膜渗透太阳能电池扩散工艺

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种膜渗透太阳能电池扩散工艺。该工艺首先是将磷浆按照一定间隔选择印刷在镀膜后的晶体硅片表面，烘干浆料、将硅片进行扩散、去磷硅玻璃。按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结构，该方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

权利要求

1.一种膜渗透太阳能电池扩散工艺，其特征在于：首先对硅片(1)表面进行清洗制绒处理，再在硅片(1)表面镀上一层磷可渗透膜层(5)，将磷浆(4)如电极栅线状印刷到硅片(1)表面，再烘干磷浆(4)，然后将此硅片(1)放入扩散炉中进行扩散，在所述磷浆(4)的印刷区形成高掺杂区(2)，去除硅磷玻璃和所镀的磷可渗透膜层(5)后，再将硅片(1)放入扩散炉中进行扩散，在所述磷浆的非印刷区形成低掺杂区(3)。

说明书

膜渗透太阳能电池扩散工艺

技术领域

[0001] 本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种膜渗透太阳能电池扩散工艺。

背景技术

[0002] 晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。

[0003] 在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。

发明内容

[0004] 本发明的目的是要提供一种实现晶体硅太阳能电池选择性扩散的方法，该方法可提高晶体硅太阳能电池的效率，适用于产业化生产且无污染。

[0005] 本发明采用的技术方案是：一种膜渗透太阳能电池扩散工艺，首先将磷浆按照一定间隔选择印刷在镀膜后的晶体硅片表面，烘干磷浆，再将硅片进行扩散，然后去磷硅玻璃。

[0006] 镀膜为磷可渗透膜层。

[0007] 本发明的有益效果是：按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

附图说明

[0008] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

[0009] 图1是本发明的选择性扩散结构示意图。

[0010] 图2是本发明的工艺流程图。

[0011] 图中：1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷浆，5.磷可渗透膜层。

具体实施方式

[0012] 如图1和2所示，一种膜渗透太阳能电池扩散工艺，首先将磷浆4按照一定间隔选择印刷在镀膜后的晶体硅片1表面，所镀的膜为磷可渗透膜层5，然后烘干磷浆4、扩散、去磷硅玻璃。

[0013] 采用上述膜渗透太阳能电池扩散工艺的太阳能电池生产过程如下：

[0014] 首先硅片1表面首先进行清洗制绒处理，再在硅片1表面镀上一层磷可渗透膜层5；将磷浆4如电极栅线状印刷到硅片1表面，再烘干磷浆4，然后将此硅片1放入扩散炉中进行扩散，所镀的磷可渗透膜层5不会阻止磷浆4中的磷向硅片1中扩散，但会阻止挥发到扩散炉中的磷浆4中的部分磷沉积到硅片1表面后向磷浆4的非扩散区扩散，这样做的目的是使磷浆4在印刷区的扩散截面更加理想。

[0015] 完成上述膜渗透太阳能电池扩散工艺后，会在磷浆4的印刷区形成较为理想的高掺杂区2，去除硅磷玻璃和所镀的磷可渗透膜层5后，再将硅片1放入扩散炉中进行扩散，在非印刷区形成低掺杂区3。

[0016] 硅片1完成选择性扩散后进行去硅磷玻璃，然后进行刻边，镀氮化硅、减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结成为最终的成品。