液晶显示装置及其制造方法

摘要

本发明提供液晶显示装置及其制造方法。本发明提供使为了将在液晶内部产生的偏置电场消除而施加的直流偏置电压的最佳值一致从而能够抑制闪烁、而不增加制造工序数的半透过型的液晶显示装置和上述液晶显示装置的优选的制造方法。本发明的液晶显示装置是在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且上述背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置，上述反射电极的液晶层一侧的表面含有钼。

权利要求

1.一种液晶显示装置，其为在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且该背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置，其特征在于：该反射电极的液晶层一侧的表面含有钼，其中钼层的膜厚在 的范围内，所述背面侧基板在透过电极和反射电极上具有取向膜，隔着该取向膜测定的透过电极与反射电极的功函数的差为0.1eV以下。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述反射电极的下部含有铝或银，所述反射电极的上部含有钼。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：所述反射电极的上部的厚度为 以下。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：所述背面侧基板在反射电极的下部的背面侧具有含有钼的保护导电层。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述反射电极是含有钼的单层。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述透过电极的液晶层一侧的表面含有钼。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述透过电极含有选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种材料。

8.一种液晶显示装置的制造方法，其为权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：该制造方法包括对反射电极一并进行图案化的工序。

说明书

液晶显示装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。更详细地说，涉及适用于便携式电话等期待省电力化的移动设备的半透过型的液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

[0002] 作为液晶显示装置的一种的半透过型液晶显示装置具有以透过型和反射型两种模式进行显示的功能。即，兼具以下特征：因为具有背光源，所以具有即使在暗的场所也具有高的视认性的透过型的液晶显示装置的特征；因为利用外部的光，所以具有作为低消耗电力的反射型的液晶显示装置的特征。

[0003] 该半透过型液晶显示装置在作为图像的最小单位的每个像素具有配置反射率高的电极(以下称为“反射电极”)的反射区域和配置透过率高的电极(以下称为“透过电极”)的透过区域。透过电极与反射电极由不同的金属材料构成，因此，电性质不同。由此，在透过区域和反射区域中，为了将在液晶内部产生的偏置电场消除而施加的直流偏置电压的最佳值不同。但是，直流偏置电压只能对一个像素设定一个。从而，成为对透过区域和反射区域中的一个施加最佳的直流偏置电压，因此，有可能产生闪烁等而导致表示品质降低，在这一点上存在改善的余地。另外，在透过区域和反射区域中的一个中，长时间对液晶施加直流电压成分，因此，使液晶的可靠性降低，在这一点上也存在改善的余地。此外，所谓闪烁是画面整体或者一部分看起来忽明忽暗的现象，更详细地说，是画面的亮度以比人眼的残像时间长的周期变化时所感受到的画面的闪烁或摇晃。

[0004] 因此，为了消除这样的由透过电极与反射电极的电性质不同而引起的显示不良，考虑通过使反射电极的功函数与透过电极的功函数一致，使两电极的电极电相位等。具体而言，公开了通过在反射电极的表面叠层具有与透过电极的材料相同程度的功函数的透明导电膜，使反射电极的表面的功函数与透过电极的表面的功函数大致相等的技术。

[0005] 例如，在透过电极由氧化铟锡(ITO)膜构成，反射电极由铝(Al)膜构成的情况下，考虑形成ITO膜作为在反射电极的表面配置的透明导电膜的方式。但是，当在构成像素的反射电极的Al膜与ITO膜接触的状态下进行图案化工序等时，在Al与ITO之间产生电蚀反应，ITO膜有可能脱落，在这一点上存在改善的余地。

[0006] 因此，公开了在反射电极的表面形成功函数与ITO膜的功函数接近的氧化铟锌(IZO(注册商标))膜的方法。例如，公开了包括仅对位于Al膜的上层的IZO膜进行蚀刻的工序，进行至少2次使用不同的蚀刻液进行蚀刻处理的蚀刻工序的方式(例如，参照专利文献1)。在该情况下，在Al与IZO之间不会产生电蚀反应，IZO膜也不会脱落。

[0007] 另外，公开了通过在含有氟的气体气氛中对Al膜上的IZO膜进行等离子体处理，使得容易对IZO膜进行蚀刻，此后对IZO/Al叠层膜连续进行蚀刻的方式(例如，参照专利文献2)。

[0008] 另外，作为不增加制造工序数而抑制闪烁的方法，公开了在配置在背面侧基板上的各像素的整个面上形成透过电极，由此形成透过区域的透明导电膜与用于抑制在反射区域的反射电极上形成的闪烁的透明导电膜的方式(例如，参照专利文献3和4)。

[0009] 专利文献1：特开2005-316399号公报

[0010] 专利文献2：特开2004-191958号公报

[0011] 专利文献3：特开2004-109797号公报

[0012] 专利文献4：特开2004-46223号公报

发明内容

[0013] 但是，在专利文献1的情况下，由于图案化工序的增加，制造工序数增加，因此，在生产率方面存在改善的余地。此外，关于IZO层与Al层，已知有即使不使用不同的蚀刻液进行图案化，也能够利用相同的蚀刻液，例如硝酸、磷酸、醋酸和水的混合液进行图案化。但是，IZO膜比Al膜难以蚀刻，因此，当对Al膜和IZO膜的叠层膜一并进行蚀刻时，如图4所示，有可能导致在玻璃基板21上的Mo层22上设置的Al层23的上层的IZO层24形成为呈屋檐形状突出。当存在这样的屋檐形状的部分时，例如，在摩擦工序那样的对基板表面施加负荷的后工序中，存在该屋檐形状的部分剥离，附着在基板上的像素电极等上的可能性。如果这样的话，有可能在像素电极间产生短路，使背面侧基板的制造成品率降低。

[0014] 在专利文献2的方式中，由于等离子体处理工序的追加等，制造工序数增加，在这一点上存在改善的余地。另外，在专利文献3和4的情况下，透过电极与用于防止反射电极上的闪烁的透明导电膜成为相同膜厚，因此，为了使得在进行反射显示时来自外部的入射光难以被透明导电膜吸收，需要使透明导电膜形成得较薄。在该情况下，透过区域的透过电极也变薄，因此，也有可能导致电极发生缺损，使制造成品率降低，尚有下功夫的余地。

[0015] 本发明鉴于上述现状而做出，其目的是提供能够实现抑制闪烁而不增加制造工序数的半透过型的液晶显示装置。

[0016] 本发明人对能够实现抑制闪烁而不增加制造工序数的半透过型的液晶显示装置进行了各种研究，着眼于构成反射电极的液晶层一侧的表面的材料。本发明人发现：通过使反射电极的液晶层一侧的表面含有钼，即使在反射电极由多个层构成的情况下，也能够一并进行反射电极的图案化，并且能够使用于将在液晶内部产生的偏置电场消除而施加的直流偏置电压的最佳值在透过区域和反射区域大致一致。即，发现能够实现抑制闪烁而不增加图案化工序数，想到能够很好地解决上述课题，从而达到本发明。

[0017] 即，本发明是一种液晶显示装置(以下也称为“第一液晶显示装置”)，其为在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且该背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置，其特征在于：上述反射电极的液晶层一侧的表面含有钼。

[0018] 以下详细说明本发明。

[0019] 本发明的第一液晶显示装置是在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且上述背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置。半透过型的液晶显示装置兼具以下特征：因为具有背光源，所以具有即使在暗的场所也具有高的视认性的透过型的液晶显示装置的特征；因为利用外部的光，所以具有作为低消耗电力的反射型的液晶显示装置的特征。这样的液晶显示装置也被称为反射透过两用型的液晶显示装置。

[0020] 上述反射电极的液晶层一侧的表面含有钼。钼的功函数(4.6eV)接近于通常作为构成透过电极的材料使用的氧化铟锡(ITO)等的功函数(4.7～5.2eV)。从而，能够使构成反射电极的液晶层一侧的表面的材料的功函数接近于构成透过电极的材料的功函数，因此，能够实现抑制闪烁。另外，钼能够与通常作为构成反射电极的材料使用的铝(Al)等一并进行蚀刻。即，即使反射电极的液晶层一侧的表面含有钼，也能够一并进行反射电极的图案化，因此，能够实现抑制闪烁而不增加图案化工序的数量。另外，能够分别通过不同的工序形成反射电极和透过电极，因此能够独立地对透过电极的膜厚进行优化。即，与为了抑制闪烁，不仅在透过区域设置透过电极而且在反射电极上也设置透过电极的方式不同，不会产生透过电极的缺损，因此能够实现高的制造成品率。

[0021] 只要上述反射电极的液晶层一侧的表面的至少一部分含有钼即可，但从抑制闪烁的观点出发，优选反射电极的液晶层一侧的整个表面含有钼。另外，构成反射电极的液晶层一侧的表面的材料只要含有钼原子，既可以是钼单质，也可以是钼合金，也可以是钼化合物，但是从本发明的作用效果的观点出发，优选钼单质和钼合金、即含有钼的金属，更优选由钼单质构成。

[0022] 本发明的第一液晶显示装置只要具有上述背面侧基板、观察面侧基板和液晶层作为结构要素，可以具有其它结构要素也可以不具有其它结构要素，没有特别限定。此外，从提高对比度和降低串扰的观点出发，优选背面侧基板为有源矩阵基板，但是并不特别限定于此，例如也可以是无源矩阵基板。

[0023] 以下对本发明的第一液晶显示装置的优选方式进行详细说明。

[0024] 优选上述反射电极的下部含有铝或银，上述反射电极的上部含有钼。在本说明书中，“上部”是指液晶层一侧的部分，“下部”是指上部以外的部分。通过使反射电极的下部含有铝或银，能够形成具有高反射率的反射区域，并且通过使上部含有钼，能够降低透过区域与反射区域的闪烁电压差。另外，钼膜与铝膜或银膜相对于含有硝酸、醋酸和磷酸的水溶液(弱酸性蚀刻液)等的蚀刻速度大致相同，即使对钼膜与铝膜或银膜一并进行蚀刻，也不会导致反射电极的上部形成为相对于下部呈屋檐形状突出，因此能够进一步提高制造成品率。

[0025] 优选上述反射电极的上部的厚度为 以下。当上述反射电极的上部的厚度超过时，反射显示所使用的入射光在到达反射率高的反射电极的下部之前被反射电极的上部吸收，有可能不能充分得到反射区域的反射率。另一方面，从得到降低透过区域与反射区域的闪烁电压差的效果的观点出发，优选反射电极的上部的厚度至少为钼的原子直径(大约 )以上。此外，从显示品质的观点出发，更优选反射电极的上部的厚度为20～[0026] 优选上述背面侧基板在反射电极的下部的背面侧具有含有钼的保护导电层。通过这样设置含有钼的保护导电层，能够使得在透过电极与反射电极的下部接触的情况下，构成透过电极的材料与构成反射电极的下部的材料不发生电蚀反应。另外，通过用相同材料构成反射电极的上部和保护导电层，能够进行反射电极与保护导电层的一并图案化。

[0027] 在本说明书中，“保护导电层”是指为了使得在透过电极与反射电极的下部接触的情况下，构成透过电极的材料与构成反射电极的下部的材料不发生电蚀反应，而在反射电极的透过电极一侧设置的层。例如，在反射电极的下部由铝构成、透过电极由氧化铟锡构成的情况下，优选保护导电层由钼构成。

[0028] 优选上述反射电极是含有钼的单层。由此，因为反射电极是单层，能够使反射电极的形成工序进一步简化。另外，即使在透过电极与反射电极接触的情况下，与例如反射电极的上部由ITO层形成、反射电极的下部由Al层形成时不同，不会产生电蚀反应，因此不需要保护导电层，在这一点上优选。

[0029] 优选上述透过电极的液晶层一侧的表面含有钼。由此，因为反射电极的液晶层一侧的表面和透过电极的液晶层一侧的表面均含有钼，所以能够使透过电极与反射电极的功函数的差进一步减小，结果能够进一步抑制闪烁。此外，从抑制闪烁的观点出发，优选透过电极的液晶层一侧的整个表面含有钼，例如，优选透过电极的下部含有选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种材料，透过电极的上部含有钼。另外，从不仅抑制闪烁而且同时维持透过显示的高对比度的观点出发，优选液晶一侧的表面的一部分含有钼，例如，优选在液晶层一侧的表面以残渣程度存在有钼的方式。

[0030] 优选上述透过电极含有选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种材料。这些材料的功函数接近于钼的功函数，因此适合于降低透过区域与反射区域的闪烁电压差。此外，更优选上述透过电极由选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种材料构成。

[0031] 优选上述背面侧基板在透过电极和反射电极上具有取向膜，隔着上述取向膜测定的透过电极与反射电极的功函数的差为0.1eV以下。通过使隔着取向膜测定的透过电极与反射电极的功函数的差为0.1eV，能够使透过区域与反射区域的闪烁电压差进一步降低。

[0032] 作为构成上述取向膜的材料，没有特别限定。另外，作为透过电极和反射电极的功函数的测定方法，能够举出热电子发射法、光电子发射法、电场电子发射法、开尔文法(接触电位差法)等，但因为取向膜是电介质，所以会形成电容，该电容会对取向膜上的电子的举动造成影响，因此优选使用能够隔着取向膜进行测定的开尔文法(接触电位差法)，透过电极和反射电极的功函数是隔着取向膜使用功函数测定器(商品名：FAC-2，理研计器株式会社制造)由开尔文法测定的。

[0033] 另外，本发明还提供一种液晶显示装置的制造方法，其为上述第一液晶显示装置的制造方法，其特征在于：上述制造方法包括对反射电极一并进行图案化的工序。根据该制造方法，即使在反射电极具有叠层构造的情况下等，也一并进行反射电极的图案化，因此能够使制造工序简化。此外，作为反射电极的图案化方法，可举出干式蚀刻法、湿式蚀刻法等，但优选湿式蚀刻法。另外，优选第一液晶显示装置的制造方法包括一并进行反射电极和保护导电层的图案化的工序。由此，能够使制造工序进一步简化。

[0034] 另外，本发明还提供一种液晶显示装置(以下也称为“第二液晶显示装置”)，其为在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且上述背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置，其特征在于：上述反射电极的液晶层一侧的表面含有VIB族(第六族)元素。由此，因为VIB族元素的铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)的功函数均为4.5～4.6eV，接近于通常作为构成透过电极的材料使用的ITO的功函数(4.7～5.2eV)，所以适合于抑制闪烁。另外，铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)能够与通常作为构成反射电极的材料使用的铝(Al)等一并进行蚀刻。即，即使反射电极的液晶层一侧的表面是含有钼的叠层构造，也能够一并进行反射电极的图案化，因此，能够抑制闪烁而不增加图案化工序的数量。

[0035] 本发明的第二液晶显示装置只要具有上述背面侧基板、观察面侧基板和液晶层作为结构要素，可以具有其它的结构要素也可以不具有其它的结构要素，没有特别限定。此外，优选背面侧基板为有源矩阵基板，但是并不特别限定于此，例如，也可以是无源矩阵基板。

[0036] 以下对本发明的第二液晶显示装置的优选方式进行说明。

[0037] 优选上述反射电极的下部含有铝或银，上述反射电极的上部含有VIB族元素。

[0038] 优选上述反射电极的上部的厚度为 以下。

[0039] 优选上述背面侧基板在反射电极的下部的背面侧具有含有VIB族元素的保护导电层。

[0040] 优选上述反射电极是含有VIB族元素的单层。

[0041] 优选上述透过电极的液晶层一侧的表面含有VIB族元素。

[0042] 优选上述透过电极含有选自氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡和氧化铟锌中的至少一种材料。

[0043] 优选上述背面侧基板在透过电极和反射电极上具有取向膜，隔着上述取向膜测定的透过电极与反射电极的功函数的差为0.1eV以下。

[0044] 由此，能够得到与本发明的第一液晶显示装置的优选方式同样的作用效果。

[0045] 本发明进一步提供一种液晶显示装置的制造方法，其为上述第二液晶显示装置的制造方法，其特征在于：上述制造方法包括对反射电极一并进行图案化的工序。由此，能够得到与本发明的第一液晶显示装置的制造方法同样的作用效果。

[0046] 发明效果

[0047] 根据本发明的液晶显示装置，反射电极的液晶层一侧的表面含有钼，由此，能够提供能够不增加制造工序数而实现抑制闪烁的半透过型的液晶显示装置。

具体实施方式

[0048] 以下举出实施例，参照附图进一步详细地说明本发明，但是本发明并不仅限定于这些实施例。

[0049] (实施例1)

[0050] 图1是表示实施例1的有源矩阵驱动方式的半透过型液晶显示装置的结构的截面示意图。

[0051] 实施例1的半透过型液晶显示装置，如图1所示，包括：背面侧基板30；以与背面侧基板30相对的方式设置的观察面侧基板40；和设置成夹持在背面侧基板30与观察面侧基板40之间的液晶层9。另外，半透过型液晶显示装置100呈矩阵状配置有具有进行透过模式的显示的透过区域50和进行反射模式的显示的反射区域60的多个像素。此外，图1表示每一个像素的结构。

[0052] 背面侧基板30在有源矩阵基板10上具有透过电极1、凹凸形成用绝缘层2、保护导电层4、反射电极3和取向膜7。有源矩阵基板10具有以下构造：在绝缘基板上，相互平行地延伸的多个栅极信号线与相互平行地延伸的多个源极信号线以相互正交的方式配置，在栅极信号线与源极信号线的各交差部，设置有开关元件(TFT)，开关元件上叠层有层间绝缘膜。开关元件的栅极电极与栅极信号线连接，开关元件的源极电极与源极信号线连接。

[0053] 在构成有源矩阵基板10的层间绝缘膜上，横跨透过区域50和反射区域60两者形成有透过电极1。透过电极1通过在构成有源矩阵基板10的层间绝缘膜中设置的接触孔与开关元件的漏极电极连接。另外，在反射区域60中，在透过电极1上依次叠层有凹凸形成用绝缘层2、保护导电层4和反射电极3。此外，透过电极1与反射电极3电连接，构成像素电极。

[0054] 透过电极1由膜厚大约 的氧化铟锡(氧化铟与氧化锡的化合物：ITO)膜构成，像素电极中进行透过模式的显示的部分由透过电极1构成。此外，作为构成透过电极1的材料并不限定于此，也能够使用氧化铟锌(IZO)等。

[0055] 凹凸形成用绝缘层2由感光性丙烯酸树脂等构成，其膜厚(大约1.8μm)设定成使得反射区域60的液晶层9的厚度(大约2μm)为透过区域50的液晶层的厚度(大约4μm)的实质上大约二分之一。由此，能够使来自反射区域60的出射光的相位接近于来自透过区域50的出射光的相位。

[0056] 反射电极3具有下部13和上部(保护层)14叠层的构造，构成像素电极中进行反射模式的显示的部分。反射电极3的下部13是膜厚大约 的Al层，实质上作为对照射在反射电极3上的光进行反射的电极起作用。另外，反射电极3的上部14是膜厚大约的Mo层，为了抑制由构成透过电极1的ITO与构成反射电极3的下部13的Al的电性质的差异引起的闪烁而设置。

[0057] 保护导电层4是膜厚大约 的Mo层，为了防止构成透过电极1的ITO与构成反射电极3的下部13的Al的电蚀反应而设置。取向膜7是为了根据施加的电压控制液晶层9中的液晶分子的取向而设置的。取向膜是电介质，因此具有电容，可认为该电容对取向膜上的电子的举动造成影响。作为构成取向膜的材料没有特别限定，可举出聚酰亚胺等。

[0058] 观察面侧基板40具有在绝缘基板20上依次叠层有彩色滤光片层6、黑矩阵(BM)、覆盖层、共用电极5和取向膜8的构造。共用电极5由膜厚大约 的ITO膜构成，设置成由多个像素共用。

[0059] 另外，液晶层9由具有负的介电常数各向异性的向列液晶构成。在本实施例中，如图1所示，在反射区域60与透过区域50之间的边界区域，形成有主要由凹凸形成用绝缘层2产生的台阶差。

[0060] 以下，对液晶显示装置100的制造方法进行说明。

[0061] 首先，在绝缘基板上形成栅极信号线、源极信号线和开关元件等，并在其上形成层间绝缘膜，由此完成有源矩阵基板10。接着，在有源矩阵基板10上，使用溅射法形成氧化铟锡(ITO)膜，使用光刻法进行图案化，由此，形成透过电极1。在本实施例中，在反射区域60也形成透过电极1。透过电极1只要能够与反射电极3和开关元件接合、并在整个透过区域50形成即可，并不限于本实施例。此外，在本实施例中，使透过电极1的膜厚为大约[0062] 接着，在透过电极1上，使用旋涂法涂敷膜厚大约1.8μm的感光性丙烯酸树脂膜后，对整体进行半曝光，在表面形成凹部。接着，在感光性丙烯酸树脂膜中，仅将透过区域50进行曝光、显影、热固化，由此形成表面为凹凸形状的凹凸形成用绝缘层2。此外，在本实施例中，为了使入射到反射电极3的光适度地扩散而在凹凸形成用绝缘层2的表面设置有凹凸，但是在配置凹凸形成用绝缘层2的位置设置的绝缘层可以不设置凹凸。

[0063] 接着，为了形成保护导电层4和反射电极3，在形成有凹凸形成用绝缘层2的基板整体上，使用溅射法依次形成膜厚大约 的第一Mo膜、膜厚大约 的Al膜和膜厚大约 的第二Mo膜。

[0064] 接着，使用旋涂法在基板整个面上涂敷光致抗蚀剂。接着，进行曝光和显影，形成抗蚀剂图案。此后，将抗蚀剂图案作为掩模，使用含有硝酸、醋酸和磷酸的水溶液(弱酸性蚀刻液)，对第一Mo膜、Al膜和第二Mo膜的叠层膜同时进行蚀刻，形成反射电极3和保护导电层4。这样第一Mo膜、Al膜和第二Mo膜能够同时进行图案化，因此不会增加图案化的工序数。此外，在本实施例中，在反射电极3与凹凸形成用绝缘层2之间整体地形成有保护导电层4，保护导电层4是用于防止作为反射电极3的下部13的Al膜与作为透过电极1的ITO膜的电蚀反应的，因此，只要至少在Al膜与ITO膜接触的部分形成即可。

[0065] 此后，形成取向膜7，由此背面侧基板30完成。另外，通过使用现有技术，制作观察面侧基板40，并将背面侧基板30与观察面侧基板40贴合，注入液晶层9，制作液晶表示面板。接着，在包括在本实施例中制作的背面侧基板的液晶表示面板上，贴合偏光板，安装栅极驱动器、源极驱动器和显示控制电路等，由此液晶显示装置100完成。

[0066] (实施例2～5)

[0067] 实施例2～5的半透过型液晶显示装置，除了使Mo层14的膜厚分别为10、20、40和 以外，与实施例1的结构同样。

[0068] (比较例1)

[0069] 比较例1的半透过型液晶显示装置，除了没有设置保护层14以外，与实施例1的结构同样。

[0070] <实施例1～5和比较例1的半透过型液晶显示装置的比较>

[0071] 对于实施例1～5和比较例1的半透过型液晶显示装置，测定出反射区域的反射率、透过区域与反射区域的功函数的差、以及透过区域与反射区域的闪烁电压差。反射率使用分光测色计(商品名：CM-2002，美能达株式会社制造)进行测定。另外，透过区域与反射区域的功函数的差，隔着取向膜7使用功函数测定器(商品名：FAC-2，理研计器株式会社制造)由开尔文法进行测定。闪烁电压差由闪烁测定器(商品名：多媒体显示器检测器3298F，横河电机株式会社制造)进行测定。将结果示于下述表1。

[0072] [表1]

[0073]

[0074] 在实施例1中，使用钼作为构成保护层(反射电极的上部)14的材料，钼的功函数(ψ＝4.6eV)接近于构成透过电极1的ITO的功函数(ψ＝4.7～5.2eV)，因此，能够将闪烁电压差降低至100mV以下。另外，因为使保护层14的膜厚为大约 所以能够得到充分高的反射率。进一步，因为能够一并对反射电极3进行图案化，所以与不设置保护层14的方式相比，制造工序数只增加用于形成保护层14的钼成膜工序，不需要追加图案化工序。

[0075] 图2是表示Mo层(保护层)14的膜厚与闪烁电压差的关系、以及Mo层(保护层)14的膜厚与反射率的关系的图。

[0076] 如图2所示，闪烁电压差降低的效果与反射率提高的效果处于此消彼长(trade-off)的关系。在实施例1～5中，Mo层(保护层)14的膜厚在3～ 的范围内，因此能够平衡良好地得到两者的效果。

[0077] 与此相对，在比较例1中，因为没有设置保护层14，所以不能像实施例1～5那样降低闪烁电压差。

[0078] (实施例6)

[0079] 图3是表示实施例6的有源矩阵驱动方式的半透过型液晶显示装置的结构的截面示意图。

[0080] 实施例6的液晶显示装置100a中，液晶层9a由背面侧基板30a与观察面侧基板40挟持。背面侧基板30a在位于有源矩阵基板10a的最上部的层间绝缘膜上形成有凹凸形成用绝缘层2a，在凹凸形成用绝缘层2a上形成有透过电极1a，在透过电极1a上的反射区域60a形成有保护导电层4a和反射电极3a。在凹凸形成用绝缘层2a中设置有接触孔
11a，TFT元件的漏极电极与透过电极1a连接。另外，在透过区域50a也设置有凹凸形成用绝缘层2a，但为了防止来自背光源的光被散射，在透过区域50a也可以不形成凹凸。此外，观察面侧基板40的结构的说明与实施例1同样，因此省略。

[0081] 以下，对背面侧基板的制造方法进行说明。本实施例中的透过电极、保护导电层和反射电极的形成方法与实施例1同样，因此省略重复的记载。

[0082] 在形成有层间绝缘膜的有源矩阵基板10a上，形成凹凸形成用绝缘层2a。此时，仅在位于除透过区域50a以外的反射区域60a的凹凸形成用绝缘层形成凹凸。另外，在形成凹凸的同时，在反射区域60a形成用于将透过电极1a与TFT元件的漏极电极连接的接触孔11。

[0083] 接着，依次形成作为透过电极1a的ITO膜、作为保护导电层4a的Mo膜、作为反射电极3a的Al膜和Mo膜。接着，使用与实施例1同样的方法对作为保护导电层4a的Mo膜、作为反射电极3a的Al膜和Mo膜一并进行蚀刻，形成保护导电层4a、反射电极的下部13a和上部14a。此后，形成取向膜7a，背面侧基板30a完成。

[0084] 由实施例6的方法制作的背面侧基板30a中，TFT元件与透过电极1a通过接触孔11连接。在该情况下，因为设置有透过电极1a、反射电极3a的下部13a和上部14a这三层，所以产生由接触孔11等的台阶差引起的断开的可能性低，反射电极3a与透过电极1a的接触变得更可靠，可改善制造成品率。

[0085] 此外，本申请以2007年3月15日提出申请的日本国专利申请2007-067036号为基础，主张基于巴黎公约或进入国的法规的优先权。该申请的全部内容作为参照被纳入本申请中。

附图说明

[0086] 图1是表示实施例1的半透过型液晶显示装置的结构的截面示意图。

[0087] 图2是表示Mo层(反射电极的上部)的膜厚与闪烁电压差的关系、以及Mo层(反射电极的上部)的膜厚与反射率的关系的图。

[0088] 图3是表示实施例6的半透过型液晶显示装置的结构的截面示意图。

[0089] 图4是表示将由IZO层、Al层和Mo层构成的叠层膜一并蚀刻时的膜形状的截面示意图。

[0090] 符号说明

[0091] 1、1a：透过电极

[0092] 2、2a：凹凸形成用绝缘层

[0093] 3、3a：反射电极

[0094] 4、4a：保护导电层

[0095] 5：共用电极

[0096] 6：彩色滤光片层

[0097] 7、7a、8：取向膜

[0098] 9、9a：液晶层

[0099] 10、10a：有源矩阵基板

[0100] 11：接触孔

[0101] 13、13a：反射电极的下部

[0102] 14、14a：反射电极的上部(保护层)

[0103] 20：绝缘基板

[0104] 21：玻璃基板

[0105] 22：Mo层

[0106] 23：Al层

[0107] 24：IZO层

[0108] 30、30a：背面侧基板

[0109] 40：观察面侧基板

[0110] 50、50a：透过区域

[0111] 60、60a：反射区域

[0112] 100、100a：液晶显示装置