所公开的主题提供了一种形成双极晶体管的方法，包括形成双极晶体管的浅基区的方法。该方法包括在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方淀积第一绝缘层。该第一层形成在衬底上方。该方法还包括基于目标掺杂剂分布来更改第一氧化物层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。该掺杂剂以基于所更改的该第一绝缘层厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。
在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方形成第一绝缘层，所述第一层形成在衬底上方；
基于目标掺杂剂分布来更改所述第一绝缘层的厚度；以及
在所述第一层的一部分中注入第二类型的掺杂剂，掺杂剂的第二类型与掺杂剂的第一类型相反，所述第二类型的掺杂剂以基于所更改的所述第一绝缘层厚度和所述目标掺杂剂分布而选择的能量被注入，其中形成第一绝缘层的步骤包含以下步骤：通过热工艺形成第一氧化物层并且生长所述第一氧化物层的第一部分使得所述第一氧化物层的所述第一部分的厚度增大，而所述第一氧化物层的第二部分的厚度保持基本相同。
在所述衬底上方淀积硅的第一层，所述衬底包含硅衬底和绝缘体上硅衬底中的至少一种；以及用第一类型的掺杂剂来掺杂所述材料的第一层。
3.如权利要求2所述的方法，其中形成第一绝缘层的步骤包含以下步骤：在所述材料的第一层上方淀积第一氧化物层；以及
在所述第一层的一部分中注入第二类型的掺杂剂的步骤包括以下步骤：将第二类型的掺杂剂穿过所述第一氧化物层注入到所述材料的第一层的与所述第一氧化物层相邻的一部分中。
4.如权利要求1所述的方法，其中更改第一绝缘层的厚度的步骤包含以下步骤：刻蚀所述第一氧化物层使得所述第一氧化物层的所述第二部分的厚度近似等于基于所述目标掺杂剂分布而选择的目标厚度。
5.如权利要求1所述的方法，其中更改第一绝缘层的厚度的步骤包含以下步骤：刻蚀所述第一氧化物层使得所述第一氧化物层的所述第二部分基本被去掉以暴露所述第一层的一部分；以及至少在所述第一层的所暴露部分上方淀积第二氧化物层，所述第二氧化物层的厚度近似等于基于所述目标掺杂剂分布而选择的目标厚度。
6.如权利要求4或5所述的方法，包含以下步骤：基于所述目标掺杂剂分布来选择所述目标厚度。
7.如权利要求6所述的方法，其中选择所述目标厚度的步骤包含以下步骤：基于所述目标掺杂剂分布的目标离散度、所述目标掺杂剂分布的目标标准偏差或者所述目标掺杂剂分布的峰的目标深度中的至少一个来选择所述目标厚度。
8.如权利要求7所述的方法，其中在第一氧化物层中注入第二类型的掺杂剂的步骤包含以下步骤：对于p型掺杂剂使用约5-30keV的注入能量穿过具有约 厚度的所更改的第一氧化物层来注入第二类型的掺杂剂。
9.如权利要求7所述的方法，其中在第一氧化物层中注入第二类型的掺杂剂的步骤包含以下步骤：对于n型掺杂剂使用约50-100keV的注入能量穿过具有约 厚度的所更改的第一氧化物层来注入第二类型的掺杂剂。
材料的第一层，形成在所述衬底上方，所述第一层包含用第一类型的掺杂剂掺杂的第一部分和用第二类型的掺杂剂掺杂的第二部分，所述第二类型与所述第一类型相反；
第一绝缘层，形成在所述第一层上方，其中所述第二部分通过以下处理被掺杂：基于目标掺杂剂分布来更改所述第一绝缘层的厚度；以及
在所述第一层中注入第二类型的掺杂剂，所述第二类型的掺杂剂以基于所述第一绝缘层厚度和所述目标掺杂剂分布而选择的能量被注入，其中所述第一绝缘层包含第一氧化物层，而所述第一氧化物层包含第一部分，所述第一部分在被淀积之后生长以增大所述第一氧化物层的第一部分的厚度，并且其中所述第一氧化物层包含在被淀积之后不生长的第二部分。
11.如权利要求10所述的双极晶体管，其中所述衬底包含硅衬底和绝缘体上硅衬底中的至少一种。
12.如权利要求10所述的双极晶体管，其中更改第一氧化物层的厚度包含：刻蚀所述第一氧化物层使得所述第一氧化物层的所述第二部分的厚度近似等于基于所述目标掺杂剂分布而选择的目标厚度。
13.如权利要求10所述的双极晶体管，其中更改第一氧化物层的厚度包含：刻蚀所述第一氧化物层使得所述第一氧化物层的所述第二部分基本被去掉以暴露第一层的一部分；以及至少在所述第一层的所暴露部分上方淀积第二氧化物层，所述第二氧化物层的厚度近似等于基于所述目标掺杂剂分布而选择的目标厚度。
14.如权利要求10所述的双极晶体管，其中更改第一绝缘层的厚度包含：更改第一绝缘层的厚度以对应于基于所述目标掺杂剂分布而选择的目标厚度。
15.如权利要求14所述的双极晶体管，其中所述目标厚度基于所述目标掺杂剂分布的目标离散度、所述目标掺杂剂分布的目标标准偏差或者所述目标掺杂剂分布的峰的目标深度中的至少一个来选择。
16.如权利要求15所述的双极晶体管，其中所述目标厚度约为 并且对于p型掺杂剂被用来在第一氧化物层中注入第二类型的掺杂剂的能量在5-30keV的范围内。
17.如权利要求15所述的双极晶体管，其中所述目标厚度约为 并且对于n型掺杂剂被用来在第一氧化物层中注入第二类型的掺杂剂的能量在50-100keV的范围内。
18.如权利要求10所述的双极晶体管，其中所述第一层包含硅，并且所述双极晶体管包含在所述第一层上方形成的多晶硅的第二层。
形成双极晶体管的浅基区的方法
技术领域
[0001] 本发明一般涉及双极晶体管，并且更具体地涉及形成双极晶体管的浅基区。
背景技术
[0002] 双极晶体管包括用n型或p型材料交替掺杂的发射区、基区和集电区。 例如，npn双极晶体管包括用n型材料掺杂的发射区、用p型材料掺杂的基区和用n型材料掺杂的集电区。 对于另一个实例，pnp双极晶体管包括用p型材料掺杂的发射区、用n型材料掺杂的基区和用p型材料掺杂的集电区。 因此双极晶体管的结构和工作参数至少部分地由被用来掺杂发射极、基极和/或集电极区域的具体工艺所产生的掺杂剂分布(dopant profile)确定。
[0003] 图1A、1B、1C和1D概念上示出了用于形成npn双极晶体管的传统技术。 最初，如图1A所示，SOI衬底100被用作本发明的起始材料。如图1A所示，SOI衬底100由体(bulk)衬底100a、埋置绝缘层100b和有源层100c构成。通常体硅100a由硅构成，埋置绝缘层100b由二氧化硅(所谓的“BOX”层)构成，并且有源层100c由(掺杂的或未掺杂的)硅构成。 可以很容易地从各种商业上已知的来源来获得这样的SOI结构。通常，埋置绝缘层100b将相对厚，例如在约0.5-2微米的量级，而有源层100c可以具有约2微米的初始厚度。
[0004] 此后，如图1A所示，掺杂的硅层105形成在有源层100c上方。 硅层105被用例如磷、砷的N型掺杂剂材料掺杂，使得它具有约2-15欧姆/厘米的电阻率，该电阻率14 15 3
对应于约2×10 到2.5×10 个离子/cm 的掺杂剂浓度。 硅层105是在外延反应器中被淀积的外延硅层。 在该情形下，可以通过在用来形成层105的工艺期间将掺杂剂材料引入到外延反应器中来掺杂外延硅层105。然而，也可以通过在形成硅层105之后执行离子注入工艺来将掺杂剂材料引入到硅层105中。 请注意，硅层105内的掺杂剂原子的分布在它的整个深度上可能不是均匀的。
[0005] 仅仅出于说明的目的，附图描绘了有源层100c与硅层105之间的界面。 实际上，这两层之间的区别可能非常难以限定。 然而，仅仅出于说明的目的示出了不同的层。硅层105相对厚。在一个示例性实施例中，硅层105具有约1-30微米范围的厚度，这取决于具体的应用。此后，通过执行例如热氧化在硅层105上方形成氧化物层110(例如二氧化硅)。在处理中的这点上，可以通过执行掺杂剂注入工艺(如箭头115所示)来形成pnp双极晶体管，该掺杂剂注入工艺能够被执行以便在硅层105中注入掺杂剂物质。例如，掺杂剂注入工艺115可以被用来将例如硼的p型掺杂剂注入到硅层105中来形成掺杂区120。 然而，图1描绘了npn双极晶体管的形成，因此这个步骤没有被执行。
[0006] 现在参考图1C，热氧化工艺能够被用来生长二氧化硅层110的所选择的部分。在所示出的实施例中，热氧化工艺被用来生长部分125(1-2)并且掩模层(未示出)被用来防止这些部分之间的区域生长。热氧化和随之发生的部分125的生长消耗了掺杂区120的一部分。
[0007] 现在参考图1D，对于npn双极晶体管的基区130可以通过在硅层105的一部分中16 18
注入p型掺杂剂来形成，如箭头135所示。在基区130中的掺杂剂浓度通常为约10 -10
3
个离子/cm。 掺杂剂通常以对于硼(p型掺杂剂)而言大于约50keV、并且在pnp双极晶体管的可替代情形下对于例如磷的n型掺杂剂而言100keV的能量被注入。这些相对高的注入能量通常导致高的注入离散度(implant straggle)并且致使被注入的掺杂剂物质具有深深地延伸到硅层105中的相对浅的峰。 例如，基区130的深度可以远大于几千埃。 以这些高能量注入掺杂剂浓度也可能导致在基区130中的沟道效应。 例如，掺杂剂原子的小部分可能在与硅晶格相撞之前就非常深地穿入到层105中。
[0008] 可以通过减小用于注入工艺135的能量来增大在基区130中掺杂剂浓度的尾部(trail)的斜率。 然而，在较低能量下注入的掺杂剂物质遭受表面问题，例如，本征氧化物变化可能影响注入分布。 因此，这些低能量技术要求物质的表面制备和/或其它非标准的注入技术，这极大地增加了注入工艺的复杂度和成本。 使用例如BF2的材料也可以帮助减轻这些问题。 然而，BF2的使用可能导致由于氟组分而引起的污染和/或其它问题。
[0009] 本发明涉及解决上述问题中的一个或多个的影响。
发明内容
[0010] 下面介绍所公开的主题的简化摘要以便提供对所公开主题的一些方面的基本理解。这个摘要不是所公开主题的穷尽性的总结。其不意图来确定所公开主题的关键或重要元素或者来描写所公开的主题的范围。 其唯一的目的是以简化的形式来介绍一些概念作为稍后要讨论的更详细描述的序言。
[0011] 在所公开的主题的一个实施例中，提供了一种用于形成双极晶体管的方法。 该方法包括在用第一类型掺杂剂掺杂的材料的第一层上方形成第一绝缘层。 该第一层形成在衬底上方。 该方法还包括基于目标掺杂剂分布来更改第一绝缘层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。 该掺杂剂以基于所更改的该第一绝缘层的厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。
[0012] 在所公开的主题的另一个实施例中，提供了一种双极晶体管。 该双极晶体管包括衬底、形成在该衬底上方的材料的第一层以及第一氧化物层。 该第一层包括用第一类型的掺杂剂掺杂的第一部分和用第二类型的掺杂剂掺杂的第二部分，该第二类型与该第一类型相反。 该第二部分通过以下步骤来被掺杂：基于目标掺杂剂分布来更改第一绝缘层的厚度并且在该第一层中注入第一类型的掺杂剂。 该掺杂剂以基于该第一绝缘层厚度和该目标掺杂剂分布而选择的能量被注入。
附图说明
[0013] 参考结合附图的下面的描述可以理解所公开的主题，在附图中相似的附图标记标明相似的元件，并且在附图中：
[0014] 图1A、1B、1C和1D在概念上示出了用于形成双极晶体管的传统技术的方面；
[0015] 图2A、2B、2C和2D在概念上示出了根据所公开的主题的、用于形成npn双极晶体管的技术的第一示例性实施例；
[0016] 图3A和3B在概念上示出了根据所公开的主题的、用于形成npn双极晶体管的基极的技术的第二示例性实施例；
[0017] 图4在概念上示出了根据所公开的主题的、例如可以使用图2和图3所示的第一和第二示例性实施例而形成的掺杂剂分布的示例性实施例；
[0018] 图5在概念上示出了根据所公开的主题而形成的掺杂剂分布的示例性实施例；以及
[0019] 图6在概念上示出了传统的掺杂剂分布与根据所公开的主题而形成的掺杂剂分布的比较。
[0020] 虽然所公开的主题容易进行各种修改和具有可替代形式，但是在附图中通过实例的方式已经示出了其具体实施例并且在这里详细描述了该具体实施例。 然而，应当理解，在这里的具体实施例的描述并不意图来将所公开的主题限制到所公开的特定形式，而是正相反地，本发明意图覆盖落入如所附权利要求限定的所公开主题的范围内的所有修改、等同物和可替代方案。
具体实施方式
[0021] 下面描述了所公开主题的示例性实施例。 为了清楚，在本说明书中并没有描述实际实施方案的所有特征。 当然将明白，在任何这样的实际实施例的开发中，应当进行许多实施方案特有的决策来实现开发者的特有目标，例如符合系统有关的和商业有关的约束，其会从一个实施方案到另一个实施方案而变化。 此外，将明白，这样的开发努力可能是复杂的并且耗时的，但是仍然会是享有本发明益处的本领域技术人员采取的惯例(routine)。
[0022] 现在将参考附图来描述所公开的主题。 仅仅出于说明的目的而在附图中示意性描绘了各种结构、系统和器件，并且从而不会用本领域技术人员所公知的细节来模糊所公开的主题。然而，附图被包括来描述和说明所公开主题的示例性实例。 在这里所使用的词和短语应当被理解和解释为具有与相关领域技术人员对这些词和短语的理解相一致的意思。 术语或短语的特有定义(即，与如本领域技术人员所理解的通常的和习惯的意思不同的定义)不意图由在这里的该术语或短语的一贯用法所暗示。 如果术语或短语意图具有特有意思(即，与技术人员所理解的不同的意思)，则这样的特有定义将在说明书中以明示的方式被清楚地陈述，其直接且明确的提供了该术语或短语的特有定义。
[0023] 图2A、2B、2C和2D在概念上示出了用于形成npn双极晶体管200的技术的第一示例性实施例。 然而，享有本发明益处的本领域技术人员应当明白，在这里所述的技术同样地可适用于pnp双极晶体管。 图2A描绘了在制造工艺中间阶段的双极晶体管200。 在图2A所描绘的阶段，该双极晶体管包括绝缘层205。 在所示出的实施例中，绝缘层205是垫氧化物层(pad oxide layer)205，尽管在这里所述的晶体管可以利用其它类型的绝缘体。 在所示出的实施例中，热氧化工艺已经被用来生长垫氧化物层205的部分205(1，3)并且掩蔽工艺被用来防止部分205(1，3)之间的区域205(2)生长。 在所示出的实施例中，区域205(1，3)被生长到约0.25-1微米的厚度并且区域205(2)具有约
300-1400埃的厚度。 用于淀积垫氧化物层205且然后选择性生长垫氧化物层205的部分的技术是本领域中已知的，并且为了清楚在这里将不会进一步讨论该技术。
[0024] 垫氧化物层205形成在硅层215的一部分上方，尽管享有本申请公开内容益处的本领域技术人员应当明白，层245可以可替代地由多晶硅形成。 在一个实施例中，硅层215可以被用例如磷、砷的N型掺杂剂材料掺杂，使得它具有约2.5欧姆/厘米的电阻15 3
率，该电阻率对应于约2×10 个离子/cm 的掺杂剂浓度。 在一个特定实施例中，硅层
215是在外延反应器中被淀积的外延硅层。在该情形下，可以通过在被用来形成层215的工艺期间将掺杂剂材料引入到外延反应器中来掺杂外延硅层215。然而，也可以通过在形成硅层215之后执行离子注入工艺来将掺杂剂材料引入到硅层215中。请注意，硅层215内的掺杂剂原子的分布在它的整个深度上可能不是均匀的。 在双极晶体管200是pnp型双极晶体管的情况下，掺杂剂注入工艺可以被用来将例如硼的p型掺杂剂注入到硅层215
16 3
中来形成被称为p阱的掺杂区。 在p阱中的掺杂剂浓度可以为约1×10 个离子/cm。
然而，双极晶体管200的所示出的实施例是npn型双极晶体管，因此该工艺在所示出实施例中不被执行。
[0025] 硅层215形成在衬底(例如，硅衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底)上。 如图2所示的实施例中，硅层215被淀积在SOI衬底220上，该SOI衬底220由体衬底220a、埋置绝缘层220b和有源层220c构成。 体硅220a由硅构成，埋置绝缘层220b由二氧化硅(所谓的“BOX”层)构成，并且有源层220c由(掺杂的或未掺杂的)硅构成。 可以很容易地从各种商业上已知的来源来获得这样的SOI结构。通常，埋置绝缘层220b将相对较厚，例如在约0.5-2微米的量级，而有源层220c可以具有约2微米的初始厚度。
[0026] 现在参考图2B，对于npn双极晶体管200的基区可以通过在硅层215的部分中注入p型掺杂剂来形成。 基区和双极晶体管200的工作性能至少部分地由在基区中被注入的掺杂剂物质的分布所确定。 例如，基区的性能可以由表征掺杂剂分布的宽度或陡度的掺杂剂分布的离散度(straggle)、在硅层215中的掺杂剂分布的峰的深度等所确定。 享有本申请公开内容的益处的本领域技术人员将明白，术语“离散度”指的是掺杂剂分布的宽度或陡度的统计测量。 如果掺杂剂分布是正态分布的，那么离散度等于掺杂剂分布的标准偏差。 目标掺杂剂分布(其可以由例如离散度、标准偏差和/或峰深度的参数来表示)可以基于基区的所期望的性能来选择。 在硅层215中形成的实际掺杂剂分布可以通过改变用来注入掺杂剂物质的能量和垫氧化物层205的厚度来控制，掺杂剂物质穿过该垫氧化物层205被注入到硅层215中。
[0027] 在第一示例性实施例中，通过刻蚀垫氧化物层205的背部部分来将垫氧化物层205的厚度从初始厚度(如虚线225所示)更改到减小的厚度(如实线230所示)。 可以控制刻蚀工艺使得在区域205(2)中的垫氧化物层的厚度达到基于目标掺杂剂分布所确定的值。 例如，可以刻蚀垫氧化物层205使得区域205(2)的厚度大约为
[0028] 图2C描绘了离子到基区240中的注入，如箭头235所示。 基于目标掺杂剂分布和垫氧化物层205的厚度来选择所注入掺杂剂物质的能量。 在所示出实施例中，以5-30keV范围内的相对低能量注入掺杂剂物质。例如，当区域205(2)的厚度约为时，可以约20keV的能量注入掺杂剂物质(例如硼)。 由此引起的基区240中的掺杂剂
13 2 16 18 3
浓度对于约2×10 个离子/cm 的注入剂量而言约为10 -10 个离子/cm。 垫氧化物层
205中的碰撞可以使所注入的掺杂剂物质随机分布，这可以增大掺杂剂分布的陡度并且减少基区240中的沟道效应。例如，当使用约15keV的能量穿过约 的厚度注入掺杂剂物质时，掺杂剂分布的目标范围为约 并且掺杂剂分布的标准偏差或离散度约为
[0029] 在图2D中，n型发射极245已经形成在垫氧化物205上方。 发射极245也穿过垫氧化物205的一部分而接触基区240。 用于形成发射极245的技术在本领域中是已知的，并且为了清楚在这里将不会进一步讨论该技术。 享有本申请公开内容益处的本领域技术人员同样应当明白，例如集电区、沉子(sinker)等的附加区域也可以形成作为双极晶体管200的部分。
[0030] 图3A和图3B在概念上示出了用于形成npn双极晶体管300的技术的第二示例性实施例。 然而，享有本申请公开内容益处的本领域技术人员应当明白，这些技术也可以被应用于pnp双极晶体管的形成。 在第二示例性实施例中，通过刻蚀垫氧化物层205的背部部分来将垫氧化物层205的厚度从初始厚度(如虚线225所示)更改直到区域205(2)基本上被完全去掉。例如，可以刻蚀垫氧化物层205直到在区域205(2)下方的区域中暴露硅层215的掺杂区210的一部分。
[0031] 在图3B中，附加的氧化物层305被淀积在区域205(1，3)和掺杂层210的被暴露部分的上方。 可以控制淀积工艺使得在掺杂层210的被暴露部分上方的附加氧化物层305的厚度达到基于目标掺杂剂分布所确定的值。 例如，在掺杂层210被暴露部分上方的附加氧化物层305的厚度可以为约 然后掺杂剂物质可以被离子注入到基区315中，如箭头310所示。 基于该目标掺杂剂分布和附加氧化物层305的厚度来选择所注入掺杂剂物质的能量。 在所示出实施例中，以5-30keV范围内的相对低能量注入掺杂剂物质。 例如，当附加氧化物层305的厚度约为 时，可以约20keV的能量注入掺杂剂物质。
[0032] 图4在概念上示出了例如可以使用图2和图3所示技术形成的掺杂剂分布400、405的示例性实施例。 水平轴表示任意单位的到层中的深度，而垂直轴表示任意单位的掺杂剂浓度。 垂直的虚线415表示垫氧化物层和硅层之间的边界。 通过选择垫氧化物层的厚度和注入掺杂剂物质的能量来形成掺杂剂分布400使得掺杂剂分布400的峰位于垫氧化物层内。 因此，在硅层中的掺杂剂分布400包括分布的尾部，并且因此在硅层中的掺杂剂分布400是浅且陡峭的。 通过选择垫氧化物层的厚度和注入掺杂剂物质的能量来形成掺杂剂分布405使得掺杂剂分布405的峰位于硅层内。 因此，在硅层中的掺杂剂分布
405包括分布405的尾部和峰。 掺杂剂分布405相对较窄并且保持陡峭的尾部。
[0033] 图5在概念上示出了对于双极晶体管的掺杂剂分布的示例性实施例。 水平轴表示任意单位的深度，而垂直轴表示任意单位的载流子浓度。对于n型掺杂剂由字母“n”来表示掺杂剂物质的类型，而对于p型掺杂剂由字母“p”来表示掺杂剂物质的类型。19 -3
发射区由在延伸到约0.5微米的区域中的浓度约10 cm 的n型掺杂剂形成。 可以使用在这里所述的技术形成的基区从约0.5微米延伸到约0.68微米。 在基区中的p型掺杂剂浓
17 -3 16 -3
度的范围从约3×10 cm 到约10 cm 。 基区的尾部是陡峭的并且不表现出任何沟道效应。 在约0.68微米以下的深度处用n型掺杂剂形成集电区。
[0034] 图6在概念上示出了传统的掺杂剂分布600与使用在这里所描述的技术的实施例而形成的掺杂剂分布605的比较。 传统的掺杂剂分布600具有相对浅的尾部以及相对宽的标准偏差，这可能导致沟道效应。 相反，根据在这里所描述的技术的实施例而形成的掺杂剂分布605具有相对陡峭的尾部以及相对窄的标准偏差，这可以减少在基区中的沟道效应。
[0035] 上面所公开的特定实施例仅仅是示例性的，因为所公开的主题可以以对于享有在这里的教导益处的本领域技术人员显而易见的不同但是等同的方式来被修改和实践。此外，并不意图限制在这里所示的结构或设计的细节，除了如在下面的权利要求中所描述的之外。 因此，显然在上面所公开的特定实施例可以被改变或修改，并且所有这样的变化被认为在所公开的主题的范围内。 因此，在这里所寻求的保护如在下面的权利要求中所陈述的。
