功率场效应管晶片弯曲的解决方法

摘要

本发明提出的功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，在P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸大于等于1.3μm的光阻，对P型半导体基底的光阻的两侧区域进行N型离子注入，然后拿掉光阻并对N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，本发明所使用的光阻的特征尺寸从先前技术的0.7μm增加到1.3μm以上，这样因为较大特征尺寸的光阻的遮蔽，在离子注入之后，能够加大了两侧N离子注入区域的距离，就算在高温工序之后，两侧扩散的离子相连的部分也比较少，这样就能够减少凹陷接触区的蚀刻深度，有效的减少晶片弯曲的程度，从而保证了功率场效应管晶片制程的顺利完成。

权利要求

1.一种功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于包括下列步骤：提供P型半导体基底；

在上述P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸的光阻；

对上述P型半导体基底的上述光阻的两侧区域进行N型离子注入；

拿掉光阻并对上述N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，其中上述光阻的设定特征尺寸为大于等于1.3微米。

2.根据权利要求1所述的减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于其中上述P型半导体基底具有多个凹槽区域，上述凹槽中灌注有多晶硅。

3.根据权利要求2所述的减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于其中上述光阻放置于两个凹槽之间的上述P型半导体基底的中间表面。

4.根据权利要求1所述的减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于其中在上述N型离子注入步骤之后更包括高温制程。

5.根据权利要求1所述的减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于其中上述蚀刻形成凹陷区的步骤为蚀刻上述两个N型离子注入区域的中间部分，以使得上述两个N型离子注入区域被凹陷区隔离开。

6.根据权利要求1所述的减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于其中上述凹陷区用以形成接触区引出导线与外部元件相接触。

7.根据权利要求1所述的减少晶片弯曲程度的方法，其特征在于其中上述凹陷区的深度为小于等于1000 Å。

说明书

功率场效应管晶片弯曲的解决方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种功率场效应管的晶片接触制程方法，且特别涉及一种功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法。

背景技术

[0002] 功率场效应管的晶片在曝光后的显影制程时，会发生微影机器的真空泵无法把晶片吸住，制程被终止，晶片被报废的情况，原因是功率场效应管的晶片发生了弯曲的现象。而晶片弯曲的原因主要是接触制程中有一道工序为制作接触凹陷区的制程，它是在接触蚀刻之后，在硅层上还要挖一定深度，以隔开该接触凹陷区两侧的离子注入区域，该凹陷区用以形成接触区引出导线与外部元件相接触。有些功率场效应管的设计是成条状设计的，功率场效应管晶片的沟槽和凹陷区都是条状而且方向相同，沟槽和凹陷区都是要蚀刻硅层的，而在蚀刻硅层的过程中很可能造成晶片的弯曲。请参考图1和图2，图1所示为现有技术中功率场效应管的晶片进行接触制程中利用光阻进行离子注入的示意图，图2所示为现有技术中功率场效应管的晶片进行接触制程中蚀刻凹陷区的示意图。以蚀刻形成凹陷区这一制程来说，在现有技术中半导体基底100上的凹槽110之间的区域上放置一特征尺寸例如为0.7um的光阻130，其中上述凹槽中灌注有多晶硅120，然后再对该光阻130两侧的区域140进行离子注入，以P型半导体基底100为例，注入的离子为N型离子，之后进行一高温制程，在高温制程中，两部分区域140的N型离子会扩散而部分连接到一起，这就需要对连接到一起的这部分进行蚀刻以形成凹陷接触区150，而这种蚀刻必须挖穿相连部分的N型离子区域140才能保证器件的正常工作，对于使用0.7um特征尺寸的光阻130的晶片来说需要蚀刻4000A深度的硅层，然而在功率场效应管的晶片蚀刻如此深度的硅层很容易造成晶片的弯曲。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于提供一种功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，该方法可有效减少晶片弯曲的程度，保证功率场效应管晶片制程的顺利完成。

[0004] 为了实现上述目的，本发明提出一种功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，其包括下列步骤：提供P型半导体基底；在上述P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸的光阻；对上述P型半导体基底的上述光阻的两侧区域进行N型离子注入；拿掉光阻并对上述N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，其中上述光阻的设定特征尺寸为大于等于1.3um。

[0005] 进一步的，其中上述P型半导体基底具有多个凹槽区域，上述凹槽中灌注有多晶硅。

[0006] 进一步的，其中上述光阻放置于两个凹槽之间的上述P型半导体基底的中间表面。

[0007] 进一步的，其中在上述N型离子注入步骤之后更包括高温制程。

[0008] 进一步的，其中上述蚀刻形成凹陷区的步骤为蚀刻上述两个N型离子注入区域的中间部分，以使得上述两个N型离子注入区域被凹陷区隔离开。

[0009] 进一步的，其中上述凹陷区用以形成接触区引出导线与外部元件相接触。

[0010] 进一步的，其中上述凹陷区的深度为小于等于1000A。

[0011] 本发明提出的功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，在P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸大于等于1.3um的光阻，对上述P型半导体基底的上述光阻的两侧区域进行N型离子注入，然后拿掉光阻并对上述N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，以使得上述两个N型离子注入区域被凹陷区隔离开，本发明所使用的光阻的特征尺寸从先前技术的0.7um增加到1.3um以上，这样因为较大特征尺寸的光阻的遮蔽，在离子注入之后，能够加大了两侧N离子注入区域的距离，就算在高温工序之后，两侧扩散的离子相连的部分也比较少，这样就能够减少凹陷接触区的蚀刻深度，可将凹陷区的深度从4000A缩减到1000A以下，这样就可以有效的减少晶片弯曲的程度，从而保证了功率场效应管晶片制程的顺利完成。

附图说明

[0012] 图1所示为现有技术中晶片进行接触制程中利用光阻进行离子注入的示意图。

[0013] 图2所示为现有技术中晶片进行接触制程中蚀刻凹陷区的示意图。

[0014] 图3所示为本发明一较佳实施例中晶片进行接触制程中利用光阻进行离子注入的示意图。

[0015] 图4所示为本发明一较佳实施例中晶片进行接触制程中蚀刻凹陷区的示意图。

具体实施方式

[0016] 为了更了解本发明的技术内容，特举较佳具体实施例并配合所附图式说明如下。

[0017] 本发明提出的功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，其包括下列步骤：提供P型半导体基底；在上述P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸的光阻；对上述P型半导体基底的上述光阻的两侧区域进行N型离子注入；拿掉光阻并对上述N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，其中上述光阻的设定特征尺寸为大于等于1.3um。

[0018] 请参考图3和图4，图3所示为本发明一较佳实施例中晶片进行接触制程中利用光阻进行离子注入的示意图，图4所示为本发明一较佳实施例中晶片进行接触制程中蚀刻凹陷区的示意图。从图3和图4中可以看出，本发明所提供的P型半导体基底200具有多个凹槽区域210，而凹槽210中灌注有多晶硅220，将具有设定特征尺寸的光阻230放置在上述两个凹槽210之间的上述P型半导体基底200的中间表面上，接着对上述光阻230两侧的P型半导体基底200区域进行N离子注入，形成两个N型离子注入区域240，而之间的区域因为光阻230的遮蔽不会被注入N型离子，同时由于本发明较佳实施例所采用的光阻230的特征尺寸为大于等于1.3um，即比现有技术所采用的0.7um的光阻要大，所以两个N型离子注入区域240相隔的距离比较大，即使在随后的高温制程之后，两个N型离子注入区域240也不会因为扩散而连接到一起或者仅有很少的部分连接。然后去除上述光阻230以进行蚀刻形成凹陷区250的步骤，蚀刻上述两个N型离子注入区域240的中间部分，以使得上述两个N型离子注入区域240被凹陷区250隔离开，其中上述凹陷区250是用以形成接触区引出导线与外部元件相接触的区域，由于本发明较佳实施例所采用的光阻230的特征尺寸为大于等于1.3um，即比现有技术所采用的0.7um的光阻要大，同时两个N型离子注入区域240也没有连接到一起或者仅有很少的部分连接，因此仅需要蚀刻很少深度的硅层就能形成合格的凹陷接触区，按照本发明较佳实施例进行的蚀刻上述凹陷区的深度为小于等于1000A。

[0019] 本发明提出的功率场效应管在接触制程中减少晶片弯曲程度的方法，在P型半导体基底表面放置具有设定特征尺寸大于等于1.3um的光阻，对上述P型半导体基底的上述光阻的两侧区域进行N型离子注入，然后拿掉光阻并对上述N型离子注入区域之间进行蚀刻形成凹陷区，以使得上述两个N型离子注入区域被凹陷区隔离开，本发明所使用的光阻的特征尺寸从先前技术的0.7um增加到1.3um以上，这样因为较大特征尺寸的光阻的遮蔽，在离子注入之后，能够加大了两侧N离子注入区域的距离，就算在高温工序之后，两侧扩散的离子相连的部分也比较少，这样就能够减少凹陷接触区的蚀刻深度，可将凹陷区的深度从4000A缩减到1000A以下，这样就可以有效的减少晶片弯曲的程度，从而保证了功率场效应管晶片制程的顺利完成。

[0020] 虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。