电子部件用粘合剂、半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供能够在接合两个以上半导体芯片等电子部件时以高精度保持电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的半导体装置等电子部件的电子部件用粘合剂、使用了该电子部件用粘合剂的半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置。本发明是一种电子部件用粘合剂，其用于接合电子部件，含有：具有固化性化合物及固化剂的粘合组合物、和CV值为10％以下的间隔微粒，在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，1rpm下的粘度为200Pa·s以下，10rpm下的粘度为100Pa·s以下，且0.5rpm下的粘度为1rpm下的粘度的1.4～3倍，1rpm下的粘度为10rpm下的粘度的2～5倍。

权利要求

1.一种电子部件用粘合剂，其用于接合电子部件，其特征在于，含有具有固化性化合物和固化剂的粘合组合物及CV值为10％以下的间隔微粒，在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，在1rpm下的粘度为200Pa·s以下，在10rpm下的粘度为100Pa·s以下，且在0.5rpm下的粘度为在1rpm下的粘度的1.4～3倍，在1rpm下的粘度为在10rpm下的粘度的2～5倍。

2.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，使用E型粘度计，在50～100℃的接合电子部件时的温度下测定粘度时，在10rpm下的粘度为1Pa·s以下。

3.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，固化性化合物含有环氧化合物A，该环氧化合物A具有在重复单元中具有芳香环的10聚体以下的分子结构，且在25℃下为结晶性固体。

4.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，固化性化合物以40重量％以上的含有选自由萘型环氧树脂、芴型环氧树脂及间苯二酚型环氧树脂构成的组的至少一种。

5.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，固化性化合物含有环氧化合物B，其在分子的两端具有环氧基，且在一方的环氧基和另一方的环氧基之间具有数均分子量为50～1000的柔软的骨架。

6.根据权利要求5所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，柔软的骨架来源于选自由丁二烯橡胶、环氧丙烷、环氧乙烷、丙烯酸橡胶及这些的加氢化物构成的组的至少一种化合物。

7.根据权利要求5所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，环氧化合物B在分子内还具有芳香族骨架。

8.根据权利要求7所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，缩水甘油醚基直接结合于芳香族骨架。

9.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，还含有具有能够与固化性化合物反应的官能团的高分子化合物。

10.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，含有由在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒和固化促进剂。

11.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，含有由在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒和在常温下为液体的双官能酸酐固化剂。

12.根据权利要求11所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，还含有固化促进剂。

13.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，其液态成分的溶解度参数为8～11，并还含有：无机微粒A，其平均一次粒径为50nm以下且疏水化度为50以下；

无机微粒B，其平均一次粒径为50nm以下且疏水化度为60以上。

14.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，其液态成分的溶解度参数为11～14，并还含有：无机微粒C，其平均一次粒径为50nm以下且疏水化度为40以下；

无机微粒D，其平均一次粒径为50nm以下且疏水化度为50以上。

15.根据权利要求1所述的电子部件用粘合剂，其特征在于，电子部件为半导体芯片。

16.一种半导体芯片层叠体的制造方法，其特征在于，该方法是隔着权利要求1所述的电子部件用粘合剂层叠了两个以上半导体芯片的半导体芯片层叠体的制造方法，包括：在一个半导体芯片上涂敷所述电子部件用粘合剂的涂敷工序(1)；

隔着在所述一个半导体芯片上涂敷的电子部件用粘合剂层叠其他半导体芯片的半导体芯片层叠工序(2)；

使所述一个半导体芯片和其他半导体芯片之间的电子部件用粘合剂固化的固化工序(3)，在所述涂敷工序(1)中，将所述电子部件用粘合剂涂敷于所述一个半导体芯片的与所述其他半导体芯片层叠的区域的外缘部及中央部，且使外缘部上的所述电子部件用粘合剂的涂敷量为中央部上的涂敷量的2～5倍。

17.根据权利要求16所述的半导体芯片层叠体的制造方法，其特征在于，在半导体芯片层叠工序(2)中，对于在一个半导体芯片上层叠的其他半导体芯片，以

0.01～0.5MPa按压0.1～5秒钟。

说明书

电子部件用粘合剂、半导体芯片层叠体的制造方法及半导

体装置

技术领域

[0001] 本发明涉及能够在接合两个以上半导体芯片等电子部件时以高精度保持电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的半导体装置等电子部件的电子部件用粘合剂、使用了该电子部件用粘合剂的半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置。

背景技术

[0002] 近年来，伴随对以半导体封装件为首的电子部件的小型化的要求，正在发挥层叠多个电子部件，形成为多层半导体芯片层叠体的三维安装方面的作用。另外，正在进行将半导体芯片层叠体等电子部件进一步小型化的研究。

[0003] 伴随于此，例如，半导体芯片形成为极薄的薄膜，进而在半导体芯片上形成了微细的配线。在这样的三维安装的半导体芯片层叠体中寻求各半导体芯片没有损伤，且保持水平而层叠的技术。

[0004] 针对此，以往出于得到可靠性高的半导体芯片层叠体的目的，探讨了保护下层半导体芯片的引线的方法、或出于保持水平而层叠的目的，在半导体芯片间夹有间隔芯片的方法等。作为这样的方法，例如，在专利文献1中公开了在层叠多个半导体芯片时，在一个的半导体芯片的层叠另一个的芯片的面散点状形成间隔物后，层叠另一方的芯片的方法。 [0005] 然而，在这样的方法中，极其难以将间隔物的厚度及形状控制为能够实现半导体芯片层叠体的充分的小型化及高精度的水平层叠的程度。另外，存在工序繁杂的问题。 [0006] 进而，在专利文献2中公开了在层叠多个半导体芯片时，在连接的半导体芯片之间层叠虚设芯片(dummy chip)及间隔物的方法。

[0007] 然而，在由这样的方法得到的半导体芯片层叠体中，由于虚设芯片，半导体芯片层叠体整体的厚度增大，因此，导致难以进行封装件高度的低 高度化，并且，多余地需要层叠虚设芯片的工序的问题。

[0008] 另一方面，探讨了配合有间隔微粒的粘合剂。

[0009] 例如，在专利文献3中记载了以具有实质上规定粘合剂固化后的膜厚的粒径的硬质塑料微粒为必须成分的粘合剂，记载了能够利用与平均粒径20μm相等的厚度的粘合剂层粘合硅元件和引线框。

[0010] 然而，即使在使用了配合有这样的间隔微粒的粘合剂的情况下，也依然不能解决得到的层叠体的粘合剂层的厚度不均的问题(例如，在引用文献3的实施例中，厚度的最大值和最小值之间有3～5μm厚度差)，存在即使单单添加与期望的膜厚大致相等的间隔微粒，也不能以高精度控制膜厚的问题。

[0011] 专利文献1：日本特开2003-179200号公报

[0012] 专利文献2：日本特开2006-66816号公报

[0013] 专利文献3：日本特开平11-189765号公报

发明内容

[0014] 本发明的目的在于鉴于上述现状，提供能够在接合两个以上半导体芯片等电子部件时以高精度保持电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的半导体装置等电子部件的电子部件用粘合剂、使用了该电子部件用粘合剂的半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置。

[0015] 本发明是一种电子部件用粘合剂，其用于接合电子部件，其特征在于，含有：具有固化性化合物及固化剂的粘合组合物、和CV值为10％以下的间隔微粒，在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，1rpm下的粘度为200Pa·s以下，10rpm下的粘度为100Pa·s以下，且0.5rpm下的粘度为1rpm下的粘度的1.4～3倍，1rpm下的粘度为10rpm下的粘度的2～5倍。

[0016] 以下，详细说明本发明。

[0017] 本发明人等经过专心致志的研究结果发现，使用包含粘合组合物和具有规定范围的CV值的间隔微粒，并且用E型粘度计在25℃下测定的粘度特性为规定范围内的电子部件用粘合剂，进行了电子部件的接合的情况下，能够以高精度保持电子部件间的距离，并且，得到的电子部件装置的可靠性非常高，从而完成了本发明。

[0018] 就本发明的电子部件用粘合剂来说，使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，1rpm下的粘度的上限为200Pa·s，10rpm下的粘度的上限为100Pa·s，且0.5rpm下的粘度为1rpm下的粘度的1.4～3倍，1rpm下的粘度为10rpm下的粘度的2～5倍。

[0019] 在本发明的电子部件用粘合剂中，通过将使用E型粘度计在25℃下测定的粘度设为上述范围内，例如，使用于半导体芯片层叠体的制造的情况下，在将电子部件用粘合剂涂敷于半导体芯片的工序中，能够以期望的形状适当涂敷，能够将所述形状维持至层叠其他半导体芯片为止。另外，在层叠其他半导体芯片的工序中，通过在对位后进行加压，使剩余的电子部件用粘合剂充分地渗出，从而能够使半导体芯片间的距离(以下，还称为芯片间距离)形成为与间隔微粒的粒径基本上相等的距离。

[0020] 本发明的电子部件用粘合剂的使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时的1rpm下的粘度的上限为200Pa·s。若超过200Pa·s，则在使用于芯片间距离小的半导体芯片层叠体的制造的情况下，显示高粘性，难以将芯片间距离缩小至间隔微粒的粒径程度，尤其，在芯片间距离为25μm以下的情况下，困难性显著。优选的上限为150Pa·s。另外，1rpm下的粘度的优选的下限为50Pa·s。若小于50Pa·s，则在涂敷后，层叠其他半导体芯片为止的期间，难以维持涂敷时的形状。另外，例如，在使用于层叠引线接合型半导体芯片的用途的情况下，电子部件用粘合剂有时以每个间隔微粒向引线接合用电极区域流出。 [0021] 本发明的电子部件用粘合剂在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，10rpm下的粘度的上限为100Pa·s。若超过100Pa·s，则难以以期望的形状涂敷。优选的上限为75Pa·s。

[0022] 另外，10rpm下的粘度的优选的下限为5Pa·s。若小于5Pa·s，则在涂敷后，层叠其他半导体芯片为止的期间，难以维持涂敷时的形状。另外，例如，在使用于层叠引线接合型半导体芯片的用途的情况下，电子部件用粘合剂有时以每个间隔微粒向引线接合用电极区域流出。

[0023] 本发明的电子部件用粘合剂在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，0.5rpm下的粘度的下限为1rpm下的粘度的1.4倍，上限为3倍。若小于1.4倍，则在涂敷后，层叠其他半导体芯片为止的期间，难以维持涂 敷时的形状。若超过3倍，则在使用于芯片间距离为20μm左右的半导体芯片层叠体的制造的情况下，显示高粘性，即使按压，剩余的电子部件用粘合剂也不渗出，因此，难以将芯片间距离缩小至间隔微粒的粒径的程度为止。优选的下限为2倍。

[0024] 本发明的电子部件用粘合剂在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，1rpm下的粘度的下限为10rpm下的粘度的2倍，上限为5倍。若小于2倍，则在涂敷本发明的电子部件用粘合剂后，难以维持描绘形状。若超过5倍，则在使用于芯片间距离小的半导体芯片层叠体的制造的情况下，显示高粘性，难以将芯片间距离缩小至间隔微粒的粒径的程度为止，尤其，在芯片间距离为25μm以下的情况下，困难性显著。优选的上限为3倍。 [0025] 另外，本发明的电子部件用粘合剂在接合上述电子部件时，有时在比25℃高的温度下接合。此时，本发明的电子部件用粘合剂优选在使用E型粘度计，接合电子部件时的温度(以下，还称为接合温度)下测定粘度时，10rpm下的粘度为10Pa·s以下。若超过10Pa·s，则在用本发明的电子部件用粘合剂接合电子部件时，不能排除间隔微粒和电子部件之间的剩余的电子部件用粘合剂，难以将芯片间距离缩小至间隔微粒的粒径。更优选的上限为1Pa·s。

[0026] 还有，作为上述接合温度，不特别限定，但通常为50～100℃左右。 [0027] 本发明的电子部件用粘合剂含有固化性化合物。

[0028] 作为上述固化性化合物，不特别限定，但例如可以使用通过加聚、缩聚、加成聚合、加成缩合、开环聚合反应来固化的化合物。

[0029] 具体来说，例如，可以举出尿素化合物、蜜胺化合物、苯酚化合物、间苯二酚化合物、环氧化合物、丙烯酸化合物、聚酯化合物、聚酰胺化合物、聚苯并咪唑化合物、二烯丙基酞酸酯化合物、二甲苯化合物、烷基-苯化合物、环氧丙烯酸酯化合物、硅化合物、尿烷化合物等热固化性化合物。其中，在接合后得到的半导体装置等电子装置的可靠性及接合强度也优越，因此，优选环氧化合物、丙烯酸化合物，更优选具有酰亚胺骨架的环氧化合物。 [0030] 作为上述环氧化合物，不特别限定，例如，可以举出双酚A型、双酚F型、双酚AD型、双酚S型等双酚型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型、甲酚 酚醛清漆型等酚醛清漆型环氧树脂、三苯酚甲烷三缩水甘油醚等之类的芳香族环氧树脂、萘型环氧树脂、联苯基型环氧、芴型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、间苯二酚型环氧、及这些的加氢化物等。其中，得到耐热性高的电子部件用粘合剂，因此，优选含有选自由萘型环氧树脂、芴型环氧树脂及间苯二酚型环氧树脂构成的组的至少一种。

[0031] 在上述萘型环氧树脂中，作为市售品，例如，可以举出HP-4032、HP-4032D、HP-4700、HP-4701(以上，大日本油墨化学工业公司制)等。另外，在上述芴型环氧树脂中，作为市售品，可以举出EX-1010、1011、1012、1020、1030、1040、1050、1051、1060(以上，长濑凯米蒂克(ケムテツクス)公司制，在上述间苯二酚型环氧树脂中，作为市售品，可以举出EX-201(长濑凯米蒂克公司制)等。

[0032] 作为上述萘型环氧树脂、芴型环氧树脂及间苯二酚型环氧树脂，优选使用软化点为60℃以下的树脂。通过使用软化点为60℃以下的树脂，能够减少用于降低电子部件用粘合剂的粘度而使用的稀释剂等液态成分的添加份数，能够得到在固化时及固化后挥发成分少的电子部件用粘合剂。更优选使用软化点为40℃以下的树脂，进而优选使用软化点为室温以下的树脂。在上述市售品中，优选HP-4032、HP-4032D、EX-1020、EX-201。 [0033] 作为上述固化性化合物，使用选自由萘型环氧树脂、芴型环氧树脂及间苯二酚型环氧树脂构成的组的至少一种的情况下，上述固化性化合物中的选自由上述萘型环氧树脂、芴型环氧树脂及间苯二酚型环氧树脂构成的组的至少一种的配合量的优选下限为40重量％。若小于40重量％，则有时得不到具有充分的耐热性的电子部件用粘合剂。更优选的下限为60重量％。另外，优选的上限为90重量％。

[0034] 作为上述环氧化合物，进而可以使用具有NBR、CTBN、聚丁二烯、丙烯酸橡胶等橡胶成分的橡胶改性环氧化合物、挠曲性化合物等环氧化合物。在使用这样的环氧化合物的情况下，能够在固化后赋予柔软性使得耐温度周期等耐热性优越。另外，使用以往公知的环氧化合物也可。

[0035] 另外，在本发明的电子部件用粘合剂中，作为上述固化性化合物，优选含有环氧化合物(A)，其具有在重复单元中具有芳香环的10聚体以下 的分子结构，且在25℃下为结晶性固体。通过含有上述环氧化合物(A)，本发明的电子部件用粘合剂能够适当实现上述接合温度下的粘度特性。

[0036] 上述环氧化合物(A)具有：在重复单元中具有芳香环的10聚体以下的分子结构。这样的环氧化合物(A)具有：结晶性极高，在25℃下形成为结晶性固体，并且，粘度在比
25℃高的温度区域急剧降低的性质。这被认为如下，即：上述环氧化合物(A)在25℃下如上所述地为结晶性固体，但若为10聚体以下则为低分子量，因此，通过超过25℃而加热，结晶结构破坏，导致粘度降低。具体来说，上述环氧化合物(A)在25℃下为结晶性固体，在50～
80℃的温度范围中用E型粘度计测定的情况下的粘度的上限为1Pa·s。若超过10聚体，则
50～80℃的温度范围中的粘度变高，若使用本发明的电子部件用粘合剂，在上述接合温度下进行电子部件的层叠等，则难以将电子部件间的间隔形成为与间隔微粒的粒径基本上相等的距离，在电子部件间隔上产生不均。上述环氧化合物(A)更优选3聚体以下。还有，将上述粘度为1Pa·s的温度区域设为50～80℃是考虑了在通常的电子部件层叠体的制造工序中的加热加压电子部件时的温度条件的原因。另外，将上述环氧化合物(A)形成为结晶性固体的温度设为25℃是考虑了通常在室温下进行用于进行电子部件的接合的粘合剂的涂敷的原因。

[0037] 含有这样的分子结构即在重复单元中具有芳香环，且为10聚体以下的环氧化合物(A)的本发明的电子部件用粘合剂在使用于电子部件间等的接合的情况下，能够以高精度保持接合的电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的电子装置。

[0038] 即，上述环氧化合物(A)通过在重复单元中具有芳香环，在25℃下形成为结晶性固体，因此，含有该环氧化合物(A)的本发明的电子部件用粘合剂的粘度在25℃下高，在接合的电子部件上涂敷时，涂敷形状不会流塑。另外，上述环氧化合物(A)通过加热，急剧地成为低粘度，因此，例如，在进行了电子部件之间的层叠时，在间隔微粒或电子部件之间不残留粘合剂，能够进行一个电子部件和其他电子部件的层叠，能够将电子部件间的间隔形成为与间隔微粒的粒径基本上相等的距离。另外，若在结束了电子部件的层叠后，将温度恢复为25℃，则上述环氧化合物(A)的粘 度急剧上升，层叠了电子部件之间后的本发明的电子部件用粘合剂也不会流塑。另外，上述环氧化合物(A)的耐热性优越，因此，含有该环氧化合物(A)的本发明的电子部件用粘合剂的耐热性也优越。

[0039] 在此，作为使用于以往的电子部件的接合的粘合剂，知道通过仅添加稀释剂来实现加热时的低粘度，但就这样的以往的粘合剂来说，在加热时，存在产生空隙(void)的问题。然而，含有上述环氧化合物(A)的本发明的电子部件用粘合剂，通过含有上述环氧化合物(A)来实现加热时的低粘度，因此，不会像以往的仅通过添加稀释剂来形成为低粘度的粘合剂一样产生空隙。

[0040] 即，将本发明的电子部件用粘合剂形成为厚度10μm的粘合剂层，将以170℃15分钟固化了该粘合剂层的固化物在260℃的温度条件下暴露10秒钟时的直径100μm以下的2 2
空隙产生率的优选上限为1个/mm。若上述固化物的空隙的产生率超过1个/mm，则在使用本发明的电子部件用粘合剂，进行了电子部件之间的接合时，电子部件间的连接可靠性有时不充分。

[0041] 上述环氧化合物(A)优选在一个分子中具有两个以上环氧基。通过含有这样的分子结构的环氧化合物(A)，使得本发明的电子部件用粘合剂的粘合性更优越。 [0042] 作为这样的环氧化合物(A)，只要是具有上述分子结构的化合物，不特别限定，例如，可以举出苯酚型环氧、萘型环氧、联苯基型环氧、间苯二酚型环氧等。作为这样的环氧化合物(A)的市售品，例如，可以举出EX-201(长濑产业公司制)、YSLV-80XY(东都化成公司制)等。

[0043] 另外，在本发明的电子部件用粘合剂中，优选上述固化性化合物含有：环氧化合物(B)，其在分子的两端具有环氧基，且在一方的环氧基和另一方的环氧基之间具有数均分子量为50～1000的柔软的骨架。

[0044] 本发明的电子部件用粘合剂通过含有上述环氧化合物(B)，实现常温区域中的低弹性模量，同时，电子部件和基板的粘合性优越，因此，耐温度周期等耐热性优越。 [0045] 作为上述环氧化合物(B)，不特别限定，例如，可以举出1，2-聚丁二烯改性双酚A缩水甘油醚、1，4-聚丁二烯改性双酚A缩水甘油醚、聚环氧丙烷改性双酚A缩水甘油醚、聚环氧乙烷改性双酚A缩水甘油醚、 丙烯酸橡胶改性双酚A缩水甘油醚、尿烷树脂改性双酚A缩水甘油醚、聚酯树脂改性双酚A缩水甘油醚、1，2-聚丁二烯改性缩水甘油醚、1，4-聚丁二烯改性缩水甘油醚、聚环氧丙烷改性缩水甘油醚、聚环氧乙烷改性缩水甘油醚、丙烯酸橡胶改性缩水甘油醚、尿烷树脂改性缩水甘油醚、聚酯树脂改性缩水甘油醚、及这些的加氢化物等。这些环氧化合物(B)可以单独使用，也可以合用两种以上。其中，适合使用上述柔软的骨架来源于选自由丁二烯橡胶、环氧丙烷、环氧乙烷、丙烯酸橡胶、及这些的加氢化物构成的组的至少一种环氧化合物。

[0046] 另外，例如，1，2-聚丁二烯改性双酚A缩水甘油醚、1，4-聚丁二烯改性双酚A缩水甘油醚、聚环氧丙烷改性双酚A缩水甘油醚、聚环氧乙烷改性双酚A缩水甘油醚、丙烯酸橡胶改性双酚A缩水甘油醚、尿烷树脂改性双酚A缩水甘油醚、聚酯树脂改性双酚A缩水甘油醚等具有芳香族骨架的环氧化合物从反应速度快的方面来说适合使用。

[0047] 在上述环氧化合物(B)中，芳香环和缩水甘油醚基直接连接的化合物从反应速度更快的方面来说更优选。作为这样的环氧化合物的市售品，例如，可以举出EPB-13(日本曹达公司制)、EXA-4850(大日本油墨公司制)等。

[0048] 上述固化性化合物进而优选含有有机·无机混合环氧化合物。通过含有上述有机·无机混合环氧化合物，能够将本发明的电子部件用粘合剂的弹性模量的值增加至期望的值。

[0049] 作为上述有机·无机混合环氧化合物，不特别限定，例如，可以举出科普拉森(コンポラセン)E102(荒川化学公司制)等。

[0050] 作为含有上述有机·无机混合环氧化合物的情况下的配合量，不特别限定，但相对于上述环氧化合物(B)等含于本发明的电子部件用粘合剂的固化性化合物的总计100重量份的优选的下限为1重量份，优选的上限为10重量份。

[0051] 上述固化性化合物的吸湿率的优选的上限为1.5％，更优选的上限为1.1％。作为具有这样的吸湿率的固化性化合物，例如，可以举出萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型树脂等。

[0052] 本发明的电子部件用粘合剂进而优选含有具有能够与上述固化性化合物反应的官能团的高分子化合物。通过含有这样的高分子化合物，提高产生热量引起的变形时的接合可靠性。

[0053] 作为具有能够与上述固化性化合物反应的官能团的高分子化合物，使用环氧化合物作为上述固化性化合物的情况下，例如，可以举出具有氨基、尿烷基、酰亚胺基、羟基、羧基、环氧基等的高分子化合物等，其中，优选具有环氧基的高分子化合物。通过添加具有上述环氧基的高分子化合物，电子部件用粘合剂的固化物显示优越的挠曲性。即，本发明的电子部件用粘合剂同时具备：来源于作为固化性化合物的在主链具有多环式烃骨架的环氧化合物的优越的机械强度、耐热性及耐湿性、和来源于具有上述环氧基的高分子化合物的优越的挠曲性，因此，耐冷热周期性、耐焊锡回流性、尺寸稳定性等优越，显示高的粘合可靠性或高的导通可靠性。

[0054] 作为具有上述环氧基的高分子化合物，只要是在末端及/或侧链(侧位)具有环氧基的高分子化合物即可，不特别限定，但例如，可以举出含环氧基丙烯酸橡胶、含环氧基丁二烯橡胶、双酚型高分子量环氧树脂、含环氧基苯氧树脂、含环氧基丙烯酸树脂、含环氧基聚氨酯树脂、含环氧基聚酯树脂等，其中，出于可以得到含有大量环氧基的高分子化合物，固化物的机械强度或耐热性更优越的观点来说，适合使用含环氧基丙烯酸树脂。这些含有环氧基的高分子化合物可以单独使用，也可以合用两种以上。

[0055] 作为具有能够与上述固化性化合物反应的官能团的高分子化合物，使用上述具有环氧基的高分子化合物、尤其含环氧基丙烯酸树脂的情况下，重均分子量的优选的下限为1万。若小于1万，则本发明的电子部件用粘合剂的造膜性不充分，有时不能充分地提高电子部件用粘合剂的固化物的挠曲性。

[0056] 作为具有能够与上述固化性化合物反应的高分子化合物，使用上述具有环氧基的高分子化合物、尤其含环氧基丙烯酸树脂的情况下，环氧当量的优选的下限为200，优选的上限为1000。若小于200，则有时不能提高本发明的电子部件用粘合剂的固化物的挠曲性，相反，若超过1000，则本发明的电子部件用粘合剂的固化物的机械强度或耐热性有时不充分。

[0057] 作为具有能够与上述固化性化合物反应的官能团的高分子化合物的 配合量，不特别限定，但相对于上述固化性化合物100重量份，优选的下限为1重量份，优选的上限为20重量份。若小于1重量份，则得不到针对热变形的成分的可靠性，若超过20重量份，则耐热性有时降低。

[0058] 本发明的电子部件用粘合剂出于25℃下的涂敷性确保等的目的，含有稀释剂也可。

[0059] 作为上述稀释剂，不特别限定，例如，可以举出反应性稀释剂或非反应性稀释剂等。其中，适合使用反应性稀释剂。

[0060] 作为上述反应性稀释剂，含有环氧化合物(A2)也可。通过含有这样的环氧化合物(A2)，能够调节粘度，另外，能够调节玻璃化温度。

[0061] 作为上述环氧化合物(A2)，不特别限定，例如，可以举出双酚A型环氧、双酚F型环氧、具有脂肪族环状骨架的10聚体以下的环氧化合物等。

[0062] 作为上述环氧化合物(A2)的含量，不特别限定，但相对于含于本发明的电子部件用粘合剂的固化性化合物的总计100重量份，优选的下限为10重量份，优选的上限为60重量份。若小于10重量份，则几乎不能得到添加环氧化合物(A2)的效果，若超过60重量份，则在本发明的电子部件用粘合剂中有时得不到粘度特性。更优选的下限为20重量份，更优选的上限为30重量份。

[0063] 另外，例如，作为固化性化合物，含有上述环氧化合物(A)的情况下，作为上述反应性稀释剂，适合使用在重复单元中具有脂肪族环状骨架的10聚体以下的环氧化合物(A3)。通过含有这样的分子结构的环氧化合物(A3)，本发明的电子部件用粘合剂确保25℃下的涂敷性，同时，具有高的耐湿性。

[0064] 若上述环氧化合物(A3)超过10聚体，则本发明的电子部件用粘合剂的25℃下的粘度变高，有时相对于电子部件的涂敷性不充分。上述环氧化合物(A3)更优选5聚体以下。

[0065] 作为上述环氧化合物(A3)，只要是具有上述分子结构的化合物就不特别限定，例如，可以举出二环戊二烯型环氧、环己烷型环氧等。作为这样的环氧化合物(A3)的市售品，例如，可以举出EP-4088S(艾迪可(アデカ)公司制)、HP-7200(大日本油墨化学工业公司制)等。

[0066] 在本发明的电子部件用粘合剂含有上述环氧化合物(A3)的情况下，上述环氧化合物(A)和上述环氧化合物(A3)的配合比例之比即(A3/A)或(A/A3)的优选的下限为0.5，优选的上限为2。若小于0.5或大于2，则上述环氧化合物(A)或环氧化合物(A3)的任一方的配合比例变多，因此，难以使上述电子部件用粘合剂同时具备所谓的上述粘度特性或高耐湿性的性质。

[0067] 例如，若上述环氧化合物(A)的配合比例的相对于上述环氧化合物(A3)的配合比例的比(A3/A)小于0.5，则本发明的电子部件用粘合剂有时得不到充分的耐湿性，若上述环氧化合物(A3)的配合比例的相对于上述环氧化合物(A)的配合比例的比(A/A3)小于0.5，则本发明的电子部件用粘合剂有时得不到上述粘度特性。

[0068] 另外，作为本发明的电子部件用粘合剂中的上述环氧化合物(A3)的含量，不特别限定，但相对于含于本发明的电子部件用粘合剂的固化性化合物的总计100重量份，优选的下限为10重量份，优选的上限为30重量份。若小于10重量份，则几乎不能得到添加环氧化合物(A3)的效果，若超过30重量份，则本发明的电子部件用粘合剂有时得不到上述粘度特性。更优选的上限为20重量份。

[0069] 另外，作为上述非反应性稀释剂，不特别限定，在不阻碍本发明的目的的范围内，例如可以举出芳香族烃类、氯代芳香族烃类、氯代脂肪族烃类、醇类、酯类、醚类、酮类、二醇醚(溶纤剂)类、脂环式烃类、脂肪族烃类等。

[0070] 作为上述非反应性稀释剂的含量，不特别限定，但优选的下限为1重量％，优选的上限为20重量％。若小于1重量％，则几乎不能得到添加上述非反应性稀释剂的效果，若超过20重量份，则本发明的电子部件用粘合剂有时产生空隙。

[0071] 在本发明的电子部件用粘合剂含有上述稀释剂的情况下，该稀释剂的120℃下的重量减少量及150℃下的重量减少量的优选的上限为1％。若超过1％，则在本发明的电子部件用粘合剂的固化中或固化后，未反应物挥发，导致有时对生产率或电子部件装置产生坏的影响。

[0072] 另外，上述稀释剂优选固化开始温度比上述环氧化合物(A)等固化 性化合物低，固化速度大。

[0073] 本发明的电子部件用粘合剂含有固化剂。

[0074] 作为上述固化剂，不特别限定，可以根据上述固化性化合物适当选择以往公知的固化剂，但作为固化性化合物，使用环氧化合物的情况下的固化剂例如可以举出三烷基四羟基酞酸酐等加热固化型酸酐系固化剂、苯酚系固化剂、胺系固化剂、二氰基二酰胺等潜在固化剂、阳离子系催化剂型固化剂等。这些固化剂可以单独使用，也可以合用两种以上。 [0075] 作为上述固化剂的配合量，不特别限定，但使用与上述固化性化合物的官能团等量反应的固化剂的情况下，相对于上述固化性化合物的官能团量，优选90～110当量。另外，在使用作为催化剂发挥功能的固化剂的情况下，相对于上述固化性化合物100重量份，优选的下限为1重量份，优选的上限为20重量份。

[0076] 上述固化剂的熔点的优选的下限为120℃。通过设为120℃以上，在加热了本发明的电子部件用粘合剂的情况下，抑制凝胶化，能够适当调节电子部件的接合及电子部件间的距离。

[0077] 作为上述熔点为120℃以上的固化剂，例如，可以举出5-(2，5-二氧代四氢-3-呋喃基(フエラニル)-3-甲基-3-环己烯-1，2-二羧酸酐、TD-2090等苯酚酚醛清漆树脂、KH-6021等双酚A酚醛清漆树脂、KA-1165等邻甲酚酚醛清漆树脂、EH-3636AS、EH-3842、EH-3780、EH-4339S、EH-4346S(以上，旭电化工业公司制)等二氰基二酰胺。 [0078] 另外，也可以适合使用被熔点为120℃以上的材质被覆的微胶囊型固化剂。 [0079] 本发明的电子部件用粘合剂含有CV值为10％以下的间隔微粒。通过含有这样的间隔微粒，使用本发明的电子部件用粘合剂，层叠两个以上的半导体芯片的情况下，能够在不夹有虚设芯片等的情况下，将半导体芯片之间的间隔保持为恒定。

[0080] 上述间隔微粒的CV值的上限为10％。若超过10％，则粒径的不均大，因此，难以将电子部件间的间隔保持为恒定，不能充分发挥作为间隔微粒的功能。优选的上限为6％，更优选的上限为4％。

[0081] 还有，在本说明书中，CV值为通过下述式(1)求出的数值。

[0082] 粒径的CV值(％)＝(σ2/Dn2)×100(1)

[0083] 式(1)中，σ2表示粒径的标准偏差，Dn2表示数均粒径。

[0084] 作为上述间隔微粒的平均粒径，不特别限定，可以选择能够实现期望的芯片间距离的粒径，优选的下限为3μm，优选的上限为200μm。若小于3μm，则有时难以将芯片间距离缩小至间隔微粒的粒径程度，若超过200μm，则半导体芯片之间的间隔有时增大至必要以上。更优选的下限为5μm，更优选的上限为50μm。

[0085] 上述间隔微粒的平均粒径优选除了间隔微粒以外添加的固态成分的平均粒径的1.1倍以上。若小于1.1倍，则有时难以将芯片间距离可靠地缩小至间隔微粒的粒径程度。
更优选1.2倍以上。

[0086] 上述间隔微粒的通过下述式(2)表示的K值的优选的下限为980N/mm2，优选的上2
限为4900N/mm。

[0087]

[0088] 式(2)中，F、S分别表示树脂微粒的10％压缩变形中的负荷值(Kgf)、压缩变位(mm)，R表示该间隔物的半径(mm)。

[0089] 上述K值可以通过以下的测定方法来测定。

[0090] 首先，在具有平滑表面的钢板上撒布微粒后，从其中选择一个微粒，使用微小压缩试验机，用金刚石制的直径50μm的圆柱的平滑的端面压缩微粒。此时，将压缩负荷作为电磁力电检测并将压缩变位作为运行变压器引起的变位检测。还有，由得到的压缩变位-负荷的关系，分别求出10％压缩变形中的负荷值、压缩变位，由得到的结果算出K值。 [0091] 上述间隔微粒的从20℃、10％的压缩变形状态解放时的压缩恢复率的优选的下限为20％。在使用了具有这样的压缩恢复率的间隔微粒的情况下，即使在层叠的芯片间存在比平均粒径大的微粒，也能够通过压缩变形，恢复形状，作为间隙调节部件发挥作用。从而，能够以更稳定的恒定间隔将芯片水平层叠。

[0092] 上述压缩恢复率可以通过以下的测定方法来测定。

[0093] 通过与上述K值的测定的情况相同的方法来将压缩变位作为运行变压器引起的变位进行电检测，将其压缩至反转负荷值后，减少负荷，测定此时的负荷和压缩变位的关系。由得到的结果算出压缩恢复率。但是，除负荷中的终点不是负荷值零，而是0.1g以上的原点负荷值。

[0094] 作为上述间隔微粒的材质，不特别限定，但优选树脂微粒。作为构成上述树脂微粒的树脂，不特别限定，但例如，可以举出聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲基酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚砜、聚苯醚、聚缩醛等。其中，出于能够容易调节间隔微粒的硬度和恢复率，能够提高耐热性的观点来说，优选使用交联树脂。

[0095] 作为上述交联树脂，不特别限定，例如，可以举出环氧树脂、苯酚树脂、蜜胺树脂、不饱和聚酯树脂、二乙烯基苯聚合物、二乙烯基苯-苯乙烯共聚物、二乙烯基苯-丙烯酸酯共聚物、二烯丙基酞酸酯聚合物、三烯丙基三聚异氰酸酯聚合物、苯并鸟粪胺聚合物等具有网眼结构的树脂。其中，优选二乙烯基苯聚合物、二乙烯基苯-苯乙烯系共聚物、二乙烯基苯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、二烯丙基酞酸酯聚合物等。在使用了这些的情况下，将芯片接合后，对固化工序、焊锡回流工序等热处理工序的耐性优越。

[0096] 上述间隔微粒优选根据需要进行表面处理。

[0097] 通过在上述间隔微粒实施表面处理，能够在本发明的电子部件用粘合剂中实现上述粘度特性。

[0098] 作为表面处理的方法，不特别限定，但例如，粘合组合物作为整体显示疏水性的情况下，优选对表面赋予亲水基。作为这样的方法，不特别限定，但例如，可以举出作为间隔微粒，使用上述树脂微粒的情况下，将树脂微粒的表面用具有亲水基的偶合剂处理的方法等。 [0099] 作为上述间隔微粒的形状，优选球状。另外，上述间隔微粒的纵横比的优选的上限为1.1。通过将纵横比设为1.1，能够在层叠半导体芯片的情况下，将半导体芯片之间的间隔稳定地恒定保持。还有，在本说明书中，纵横比表示：关于微粒的长径和短径，相对于短径的长度的长径的长度之比(长径的长度除以短径的值)。该纵横比的值越接近1，间隔微粒的形状 越接近正球。

[0100] 上述间隔微粒的配合量的优选的下限为0.01重量％，优选的上限为5重量％。若小于0.01重量％，则在使用于半导体芯片层叠体的制造的情况下，有时不能将半导体芯片之间的间隔稳定地恒定保持，若超过5重量％，则有时作为粘合剂的功能降低。 [0101] 另外，除了上述间隔微粒以外，含有具有上述间隔微粒的平均粒径以上的直径的固态成分的情况下，这样的固态成分的配合量的优选的上限为1重量％。另外，其固态成分的熔点优选固化温度以下。

[0102] 进而，固态成分的最大粒径优选间隔微粒的平均粒径的1.1～1.5倍，更优选1.1～1.2倍。

[0103] 本发明的电子部件用粘合剂为了调节固化速度或固化物的物性等，进而优选含有固化促进剂。

[0104] 作为上述固化促进剂，不特别限定，例如，可以举出咪唑系固化促进剂、叔胺系固化促进剂等，其中，从容易进行用于固化速度或固化物的物性等的调节的反应体系的控制的观点来说，适合使用咪唑系固化促进剂。这些固化促进剂可以单独使用，也可以合用两种以上。

[0105] 作为上述咪唑系固化促进剂，不特别限定，例如，可以举出将咪唑的一位用氰基乙基保护的1-氰基乙基-2-苯基咪唑、或用三聚异氰酸保护了碱式的物质(商品名[2MA-OK]、四国化成工业公司制)等。这些咪唑系固化促进剂可以单独使用，也可以合用两种以上。

[0106] 作为上述固化促进剂的配合量，不特别限定，但相对于上述环氧化合物等含于本发明的电子部件用粘合剂的固化性化合物的总计100重量份，优选的下限为1重量份，优选的上限为20重量份。若小于1重量份，则本发明的电子部件用粘合剂有时不充分固化，若超过20重量份，则本发明的电子部件用粘合剂的粘合可靠性有时降低。

[0107] 本发明的电子部件用粘合剂进而优选含有触变赋予剂。通过含有上述触变赋予剂，本发明的电子部件用粘合剂能够实现期望的粘度特性。

[0108] 作为上述触变赋予剂，不特别限定，例如，可以使用金属微粒、碳酸钙、烘制硅石(fumed silica)、氧化铝、氮化硼、氮化铝、硼酸铝等无机微粒等。其中，优选烘制硅石。 [0109] 另外，作为上述触变赋予剂，可以根据需要使用进行了表面处理的触变赋予剂，尤其优选使用在表面具有疏水基的微粒。具体来说，例如，优选使用将表面疏水化的烘制硅石等。

[0110] 作为上述触变赋予剂，使用粒状触变赋予剂的情况下，平均粒径的优选的上限为1μm。若超过1μm，则有时不能显示期望的触变性。

[0111] 作为上述触变赋予剂的配合量，不特别限定，但在上述间隔微粒没有被实施表面处理的情况下，优选的下限为0.5重量％，优选的上限为20重量％。若小于0.5重量％，则得不到充分的触变性，若超过20重量％，则在层叠半导体芯片时，电子部件用粘合剂的排除性有时降低。更优选的下限为1重量％，优选的上限为10重量％。

[0112] 本发明的电子部件用粘合剂根据需要，含有溶剂也可。

[0113] 作为上述溶剂，不特别限定，例如，可以举出芳香族烃类、氯代芳香族烃类、氯代脂肪族烃类、醇类、酯类、醚类、酮类、二醇醚(溶纤剂)类、脂环式烃类、脂肪族烃类等。 [0114] 本发明的电子部件用粘合剂根据需要，含有无机离子交换体也可。在上述无机离子交换体中，作为市售品，例如，可以举出IXE系列(东亚合成公司制)等。上述无机离子交换体的配合量的优选的下限为1重量％，优选的上限为10重量％。

[0115] 另外，本发明的电子部件用粘合剂根据需要，含有渗出防止剂、咪唑硅烷偶合剂等粘合性赋予剂等添加剂。

[0116] 本发明的电子部件用粘合剂优选含有在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒、和固化促进剂。

[0117] 通过含有上述在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂，使得在粘合时加热之际固化剂熔融而粘度降低，容易实现间隙间距离，因此优选。另外，通过设为多官能，使得固化后的耐热性优越。

[0118] 作为上述在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂，不特别限定，作为三官能的酸酐固化剂，例如，可以举出酸酐苯偏三酸酐等，作为四官能以上的酸酐固化剂，例如，可以举出苯均四酸酐、苯并苯酚四羧酸酐、甲基环己烯四羧酸酐、聚壬二酸酐等。 [0119] 上述在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒的熔点的优 选的下限为80℃。

[0120] 另外，作为上述在常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒的平均粒径，优选的下限为0.1μm，优选的上限为10μm。

[0121] 另外，本发明的电子部件用粘合剂优选含有常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒、和常温下为液体的双官能的酸酐固化剂。

[0122] 通过含有常温下为液体的双官能的酸酐固化剂，提高固化物整体的耐热性，因此优选。

[0123] 作为上述常温下为固体的多官能的酸酐固化剂构成的微粒，可以举出与上述相同的微粒。

[0124] 作为上述常温下为液体的双官能的酸酐固化剂，不特别限定，例如，可以举出酞酸酐、六氢酞酸酐、甲基四氢酞酸酐、甲基六氢酞酸酐、内亚甲基四氢邻苯二甲酐、甲基内亚甲基四氢邻苯二甲酸酐、马来酸酐等。

[0125] 另外，本发明的电子部件用粘合剂在含有上述常温下为固体的酸酐固化剂微粒、和常温下为液体的双官能酸酐固化剂的情况下，进而含有上述固化促进剂也可。 [0126] 作为上述常温下为固体的多官能的酸酐固化剂微粒、和常温下为液体的双官能酸酐固化剂的组合，例如，优选选自由苯均四酸酐、苯并苯酚四羧酸酐、甲基环己烯四羧酸酐构成的组的一种以上、和选自由甲基四氢酞酸酐、甲基六氢酞酸酐、甲桥四氢酞酸酐、甲基甲桥四氢酞酸酐构成的组的一种以上的组合。

[0127] 作为上述常温下为固体的多官能的酸酐固化剂微粒、或常温下为液体的双官能酸酐固化剂等固化剂的配合量，不特别限定，但优选固化性化合物的官能团量除于固化剂的碱性基量总计得到的值的下限为0.5，上限为1.5。若小于0.5，则有时本发明的电子部件用粘合剂引起的粘合可靠性变差，若超过1.5，则本发明的电子部件用粘合剂的固化有时不充分，另外，例如，仅使用了上述常温下为固体的三官能以上的酸酐固化剂微粒的情况下，固化物的耐热性有时不充分。更优选的下限为0.6，更优选的上限为1.3。

[0128] 另外，在含有上述常温下为固体的多官能的酸酐固化剂微粒、和常温下为液体的双官能酸酐固化剂的本发明的电子部件用粘合剂中，作为上述 常温下为固体的多官能的酸酐固化剂微粒、和常温下为液体的双官能酸酐固化剂的配合比例，不特别限定，但上述常温下为固体的多官能的酸酐固化剂微粒的配合量除于常温下为液体的双官能酸酐固化剂的配合量(重量)得到的值的优选的下限为0.1，优选的上限为10。若小于0.1，则固化物的耐热性有时不充分，若超过10，则固化物整体的强度有时不充分。更优选的下限为0.2，更优选的上限为5。

[0129] 本发明的电子部件用粘合剂优选在20～120℃下的条件下经过10分钟后的反应率小于5％。若为5％以上，则有时在管心焊接时不能到达作为目的的空间为止。 [0130] 本发明的电子部件用粘合剂优选固化时的固化收缩率小于1％。若固化时的固化收缩率为1％以上，则在制作半导体芯片层叠体的情况下，由于固化中产生的内部应力，有时导致层间剥离。

[0131] 还有，在本说明书中，上述固化收缩率表示可以基于JIS A06024，利用基于固化前后的比重差，求出为体积收缩率(％)的值。在这种情况下，比重的测定在测定温度25℃下进行。

[0132] 另外，本发明的电子部件用粘合剂优选以0.2mg涂敷在硅片的镜面上，形成直径500μm的圆形粘合剂层，使该粘合剂层在170℃、10分钟的条件下固化，形成为固化物时，从该固化物渗出的液态成分的渗出距离小于5μm。若上述液态成分的渗出距离为5μm以下，则能够充分地防止在使用本发明的电子部件用粘合剂来接合电子部件时，粘合剂的液态成分渗出的所谓的渗出现象，能够得到可靠性高的电子部件，能够充分应对近年来的电子部件的小型化、高集成化。上述渗出距离的优选的上限为3μm，更优选的上限为1μm。 [0133] 在本说明书中，上述液态成分表示25℃下为液态的成分，在本发明的电子部件用粘合剂中，作为上述液态成分，优选含有固化性化合物、固化剂，更优选含有固化促进剂。 [0134] 另外，上述渗出距离表示在用光学显微镜观察粘合剂固化物时，在粘合剂固化物的周围存在的颜色不同的部分的向中心方向的长度。

[0135] 在以下的说明中，将自本发明的电子部件用粘合剂的固化物的液态成分的渗出距离满足上述条件的性质还称为“低渗出性”。

[0136] 本发明的电子部件用粘合剂的上述低渗出性可以通过作为增粘剂发挥功能的亲水性(疏水性)成分不同的两种以上无机微粒适当实现，即：一方的无机微粒与含于粘合剂的液态成分的亲水性(疏水性)比较相近，另一方的无机微粒与含于粘合剂的液态成分的亲水性(疏水性)比较疏远。进而，通过含有这样的无机微粒，本发明的电子部件用粘合剂还能够实现作为粘合剂的适当的触变性。

[0137] 认为在含有这样的亲水性(疏水性)充分地不同的两种以上的无机微粒的本发明的电子部件用粘合剂中，上述与液态成分的亲水性(疏水性)相近的无机微粒发挥防止上述液态成分从使用本发明的电子部件用粘合剂而成的粘合剂层中渗出的作用。另外，认为上述与液态成分的亲水性(疏水性)疏远的无机微粒在使用本发明的电子部件用粘合剂而成的粘合剂层中形成直链状连续体，发挥实现上述触变性的作用。

[0138] 在此，作为表示上述液态成分的亲水性的指标，通常使用溶解度参数(SP值)，作为使用于两个以上的电子部件的粘合的粘合剂的液态成分的SP值，通常要求8～14左右。另一方面，作为表示上述无机微粒之类的填料的亲水性的指标，通常使用疏水化度(M值)。 [0139] 该表示液态成分的亲水性的指标即SP值、和表示无机微粒的亲水性的指标即M值不能直接换算两者的关系。

[0140] 然而，根据本发明人等的研究，上述液态成分的SP值的8～11、和上述无机微粒的M值的50以下大致对应于比较相近的亲水性(疏水性)，另外，上述液态成分的SP值的11～14、和上述无机微粒的M值的40以下大致对应于比较相近的亲水性(疏水性)。 [0141] 在此，对本发明的电子部件用粘合剂来说适合的是含有将上述液态成分的SP值分为8～11、和11～14，并对应于各自的SP值的范围具有最佳的亲水性(疏水性)的两种以上的无机微粒。

[0142] 作为将上述液态成分的SP值调节为规定的范围内的方法，不特别限定，例如，可以举出考虑这些具有的各个SP值，适当选择而使用的方法等。

[0143] 作为本发明的电子部件用粘合剂，具体来说，在上述液态成分的SP值为8～11(以下，还称为液态成分(1))时，作为无机微粒，优选包含 平均一次粒径的上限为50nm，且疏水化度(M值)的上限为50的无机微粒(A)、和平均一次粒径的上限为50nm且疏水化度(M值)的下限为60的无机微粒(B)。在这样的组成的本发明的电子部件用粘合剂中，对于上述液态成分(1)，上述无机微粒(A)发挥实现上述低渗出性的作用，上述无机微粒(B)发挥赋予适合涂敷的触变性的作用。

[0144] 作为配制上述SP值为下限为8，上限为11的液态成分(1)的方法，具体来说，例如，可以举出使用二环戊二烯型环氧或丁二烯改性环氧、硅酮改性环氧等的方法等。 [0145] 上述无机微粒(A)及无机微粒(B)的平均一次粒径的上限为50nm。若超过50nm，则上述触变性不充分，导致涂敷性变差，或得不到充分的低渗出性。优选的上限为40nm，更优选的上限为30nm。

[0146] 还有，在本说明书中，上述平均一次粒径是指无机微粒的凝聚前的粒径，是在良好分散溶剂中，利用超声波等分散后，利用激光式粒度分布计测定的值。

[0147] 上述无机微粒(A)的M值的上限为50，上述无机微粒(B)的M值的下限为60。若上述无机微粒(A)的M值超过50，则有时上述低渗出性不充分。另外，若上述无机微粒(B)的M值小于60，则上述触变性变得不充分，涂敷性有时变差。

[0148] 还有，在本说明书中，无机微粒的M值是指向加入有上述无机微粒的水中滴落甲醇，测定使无机微粒完全溶胀时的甲醇浓度，得到的所述浓度。

[0149] 在此，作为将上述无机微粒(A)及无机微粒(B)的M值调节为上述范围的方法，不特别限定，例如，可以举出对无机微粒实施表面处理，改变在表面存在的亲水性基的数量的方法、对上述无机微粒实施表面处理，改变在表面存在的疏水性基的数量的方法等。 [0150] 例如，作为上述无机微粒，选择了硅石微粒的情况下，作为利用基于上述表面处理的方法调节该硅石微粒的亲水性(疏水性)的方法，例如，适合的是用-CH3修饰未处理的硅石微粒的表面，调节碳含量，得到M值的上限为50的硅石微粒(E)、及M值的下限为60的硅石微粒(F)的方法。

[0151] 作为调节这样的碳含量的硅石微粒(E)，具体来说，可以举出MT- 10(0.9)、DM-10(0.9)(以上，均为德山公司制)等。另外，作为调节了上述碳含量的硅石微粒(F)，具体来说，例如，可以举出PM-20L(5.5)、HM-30S(3.5)(以上，均为德山公司制)等。还有，在上述各产品名后用括号表示的数值表示碳含量(重量％)。

[0152] 另外，作为上述M值的上限为50的无机微粒(A)，具体来说，例如，可以使用DM-10(48)、MT-10(47)(以上，均为德山公司制)、R-972(48)(Degussa公司制)等。还有，在上述各产品名后用括号表示的数值表示M值。

[0153] 另外，作为上述M值的下限为60的无机微粒(B)，具体来说，例如，可以使用ZD-30ST(62)、HM-20L(64)、PM-20L(65)(以上，均为德山公司制)、RX-200(64)、R202(65)(Degussa公司制)等。还有，在上述各产品名后用括号表示的数值表示M值。 [0154] 作为具有上述M值的无机微粒(A)及无机微粒(B)的总计的含量，相对于含于本发明的电子部件用粘合剂的固化性化合物的总计100重量份，优选的下限为2重量份，上限为10重量份。若小于2重量份，则上述低渗出性或触变性有时不充分，若超过10重量份，则本发明的电子部件用粘合剂的粘合性有时降低。更优选的下限为4重量份，更优选的上限为8重量份。

[0155] 作为上述无机微粒(A)和无机微粒(B)的配合比，相对于无机微粒(A)100重量份，无机微粒(B)的优选的下限为30重量份，优选的上限为600重量份。若小于30重量份，则上述触变性不充分，涂敷性有时变差。若超过600重量份，则上述低渗出性有时不充分。更优选的下限为50重量份，更优选的上限为500重量份。

[0156] 另外，作为本发明的电子部件用粘合剂，具体来说，在上述液态成分的SP值为11～14(以下，还称为液态成分(2))时，作为无机微粒，适合使用包含平均一次粒径的上限为50nm且疏水化度(M值)的上限为40的无机微粒(C)、和平均一次粒径的上限为50nm且疏水化度(M值)的下限为50的无机微粒(D)的无机微粒。在这样的组成的本发明的电子部件用粘合剂中，对于上述液态成分(2)，上述无机微粒(C)发挥实现上述低渗出性的作用，上述无机微粒(D)发挥赋予适合涂敷的触变性的作 用。

[0157] 作为配制上述SP值的下限为11，上限为14的液态成分(2)的方法，具体来说，可以举出使用间苯二酚型环氧、萘型环氧、丙二醇改性环氧等的方法等。

[0158] 上述无机微粒(C)及无机微粒(D)的平均一次粒径的上限为50nm。若超过50nm，则上述触变性不充分，导致涂敷性变差，或得不到充分的低渗出性。优选的上限为40nm，更优选的上限为30nm。

[0159] 上述无机微粒(C)的M值的上限为40，上述无机微粒(D)的M值的下限为50。若上述无机微粒(C)的M值超过40，则上述低渗出性有时不充分。另外，若上述无机微粒(D)的M值小于50，则上述触变性不充分，有时导致涂敷性变差。

[0160] 在此，作为将上述无机微粒(C)及无机微粒(D)的M值调节为上述范围的方法，不特别限定，例如，可以举出与上述无机微粒(A)及无机微粒(B)相同的方法。 [0161] 例如，作为上述无机微粒，选择了硅石微粒的情况下，作为利用基于上述表面处理的方法调节该硅石微粒的亲水性(疏水性)的方法，例如，适合的是用-CH3修饰未处理的硅石微粒的表面，调节碳含量，得到M值的上限为40的硅石微粒(G)、及M值的下限为50的硅石微粒(H)的方法。

[0162] 作为调节这样的碳含量的硅石微粒(G)，具体来说，可以举出QS-40(0)(德山公司制)等。另外，作为调节了上述碳含量的硅石微粒(H)，具体来说，例如，可以举出DM-30(1.7)、KS-20S(2.0)(以上，均为德山公司制)等。还有，在上述各产品名后用括号表示的数值表示碳含量(重量％)。

[0163] 另外，作为上述M值的上限为40的无机微粒(C)，具体来说，例如，可以使用QS-40(0)(德山公司制)等。还有，在上述各产品名后用括号表示的数值表示M值。 [0164] 另外，作为上述M值的下限为50的无机微粒(D)，具体来说，例如，除了上述无机微粒(B)中列举的之外，还可以举出DM-30(52)、KS-20S(56)(以上，均为德山公司制)、R-976(52)(Degussa公司制) 等。还有，在上述各产品名后用括号表示的数值表示M值。 [0165] 作为具有上述M值的无机微粒(C)及无机微粒(D)的总计的含量，相对于含于本发明的电子部件用粘合剂的固化性化合物的总计100重量份，优选的下限为2重量份，上限为10重量份。若小于2重量份，则上述低渗出性或触变性有时不充分，若超过10重量份，则本发明的电子部件用粘合剂的粘合性有时降低。更优选的下限为4重量份，更优选的上限为8重量份。

[0166] 作为上述无机微粒(C)和无机微粒(D)的配合比，相对于无机微粒(C)100重量份，无机微粒(D)的优选的下限为30重量份，优选的上限为600重量份。若小于30重量份，则上述触变性不充分，涂敷性有时变差。若超过600重量份，则上述低渗出性有时不充分。更优选的下限为50重量份，更优选的上限为400重量份。

[0167] 本发明的电子部件用粘合剂例如可以通过向具有固化性化合物及固化剂的粘合组合物，根据需要，以规定量配合具有能够与固化促进剂、固化性化合物反应的官能团的高分子化合物、触变赋予剂、其他添加剂等而混合后，配合间隔微粒的方法来制造。 [0168] 作为上述混合的方法，不特别限定，但例如，可以采用使用均匀分散机、万能搅拌机、班伯里混炼机、捏和机等的方法。

[0169] 作为利用本发明的电子部件用粘合剂接合的电子部件，不特别限定，可以举出半导体芯片、传感器等。另外，还使用于变压器部件用线圈铁心间隙形成用。作为上述变压器部件的线圈铁心，不特别限定，但例如，适合使用于EI型或EE型。

[0170] 可以使用本发明的电子部件用粘合剂，将两个以上的半导体芯片层叠为多层，用密封件等密封而制作半导体装置。这样的半导体装置也是本发明之一。本发明的电子部件用粘合剂在将半导体芯片以十字状层叠的情况下可以尤其适合使用。

[0171] 另外，本发明的电子部件用粘合剂不仅在层叠两个以上的半导体芯片的情况下适合使用，而且作为出于在基板上堆积载置半导体芯片或接合传感器等的目的的粘合剂也适合使用。

[0172] 通过使用本发明的电子部件用粘合剂，能够将两个以上的半导体芯片 层叠，制造半导体芯片层叠体。作为所述制造方法，可以使用如下的方法，即：其是两个以上的半导体芯片隔着本发明的电子部件用粘合剂层叠的半导体芯片层叠体的制造方法，包括：在一个半导体芯片上涂敷所述电子部件用粘合剂的涂敷工序(1)；隔着在所述一个半导体芯片上涂敷的电子部件用粘合剂层叠其他半导体芯片的半导体芯片层叠工序(2)；使所述一个半导体芯片和其他半导体芯片之间的电子部件用粘合剂固化的固化工序(3)，在所述涂敷工序(1)中，将所述电子部件用粘合剂涂敷于所述一个半导体芯片的与所述其他半导体芯片层叠的区域的外缘部及中央部，且使外缘部上的所述电子部件用粘合剂的涂敷量为中央部上的涂敷量的2～5倍。这样的半导体芯片层叠体的制造方法也是本发明之一。 [0173] 作为使用本发明的电子部件用粘合剂层叠的半导体芯片，不特别限定，可以使用于各种半导体芯片。

[0174] 其中，本发明的电子部件用粘合剂显示上述粘度特性，因此，例如，在层叠引线接合连接型半导体芯片的情况下也适合使用。尤其，如图1所示，适合使用于使用本发明的电子部件用粘合剂，埋入引线6，经由间隔微粒2，层叠在基板5上配置的半导体芯片3及4的情况。还有，图1是以示意性表示使用本发明的电子部件用粘合剂层叠的半导体芯片的一例的剖面图。

[0175] 若使用本发明的电子部件用粘合剂，则由于上述粘度特性的原因，间隔微粒不会向引线接合用连接电极部流出，从而，不发生间隔微粒与引线接触等不妥善情况，因此适合。这是因为，在层叠半导体芯片的工序中，半导体芯片间距离接近间隔微粒的粒径的情况下，由于上述粘度特性的原因，间隔微粒难以移动，间隔微粒不会向引线接合用连接电极部流出。

[0176] 另外，层叠的半导体芯片可以为相同形状，也可以为不相同形状。 [0177] 进而，也可以在1的基板上，以厚度不同的半导体芯片相邻的方式排列两个以上，将包含这些两个以上的半导体芯片两者的大小的半导体芯片层叠于上述两个以上半导体芯片上。在那样的情况下，优选对应于芯片间，适当使用间隔微粒的粒径不同的多种粘合剂。

[0178] 进而，也可以在1的基板上，以厚度不同的半导体芯片相邻的方式排列两个以上时，对应于半导体芯片的厚度，适当使用间隔微粒的粒径不同 的多种粘合剂，使厚度不同的半导体芯片的上表面高度相等，在其上层叠包含该厚度不同的半导体芯片两者的大小的半导体芯片。

[0179] 在本发明的半导体芯片层叠体的制造方法中，首先，进行在1的半导体芯片上涂敷上述电子部件用粘合剂的涂敷工序(1)。

[0180] 在上述涂敷工序(1)中，将上述电子部件用粘合剂涂敷于上述1的半导体芯片的层叠上述其他半导体芯片的区域的外缘部及中央部。通过在这样的区域涂敷上述电子部件用粘合剂，提高半导体芯片之间的粘合性。

[0181] 另外，在上述涂敷工序(1)中，外缘部上的上述电子部件用粘合剂的涂敷量设为中央部上的涂敷量的2～5倍。这样，通过将外缘部上的涂敷量设为比中央部上的涂敷量多，在后述的半导体芯片层叠工序(2)中，使半导体芯片之间对位后，进行按压的情况下，能够使电子部件用粘合剂没有不均地向接合部均一地转移，其结果，得到的半导体芯片层叠体的可靠性高。若外缘部上的涂敷量小于中央部上的涂敷量的两倍，则到达期望的芯片间距离时需要压力、时间，因此，生产率降低，若超过5倍，则发生空隙的卷入。优选3～4倍。

[0182] 还有，上述外缘部是指将相当于自上述1的半导体芯片的层叠上述其他半导体芯片的区域的中心至外周的距离的0.7～0.9倍的点的集合作为外周的情况下的、由内周和外周包围的区域。另外，上述中央部是指上述自重心的距离相当于上述自重心至外周的距离的0.7～0.9倍，将比内周靠向内侧的点的集合作为最内周的情况下的、包围在最内周的区域。

[0183] 作为上述涂敷工序(1)中的涂敷方法，不特别限定，例如，可以使用组合安装有精密喷嘴的注射器等和分配器等来使用而涂敷的方法等。

[0184] 在上述涂敷工序(1)中，作为涂敷电子部件用粘合剂时的高度，不特别限定，但优选期望的芯片间距离的2～10倍。尤其，在期望的芯片间距离为50μm以下及/或半导体2
芯片的主面的面积为80mm 以上的情况下，涂敷的高度的优选的上限为300μm，更优选的上限为200μm。

[0185] 在本发明的半导体芯片层叠体的制造方法中，其次，进行隔着在上述1的半导体芯片上涂敷的电子部件用粘合剂层叠其他半导体芯片的半导体芯片层叠工序(2)。在上述半导体芯片层叠工序(2)中，通过相隔电子部件用粘合剂使半导体芯片之间对位而层叠。 [0186] 在上述半导体芯片层叠工序(2)中，优选对在1的半导体芯片上层叠的其他半导体芯片进行按压。通过进行上述按压，将电子部件用粘合剂的剩余部分充分地排出，能够利用间隔微粒将半导体芯片间的间隔支撑地层叠。

[0187] 上述按压优选以0.01～0.5Mpa的压力进行0.1～5秒钟。若小于0.01Mpa，或小于0.1秒，则通过进行按压引起的效果有时不充分，若施加超过0.5MPa的压力，或超过5秒，则有时难以生产率良好地制造半导体芯片层叠体。更优选以0.05～0.2MPa按压。 [0188] 在上述半导体芯片层叠工序(2)中，优选通过进行上述按压，将芯片间距离缩小至期望的芯片间距离的1～1.2倍。此时，芯片间距离大于间隔微粒的粒径的情况下，优选在后述的固化工序(3)中，使电子部件用粘合剂回流(reflow)，由此使芯片间距离和间隔微粒的粒径基本上相同。

[0189] 在本发明的半导体芯片层叠体的制造方法中，其次，进行使上述1的半导体芯片和其他半导体芯片之间的电子部件用粘合剂固化的固化工序(3)。通过使上述电子部件用粘合剂固化，能够得到半导体芯片层叠体。还有，上述固化工序每次层叠一个半导体芯片时进行也可，在将半导体芯片的层叠重复至期望的次数之后一次性进行也可。 [0190] 作为上述固化的方法，不特别限定，可以适当选择使用对应于电子部件用粘合剂的固化特性的固化条件，但为了防止卷入空隙，或提高芯片间距离的精度，优选在基本上不开始固化的70～120℃下预熟化(precure)后，在120～200℃下进行固化的方法。 [0191] 在上述固化工序(3)后得到的半导体芯片层叠体的芯片间距离的不均优选为3σ下小于5μm。若不均为3σ下5μm以上，则有时发生引线接合不合格、倒装片接合不合格。还有，σ表示标准偏差。

[0192] 根据本发明可知，能够提供能够在接合两个以上半导体芯片等电子部件时以高精度保持电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的半导体装置等电子部件的电子部件用粘合剂、使用了该电子部件用粘合剂的半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置。 附图说明

[0193] 图1是以示意性表示使用了本发明的电子部件用粘合剂而层叠的半导体芯片的一例的剖面图。

具体实施方式

[0194] 以下，公开实施例，更详细说明本发明，但本发明不仅限定于这些。还有，在实施例及比较例中记载的粒径的测定中使用了微粒尺寸测定机(库尔特计数器(coulter counter)ZB/C-1000、库尔特电子设备公司制)，在K值及压缩恢复率的测定中使用压缩试验微小压缩试验机(菲希尔科普H100C、菲希尔仪器公司制)。

[0195] (实施例1～2、比较例1～3、参考例1)

[0196] (1)电子部件用粘合剂的制作

[0197] 按照表1的组成，使用均匀分散机，搅拌混合下述所示的间隔微粒以外的各材料，制作粘合组合物。向得到的粘合组合物，按照表1的组成，配合间隔微粒，进而使用均匀分散机搅拌混合，由此制作电子部件用粘合剂。

[0198] (固化性化合物)

[0199] 二环戊二烯型环氧树脂(HP-7200HH、大日本油墨化学工业公司制)

[0200] 萘型环氧树脂(HP-4032D、大日本油墨化学工业公司制、常温下为液态) [0201] 芴型环氧树脂(EX1020、长濑产业公司制、熔点30℃)

[0202] 低粘度环氧树脂(EP-4088S旭电化工业公司制、粘度250mPa·s/25℃) [0203] (固化剂)

[0204] 酸酐(YH-307、日本环氧树脂公司制)

[0205] (固化促进剂)

[0206] 咪唑化合物(2MA-OK、四国化成工业公司制)

[0207] (触变赋予剂)

[0208] 烘制硅石(AEROSIL R202S、日本阿罗基乐公司制)

[0209] (具有环氧基的高分子化合物)

[0210] 含环氧基丙烯酸树脂(布雷马CP-30、日本环氧树脂公司制)

[0211] (橡胶改性环氧树脂)

[0212] CTBN改性环氧树脂(EPR-4023、旭电化工业公司制)

[0213] (间隔微粒)

[0214] 树脂微粒(微珠SP-210、积水化学工业公司制、平均粒径：10μm、CV值＝4％) [0215] 球状硅石(S430-2、麦克隆公司制、平均粒径：8.4um、CV值＞10％) [0216] (2)半导体芯片层叠体的制作

[0217] 将得到的电子部件用粘合剂填充于10mL注射器(岩下工程公司制)，在注射器的前端安装精密喷嘴(岩下工程公司制、喷嘴前端直径0.3mm)，使用分配器装置(SHOT MASTER300、武藏工程公司制)，在喷出压力0.4MPa、半导体芯片和针的间隙200μm、涂敷量5mg下，涂敷于玻璃基板上。涂敷量为(接合部分的外周部上的涂敷量/中央部上的涂敷量)＝4。

[0218] 在进行涂敷后，使用倒装片固定器(DB-100、涉谷工业公司制)，以0.15MPa的压力，将周围具有172个110μm的垫开口部的半导体芯片(芯片1)(厚度80μm、8mm×12mm见方、网孔状图案、铝配线：厚度0.7μm、L/S＝15/15、表面的氮化硅膜的厚度：1.0μm)按压5秒钟，由此将其层叠。其次，使用上述分配器装置，在芯片1上涂敷电子部件用粘合剂，使用上述接合装置，载置与芯片1相同的半导体芯片(芯片2)，并使芯片1的长边和芯片2的长边交叉，在温度25℃下，以0.15MPa按压5秒钟，由此将其层叠。然后，在热风干燥炉内，在80℃下放置60分钟后，在150℃下进行60分钟加热，使电子部件用粘合剂固化，由此制作半导体芯片层叠体。

[0219] (评价)

[0220] 关于上述实施例1～2、比较例1～3及参考例1中得到的电子部件用粘合剂及半导体芯片层叠体，通过以下的方法来进行评价。

[0221] 结果示出在表1中。

[0222] (粘度的测定)

[0223] 使用E型粘度测定装置(商品名：VISCOMETER TV-22、TOKISANGYO CO.LTD公司制、使用转动体：Φ15mm、设定温度：25℃)，测定转速0.5rpm下的粘度(A)、1rpm下的粘度(B)、及10rpm下的粘度(C)。 另外，作为这些粘度之比，求出(A/B)及(B/C)。

[0224] (流挂量(amount of sagging))

[0225] 在硅片上以成为直径1cm、高度1mm的方式涂敷得到的电子部件用粘合剂后，将硅片垂直地静置，测定25℃下的电子部件用粘合剂的移动量。

[0226] (芯片间距离的不均、空间到达度)

[0227] 关于实施例1～2、比较例1～3及参考例1中得到的半导体芯片层叠体，制作10个样品，使用激光变位计(KS-1100、KEYENCE公司制)测定各半导体芯片层叠体的层叠状态。具体来说，测定与芯片1和芯片2的上表面的高低差，由该测定值减去芯片厚度，由此求出芯片1和芯片2之间的芯片间距离，然后将芯片间距离的不均算出为3σ(σ；标准偏差)。另外，将(芯片间距离/间隔微粒的平均粒径)算出为空间到达度。

[0228] (耐热性试验)

[0229] 在125℃下干燥得到的半导体芯片层叠体6小时，接着，在30℃、80％的湿润条件下处理48小时后，在与焊锡回流时相同的260℃、30秒的条件下进行加热处理。还有，关于进行三次这样的加热处理后的半导体芯片层叠体，观察是否发生了层间剥离。层间剥离的观察使用超声波探查影像装置(mi-scope hyper II、日立建机范提克公司制)而进行。 [0230] 另外，用混酸除去使用于半导体芯片层叠体的电子部件用粘合剂，观察在半导体芯片的表面的氮化硅保护膜是否发生了破裂。

[0231] 关于层间剥离及保护膜的破裂，通过以下述基准进行评价，进行半导体芯片层叠体的耐热性评价。

[0232] ○：没有观察到层间剥离及保护膜的破裂。

[0233] △：略观察到层间剥离或保护膜的破裂。

[0234] ×：观察到层间的明显的剥离或保护膜的明显的破裂。

[0235] (温度周期试验)

[0236] 关于得到的半导体芯片层叠体，在-55℃下进行以9分钟为一个周期的温度周期试验，在125℃下以9分钟为一个周期的温度周期试验，对进行1000周期后的半导体芯片层叠体，观察是否发生了层间剥离。另外，用混酸除去使用于半导体芯片层叠体的电子部件用粘合剂，观察在半导体芯片表面的氮化硅保护膜是否发生了破裂。

[0237] 关于层间剥离及保护膜的破裂，通过下述基准进行评价。

[0238] ○：没有观察到层间剥离及保护膜的破裂。

[0239] △：略观察到层间剥离或保护膜的破裂。

[0240] ×：观察到层间的明显的剥离或保护膜的明显的破裂。

[0241] [表1]

[0242]

[0243] (实施例3～7、比较例4～7)

[0244] 按照表2的组成，使用均匀分散机，搅拌混合下述所示的间隔微粒以外的各材料，制作粘合组合物。向得到的粘合组合物，按照表2的组成，配合间隔微粒，进而使用均匀分散机搅拌混合，由此制作电子部件用粘合剂。还有，在表2中，各组成的配合量表示重量份。 [0245] (环氧化合物(A))

[0246] 苯酚型环氧(EX-201、长濑产业公司制、单体、25℃下为结晶固体、熔点30～60℃、50℃下的粘度250mPa·s)

[0247] 结晶性环氧树脂(YSLV-80XY、东都化成公司制、单体、25℃下为结晶固体、熔点80℃、80℃下的粘度1Pa·s)

[0248] (环氧化合物(B))

[0249] 二环戊二烯型环氧(EP-4088S、艾迪可公司制、单体)

[0250] 二环戊二烯型环氧化合物(HP-7200、大日本油墨化学工业公司制、5聚体) [0251] (其他环氧化合物)

[0252] 双酚A型环氧化合物(EP828、日本环氧树脂公司制、50℃下的粘度2Pa·s) [0253] 萘型环氧化合物(HP-4032D、常温液态、大日本油墨化学工业公司制、50℃下的粘度5Pa·s)

[0254] 双酚A型环氧化合物(EP-1001、日本环氧树脂公司制、常温固体、80℃下的粘度为20Pa·s)

[0255] 苯酚型环氧化合物(EX-141、长濑产业公司制、常温液态、50℃下的粘度7mPa·s) [0256] NBR改性双A型环氧化合物(EPR-4030、艾迪可公司制、常温液态、50℃下的粘度50Pa·s)

[0257] (含环氧基丙烯酸系高分子化合物)

[0258] 含环氧基丙烯酸树脂(布雷马CP-30、日本环氧树脂公司制)

[0259] (固化剂)

[0260] 酸酐(YH-307、日本环氧树脂公司制)

[0261] (固化促进剂)

[0262] 咪唑化合物(2MA-OK、四国化成工业公司制)

[0263] 增粘剂(R202、日本埃罗吉尔公司制)

[0264] (粘合性赋予剂)

[0265] 咪唑硅烷偶合剂(SP-1000、日矿马铁利公司制)

[0266] (间隔微粒)

[0267] 树脂微粒(微珠SP-210、积水化学工业公司制、平均粒径：10μm、CV值＝4％) [0268] (半导体芯片层叠体的制作)

[0269] 将得到的电子部件用粘合剂填充于10mL注射器(岩下工程公司制)，在注射器的前端安装精密喷嘴(岩下工程公司制、喷嘴前端直径0.3mm)，使用分配器装置(SHOT MASTER300、武藏工程公司制)，在喷出压力0.4MPa、半导体芯片和针的间隙200μm、涂敷量5mg下，涂敷于玻璃基板上。涂敷量为(接合部分的外周部上的涂敷量/中央部上的涂敷量)＝4。

[0270] 在进行涂敷后，使用倒装片固定器(DB-100、涉谷工业公司制)，以0.15MPa的压力，在温度60℃或80度下，将周围具有172个110μm的垫开口部的半导体芯片(芯片1)(厚度80μm、8mm×12mm见方、网孔状图案、铝配线：厚度0.7μm、L/S＝15/15、表面的氮化硅膜的厚度：1.0μm)按压5秒钟，由此将其层叠。其次，使用上述分配器装置，在芯片1上涂敷电子部件用粘合剂，使用上述接合装置，载置与芯片1相同的半导体芯片(芯片2)，并使芯片1的长边和芯片2的长边交叉，在温度60℃或80℃下，以0.15MPa按压5秒钟，由此将其层叠。然后，在热风干燥炉内，在80℃下放置60分钟后，在150℃下进行60分钟加热，使电子部件用粘合剂固化，由此制作半导体芯片层叠体。

[0271] (评价)

[0272] 关于上述实施例3～7及比较例4～7中得到的电子部件用粘合剂及半导体芯片层叠体，通过以下的方法来进行评价。结果示出在表2中。

[0273] (粘度的测定(1))

[0274] 使用E型粘度测定装置(商品名：VISCOMETER TV-22、TOKISANGYO CO.LTD公司制、使用转动体：Φ15mm、设定温度：25℃)，测定转速0.5rpm下的粘度(A)、1rpm下的粘度(B)、及10rpm下的粘度(C)。 另外，作为这些粘度之比，求出(A/B)及(B/C)。

[0275] (粘度的测定(2))

[0276] 使用E型粘度测定装置(商品名：VISCOMETER TV-22、TOKISANGYO CO.LTD公司制、使用转动体：Φ15mm、设定温度：25℃)，测定转速10rpm下的粘度、60℃或80℃下的10rpm下的粘度。

[0277] (涂敷形状保持性)

[0278] 将在玻璃基板上涂敷后，涂敷形状从刚涂敷后至贴合为止的期间发生形状变形，不能保持适当的形状的评价为×，将在从刚涂敷后至贴合为止的期间能够保持适当的系以上的评价为○。

[0279] (芯片间距离的不均)

[0280] 关于实施例3～7、及比较例4～7中得到的半导体芯片层叠体，制作10个样品，使用激光变位计(KS-1100、KEYENCE公司制)测定各半导体芯片层叠体的层叠状态。具体来说，测定与芯片1和芯片2的上表面的高低差，由该测定值减去芯片厚度，由此求出芯片1和芯片2之间的芯片间距离，然后将芯片间距离的不均算出为3σ(σ；标准偏差)。 [0281] (回流裂纹的产生的有无)

[0282] 在85℃、85％的恒温高湿度烤箱中将得到的半导体芯片层叠体放置24小时后，投入230℃以上为20秒以上且最高温度为260℃的IR回流炉中。在投入后，利用超声波探查损伤装置(SAT)观察了半导体装置的回流裂纹的产生的有无。还有，在表2中，将回流裂纹的产生数量表示为不合格率。

[0283] (综合评价)

[0284] 作为实施例3～7及比较例4～7中得到的电子部件用粘合剂及半导体芯片层叠体的综合评价，通过以下的基准进行评价。

[0285] ◎：是涂敷形状保持性优越，能够极高精度地控制芯片间距离，且能够得到回流裂纹可靠性高的半导体芯片层叠体的粘合剂。

[0286] ○：是涂敷形状保持性优越，能够极高精度地控制芯片间距离，但得到回流裂纹可靠性略差的半导体芯片层叠体的粘合剂。

[0287] ×：是能够精度良好地控制芯片间距离的粘合剂。

[0288] [表2]

[0289]

[0290] (实施例8～10、比较例8)

[0291] 按照表3的组成，使用均匀分散机，搅拌混合下述所示的间隔微粒以外的各材料，制作粘合组合物。向得到的粘合组合物，按照表2的组成，配合间隔微粒，进而使用均匀分散机搅拌混合，由此制作电子部件用粘合剂。还有，在表3中，各组成的配合量表示重量份。 [0292] (环氧化合物)

[0293] 两末端双酚A缩水甘油醚改性聚丁二烯(EPB-13、日本曹达公司制、常温半固体) [0294] 两末端缩水甘油醚改性环氧丙烷(EX-941、长濑产业公司制、常温液体) [0295] (其他环氧化合物)

[0296] 双酚A型环氧化合物(EP-828、日本环氧树脂公司制、50℃下的粘度：2Pa·s) [0297] (固化剂)

[0298] 双官能酸酐固化剂(YH-306、日本环氧树脂公司制、常温下为液体) [0299] 四官能酸酐固化剂构成的微粒(B-4400、大日本油墨公司制、常温下为固体、平均粒径3μm)

[0300] (固化促进剂)

[0301] 咪唑化合物(2MA-OK、四国化成工业公司制)

[0302] (反应性稀释剂)

[0303] 二环戊二烯型环氧(EP-4088S、艾迪可公司制、单体)

[0304] (触变赋予剂)

[0305] 疏水性烘制硅石(MT-10、德山公司制)

[0306] (粘合性赋予剂)

[0307] 咪唑硅烷偶合剂(SP-1000、日矿马铁利公司制)

[0308] (间隔微粒)

[0309] 树脂微粒(微珠SP-210、积水化学工业公司制、平均粒径：10μm、CV值＝4％) [0310] (评价)

[0311] 关于实施例8～10及比较例8中配制的电子部件用粘合剂，进行以下 的评价。结果示出在表3中。

[0312] (粘度的测定)

[0313] 使用E型粘度测定装置(商品名：VISCOMETER TV-22、TOKISANGYO CO.LTD公司制、使用转动体：Φ15mm、设定温度：25℃)，测定转速0.5rpm下的粘度(A)、1rpm下的粘度(B)、及10rpm下的粘度(C)。另外，作为这些粘度之比，求出(A/B)及(B/C)。

[0314] (牵引强度的测定)

[0315] 将在实施例8～10及比较例8中配制的电子部件用粘合剂放入2mm×5mm×50mm的模具中，在170℃、15分钟下固化后，用手牵引固化物，将轻易拉裂的设为×，按强度变强的顺序设为△、○。还有，将不被拉裂的设为◎。

[0316] (半导体芯片层叠体的制作)

[0317] 将得到的电子部件用粘合剂填充于10mL注射器(岩下工程公司制)，在注射器的前端安装精密喷嘴(岩下工程公司制、喷嘴前端直径0.3mm)，使用分配器装置(SHOT MASTER300、武藏工程公司制)，在喷出压力0.4MPa、半导体芯片和针的间隙200μm、涂敷量5mg下，涂敷于玻璃基板上。涂敷量为(接合部分的外周部上的涂敷量/中央部上的涂敷量)＝4。

[0318] 在进行涂敷后，使用倒装片固定器(DB-100、涉谷工业公司制)，以0.1MPa的压力，在常温下将周围具有172个110μm的垫开口部的半导体芯片(芯片1)(厚度80μm、10mm×10mm见方、网孔状图案、铝配线：厚度0.7μm、L/S＝15/15、表面的氮化硅膜的厚度：
1.0μm)按压5秒钟，由此将其层叠。在170℃下进行15分钟加热，使电子部件用粘合剂固化，由此制作半导体芯片层叠体。

[0319] (半导体芯片的翘起量的测定)

[0320] 利用激光变位计(KEYENCE公司制LT9010M、KS-1100、)，沿制作的半导体芯片层叠体的半导体芯片的对角线测定翘起量。

[0321] (引线接合性评价)

[0322] 与半导体芯片层叠体相同地，在基板上层叠半导体芯片(芯片2)(厚度80μm、3mm×3mm见方、网孔状图案、铝配线：厚度0.7μm、L/S＝15/15、表面的氮化硅膜的厚度：
1.0μm)。然后，将该层叠体在170℃下固化15 分钟。还有，使用引线接合机UTC2000(新川公司制)，用直径25μm的引线进行引线接合。在引线颈部牵引该引线，将在引线颈部断开的设为○，在接合部分断开的设为×。

[0323] (耐回流性评价)

[0324] 在85℃、85％的恒温高湿度烤箱中将得到的半导体芯片层叠体放置24小时后，投入230℃以上为20秒以上且最高温度为260℃的IR回流炉中三次。在投入后，利用超声波探查损伤装置(SAT)观察了半导体装置的回流裂纹的产生的有无，通过以下的基准进行评价。

[0325] ◎：回流裂纹产生数0/6

[0326] ○：回流裂纹产生数1/6

[0327] (综合评价)

[0328] 作为实施例8～10及比较例8中配制的电子部件用粘合剂及半导体芯片层叠体的综合评价，将评价为半导体芯片的翘起的评价为50μm以下的样品设为“◎”，将半导体芯片的翘起的评价小于100的样品设为“○”，将半导体芯片的翘起的评价为100μm以上的样品设为“×”。

[0329] [表3]

[0330]

[0331] 产业上的可利用性

[0332] 根据本发明可知，能够提供能够在接合两个以上半导体芯片等电子部件时以高精度保持电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的半导体装置等电子部件的电子部件用粘合剂、使用了该电子部件用粘合剂的半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置。