一种晶圆对准标记

摘要

本发明提供了一种晶圆对准标记。现有技术在晶圆边缘开设缺口作为晶圆对准标记，该缺口易在晶圆上产生应力或缺陷从而影响其周边器件的质量。本发明的晶圆对准标记设置在晶圆背面，且其为中轴对称型激光镭射标记。采用本发明可在确保晶圆对准精度的前提下有效提高晶圆上半导体器件的成品率。

权利要求

1.一种晶圆对准标记，其特征在于，所述晶圆未设有缺口，该晶圆对准标记设置在晶圆背面，且其为中轴对称型激光镭射标记。

2.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，该晶圆对准标记设置在晶圆背面的边缘。

3.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，该中轴对称型激光镭射标记为一个圆。

4.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，该中轴对称型激光镭射标记为一个十字架。

5.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，该中轴对称型激光镭射标记为一组栅状条纹。

说明书

一种晶圆对准标记

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆对准标记。

背景技术

[0002] 在半导体制造领域，现通常在晶圆的边缘制作一缺口(notch)以在制造过程中进行对准，该种对准标记存在着简单方便的优点，但是该缺口易在晶圆边缘引进缺陷或应力，从而影响缺口附近的半导体器件的质量及成品率。

[0003] 因此，如何提供一种晶圆对准标记以在确保对准精度的前提下提高晶圆上半导体器件的成品率，已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种晶圆对准标记，通过所述标记可提高晶圆上半导体器件的成品率。

[0005] 本发明的目的是这样实现的：一种晶圆对准标记，设置在晶圆背面，且其为中轴对称型激光镭射标记。

[0006] 在上述的晶圆对准标记中，该晶圆对准标记设置在晶圆背面的边缘。

[0007] 在上述的晶圆对准标记中，该中轴对称型激光镭射标记为一个圆。

[0008] 在上述的晶圆对准标记中，该中轴对称型激光镭射标记为一个十字架。

[0009] 在上述的晶圆对准标记中，该中轴对称型激光镭射标记为一组栅状条纹。

[0010] 与现有技术中晶圆上的对准标记为缺口易造成晶圆上半导体器件的成品率较低相比，本发明的晶圆对准标记制作在晶圆背面，且为中轴对称型激光镭射标记，如此可避免在晶圆上引起应力或缺陷，进而可在确保晶圆对准精度的前提下有效提高晶圆上半导体器件的成品率。

附图说明

[0011] 本发明的晶圆对准标记由以下的实施例及附图给出。

[0012] 图1为本发明的晶圆对准标记第一实施例的示意图；

[0013] 图2为本发明的晶圆对准标记第二实施例的示意图；

[0014] 图3为本发明的晶圆对准标记第三实施例的示意图。

具体实施方式

[0015] 以下将对本发明的晶圆对准标记作进一步的详细描述。

[0016] 本发明的晶圆对准标记设置在晶圆1的背面10的边缘上，所述晶圆对准标记为中轴对称型激光镭射标记。

[0017] 需说明的是，与晶圆1的背面10相反的一面即晶圆1的正面用于制作半导体器件。

[0018] 参见图1，在本发明第一实施例中，所述晶圆对准标记2设置在晶圆1的背面10上，其为激光镭射标记且其为一个圆，所述圆的直径为10微米。

[0019] 参见图2，在本发明第二实施例中，所述晶圆对准标记3设置在晶圆1的背面10上，其为激光镭射标记且其为一个十字架。

[0020] 参见图3，在本发明第三实施例中，所述晶圆对准标记4设置在晶圆1的背面10上，其为激光镭射标记且其为一组栅状条纹，且所述栅状条纹由4条条纹组成。

[0021] 在半导体制造过程中，使用图1至图3中所述的晶圆对准标记2、3和4可以确保晶圆上半导体器件制造在其预设位置，并可避免现有技术中在晶圆边缘开设缺口作为对准标记所导致的应力和缺陷问题。

[0022] 综上所述，本发明的晶圆对准标记制作在晶圆背面，且为中轴对称型激光镭射标记，如此可避免在晶圆上引起应力或缺陷，进而可在确保晶圆对准精度的前提下有效提高晶圆上半导体器件的成品率。