)所示的第六子场SF6中被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压V3大一个电压量值ΔV3。
图18示出了复位信号的另一种形式。
参见在图18中的(a)所示的波形，下降信号从小于第四电压V4的第七电压V7逐渐降低。第七电压V7可以与第一电压V1基本上相等。
参见在图18中的(b)所示的波形，上升信号包括各自具有不同的上升斜率的a-上升信号和b-上升信号。
当b-上升信号的斜率小于a-上升信号的斜率时，所述上升信号的电压相对快地上升，直到发生设置放电(setup discharge)，并且上升信号的电压在设置放电的产生期间相对慢地上升。这样，降低了由设置放电产生的光强度，从而改善了对比度特性。
在图18中的波形(b)中的第八电压V8可以与在图18中的波形(a)中的第七电压V7基本上相等。
图19示出了一个子场包括预复位时段的情况。
所述子场可以包括在复位时段之前的预复位时段。如图19中所示，所述子场还包括在复位时段之前的预复位时段。在所述预复位时段期间，向扫描电极提供逐渐地下降到第六电压V6的预斜坡信号。
在向扫描电极提供所述预斜坡信号期间，向维持电极提供预维持信号。
所述预维持信号被恒定地保持在预维持电压Vpz。所述预维持电压Vpz可以与在维持时段期间提供的维持信号的电压(即维持电压Vs)基本上相等。
如上所述，在预复位时段期间，所述预斜坡信号被提供给扫描电极，而所述预维持信号被提供给维持电极。结果，在扫描电极上累积了预定极性的壁电荷，而在维持电极上累积了与在扫描电极上累积的壁电荷的极性相反极性的壁电荷。例如，在扫描电极上累积正极性的壁电荷，而在维持电极上累积负极性的壁电荷。
这样，在复位时段期间发生具有足够强度的设置放电，以便稳定地执行所有放电单元的初始化。
另外，由于所述预复位时段，即使当在复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的斜率相对低时，也会发生具有足够强度的设置放电。
一个帧的仅一个子场可以包括在复位时段之前的预复位时段，以获得足够的驱动时间。或者，两个或者三个子场可以包括在复位时段之前的预复位时段。
图120示出了维持信号的另一种形式。
如图20中所示，正维持电压和负维持电压被交替地提供给扫描电极。
当正维持电压和负维持电压被交替地提供给扫描电极时，向维持电极提供偏置信号。
所述偏置信号被恒定地保持在地电平电压GND。
图21示出了上升信号在复位时段期间被提供给扫描电极和维持电极的情况。
参见图21，在复位时段期间，具有逐渐地上升的电压的第一上升信号被提供给扫描电极，并且具有逐渐地上升的电压的第二上升信号被提供给维持电极。所述第一上升信号和所述第二上升信号是同时提供的。
被提供给维持电极的第二上升信号从第二十电压V20逐渐地上升到第三十电压V30。
在向扫描电极提供第一上升信号后，具有逐渐地下降的电压的第一下降信号被提供给扫描电极。而且，在向维持电极提供第二上升信号后，从第四十电压V40逐渐地下降到第五十电压V50的第二下降信号被提供给维持电极。
所述第四十电压V40可以是地电平电压GND。
第一下降信号的斜率可以与第二下降信号的斜率相等或者不同。
如图21中所示，在复位时段期间被提供给扫描电极和维持电极的两个复位信号包括上升信号和下降信号，并且具有类似的形状。在图21中所示的波形中，电压V1和V10可以基本上相等，并且电压V2和V20可以基本上相等，电压V3和V30可以基本上相等，电压V4和V40可以基本上相等。所述两个上升信号的两个斜率可以基本上相等，并且所述两个下降信号的斜率可以基本上相等。
图22和23说明了在复位时段期间提供的信号波形如何影响在复位时段期间产生的放电类型。
参见在图22中的波形(a)，在复位时段期间，向扫描电极提供上升信号，并且不向维持电极提供上升信号。
在这种情况下，如图22中的(b)所示，复位放电在复位时段期间主要发生在扫描电极和维持电极之间。
由于复位放电在复位时段期间主要发生在扫描电极和维持电极之间，因此壁电荷在扫描电极和维持电极上一定程度地累积，然后被擦除。因此，剩余壁电荷在放电单元内是均匀的。
但是，由于在寻址时段期间在扫描电极和寻址电极之间发生寻址放电，因此在复位时段期间在放电单元中分布的壁电荷的状态可以与在寻址时段期间所需的壁电荷的状态不同。
因此，在图22中，在复位时段期间充分地擦除了壁电荷后，需要在寻址时段期间再次累积壁电荷。
在图23中，在复位时段期间，上升信号分别被提供给扫描电极和维持电极。在这种情况下，如图23中的(b)所示，在复位时段期间，在扫描电极和寻址电极之间以及在维持电极和寻址电极之间发生复位放电。
在图23中，在复位时段期间在放电单元内分布的壁电荷的状态类似于在寻址时段期间所需的壁电荷的状态。因此，利用在复位时段期间分布的壁电荷的状态，在寻址时段期间发生寻址放电。另外，在图23中的数据信号的电压量值(如在图21中的ΔVd所示)小于在图22中的数据信号的电压量值ΔVd。
图24示出了第二下降信号的另一种形式。
参见图24，在复位时段期间被提供给维持电极的第二下降信号从小于第二上升信号的峰值电压V30的电压(例如电压V40)逐渐地下降到维持偏置信号的电压Vz。
当在第二下降信号结束时提供维持偏置信号时，如图24中所示，驱动电路中切换操作的数量减少，从而减少了在驱动电路中的热量的产生。
图25示出了提供寻址偏置信号的示例性情况。
参见图25，在至少一个子场的复位时段期间，向寻址电极提供寻址偏置信号(X-bias)。在这种情况下，在复位时段期间在扫描电极和寻址电极之间的电压差或者在维持电极和寻址电极之间的电压差减少，使得复位放电更稳定地产生。
虽然图25示出了在复位时段的设置时段期间提供寻址偏置信号，但是可以在复位时段的撤消时段期间或者在设置时段及撤消时段期间提供该寻址偏置信号。
另外，虽然在图25中的示例中所述寻址偏置信号基本上保持在特定的电压(例如电压Vx)，但是所述寻址偏置信号可以是斜坡波形或者三角形的波形。
其他的实施方式在所附的权利要求的范围内。
类似地，可以将氧化物粒子置于荧光物粒子层内，以使它们的阻塞效应最小。描述了将氧化物粒子置于荧光物粒子或者荧光物粒子层本身之内、之间、以下和周围的各种配置。
图1示出了一个示例性等离子体显示面板100的结构，该等离子体显示面板包括彼此相对和接合的前基板101和后基板111。在前基板101上，扫描电极102和维持电极103被设置成彼此平行。在后基板111上，寻址电极113被设置成与扫描电极102和维持电极103交叉。
在设置有扫描电极102和维持电极103的前基板101的上部上，设置有上电介质层104，用于覆盖扫描电极102和维持电极103。
上电介质层104限制扫描电极102和维持电极103的放电电流，并且在扫描电极102和维持电极103之间提供绝缘。
在上电介质层104的上表面上设置保护层105，以改善放电条件。保护层105包含具有高二次电子发射系数的材料，例如氧化镁(MgO)。
在设置有寻址电极113的后基板111上，设置有下电介质层115，用于覆盖寻址电极113。下电介质层115为寻址电极113提供绝缘。
障壁112可以是条型、井型、△形、蜂窝型等，其被设置在下电介质层115的上部上，以分割放电空间(即放电单元)。在前基板101和后基板111之间设置有红色(R)放电单元、绿色(G)放电单元和蓝色(B)放电单元等。
除了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元之外，在前基板101和后基板111之间还可设置白色(W)或者黄色(Y)放电单元。
红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元的宽度彼此可以基本相同。或者，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元中的至少一个放电单元的宽度可以与其他放电单元的宽度不同。
例如，红色(R)放电单元的宽度可以是最小的，而绿色(G)和蓝色(B)放电单元的宽度可以大于红色(R)放电单元的宽度。绿色(G)放电单元的宽度可以基本上等于蓝色(B)放电单元的宽度。或者，绿色(G)放电单元的宽度可以与蓝色(B)放电单元的宽度不同。
上述放电单元的宽度确定在放电单元内设置的荧光物层114的宽度。例如，在蓝色(B)放电单元内设置的蓝色(B)荧光物层的宽度可以大于在红色(R)放电单元内设置的红色(R)荧光物层的宽度。在绿色(G)放电单元内的绿色(G)荧光物层的宽度可以大于在红色(R)放电单元内设置的红色(R)荧光物层的宽度。
这样，改善了在等离子体显示面板上显示的图像的色温特性。
除了在图1中所示的障壁112的结构之外，等离子体显示面板可以具有各种形式的障壁结构。例如，虽然图1中的障壁112包括具有相同高度的第一障壁112b和第二障壁112a，但是障壁112可以具有不同类型的障壁结构，在该不同类型的障壁结构中，第一障壁112b的高度与第二障壁112a的高度彼此不同。
在该不同类型的障壁112结构中，第一障壁112b的高度可以小于第二障壁112a的高度。
虽然已经将等离子体显示面板示出和描述为具有排列成同一行的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元，但所述放电单元还可以用不同形式来排列。例如，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元被设置成三角形的△形排列可以适用。而且，放电单元可以具有多种多边形的形状，如矩形、五边形和六边形的形状。
虽然在图1中的等离子体显示面板中障壁112被设置在后基板111上，但是，替选地，障壁112可以被设置在前基板101上。
由障壁112b分割的每个放电单元被填充有放电气体。
在由障壁112分割的放电单元内设置了荧光物层114，用于在产生寻址放电期间发出用于图像显示的可见光。例如，可以在放电单元内设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光物层。
除了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光物层之外，还可以设置白色(W)荧光物层和/或黄色(Y)荧光物层。
在红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)放电单元内设置的荧光物层114中的至少一个荧光物层的厚度可以与其他荧光物层的厚度不同。例如，在绿色(G)和蓝色(B)放电单元内的绿色(G)和蓝色(B)荧光物层的厚度可以大于在红色(R)放电单元内的红色(R)荧光物层的厚度。在绿色(G)放电单元内的绿色(G)荧光物层的厚度可以与在蓝色(B)放电单元内的蓝色(B)荧光物层的厚度基本上相等或者彼此不同。
应当注意，已经示出和描述的仅仅是等离子体显示面板的一个示例，而本发明不限于具有上述结构的等离子体显示面板。例如，虽然上文的描述示出了上电介质层104和下电介质层115各自形成为单层结构的情况，但是上电介质层104和下电介质层115中的至少一个可以形成为多层的形式。
在障壁112的上部上还可以设置用于吸收外部光的黑层(未示出)，以防止由障壁112引起的对外部光的反射。而且，所述黑层可以设置在与障壁112对应的前基板101的特定位置处。
在后基板111上设置的寻址电极113可以具有基本上不变的宽度或者厚度。或者，在放电单元内的寻址电极113的宽度或者厚度可以与在放电单元外部的寻址电极113的宽度或者厚度不同。例如，在放电单元内的寻址电极113的宽度或者厚度可以大于在放电单元外部的寻址电极113的宽度或者厚度。
图2示出了一个荧光物层的结构。
参见图2，荧光物层114包含荧光材料和氧化物材料。在荧光物层114的表面上，氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间。
因为氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间，所以，改善了扫描电极和寻址电极之间或者维持电极和寻址电极之间的放电响应特性。
氧化物材料的示例包括下列中的至少一个：氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化铝(Al2O3)、氧化镧(La2O3)、氧化铁、氧化铕(EuO)或者氧化钴。
图3示出了其他类型的荧光物层。
图3示出了没有任何氧化物粒子的荧光物层，如图3中的(a)所示。
当在等离子体显示面板的驱动期间在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间产生放电时，电荷分布在荧光物层的表面上的荧光物粒子200的表面上。
对于图3中的(a)所示的荧光物层，由于荧光物层的高度不均匀，大多数电荷分布在荧光物层的特定部分中。这导致在荧光物层的特定部分中产生强放电。例如，当在扫描电极和寻址电极之间产生放电时，由于被施加到寻址电极的驱动信号，大多数电荷分布在荧光物层的特定部分中，从而在荧光物层的特定部分和扫描电极之间产生强放电。
因此，由于在分布有大多数电荷的荧光物层的特定部分中产生了相对强的放电，因此对比度特性恶化。而且，由于放电的强度或者放电的主要产生部分在各放电单元内可能是不同的，因此需要提高驱动电压，以使各放电单元内的放电特性均匀。但是，这会使对比度特性进一步恶化。
另一方面，如图2中所示，当氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间时，放电是均匀和稳定的。例如，当在扫描电极和寻址电极之间产生放电时，氧化物粒子210起到放电的催化剂的作用。因此，在扫描电极和寻址电极之间的放电是以比用于没有任何氧化物粒子的荧光物层的驱动电压低的驱动电压而稳定地产生的。这是因为，由于氧化物材料的电属性，使得可以以相对低的电压在氧化物粒子210附近产生放电。所产生的放电被扩散，以覆盖荧光物粒子200。
图3还示出了设置了覆盖荧光物粒子200的氧化物层300的情况，如图3中的(b)所示。为了覆盖荧光物粒子，在形成荧光物层后，通过使用沉积方法等，荧光物层的表面被覆以氧化物层300。
当使用这样的荧光物层时，由于氧化物层300的电属性，在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间均匀和稳定地产生放电。但是，因为荧光物粒子200被覆以氧化物层300，因此阻挡了从荧光物粒子200发出的可见光，从而过分地降低了亮度。
相对照地，如图2中所示，当氧化物粒子210被设置在荧光物粒子200之间时，氧化物粒子210不覆盖荧光物粒子200，因此不阻挡从荧光物粒子200发出的光。同时，在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间稳定地产生放电。
氧化物粒子210的大小可以大于或小于荧光物粒子200的大小。图4示出了氧化物粒子的大小、亮度与氧化物处理过程的难度等级之间的关系。
在图4中，R1表示氧化物粒子的大小，而R2表示荧光物粒子的大小。所述大小可以是直径或者长度等。
图4说明了氧化物粒子的大小相对于荧光物粒子的大小的改变是如何影响亮度和氧化物处理过程的难度等级的。在图4中，“◎”表示所述亮度或者难度等级处于“极好的”情况，“○”表示“良好的”情况，“X”表示“不良的”情况。
参见图4，当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.001到0.25时(即当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2相比足够小时)，易于将氧化物粒子置于荧光物粒子之间，这样充分良好地保证了来自荧光物粒子的可见光的发射路径。相应地，亮度被标注为用于指示“极好的”亮度的“◎”。
当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.275到1.0时，亮度被标注为用于指示“良好的”亮度的“○”。
另一方面，当氧化物粒子的大小R1大于荧光物粒子的大小R2时，氧化物粒子截断来自荧光物粒子的可见光的发射路径。因此，亮度不良，如图4中的标记“X”所示。
当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.001到0.003时，氧化物粒子的处理过程中的难度等级高，并且被标注为“X”。在这种情况下，由于氧化物粒子的大小R1比荧光物粒子的大小R2小得多，因此氧化物粒子不是覆盖荧光物粒子，并且大多位于荧光物粒子内或者位于荧光物层内。因此，在扫描电极和寻址电极之间或者在维持电极和寻址电极之间稳定地产生放电。
当氧化物粒子的大小R1对于荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.005到0.03或者从0.4到1.0时，过程中的难度等级为良好，在图4中被标注为“○”。
当氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.05到0.3时，氧化物的大小R1最佳，使得过程中的难度等级低(即“极好”)，在图4中被标注为“◎”。在这种情况下，大多数氧化物粒子位于在荧光物层表面上的荧光物粒子之间，使得在扫描电极和寻址电极之间或者维持电极和寻址电极之间稳定地产生放电。
因此，有利的是，氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.005到1.0。更有利的是，氧化物粒子的大小R1与荧光物粒子的大小R2的比率的范围为从0.05到0.25。例如，氧化物粒子的大小的范围是从20nm到3,000nm。
虽然图4已示出和描述了氧化物粒子的大小R1小于荧光物粒子的大小R2的情况，但是氧化物粒子的大小R1可以大于荧光物粒子的大小R2。
氧化物粒子可以具有一个取向或者具有两个或更多个取向。
例如，在MgO的情况下，可以仅仅使用(200)取向的MgO，或者可以使用(200)、(220)和(111)取向的MgO。
氧化物粒子的取向可以根据各种条件而改变，所述条件诸如放电气体、荧光材料和驱动信号的电压量值。
图5示出了一种用于制造荧光物层的示例性方法。
如图5中所示，首先，在步骤S400中制备氧化物材料粉。例如，通过使用可以通过加热Mg而产生的Mg蒸气来执行气体氧化处理，获得MgO粉。
接着，在步骤S410中，将所制备的氧化物粉与溶剂混合。例如，将在步骤S400中制备的MgO粉与甲醇混合，以制成例如氧化物膏或者氧化物浆。
随后，在步骤S420中，将与溶剂混合在一起的氧化物材料涂敷在荧光物层的上部上。在这种情况下，调整氧化物材料的粘性，以适当地将氧化物粒子置于荧光物粒子之间。
随后，在步骤S430中执行干燥处理或火法处理。这样，与氧化物材料混合在一起的溶剂被蒸发，使得氧化物粒子被置于荧光物粒子之间。
图6和7示出了另一种用于制造荧光物层的示例性方法。
如图6中所示，在步骤S500中制备氧化物材料粉。
在步骤S510中，将所制备的氧化物粉与荧光物粒子混合。
在步骤S520中，将氧化物粉、荧光物粒子与溶剂混合。
在步骤S530中，与溶剂混合在一起的氧化物粉和荧光物粒子被涂敷在放电单元内。可以使用配制方法。
在步骤S540中，执行干燥处理和火法处理。这样，溶剂被蒸发，使得氧化物粒子210被置于荧光物粒子200之间，如图7中所示。
与图5不同的是，在图6和7中，氧化物粒子被置于荧光物层内部和表面上的荧光物粒子之间。
如上所述，当氧化物粒子被置于荧光物层内部和表面上的荧光物粒子之间时，改善了扫描电极和寻址电极之间或者维持电极和寻址电极之间的放电响应特性。
图8示出了用于在等离子体显示面板中获得图像的灰度级的帧。
参见图8，所述帧被划分为多个子场，每个子场具有不同的持续时间。
所述多个子场中的至少一个子场被细分为：复位时段，在该复位时段期间，所有的放电单元被初始化；寻址时段，在该寻址时段期间，选择要放电的放电单元；以及维持时段，在该维持时段期间，根据放电的数量来表示灰度级。
例如，为了显示256个灰度级，如图8中所示，一个帧被划分为8个子场SF1到SF8。所述8个子场SF1到SF8的每个被细分为复位时段、寻址时段和维持时段。
在维持时段期间提供的维持信号的数量确定所述子场中的每个的灰度级加权。例如，为了将第一子场的灰度级加权设置为20并将第二子场的灰度级加权设置为21，维持时段在每个子场中以2n(其中，n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比率增加。由于从一个子场到下一子场维持时段是变化的，因此，通过在8个子场之间组合适当的子场来发光，获得了特定的灰度级，其中每个子场包括具有不同的持续时间的维持时段。
根据一种实施方式的等离子体显示面板在一秒的时间内使用多个帧来显示图像。例如，在一秒的时间内使用60个帧显示图像。在这种情况下，一个帧的长度T可以是1/60秒，即16.67ms。
虽然图8已示出和描述了一个帧包括8个子场的情况，但是，构成一个帧的子场的数量可以是变化的。例如，一个帧可以包括12个子场或者10个子场。
而且，虽然图8已示出和描述了以灰度级加权的升序来排列的子场，但是，所述子场可以以灰度级加权的降序来排列，或者可以与灰度级加权无关的方式来排列。
图9示出了在帧的一个子场期间的等离子体显示面板的驱动方法的一个示例。
参见图9，可以在复位时段期间向扫描电极提供复位信号。所述复位信号可以包括上升信号和下降信号。所述复位时段被进一步划分为设置时段(setup period)和撤消时段(set-down period)。
在设置时段期间，向扫描电极提供上升信号。所述上升信号从第一电压V1陡地上升到第二电压V2，然后从第二电压V2逐渐地上升到第三电压V3。第一电压V1可以等于地电平电压GND。
在设置时段期间，所述上升信号可以在放电单元内产生弱的暗放电(即设置放电(setup discharge))，从而在放电单元内累积适当量的壁电荷。
在所述撤消时段期间，向扫描电极提供下降信号。
所述下降信号从小于上升信号的最高电压(即第三电压V3)的第四电压V4逐渐降低到第五电压V5。
所述下降信号在放电单元内产生弱的擦除放电(即撤消放电(set-down discharge))。而且，剩余的壁电荷在放电单元内是均匀的，使得可以稳定地执行寻址放电。
在寻址时段期间，扫描电极处的电压保持在大于下降信号的最低电压(即第五电压V5)的第六电压V6，然后从第六电压降低到扫描信号电压(由图9中的Vy表示)，然后上升到第六电压并保持在第六电压。
在至少一个子场的寻址时段期间提供给扫描电极的扫描信号的宽度(即扫描信号电压被保持在扫描电极的持续时间)可以与在另一个子场的寻址时段期间提供给扫描电极的扫描信号的宽度不同。例如，在图8的子场设置中，每个子场的扫描信号的宽度可以以2.6μs、2.3μs、2.1μs、1.9μs等的次序或者以2.6μs、2.3μs、2.3μs、2.1μs、1.9μs、1.9μs等的次序逐渐降低。
当向扫描电极提供扫描信号时，对应于扫描信号的数据信号被提供给寻址电极。
当扫描信号和数据信号之间的电压差被加到在复位时段期间产生的壁电压时，在被提供了所述数据信号的放电单元内产生寻址放电。
在寻址时段期间，维持偏置信号被提供给维持电极，以便防止由维持电极的干扰引起的不稳定的寻址放电的产生。
所述维持偏置信号基本上保持在维持偏置电压Vz。所述维持偏置电压Vz低于在维持时段期间提供的维持信号的维持电压Vs，并且高于地电平电压GND。
在维持时段期间，维持信号或者维持脉冲被提供给扫描电极和维持电极。
当在通过执行寻址放电而选择的放电单元内的壁电压被加到维持信号的维持电压Vs时，每次提供维持脉冲时，在扫描电极和维持电极之间发生维持放电，即显示放电。
如图9中所示，在至少一个子场的维持时段期间提供维持脉冲。所述维持脉冲中的至少一个维持脉冲的宽度可以与其余的维持脉冲的宽度不同。例如，在维持时段期间首先提供的维持脉冲的宽度可以大于其他维持脉冲的宽度，以便更稳定地产生维持放电。
图10示出了光发射和扫描信号的波形，以说明氧化物材料的效果。在图10中，由(a)表示的波形示出了荧光物层包括氧化物材料的情况，而由(b)表示的波形示出了荧光物层不包括氧化物材料的情况。
参见图10，当在复位时段期间向扫描电极提供上升信号时，在扫描电极和寻址电极之间产生放电。但是，在如图10中的(b)所示的荧光物层不包括氧化物材料的情况下，电荷大多数被分布在荧光物层的特定部分中，因此在所述特定部分和扫描电极之间产生强放电。因此，在复位时段期间产生的光强度会急剧提高，由此导致对比度特性的恶化。
另一方面，在如图10中的(a)所示的荧光物层包括氧化物材料的情况下，在扫描电极和寻址电极之间的放电响应特性得以改善，因此，放电是以比当荧光物层不包括任何氧化物材料的情况下低的驱动电压而产生的。而且，在复位时段期间产生的光强度不会急剧改变，从而改善了对比度特性。
当荧光物层不包括任何氧化物材料时，在复位时段期间，主要在扫描电极和维持电极之间产生表面放电。当荧光物层包括氧化物材料时，主要在扫描电极和寻址电极之间产生相反的放电。因此，产生稳定的弱放电，从而改善了对比度和亮度。
图11和12示出了上升信号的斜率及其与寻址放电稳定性的关系。
参见图11，当在复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的斜率大于100V/μs时，在扫描电极和寻址电极之间产生的放电的强度急剧增加。这导致在复位时段期间产生的光亮度(称为暗亮度)急剧增加。
另一方面，当上升信号的斜率的范围为从50V/μs到100V/μs时，在扫描电极和寻址电极之间产生的放电的强度是稳定的，使得暗亮度具有相对低的值，该值的范围从0.76cd/m2到0.85cd/m2。
当上升信号的斜率的范围为从10V/μs到50V/μs时，在扫描电极和寻址电极之间产生的放电的强度是稳定的，使得暗亮度具有范围从0.71cd/m2到0.76cd/m2的稳定值。当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到10V/μs时，暗亮度具有范围从0.70cd/m2到0.71cd/m2的稳定值。
当上升信号的斜率等于或者小于4V/μs时，暗亮度为约0.70cd/m2。
图12示出了在复位时段期间扫描电极上的上升信号的斜率以及在寻址时段期间由扫描信号和数据信号产生的寻址放电的稳定性。复位时段期间的上升信号的斜率影响寻址放电的稳定性，因为所述斜率影响复位时段的持续时间，而复位时段的持续时间影响寻址时段的持续时间。在图12中，“◎”表示稳定性“极好”，“○”表示“良好”，而“X”表示“不良”。
参见图12，当上升信号的斜率等于或者小于2V/μs时，复位时段的持续时间过分地延长，使得寻址时段的长度过分地缩短。因此，扫描信号没有足够的宽度，相应地寻址放电的稳定性是不良的。
另一方面，当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到8V/μs时，复位时段和寻址时段的持续时间是适当的，因此，寻址放电的稳定性是良好的。
另外，当上升信号的斜率等于或者大于10V/μs时，复位时段的持续时间充分缩短，从而为寻址时段提供足够的时间。因此，扫描信号具有足够的宽度，使得寻址放电的稳定性是极好的。
为了在复位时段期间稳定寻址放电并充分地降低暗亮度，如图10a和10b中所示，上升信号的斜率的范围为从4V/μs到100V/μs是有利的。更有利的是，上升信号的斜率的范围为从10Vμs到50V/μs。
如上所述，当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到100V/μs或者为从10V/μs到50V/μs时，如图8中所示，设置时段的长度t1比撤消时段的长度t2短，并且寻址时段的长度充分增加。因此，扫描信号可以具有足够的宽度，从而产生足够稳定的寻址放电。
当上升信号的斜率的范围为从4V/μs到100V/μs或者为从10V/μs到50V/μs以使壁电荷在复位时段期间稳定地分布时，在撤消时段期间提供的下降信号的电压降低量被相对减少。换句话说，下降信号的最低电压V5被提高，因此撤消时段的长度被缩短。
另外，在复位时段期间壁电荷在放电单元内稳定地分布。因此，虽然数据信号的电压量值ΔVd相对小，但是产生了足够稳定的寻址放电。
当数据信号的电压量值ΔVd过小时，寻址放电的强度变得过弱。另一方面，当数据信号的电压量值ΔVd过大时，在放电单元内的壁电荷被擦除，这样，虽然提供了维持信号，但是可能不产生维持放电。因此，有利的是，数据信号的电压量值ΔVd的范围为扫描信号的最低电压-Vy与下降信号的最低电压V5之间的差的0.5到6倍。
扫描信号的最低电压-Vy与下降信号的最低电压V5之间的差ΔV范围可以是从35V到45V。
图13和14示出一种省略了上升信号的情况。
在图13中，在至少一个子场的复位时段期间省略了上升信号的提供。
例如，在具有相对低的灰度级加权的第一子场的复位时段期间，提供上升信号和下降信号。在具有比第一子场高的灰度级加权的第二和第三子场的复位时段期间，上升信号的提供被省略，而仅提供下降信号。
在图13中，在第二和第三子场中的复位时段期间提供下降信号之前，扫描电极上的电压上升到等于或者大于地电平电压的预定电压。但是，如图14中所示，可以在前一子场的维持时段结束时直接提供下降信号，而不将电压提高到如图13中所示的预定电压。
图15示出一种省略了复位信号的情况。
参见图15，在具有相对低的灰度级加权的第一子场的复位时段期间，包括上升信号和下降信号的复位信号被提供给扫描电极。在具有比第一子场高的灰度级加权的第二和第三子场中省略了复位时段。
图16和17示出了在不同的子场期间提供具有不同的斜率的上升信号的一种示例性驱动方法。
假定一个帧包括总共7个子场SF1-F7，并且所述7个子场SF1-SF7被以灰度级加权的升序排列。
在图16中，在两个不同的子场中的上升信号的斜率可以彼此不同。例如，如图16中的(a)所示的第一子场SF1中被提供给扫描电极的上升信号的斜率大于如图16中的(b)所示的第六子场SF6中被提供给扫描电极的上升信号的斜率。
而且，如图16中所示的方法可以与图13、14和15中所出的方法组合，其中省略了上升信号的提供或者复位信号的提供。
参见图17，在至少一个子场的复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压可以与在另一个子场的复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压不同。例如，在如图17中的(a)所示的第一子场SF1中被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压V3比在如图13b中的(b)所示的第六子场SF6中被提供给扫描电极的上升信号的峰值电压V3大一个电压量值ΔV3。
图18示出了复位信号的另一种形式。
参见在图18中的(a)所示的波形，下降信号从小于第四电压V4的第七电压V7逐渐降低。第七电压V7可以与第一电压V1基本上相等。
参见在图18中的(b)所示的波形，上升信号包括各自具有不同的上升斜率的a-上升信号和b-上升信号。
当b-上升信号的斜率小于a-上升信号的斜率时，所述上升信号的电压相对快地上升，直到发生设置放电(setup discharge)，并且上升信号的电压在设置放电的产生期间相对慢地上升。这样，降低了由设置放电产生的光强度，从而改善了对比度特性。
在图18中的波形(b)中的第八电压V8可以与在图18中的波形(a)中的第七电压V7基本上相等。
图19示出了一个子场包括预复位时段的情况。
所述子场可以包括在复位时段之前的预复位时段。如图19中所示，所述子场还包括在复位时段之前的预复位时段。在所述预复位时段期间，向扫描电极提供逐渐地下降到第六电压V6的预斜坡信号。
在向扫描电极提供所述预斜坡信号期间，向维持电极提供预维持信号。
所述预维持信号被恒定地保持在预维持电压Vpz。所述预维持电压Vpz可以与在维持时段期间提供的维持信号的电压(即维持电压Vs)基本上相等。
如上所述，在预复位时段期间，所述预斜坡信号被提供给扫描电极，而所述预维持信号被提供给维持电极。结果，在扫描电极上累积了预定极性的壁电荷，而在维持电极上累积了与在扫描电极上累积的壁电荷的极性相反极性的壁电荷。例如，在扫描电极上累积正极性的壁电荷，而在维持电极上累积负极性的壁电荷。
这样，在复位时段期间发生具有足够强度的设置放电，以便稳定地执行所有放电单元的初始化。
另外，由于所述预复位时段，即使当在复位时段期间被提供给扫描电极的上升信号的斜率相对低时，也会发生具有足够强度的设置放电。
一个帧的仅一个子场可以包括在复位时段之前的预复位时段，以获得足够的驱动时间。或者，两个或者三个子场可以包括在复位时段之前的预复位时段。
图120示出了维持信号的另一种形式。
如图20中所示，正维持电压和负维持电压被交替地提供给扫描电极。
当正维持电压和负维持电压被交替地提供给扫描电极时，向维持电极提供偏置信号。
所述偏置信号被恒定地保持在地电平电压GND。
图21示出了上升信号在复位时段期间被提供给扫描电极和维持电极的情况。
参见图21，在复位时段期间，具有逐渐地上升的电压的第一上升信号被提供给扫描电极，并且具有逐渐地上升的电压的第二上升信号被提供给维持电极。所述第一上升信号和所述第二上升信号是同时提供的。
被提供给维持电极的第二上升信号从第二十电压V20逐渐地上升到第三十电压V30。
在向扫描电极提供第一上升信号后，具有逐渐地下降的电压的第一下降信号被提供给扫描电极。而且，在向维持电极提供第二上升信号后，从第四十电压V40逐渐地下降到第五十电压V50的第二下降信号被提供给维持电极。
所述第四十电压V40可以是地电平电压GND。
第一下降信号的斜率可以与第二下降信号的斜率相等或者不同。
如图21中所示，在复位时段期间被提供给扫描电极和维持电极的两个复位信号包括上升信号和下降信号，并且具有类似的形状。在图21中所示的波形中，电压V1和V10可以基本上相等，并且电压V2和V20可以基本上相等，电压V3和V30可以基本上相等，电压V4和V40可以基本上相等。所述两个上升信号的两个斜率可以基本上相等，并且所述两个下降信号的斜率可以基本上相等。
图22和23说明了在复位时段期间提供的信号波形如何影响在复位时段期间产生的放电类型。
参见在图22中的波形(a)，在复位时段期间，向扫描电极提供上升信号，并且不向维持电极提供上升信号。
在这种情况下，如图22中的(b)所示，复位放电在复位时段期间主要发生在扫描电极和维持电极之间。
由于复位放电在复位时段期间主要发生在扫描电极和维持电极之间，因此壁电荷在扫描电极和维持电极上一定程度地累积，然后被擦除。因此，剩余壁电荷在放电单元内是均匀的。
但是，由于在寻址时段期间在扫描电极和寻址电极之间发生寻址放电，因此在复位时段期间在放电单元中分布的壁电荷的状态可以与在寻址时段期间所需的壁电荷的状态不同。
因此，在图22中，在复位时段期间充分地擦除了壁电荷后，需要在寻址时段期间再次累积壁电荷。
在图23中，在复位时段期间，上升信号分别被提供给扫描电极和维持电极。在这种情况下，如图23中的(b)所示，在复位时段期间，在扫描电极和寻址电极之间以及在维持电极和寻址电极之间发生复位放电。
在图23中，在复位时段期间在放电单元内分布的壁电荷的状态类似于在寻址时段期间所需的壁电荷的状态。因此，利用在复位时段期间分布的壁电荷的状态，在寻址时段期间发生寻址放电。另外，在图23中的数据信号的电压量值(如在图21中的ΔVd所示)小于在图22中的数据信号的电压量值ΔVd。
图24示出了第二下降信号的另一种形式。
参见图24，在复位时段期间被提供给维持电极的第二下降信号从小于第二上升信号的峰值电压V30的电压(例如电压V40)逐渐地下降到维持偏置信号的电压Vz。
当在第二下降信号结束时提供维持偏置信号时，如图24中所示，驱动电路中切换操作的数量减少，从而减少了在驱动电路中的热量的产生。
图25示出了提供寻址偏置信号的示例性情况。
参见图25，在至少一个子场的复位时段期间，向寻址电极提供寻址偏置信号(X-bias)。在这种情况下，在复位时段期间在扫描电极和寻址电极之间的电压差或者在维持电极和寻址电极之间的电压差减少，使得复位放电更稳定地产生。
虽然图25示出了在复位时段的设置时段期间提供寻址偏置信号，但是可以在复位时段的撤消时段期间或者在设置时段及撤消时段期间提供该寻址偏置信号。
另外，虽然在图25中的示例中所述寻址偏置信号基本上保持在特定的电压(例如电压Vx)，但是所述寻址偏置信号可以是斜坡波形或者三角形的波形。
其他的实施方式在所附的权利要求的范围内。