埋入式电容元件电路板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种埋入式电容元件电路板及其制造方法。该方法包括以下步骤。首先，形成一绝缘层于一内层线路基板上。接着，形成一外线路层于绝缘层上。外线路层包括一第一电极、一第二电极、至少一连接第一电极的第一接垫以及至少一连接第二电极的第二接垫。第一电极与第二电极之间存有多条互相相通的沟槽。接着，形成一连接于外线路层与内线路层之间的导电盲孔结构。接着，填入一介电材料于这些沟槽中。根据本发明，可以缩短埋入式电容元件电路板与芯片之间的距离。

权利要求

1.一种埋入式电容元件电路板的制造方法，包括：

形成一绝缘层于一内层线路基板上，其中该内层线路基板具有一表面，并包括一位于该表面的内线路层，而该绝缘层覆盖该内线路层；

形成一外线路层于该绝缘层上，其中该外线路层包括一第一电极、一第二电极、至少一连接该第一电极的第一接垫以及至少一连接该第二电极的第二接垫，该第一电极未接触该第二电极，且该第一电极与该第二电极相对应配置于该绝缘层上，以使该第一电极、该第二电极以及该第一电极与该第二电极之间所裸露的该绝缘层表面形成互相相通的多条沟槽；

形成一连接于该外线路层与该内线路层之间的导电盲孔结构；以及填入一介电材料于该些沟槽中，其中该第一电极、该第二电极与该介电材料构成一电容组件。

2.如权利要求1所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，还包括形成一防焊层，其中该防焊层覆盖并接触该介电材料，且该防焊层暴露该第一接垫与该第二接垫。

3.如权利要求1所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中形成该导电盲孔结构的方法包括：对该绝缘层进行一钻孔工艺，以形成一局部暴露该内线路层的盲孔；以及对该盲孔进行填孔电镀工艺。

4.如权利要求1所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中该外线路层与该导电盲孔结构同时形成。

5.如权利要求1所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中填入该介电材料的方法包括印刷一有机介电材料于该些沟槽内。

6.如权利要求1所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中该第一电极与该第二电极皆为一梳状电极。

7.一种埋入式电容元件电路板的制造方法，包括：

在一基板上形成一线路层，其中该基板包括一承载板与一配置于该承载板上的阻障层，该承载板的材料与该阻障层的材料不同，该线路层形成于该阻障层上，并包括一第一电极与一第二电极，该第一电极未接触该第二电极，且该第一电极与该第二电极相对应配置于该阻障层上，以使该第一电极、该第二电极以及该第一电极与该第二电极之间所裸露的该阻障层表面形成互相相通的多条沟槽；

填入一介电材料于该些沟槽中，其中该第一电极、该第二电极与该介电材料构成一电容组件；

在填入该介电材料之后，通过一绝缘层，压合该基板于一内层线路基板上方，其中该内层线路基板具有一表面，并包括一位于该表面的内线路层，该线路层相对于该内线路层；

依序移除该承载板与该阻障层；

形成一连接于该线路层与该内线路层之间的导电盲孔结构；以及形成至少一连接该第一电极的第一接垫与至少一连接该第二电极的第二接垫，其中该第一接垫、该第二接垫以及该线路层同在该绝缘层的一侧。

8.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，还包括形成一防焊层，其中该防焊层覆盖并接触该介电材料，且该防焊层暴露该第一接垫与该第二接垫。

9.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中该阻障层的材料包括镍或锡。

10.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中填入该介电材料的方法包括：印刷一陶瓷介电材料于该些沟槽内；以及

烧结该陶瓷介电材料。

11.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中移除该承载板与该阻障层的方法包括蚀刻工艺。

12.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中该绝缘层包括一半固化胶片或一树脂层。

13.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中形成该导电盲孔结构的方法包括：对该绝缘层进行一钻孔工艺，以形成一局部暴露该内线路层的盲孔；以及对该盲孔进行填孔电镀工艺。

14.如权利要求7所述的埋入式电容元件电路板的制造方法，其中该第一电极与该第二电极皆为一梳状电极。

15.一种埋入式电容元件电路板，包括：

一内层线路基板，具有一表面，并包括一位于该表面的内线路层；

一绝缘层，配置于该内线路层上；

一外线路层，配置于该绝缘层上，并包括一第一电极、一第二电极、至少一连接该第一电极的第一接垫以及至少一连接该第二电极的第二接垫，其中该第一电极未接触该第二电极，且该第一电极与该第二电极相对应配置于该绝缘层上，以使该第一电极、该第二电极以及该第一电极与该第二电极之间所裸露的该绝缘层表面形成互相相通的多条沟槽；

一介电材料，配置于该些沟槽内，其中该第一电极、该第二电极与该介电材料构成一电容组件；以及一导电盲孔结构，连接于该外线路层与该内线路层之间。

16.如权利要求15所述的埋入式电容元件电路板，其中该第一电极与该第二电极皆为一梳状电极。

17.如权利要求15所述的埋入式电容元件电路板，其中该第一电极与该第二电极皆位于该绝缘层与该介电材料之间。

18.如权利要求15所述的埋入式电容元件电路板，还包括一防焊层，该防焊层覆盖并接触该介电材料，并暴露该第一接垫与该第二接垫。

说明书

埋入式电容元件电路板及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明是有关于一种电路板及其制造方法，且特别是有关于一种埋入式电容元件电路板(circuit board with embedded capacitance component)以及其制造方法。

背景技术

[0002] 在现今的电路板技术中，目前已发展出埋入式电容元件电路板，而这种电路板本身已具有埋入式电容元件(embedded capacitance component)，因此埋入式电容元件电路板可以组装较少数量的电容元件。

[0003] 图1是已知一种埋入式电容元件电路板在组装芯片(chip)之后的剖面示意图。请参阅图1，已知的埋入式电容元件电路板100包括二铜线路层110a、110b、二介电层120a、120b、二防焊层130a、130b、一导电通孔结构(conductive through hole structure)140以及一埋入式电容元件150，而埋入式电容元件电路板100能透过多颗焊球S1来连接一芯片
10。

[0004] 埋入式电容元件150配置于介电层120a、120b之间，且介电层120a、120b分别覆盖埋入式电容元件150的相对二表面。铜线路层110a、110b分别位于介电层120a、120b上，而导电通孔结构140连接于铜线路层110a与铜线路层110b之间。

[0005] 铜线路层110a包括多条走线(trace)112a以及多个接垫(pad)114a，而铜线路层110b包括多条走线(trace)112b。防焊层130a覆盖这些走线112a，并暴露出这些接垫114a，而防焊层130b则覆盖这些走线112b。这些焊球S1连接于这些接垫114a与芯片10之间，以至于芯片10能电性连接埋入式电容元件电路板100。

[0006] 埋入式电容元件150包括一上电极152a、一下电极152b以及一陶瓷介电层154，其中上电极152a并未接触于下电极152b，而陶瓷介电层154配置于上电极152a与下电极152b之间。另外，埋入式电容元件电路板100还包括一对导电盲孔结构160a、160b，其中导电盲孔结构160a连接于其中一个接垫114a与上电极152a之间，而导电盲孔结构160b连接于另一个接垫114a与下电极152b之间。如此，芯片10能与埋入式电容元件150电性连接。

[0007] 关于埋入式电容元件150，其形成方法通常采用以下步骤。首先，在厚度约为35微米的铜箔上先后印刷一层陶瓷介电材料以及一层铜膏。由于铜箔的厚度约为35微米，因此铜箔的质地相当柔软。接着，将陶瓷介电材料烧结。如此，陶瓷介电材料得以形成陶瓷介电层154，而埋入式电容元件150得以形成。

[0008] 由于铜箔的质地相当柔软，因此，整体而言，埋入式电容元件150的质地也是相当柔软。倘若将埋入式电容元件150压合在线路板的外线路层中时，会因为埋入式电容元件150的质地太过柔软，以至于陶瓷介电层154难以座落在正确的位置上，进而产生对准度太低的问题。

[0009] 为了避免产生埋入式电容元件150的对准度太低的问题，目前埋入式电容元件150都是形成在埋入式电容元件电路板100的内线路层中(如图1所示)，而不会形成在埋入式电容元件电路板100的外线路层(例如铜线路层110a、110b)中，因此埋入式电容元件
150必须透过这些导电盲孔结构160a、160b以及这些焊球S1才能连接芯片10。

[0010] 目前已发现芯片10与埋入式电容元件150之间的距离D1越短，将有助于大幅降低噪声的干扰，而这种情形在高频信号传输的技术领域中特别明显。不过，受限于上述埋入式电容元件150的对准度太低的问题，埋入式电容元件150必须透过这些导电盲孔结构160a、160b以及这些焊球S1才能连接芯片10。如何进一步地缩短芯片10与埋入式电容元件150之间的距离D1，以提高埋入式电容元件电路板100的信号传输品质，是目前值得探讨的议题。

发明内容

[0011] 本发明提供一种埋入式电容元件电路板的制造方法，其所制造出来的埋入式电容元件电路板能用来电性连接芯片。

[0012] 本发明另提供一种埋入式电容元件电路板的制造方法，以缩短埋入式电容元件电路板与芯片之间的距离。

[0013] 本发明提供一种埋入式电容元件电路板，其能用来电性连接芯片。

[0014] 本发明提供一种埋入式电容元件电路板的制造方法，其包括以下步骤。首先，形成一绝缘层于一内层线路基板上，其中内层线路基板具有一表面，并包括一位于表面的内线路层，而绝缘层覆盖内线路层。接着，形成一外线路层于绝缘层上，其中外线路层包括一第一电极、一第二电极、至少一连接第一电极的第一接垫以及至少一连接第二电极的第二接垫，而第一电极未接触第二电极，且第一电极与第二电极之间存有多条沟槽。接着，形成一连接于外线路层与内线路层之间的导电盲孔结构。接着，填入一介电材料于这些沟槽中。

[0015] 在本发明的一实施例中，上述埋入式电容元件电路板的制造方法还包括形成一防焊层，其中防焊层覆盖并接触介电材料，且防焊层暴露第一接垫与第二接垫。

[0016] 在本发明的一实施例中，上述形成导电盲孔结构的方法包括。对绝缘层进行一钻孔工艺，以形成一局部暴露内线路层的盲孔。接着，对盲孔进行填孔电镀工艺(via filling plating)。

[0017] 在本发明的一实施例中，上述钻孔工艺包括激光钻孔。

[0018] 在本发明的一实施例中，上述外线路层与导电盲孔结构同时形成。

[0019] 在本发明的一实施例中，上述填入介电材料的方法包括印刷一有机介电材料于这些沟槽内。

[0020] 在本发明的一实施例中，上述第一电极与第二电极皆为一梳状电极。

[0021] 本发明另提供一种埋入式电容元件电路板的制造方法，其包括以下步骤。首先，在一基板上形成一线路层，其中基板包括一承载板与一配置于承载板上的阻障层，而承载板的材料与阻障层的材料不同。线路层形成于阻障层上，并包括一第一电极与一第二电极，第一电极未接触第二电极，且第一电极与第二电极之间存有多条沟槽。接着，填入一介电材料于这些沟槽中。在填入介电材料之后，通过一绝缘层，压合基板于一内层线路基板上方，其中内层线路基板具有一表面，并包括一位于表面的内线路层，而线路层相对于内线路层。接着，依序移除承载板与阻障层。接着，形成一连接于线路层与该内线路层之间的导电盲孔结构。接着，形成至少一连接第一电极的第一接垫与至少一连接第二电极的第二接垫，其中第一接垫、第二接垫以及线路层同在绝缘层的一侧。

[0022] 在本发明的一实施例中，上述填入介电材料的方法包括。印刷一陶瓷介电材料于这些沟槽内。接着，烧结陶瓷介电材料。

[0023] 在本发明的一实施例中，上述绝缘层包括一半固化胶片或一树脂层。

[0024] 本发明又提供一种埋入式电容元件电路板，其包括一内层线路基板、一绝缘层、一外线路层、一介电材料以及一导电盲孔结构。内层线路基板具有一表面，并包括一位于表面的内线路层。绝缘层配置于内线路层上。外线路层配置于绝缘层上，并包括一第一电极、一第二电极、至少一连接第一电极的第一接垫以及至少一连接第二电极的第二接垫，其中第一电极未接触第二电极，且第一电极与第二电极之间存有多条沟槽。介电材料配置于这些沟槽内。导电盲孔结构连接于外线路层与内线路层之间。

[0025] 在本发明的一实施例中，上述第一电极与第二电极皆位于绝缘层与介电材料之间。

[0026] 在本发明的一实施例中，上述埋入式电容元件电路板还包括一防焊层，而防焊层覆盖并接触介电材料，并暴露第一接垫与第二接垫。

[0027] 在本发明的一实施例中，上述第一电极与第二电极皆位于防焊层与介电材料之间。

[0028] 基于上述，本发明的埋入式电容元件电路板，其电容元件与芯片之间具有较短的距离。相较于已知技术而言，本发明的埋入式电容元件电路板具有良好的信号传输品质。

[0029] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。

附图说明

[0030] 图1是已知一种埋入式电容元件电路板在组装芯片之后的剖面示意图。

[0031] 图2A是本发明第一实施例的一种埋入式电容元件电路板的俯视示意图。

[0032] 图2B是图2A中的埋入式电容元件电路板在组装芯片后的剖面示意图。

[0033] 图2C是本发明第一实施例的另一种埋入式电容元件电路板的俯视示意图。

[0034] 图3A至图3G是图2B中埋入式电容元件电路板的制造方法的流程示意图。

[0035] 图4是本发明第二实施例的一种埋入式电容元件电路板的剖面示意图。

[0036] 图5A至图5M是图4中埋入式电容元件电路板的制造方法的流程示意图。

[0037] 附图标记说明

[0038] 10、20：芯片

[0039] 100、200、200’、300：埋入式电容元件电路板

[0040] 110a、110b：铜线路层 112a、112b：走线

[0041] 114a：接垫 120a、120b：介电层

[0042] 130a、130b、260、360：防焊层

[0043] 140：导电通孔结构 150：埋入式电容元件

[0044] 152a：上电极 152b：下电极

[0045] 154：陶瓷介电层

[0046] 160a、160b、250、350：导电盲孔结构

[0047] 210、310：内层线路基板

[0048] 210a、220a、310a、420a：表面

[0049] 212、312：内线路层 220、320：绝缘层

[0050] 230、230’、330：外线路层

[0051] 232a、232a’、332a：第一电极

[0052] 232b、232b’、332b：第二电极

[0053] 234a、334a：第一接垫 234b：第二接垫

[0054] 240、340：介电材料

[0055] 270、370、380：掩模层

[0056] 400：基板 410：承载板

[0057] 420：阻障层 B1、B2：盲孔

[0058] C1、C2：电容元件 D1、D2：距离

[0059] S1：焊球 S2：焊料块

[0060] T1、T2：沟槽 V：方向

具体实施方式

[0061] 第一实施例

[0062] 图2A是本发明第一实施例的一种埋入式电容元件电路板的俯视示意图，而图2B是图2A中的埋入式电容元件电路板在组装芯片后的剖面示意图，其中图2B是从图2A中的线I-I剖面而得。请参阅图2A与图2B，埋入式电容元件电路板200包括一内层线路基板210、一绝缘层220、一外线路层230、一介电材料240以及一导电盲孔结构250。

[0063] 内层线路基板210具有一表面210a，并包括一位于表面210a的内线路层212。在其他未绘示的实施例中，内层线路基板210还可以包括内线路层212以外的线路层。或者，内层线路基板210也可以仅包括内线路层212，即内层线路基板210可以是一层线路层。绝缘层220配置于内线路层212上，而外线路层230配置于绝缘层220上，其中导电盲孔结构250连接于外线路层230与内线路层212之间。

[0064] 外线路层230配置于绝缘层220上，并包括一第一电极232a、一第二电极232b、一第一接垫234a以及一第二接垫234b，其中第一接垫234a连接第一电极232a，而第二接垫234b连接第二电极232b，其中第一电极232a未接触第二电极232b。

[0065] 第一电极232a与第二电极232b可以皆为梳状电极，而第一电极232a与第二电极232b之间存有互相相通的多条沟槽T1，其中介电材料240配置于这些沟槽T1内。介电材料240、第一电极232a与第二电极232b能构成一电容元件C1，而第一电极232a与第二电极232b可以皆位在绝缘层220与介电材料240之间。

[0066] 第一接垫234a与第二接垫234b能通过多个焊料块S2(图2B仅绘示一个)连接一芯片20或是其他电子元件(例如无源元件)，其中焊料块S2例如是焊球。由于第一接垫234a与第二接垫234b分别连接第一电极232a与第二电极232b，因此芯片20可以仅透过第一接垫234a、第二接垫234b以及这些焊料块S2来连接电容元件C1。相较于已知技术而言(可参阅图1)，芯片20与电容元件C1之间存有较短的距离D2。因此，埋入式电容元件电路板200具有良好的信号传输品质，且适合应用在高频信号传输的技术领域中。

[0067] 在本实施例中，埋入式电容元件电路板200还包括一防焊层260。防焊层260覆盖并接触介电材料240，以保护电容元件C1。此外，防焊层260暴露第一接垫234a与第二接垫234b，以使第一接垫234a以及第二接垫234b能够连接芯片20。

[0068] 图2C是本发明第一实施例的另一种埋入式电容元件电路板的俯视示意图。请参阅图2C，埋入式电容元件电路板200’与埋入式电容元件电路板200二者剖面结构大体相同，而埋入式电容元件电路板200’包括一外线路层230’。

[0069] 外线路层230’包括一第一电极232a’、一第二电极232b’、多个第一接垫234a以及多个第二接垫234b。针对不同的电路设计与产品需求，第一电极232a’可以连接这些第一接垫234a，而第二电极232b’可以连接这些第二接垫234b。因此，在本发明中，埋入式电容元件电路板可以包括一个或多个连接第一电极的第一接垫，以及一个或多个连接第二电极的第二接垫。

[0070] 以上仅介绍本实施例的埋入式电容元件电路板200与200’的结构，接下来将以图2B所示的埋入式电容元件电路板200为例，并配合图3A至图3G，以详细介绍本实施例的埋入式电容元件电路板200的制造方法。

[0071] 图3A至图3G是图2B中埋入式电容元件电路板的制造方法的流程示意图。请参阅图3A，涉及埋入式电容元件电路板200的制造方法，首先，形成绝缘层220于内层线路基板210上，其中绝缘层220覆盖内层线路基板210的内线路层212，而绝缘层220可以是树脂层或半固化胶片。

[0072] 请参阅图3B，接着，对绝缘层220进行一钻孔工艺，以形成一局部暴露内线路层212的盲孔B1，其中钻孔工艺可以是激光钻孔或其他适当的钻孔工艺。在形成盲孔B1之后，可以将绝缘层220的表面220a粗糙化，并且进行去胶渣工艺，以清洁盲孔B1所暴露的部分内线路层212。

[0073] 请参阅图3C，接着，可以形成一掩模层270于绝缘层220上，其中掩模层270局部覆盖表面220a。在形成掩模层270之前，可以用无电电镀法来形成一厚度很薄的电镀种子层(未绘示)于绝缘层220的表面220a上以及盲孔B1中。此外，掩模层270可以是湿式光阻或是干膜(dry film)。

[0074] 请参阅图3D，接着，形成外线路层230于绝缘层220上，其中外线路层230包括第一电极232a、第二电极232b、第一接垫234a以及第二接垫234b(请参考图2A)。

[0075] 由于在形成掩模层270之前，可以用无电电镀法来形成电镀种子层，因此，通过该电镀种子层，外线路层230可以利用电镀法来形成。此外，透过掩模层270，外线路层230所包括的第一电极232a与第二电极232b皆可为梳状电极(请参考图2A)。

[0076] 除了形成外线路层230之外，亦形成连接于外线路层230与内线路层212之间的导电盲孔结构250。在本实施例中，形成导电盲孔结构250的方法可以是对盲孔B1进行填孔电镀工艺，而通过前述的电镀种子层，导电盲孔结构250可以与外线路层230同时形成。

[0077] 请参阅图3D与图3E，接着，全面性地移除掩模层270，以使第一电极232a与第二电极232b之间形成这些沟槽T1。在全面性地移除掩模层270之后，可以对外线路层230进行微蚀刻(micro-etching)，以使第一电极232a不会与第二电极232b直接电性接触而造成短路。

[0078] 请参阅图3F，接着，填入介电材料240于这些沟槽T1中，其中填入介电材料240的方法可以是印刷一有机介电材料于这些沟槽T1内。此外，印刷该有机介电材料的方式可以是钢板印刷、丝板印刷或其他网印的方式。在填入介电材料240之后，一种埋入式电容元件电路板200基本上已制造完成。

[0079] 请参阅图3G，接着，形成覆盖介电材料240的防焊层260，其中防焊层260还与介电材料240接触，并暴露第一接垫234a与第二接垫234b(请参考图2A)。此外，图3G所示的防焊层260的类型为防焊层定义(Solder MaskDefine，SMD)，但是在其他未绘示的实施例中，防焊层260的类型亦可以为非防焊层定义(Non-Solder Mask Define，NSMD)。

[0080] 第二实施例

[0081] 图4是本发明第二实施例的一种埋入式电容元件电路板的剖面示意图。请参阅图4，本实施例的埋入式电容元件电路板300亦包括一内层线路基板310、一绝缘层320、一外线路层330、一介电材料340、一导电盲孔结构350以及一防焊层360，而外线路层330包括第一电极332a、第二电极332b、第一接垫334a以及第二接垫(未绘示)，其中介电材料340、第一电极332a与第二电极332b能构成一电容元件C2。

[0082] 埋入式电容元件电路板300的结构、功效与功能皆与前述实施例相似，而且以方向V观看埋入式电容元件电路板300所得到的俯视示意图与图2A、2C大体相同。也就是说，在本实施例中，当从方向V观看埋入式电容元件电路板300时，可以发现第一电极332a与第二电极332b皆为梳状电极。

[0083] 有关本实施例与第一实施例相同及相似的特征，以下不再赘述，而二者差异之处在于：第一电极332a与第二电极332b皆位于防焊层360与介电材料340之间，且第一电极332a与第二电极332b可以被防焊层360以及介电材料340所包覆。

[0084] 图5A至图5M是图4中埋入式电容元件电路板的制造方法的流程示意图。请参阅图5A，涉及埋入式电容元件电路板300的制造方法，首先，提供一基板400，其包括一承载板410与一阻障层420，而阻障层420配置于承载板410上。承载板410的材料与阻障层420的材料不同，其中阻障层420的材料可以是镍、锡或是其他非铜的金属，而承载板410的材料可以是铜或铝。

[0085] 请参阅图5B，接着，可以形成一掩模层370于阻障层420上，其中掩模层370局部覆盖阻障层420的表面420a。在形成掩模层370之前，可以先对表面420a粗糙化，接着用无电电镀法来形成一厚度很薄的电镀种子层(未绘示)于表面420a上。此外，掩模层370可以是湿式光阻或是干膜。

[0086] 请参阅图5C，接着，在一基板400上形成一线路层330’，其中线路层330’是形成于阻障层420上，而线路层330’包括一第一电极332a与一第二电极332b。此外，线路层330’可以利用电镀法来形成。

[0087] 请参阅图5C与图5D，接着，全面性地移除掩模层370，以使第一电极332a与第二电极332b之间形成多条互相相通的沟槽T2。

[0088] 请参阅图5E，接着，填入介电材料340于这些沟槽T2中，其中填入介电材料340的方法可以包括以下步骤。首先，印刷一陶瓷介电材料于这些沟槽T2内。接着，烧结该陶瓷介电材料，以形成介电材料340。由此可知，介电材料340可以是由陶瓷介电材料所形成。此外，印刷该陶瓷介电材料的方式可以是钢板印刷、丝板印刷或其他网印的方式。

[0089] 请参阅图5F，在形成介电材料340之后，通过绝缘层320，压合基板400于内层线路基板310上方，其中绝缘层320可以是半固化胶片或树脂层。内层线路基板310具有一表面310a，并包括一位于表面310a的内线路层312，且线路层330’相对于内线路层312。

[0090] 请参阅图5F与图5G，接着，移除承载板410，其中移除承载板410的方法可以采用蚀刻工艺，例如是湿式蚀刻工艺。由于承载板410的材料与阻障层420的材料不同，因此当移除承载板410的方法是采用湿式蚀刻工艺时，可以选用能蚀刻承载板410，但却难以蚀刻阻障层420的蚀刻药液。如此，阻障层420可以保护线路层330’以避免被蚀刻药液所损伤。此外，由于阻障层420的材料可以是镍、锡或是其他非铜的金属，而承载板410的材料可以是铜或铝，因此上述蚀刻药液可以选用碱性蚀刻液。

[0091] 请参阅图5G与图5H，接着，移除阻障层420，其中移除阻障层420的方法可以采用蚀刻工艺，例如是湿式蚀刻工艺。在全面性地移除阻障层420之后，可以对线路层330’进行微蚀刻，以使第一电极332a不会与第二电极332b直接电性接触而造成短路。

[0092] 请参阅图5I，接着，对绝缘层320进行一钻孔工艺，以形成一局部暴露内线路层312的盲孔B2，其中该钻孔工艺可以为激光钻孔。

[0093] 请参阅图5J，之后，对盲孔B2进行填孔电镀工艺，以形成一连接于线路层330’与内线路层312之间的导电盲孔结构350，其中该填孔电镀工艺包括无电电镀法以及电镀法。

[0094] 请参阅图5K，之后，可形成材料与掩模层370相同的掩模层380，其中掩模层380覆盖绝缘层320与介电材料340，并且暴露出导电盲孔结构350。

[0095] 请参阅图5L，之后，形成至少一连接第一电极332a的第一接垫334a以及至少一连接第二电极332b的第二接垫(未绘示)，其中第一接垫334a、第二接垫以及线路层330’同在绝缘层320的一侧。

[0096] 请参阅图5L与图5M，接着，全面性地移除掩模层380。如此，一种埋入式电容元件电路板300基本上已制造完成。此外，在本实施例中，还可以形成防焊层360，其中防焊层360覆盖并接触介电材料340，且防焊层360暴露第一接垫334a与第二接垫，以使埋入式电容元件电路板300能连接电子元件，其例如是无源元件或芯片。

[0097] 综上所述，本发明能使芯片仅透过多个接垫(例如第一、二接垫)以及焊料块来连接埋入式电容元件电路板的电容元件。相较于已知技术而言，本发明能大幅缩短芯片与电容元件之间的距离。因此，本发明的埋入式电容元件电路板具有良好的信号传输品质，并适合应用在高频信号传输的技术领域中。

[0098] 虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。