用于阵列测试装置的调制器

摘要

本发明公开了一种用于阵列测试装置的调制器。该调制器包括：调制器本体，其以可升高方式与固定块的下表面接合，并且包括在其自身与基板上的电极之间产生电场的调制器电极单元以及改变预定特性的特性改变单元；多个多孔单元，调制器本体的每一侧布置有至少一个多孔单元并且多孔单元包括多孔材料单元，每一个多孔材料单元通过多个细孔沿基板方向排放真空压力；以及至少一个或多个负压供应管，其穿透至少一个多孔材料单元并通过穿透管的端部沿基板方向排放预定的负压力。

权利要求

1.一种包含在阵列测试装置中的调制器，所述阵列测试装置测试形成于基板上的电极的电缺陷，所述调制器包括：调制器本体，其以可升高方式与固定块的下表面接合，并且所述调制器本体包括在其自身与所述基板上的电极之间产生电场的调制器电极单元以及改变预定特性的特性改变单元；

多个多孔单元，所述调制器本体的每一侧布置有至少一个多孔单元并且所述多孔单元包括多个多孔材料单元，每一个多孔材料单元通过多个细孔沿所述基板的方向排放真空压力；以及至少一个或多个负压供应管，其穿透至少一个多孔材料单元并通过负压供应管的端部沿所述基板的方向排放预定的负压力，其中，所述多孔单元包括：多个低压多孔材料单元，在所述调制器本体的一个和另一个外侧上，每个低压多孔材料单元布置在与基于调制器本体中央的虚拟三角形的顶点对应的位置处，并且所述至少一个或多个负压供应管布置为穿透所述低压多孔材料单元；以及多个高压多孔材料单元，在所述调制器本体的所述一个和另一个外侧上，每个高压多孔材料单元布置在与基于调制器本体中央的虚拟倒置三角形的顶点对应的位置处，并且与所述低压多孔材料单元相比向所述基板排放更高的压力。

2.根据权利要求1所述的调制器，其中，从所述调制器本体变得靠近所述基板的时刻到所述调制器本体与所述基板之间的距离在靠近之后稳定下来的时刻，所述负压供应管向所述基板排放负压力。

3.根据权利要求1所述的调制器，其中，当需要在所述调制器与所述基板之间获得足够的距离时，从所述低压多孔材料单元和所述高压多孔材料单元向所述基板排放真空压力气体，而当所述调制器本体靠近所述基板时或者当进行阵列测试时，从所述低压多孔材料单元向所述基板排放真空压力并且外部空气进入所述负压供应管。

4.一种包含在阵列测试装置中的调制器，所述阵列测试装置测试形成于基板上的电极的电缺陷，所述调制器包括：调制器本体，其以可升高方式与固定块的下表面接合，并且所述调制器本体包括在其自身与所述基板上的电极之间产生电场的调制器电极单元以及改变预定特性的特性改变单元；

多个多孔单元，所述调制器本体的每一侧布置有至少一个多孔单元并且所述多孔单元包括多个多孔材料单元，每一个多孔材料单元通过多个细孔沿所述基板的方向排放真空压力；

至少一个或多个负压供应管，其穿透至少一个多孔材料单元并通过负压供应管的端部沿所述基板的方向排放预定的负压力；以及其中，所述多孔单元包括：多个低压多孔材料单元，在所述调制器本体的一个和另一个外侧上，每个低压多孔材料单元布置在与基于调制器本体中央的虚拟三角形的顶点对应的位置处，并且所述负压供应管布置为穿透所述低压多孔材料单元；

多个高压供应管，在所述调制器本体的一个和另一个外侧上，每个高压供应管布置在与基于调制器本体中央的虚拟倒置三角形的顶点对应的位置处，并且与低压多孔材料单元相比向基板排放更高的压力。

5.根据权利要求4所述的调制器，其中，所述低压多孔材料单元沿所述调制器本体的一个外侧和另一个外侧延伸，并且所述高压供应管布置成穿透所述低压多孔材料单元。

6.根据权利要求4所述的调制器，其中，当需要在所述调制器与所述基板之间获得足够的距离时，从所述低压多孔材料单元和所述高压供应管向所述基板排放真空压力气体，而当所述调制器本体靠近所述基板时或者当进行阵列测试时，从所述低压多孔材料单元向所述基板排放真空压力并且外部空气进入所述负压供应管。

说明书

用于阵列测试装置的调制器

[0001] 相关申请参考

[0002] 本申请要求于2008年1月28日提交的韩国专利申请第10-2008-0008665号的优先权，其全部公开内容结合于此作为参考。

技术领域

[0003] 下面的描述涉及一种包含在阵列测试装置中的调制器，该阵列测试装置测试形成于基板上的电极是否有电缺陷，并且更具体地说，涉及一种用于阵列测试装置的调制器，该调制器布置在离基板的预定距离处并且根据形成于基板上的电极与调制器上的电极之间的电场的大小来改变特定的特性。

背景技术

[0004] 电光装置是利用提供的电能产生光的装置，并且包括平板显示器，诸如液晶显示器(LCD)和等离子显示面板(PDP)。电光装置通常具有形成于上基板与下基板之间的电极。例如，薄膜晶体管(TFT)LCD基板包含TFT基板、滤色片、共用电极、以及介于滤色片基板与相对的TFT基板之间的液晶和背光。

[0005] 在此情况下，TFT基板上的TFT电极的缺陷由阵列测试装置检测。阵列检测装置包含调制器，该调制器包含调制器电极单元，用于在其自身与TFT电极之间产生电场。

[0006] 因此，当调制器靠近TFT面板并且对各调制器电极和TFT电极施加预定电压时，调制器电极与TFT电极之间便产生了电场。此时，当TFT面板上的电极有缺陷时，电场的大小小于没有缺陷时电场的大小，从而根据检测到的电场大小确定TFT电极上是否存在缺陷。 [0007] 在对基板电极上是否存在缺陷进行测试期间，调制器电极和基板电极应该彼此平行。此外，当在调制器与基板之间形成足够的电场时，为避免由于基板与调制器之间的碰撞或接触而刮伤或者损坏，基板与调制器之间最为接近，距离在几到几十μm之间。 [0008] 此外，当调制器相对基板移动以测试基板上的其他电极时，基板和调制器彼此应该隔开足够的距离。

[0009] 通常地，为调节基板与调制器之间的距离，调制器包括沿基板方向排放预定压力的空气的多个喷嘴单元。在此情况下，喷嘴单元包括低压喷嘴单元和高压喷嘴单元并且以交替方式布置在调制器的一侧和另一侧。

[0010] 从而，当基板和调制器相对于彼此移动时，低压喷嘴单元和高压喷嘴单元同时动作以增大基板与调制器之间的距离，并且当调制器测试基板电极上的电缺陷时，只有低压喷嘴单元动作以减小基板与调制器之间的距离。在此情况下，在用于排放空气的喷嘴单元的控制下，调制器被布置成自由升降。

[0011] 然而，当通过使用喷嘴单元而调整基板与调制器之间的距离时，被来自喷嘴单元的空气覆盖的面积是有限的，并且基板和调制器稳定地平行于彼此时的时间点也是有限的。此外，由于调制器在平行于基板之前的下降，所以难以避免调制器的晃动。特别地，当高压喷嘴单元和低压喷嘴单元动作以使调制器和基板相对于彼此移动并且通过停止高压喷嘴单元而只运转低压喷嘴单元以使基板与调制器之间的距离变得最短以便测试基板电极上的电缺陷时，上述问题变得更为严重。

[0012] 这样，因为高压空气未从高压喷嘴单元分散到基板上，所以调制器沿着基板的方向下降。由于该下降，调制器变得剧烈晃动，并且来自低压喷嘴单元的空气覆盖的面积不足以稳定和停止调制器的晃动。

[0013] 当调制器剧烈晃动时，调制器可能会与基板撞击或者接触，从而可能会发生基板或调制器的刮伤损坏。

[0014] 发明内容

[0015] 本发明公开了一种包含在阵列测试装置中的调制器，该阵列测试装置测试形成于基板上的电极的电缺陷，该调制器包括：调制器本体，其以可升高方式与固定块的下表面接合，并且包括在其自身与基板上的电极之间形成电场的调制器电极单元以及改变预定特性的特性改变单元；多个多孔单元，调制器本体的每一侧布置有至少一个多孔单元并且该多孔单元包括多个多孔材料单元，每一个多孔材料单元通过多个细孔沿基板方向排放真空压力；以及至少一个或多个负压供应管，其穿透至少一个多孔材料单元并通过穿透管的端部沿基板方向排放预定的负压力。

[0016] 多孔单元可以包括：低压多孔材料单元，在调制器本体的一个和另一个外侧上，每个低压多孔材料单元布置在与基于调制器本体中央的虚拟三角形的顶点对应的位置处，并且所述至少一个或多个负压供应管可以布置为穿透低压多孔材料单元。 [0017] 从调制器本体变得靠近基板的时刻到调制器本体与基板之间的距离在靠近之后稳定下来的时刻，负压供应管可以向基板排放负压力。

[0018] 调制器可以进一步包括多个高压多孔材料单元，在调制器本体的一个和另一个外侧上，每个高压多孔材料单元布置在与基于调制器本体中央的虚拟倒置三角形的顶点对应的位置处，并且与低压多孔材料单元相比向基板排放更高的压力。

[0019] 当需要在调制器与基板之间获得足够的距离时，可以从低压多孔材料单元和高压多孔材料单元向基板排放真空压力气体，而当调制器本体靠近基板时或者当进行阵列测试时，可以从低压多孔材料单元和负压供应管向基板排放真空压力。

[0020] 调制器可以进一步包括多个高压供应管，在调制器本体的一个和另一个外侧上，每个高压供应管布置在与基于调制器本体中央的虚拟倒置三角形的顶点对应的位置处。 [0021] 低压多孔材料单元可以沿调制器本体的一个外侧和另一个外侧延伸，并且高压供应管可以布置成穿透低压多孔材料单元。

[0022] 当需要在调制器与基板之间获得足够的距离时，可以从低压多孔材料单元和高压多孔材料单元向基板排放真空压力气体，而当调制器本体靠近基板时或者当进行阵列测试时，可以从低压多孔材料单元和负压供应管向基板排放真空压力。

[0023] 通过下面的详细描述，其他特征对本领域普通技术人员来说将显而易见，其中下面的详细描述与附图一起公开了本发明的示例性实施例。

[0024] 附图说明

[0025] 图1是根据示例性实施例的包含调制器的阵列测试装置的示意性透视图。 [0026] 图2是根据示例性实施例的阵列测试装置的调制器的透视图。

[0027] 图3A和图3B是图2中A部分的放大视图。

[0028] 图4是图2中的调制器本体、多孔单元以及负压供应管的平面图。 [0029] 图5是沿线V-V截取的截面图。

[0030] 图6A和图6B是示出了图2调制器中的多孔材料单元以及负压供应单元的操作的透视图。

[0031] 图7是对图2中的调制器修改后的调制器的平面图。

[0032] 图8A和图8B是示出了包含在图7调制器中的多孔材料单元、负压供应单元、以及高压供应管的操作的截面图。

具体实施方式

[0033] 提供下面的详细描述以帮助读者对这里描述的方法、装置和/或系统获得全面的理解。因此，将对本领域普通技术人员建议对这里描述的系统、装置和/或方法的各种改变、修改和等同物。而且，省去对众所周知的功能和结构的描述，以便更加清楚和简洁。

[0034] 图1是根据示例性实施例的包含调制器100的阵列测试装置10的示意性透视图。阵列测试装置10是用于测试基板2上的电极的电缺陷的装置。

[0035] 基板2可以是平板显示面板上的面板，并且例如，可以是TFT液晶显示(LCD)基板上的薄膜晶体管(TFT)面板。

[0036] 阵列测试装置10可以包括测试组件50、装载单元20、测试单元30、以及卸载单元40。

[0037] 装载单元20可以包括至少两个或多个装载板22。这些装载板22彼此间隔地布置在一行，使得待测试的基板被支撑并移动至测试单元30。

[0038] 测试单元30布置在装载单元20的一侧，并测试沿装载板22传送的面板的电缺陷。

[0039] 测试组件50布置在测试单元30的上部、或者下部、或者上部和下部，并检测测试板的基板上的电极是否有缺陷。测试组件50可以进一步包括邻近基板电极布置的调制器100以及对是否有光经过调制器100进行拍照的摄影单元55。

[0040] 卸载单元40布置在测试单元30的一侧，并将其上已经完成测试之后而传送的基板运送到外部。在这种情况下，卸载单元40可以包括卸载板42，该卸载板用于移动其上已经完成测试的基板，同时允许基板停留在其上或者以彼此隔开一定距离的方式浮在其上。 [0041] 在这种情况下，装载单元20的装载板22和卸载单元40的卸载板42各自可以具有空气孔24和44，以提供沿基板方向的压力来 移动基板。而且，装载单元20和卸载单元40各自可以进一步包括吸附板70，以粘附于基板上。

[0042] 测试组件50可以在X轴方向上沿X轴轨道60水平移动。而且，每个基板沿Y轴方向移动穿过装载单元20、测试单元30、以及卸载单元40。因此，基板和测试组件50能够相对于彼此移动，并且能够测试基板上的电极。

[0043] 然而，可应用于本实施例的阵列测试装置10不限于图1中所示的阵列测试装置。基板可以固定于固定支撑板，而测试组件50可以沿X轴和Y轴方向移动并测试基板上的电极，或者测试组件50可以沿水平方向固定，而基板可以沿X轴和Y轴方向移动，从而测试基板上的电极。

[0044] 图2是根据示例性实施例的阵列测试装置的调制器100的透视图。如图2所示，调制器100包括调制器本体120、多孔单元130、以及至少一个负压供应管240。 [0045] 调制器本体120以可升高方式接合于固定块110的下表面。

[0046] 固定块110可以由中空管形成，以允许将调制器本体120暴露于外部摄影装置。在固定块110的上侧上，可以设置摄影装置55(参照图1)。

[0047] 在这种情况下，调制器本体120接合于调制器本体120外部的框架160，并且框架160可以以可升高方式接合于固定块110。

[0048] 有多种方法用来将调制器本体120以可升高方式接合于固定块110。例如，如图3A和图3B所示，在固定块110的下表面上形成有 引导槽112，在框架160上形成有装配孔
162，并且在引导槽112与装配孔162之间插入有引导件140。

[0049] 装配孔162可以包括形成于框架160下部的下装配孔部163以及以阶梯方式形成且直径小于下装配孔部163直径的上装配孔部164。引导件140包括：连接单元141，该连接单元插入到待被连接的引导槽112内；引导轴142，与上装配孔部164相比，该引导轴具有更小直径和更长长度；以及止挡阶梯部143，该止挡阶梯部形成于引导轴142的下部上且具有的直径大于上装配孔部164的直径。因此，允许框架160沿着引导轴142在给定的区域范围内自由升降，并且能够调节框架160与固定块110之间的间隙K1或K2。 [0050] 然而，允许调制器本体120相对于固定块110升降的方法不限于上述。 [0051] 再次参照图2，调制器本体120包括调制器电极单元123和特性改变单元125。调制器电极单元123在其自身与基板电极之间形成电场。调制器电极单元123可以由氧化铟锡(ITO)或纳米碳管(CNT)形成，并且通常用作共用电极。

[0052] 特性改变单元125根据调制器电极单元123与基板电极之间的电场的大小来改变其特性。特性改变单元125可以是聚合物分散液晶(PDLC)膜。该PDLC膜布置在调制器电极单元123与基板电极之间并根据调制器电极单元123与基板电极之间的电场的大小而使光偏振(polarize)，以改变穿过PDLC膜的入射光量。

[0053] 在这种情况下，调制器本体120可以进一步包括透明基板121。该透明基板121允许光穿过，且由硬度大于预定值的材料制成。调制器电极单元123和特性改变单元125可以接合于透明基板121的一侧。

[0054] 在特性改变单元125的下部上，可以形成有反射件和/或保护膜127。 [0055] 图4是调制器本体120和多孔单元的平面图，而图5是沿线V-V截取的截面图。如图2、图4和图5所示，多孔单元包括多孔材料单元134。在这种情况下，多孔单元可以设置于框架160上。

[0056] 多孔材料单元134至少一个接一个地布置在调制器本体120的每一侧。而且，多孔材料单元通过多个细孔134a沿基板方向排放真空压力。

[0057] 通过从多孔材料单元134排放到基板上的真空压力，可以建立调制器本体120与基板之间的最优距离。多孔材料单元可以是多孔陶瓷。

[0058] 多孔材料单元134可以连接至室单元133。室单元133被供以来自外部的压力并将该压力传送至多孔材料单元134。此时，固定块110可以具有阀116和118以及形成于其上的连接管117和119。

[0059] 多孔材料单元134的细孔的直径P介于大约1μm至300μm之间。当多孔材料单元134的细孔的直径P小于1μm时，不能认为形成多孔材料单元134的材料是多孔的，而当多孔材料单元134的细孔的直径P大于300μm时，不能认为该材料是多孔的，因为气孔的尺寸太大以致降低了沿基板方向供应的压力。

[0060] 多孔材料单元134可以具有体积上低于40％的孔隙率。

[0061] 多孔材料单元134具有均匀形成于其上的细孔134a。因此，从多孔材料单元134供应的压力被均匀地传送到基板上的与多孔材料单元134表面一样大的面积上，从而能够确保调制器本体120和基板以预定距离放置的稳定位置。

[0062] 具体而言，当调制器本体120和基板变得彼此靠近以便进行阵列测试时，多孔材料单元134通过多孔材料单元134的表面释放真空压力。从而，完全防止了调制器本体120晃动，并且允许调制器本体120在预定位置处平行于基板。因此，防止了调制器本体120与基板碰撞或接触，进而能够防止调制器本体120或基板上的刮伤或损坏。 [0063] 每一个负压供应管240穿透多孔材料单元134中的至少一个，并通过穿透管的端部沿基板方向排放负压力。从多孔材料单元134排出的真空压力从调制器本体120与基板之间被排放到外部。在这种情况下，由于调制器本体120内部与外部之间的压力差，调制器本体120发生晃动，而负压供应管240吸收至少一些排放到外部的压力，这防止了调制器本体120的晃动。

[0064] 因此，当负压供应管240向基板供应负压力时，能够迅速停止调制器本体120的晃动，并且能够维持调制器本体120与基板之间的平行状态。

[0065] 在这种情况下，固定块110可以包括负压阀114和负压连接管115，以向负压供应管240供应负压力。

[0066] 多孔单元131可以包括多个低压多孔材料单元134L和多个低压室单元133L。在这种情况下，每一个低压多孔材料单元134L均被布置在调制器本体120的每个外侧，并且低压多孔材料单元134L的位置是基于调制器本体120中央的虚拟三角形t1的顶点。此外，固定块110具有低压阀116和低压连接管117，以向低压多孔材料单元134L供应负压力。 [0067] 低压室单元133与低压多孔材料单元134L接合。

[0068] 由于在调制器本体120靠近基板的同时进行阵列测试时低压多孔材料单元134L排放真空压力，所以调制器本体120与基板2之间的距离G2保持彼此靠近，例如，距离在大约10μm至20μm之间。

[0069] 在这种情况下，负压供应管240可以布置成穿透低压多孔材料单元134L。在阵列测试期间，从负压供应管240产生负压力，并通过负压供应管240排放调制器本体120与基板之间的至少一些高压空气。这样，能够防止可能导致调制器本体120晃动的空气突然流出。

[0070] 来自负压供应单元240的负压力可以被排出，直到调制器本体120靠近基板或者调制器本体120和基板在彼此足够靠近之后稳定下来。即，当调制器本体120和基板靠近时，它们之间的空气压力增大，并且空气将很快释放到外部。当此时从负压供应管240排出负压力时，至少一些释放到外部的空气进入负压供应管240，这防止了调制器晃动。即，负压供应管240用作缓冲器。

[0071] 多孔单元130可以进一步包括多个高压多孔材料单元134H。

[0072] 高压多孔材料单元134H可以与高压室单元133H接合。每一个高压多孔材料单元134H均被布置在调制器本体120的每个外侧，并且高压多孔材料单元134H的位置是基于调制器本体120中央的虚拟倒置三角形t2的顶点。

[0073] 即，低压多孔材料单元134L和高压多孔材料单元134H、以及低压多孔材料单元134L依序布置在调制器本体120的一个外侧上，并且高压多孔材料单元134H、低压多孔材料单元134L、以及高压 多孔材料单元134H依序布置在调制器本体120的另一个外侧上。
低压多孔材料单元134L和高压多孔材料单元134H的布置形成为三角形，从而能够安全地放置调制器本体120。

[0074] 在这种情况下，固定块110可以具有高压阀118和形成于其上的高压连接管119。 [0075] 因此，如图6A所示，当需要在调制器本体120与基板2之间获得足够的距离时，来自高压多孔材料单元134H和低压多孔材料单元134L的压力沿基板方向被排出。从而，调制器本体120与基板2之间的距离G1保持足够靠近，例如，在大约80μm至120μm之间。 [0076] 如图6B所示，在调制器本体120正在靠近基板2时或者正在进行阵列测试时，压力并非从高压多孔材料单元134H排出，而是从低压多孔材料单元134L和负压供应管240排出。因此，调制器本体120与基板2之间的距离G2保持靠近，例如，在大约10μm至
20μμm之间，并且在这种状态下，进行阵列测试。

[0077] 同时，如图7所示，可以采用多个高压供应管250来取代高压多孔材料单元134H。 [0078] 高压供应管250可以布置在低压多孔材料单元134L附近。可替换地，如图7所示，每一个低压多孔材料单元134L沿着调制器本体120的一个外侧和另一个外侧延伸，并且高压供应管250可以形成为穿透低压多孔材料单元134L。

[0079] 固定块110可以具有高压阀253和高压连接管254，以向高压供应管供应比低压多孔材料单元134L更高的压力。

[0080] 每一个高压供应管250可以围绕与基于调制器本体120中央的虚拟三角形或虚拟倒置三角形的每个顶点对应的位置而布置。

[0081] 因此，如图8A所示，从高压供应管250和低压多孔材料单元134L向基板排放预定压力的空气，以使调制器本体120和基板水平移动。从而，保持调制器本体120与基板2之间的距离G1，例如，在80μm至120μm之间。

[0082] 此外，如图8B所示，当调制器本体120变得靠近基板2时或者在基板2上进行阵列测试时，压力并非从高压供应管250排出，而是从低压多孔材料单元134L和负压供应管240排出。因此，保持调制器本体120与基板2之间的靠近距离G2，例如，在大约10μm至
20μm之间，并且在这种状态下，进行阵列测试。

[0083] 根据示例性实施例，通过具有大表面的多孔材料单元的细孔向基板供应压力。因此，指定目标(intended object)的分散面积变得更大，从而基板和调制器更快稳定下来，并且防止了由于调制器下降而导致的调制器晃动，进而整体上减少了阵列测试的时间。 [0084] 而且，在阵列测试过程中，预定量的负压力被供应到基板上，因而保持了基板与调制器之间的平行度，从而能够精确测试。

[0085] 对本领域普通技术人员来说很显然，在不背离本发明的精神或范围的前提下，能够对本发明进行各种修改和变化。因此，只要这些修改和变化在所附权利要求及其等同物的范围内，本发明就覆盖这些修改和变化。