一种半导体装置，其包括：上电路板，其具有包括多个第一上层布线的多个上层布线并具有多个第一和第二下层布线。第一半导体结构体设在上电路板的上表面上并且电连接到第一上层布线。下电路板，其设在上电路板的下侧的边缘部分上，下电路板包括多个电连接到第一下层布线的外部连接布线，以及露出第二下层布线的开口部分。置于下电路板的开口部分的第二半导体结构体，第二半导体结构体包括多个外部连接电极，其电连接到上电路板的第二下层布线。
上电路板，其包括多个上层布线并包括多个第一和第二下层布线，所述上层布线包括多个第一上层布线；
第一半导体结构体，其设在上电路板的上侧上，并电连接到第一上层布线；
下电路板，其设在上电路板的下侧的边缘部分上，该下电路板包括电连接到第一下层布线的多个外部连接布线以及露出第二下层布线的开口部分；以及第二半导体结构体，其被设置于下电路板的开口部分中，第二半导体结构体包括电连接到上电路板的第二下层布线的多个外部连接电极，其中，所述上电路板的所述第一下层布线和所述第二下层布线形成在同一个面下，所述下电路板具有下层绝缘片和被设置在所述下层绝缘片内的截头圆锥形状的突出电极，所述上电路板的所述第二下层布线被连接到所述突出电极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上电路板具有多层布线结构。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，下电路板具有多层布线结构。
4.根据权利要求1，2或3所述的半导体装置，其特征在于，下电路板的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其特征在于，下电路板包括外套膜，所述外套膜在与外部连接布线的连接焊盘部分相对应的部分具有多个开口部分。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，多个焊球被设在外套膜的开口部分中以及外套膜的开口部分下面，并且与外部连接布线的连接焊盘部分相连。
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述多个上层布线包括至少一个第二上层布线，而且该半导体装置进一步包括电连接到第二上层布线的芯片部件。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括设在芯片部件和上电路板上的密封膜。
上电路板，其中堆叠有每个都具有通路孔和内部布线的多个衬底，上电路板在上表面包括多个上层布线而在下表面包括多个下层布线，所述多个上层布线包括至少第一上层布线，而所述多个下层布线包括多个第一下层布线和多个第二下层布线；
第一半导体结构体，其设在上电路板上并且连接到第一上层布线；
下电路板，其被设在上电路板的下侧的边缘部分上，下电路板包括与第一下层布线相连的多个外部连接布线，以及露出第二下层布线的开口部分和露出外部连接布线的开口部分；
第二半导体结构体，其被设置于下电路板的开口部分中，并包括与上电路板的第二下层布线相连的外部连接电极；以及多个传导实体，其通过露出外部连接布线的开口部分与外部连接布线相结合，每个传导实体所具有的高度使得在传导实体连接到外部端子的状态下，传导实体的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下，其中，所述上电路板的所述第一下层布线和所述第二下层布线形成在同一个面下，所述下电路板具有下层绝缘片和被设置在所述下层绝缘片内的截头圆锥形状的突出电极，所述上电路板的所述第二下层布线被连接到所述突出电极。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，第一半导体结构体包括具有多个连接焊盘的半导体衬底、覆盖半导体衬底并具有露出连接焊盘的多个开口部分的绝缘膜、形成于绝缘膜上并且通过开口部分与连接焊盘电连接的布线、以及覆盖绝缘膜并包括露出部分布线的开口部分的外套膜。
11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，第二半导体结构体包括具有连接焊盘的半导体衬底、覆盖该半导体衬底并包括露出连接焊盘的开口部分的绝缘膜、形成于绝缘膜上且通过开口部分与连接焊盘相连的突出电极、以及覆盖绝缘膜并且围绕突出电极形成的密封膜。
上电路板，其中堆叠有每个都包括内部布线的多个衬底，上电路板在上表面包括多个上层布线而在下表面包括多个第一和第二下层布线；
第一半导体结构体，其被设在上电路板的上表面上并且与上层布线相结合；
下电路板，其被设在上电路板的下表面上，包括多个下层绝缘片，每个下层绝缘片都具有露出部分所述第一下层布线的开口部分，并包括与所述第二下层布线相连的外部连接布线；
第二半导体结构体，其设在下电路板的开口部分中，并包括连接到上电路板的所述第一下层布线的外部连接电极；以及焊球，其通过露出外部连接布线的下电路板的开口部分与外部连接布线相结合，并被连接到外部端子，每个焊球所具有的高度使得在焊球被连接到外部端子的状态下，焊球的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下，其中，所述上电路板的所述第一下层布线和所述第二下层布线形成在同一个面下，所述下电路板具有下层绝缘片和被设置在所述下层绝缘片内的截头圆锥形状的突出电极，所述上电路板的所述第二下层布线被连接到所述突出电极。
准备包括上层布线和下层布线的上电路板，下层布线的一部分和其他部分形成在同一个面下；
准备下电路板，该下电路板包括下层绝缘片、被设置在所述下层绝缘片内的圆锥形状的突出电极、和要与上电路板的下层布线的所述一部分相连并具有连接焊盘部分的外部连接布线，并包括露出下层布线的所述其他部分的开口部分；
在外部连接布线和下层布线的所述一部分之间，将突出电极压碎在下层布线的所述一部分上，来整体地将下电路板设在上电路板的下表面上，从而外部连接布线连接到上电路板的下层布线的所述一部分；
将第一半导体结构体安装到上电路板上并且将第一半导体结构体连接到上电路板的上层布线；以及将第二半导体结构体安装到下电路板的开口部分中从而第二半导体结构体与上电路板的下层布线的所述其他部分相连。
14.根据权利要求13所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述准备上电路板的步骤包括通过堆叠每个都具有通路孔和内部布线的多个衬底而形成多层布线板。
15.根据权利要求13或14所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述准备下电路板的步骤包括通过堆叠每个都具有露出部分下层布线的开口部分的多个下层绝缘片而形成多层布线板。
16.根据权利要求13到15中任一项所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述将第二半导体结构体安装到下电路板的开口部分中的步骤包括以使得第二半导体结构体的下表面位于下电路板的下表面之上的方式将第二半导体结构体安装到下电路板的开口部分中。
17.根据权利要求15所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述准备下电路板的步骤包括在所述多个下层绝缘片的最下层的下层绝缘膜片的下表面上形成一外套膜，所述外套膜在与外部连接布线的连接焊盘部分相对应的部分处包括开口部分。
18.根据权利要求17所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，进一步包括形成焊球的步骤，所述焊球形成于外套膜的开口部分中和外套膜的开口部分下方并且连接到外部连接布线的连接焊盘部分。
19.根据权利要求13到18中任一项所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，进一步包括将芯片部件安装到上层布线上的步骤。
20.根据权利要求19所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，进一步包括形成密封膜的步骤，所述密封膜在上电路板上覆盖第一半导体结构体和芯片部件。
准备上电路板，所述上电路板中堆叠有每个都包括通路孔和内部布线的多个衬底，所述上电路板包括上层布线和下层布线，下层布线的一部分和其他部分形成在同一个面下；
准备下电路板，所述下电路板包括下层绝缘片、被设置在所述下层绝缘片内的圆锥形状的突出电极、和要与下层布线的所述一部分相连并具有连接焊盘部分的外部连接布线，并且包括露出下层布线的所述其他部分的开口部分以及露出外部连接布线的开口部分；
在外部连接布线和下层布线的所述一部分之间，将突出电极压碎在下层布线的所述一部分上，来在上电路板的下表面上堆叠下电路板，从而外部连接布线与上电路板的下层布线的所述一部分相连；
将第一半导体结构体安装到上电路板并且将第一半导体结构体连接到上电路板的上层布线；
将第二半导体结构体安装到下电路板的开口部分中从而第二半导体结构体连接到上电路板的下层布线的所述其他部分；以及形成置于下电路板的开口部分中并与外部连接布线相连的焊球，每个焊球所具有的高度使得在焊球连接到外部端子的状态下，焊球的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下。
22.根据权利要求21所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述准备下电路板的步骤包括通过堆叠每个都具有露出部分下层布线的开口部分的多个下层绝缘片而形成多层布线板。
23.根据权利要求22所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述准备下电路板的步骤包括在所述多个下层绝缘片的最下层绝缘膜片的下表面形成外套膜，所述外套膜在与外部连接布线的连接焊盘部分相对应的部分处包括开口部分。
准备上电路板，所述上电路板中堆叠有每个都包括通路孔和内部布线的多个衬底，上电路板包括上层布线和多个下层布线，每个下层布线包括形成在同一个面下的一部分和其他部分；
准备下电路板，所述下电路板包括带有要与下层布线的所述一部分相连并具有连接焊盘部分的外部连接布线的下层绝缘片、被设置在所述下层绝缘片内的圆锥形状的突出电极、以及覆盖下层绝缘片的下表面和外部连接布线的外套膜，还包括露出下层布线的所述其他部分的开口部分；
在外部连接布线和下层布线的所述一部分之间，将突出电极压碎在下层布线的所述一部分上，来在上电路板的下表面上堆叠下电路板，从而外部连接布线被连接到上电路板的下层布线的所述一部分；
将第一半导体结构体安装到上电路板上并且将第一半导体结构体连接到上电路板的上层布线；
将第二半导体结构体安装到下电路板的开口部分中从而第二半导体结构体连接到下层布线的所述其他部分；
在外套膜中形成露出下电路板的外部连接布线的开口部分；以及
形成经由下电路板的开口部分与外部连接布线相连的焊球，该焊球所具有的高度使得在焊球连接到外部端子的状态下焊球的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下。
在其上表面和下表面具有半导体结构体的半导体装置及其
制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种在其上表面和下表面具有半导体结构体的半导体装置，以及制造该半导体装置的方法。
背景技术
[0002] 在公开号为2001-339011的日本专利申请中公开的传统的半导体装置具有这样的结构，即，半导体结构体包括半导体衬底和设置于该半导体衬底下的多个外部连接端子，该结构被面朝下地安装到基板上。在这种情况下，被安装到基板上的半导体结构体的外部连接电极与设置于基板下表面上的下层布线通过形成于衬底中的垂直导体连接。基板的下表面和下层布线具有外套膜，所述外套膜在与下层布线的连接焊盘部分相对应的部分中具有开口部分。焊球设在外套膜的开口部分中和开口部分下面，并且连接到下层布线的连接焊盘部分。
[0003] 在前述的传统的半导体装置中，焊球与设在主电路板(母板)上的连接端子相结合。由此，该半导体装置被安装到主电路板上。
[0004] 在许多情况下，多个电子部件，包括其他半导体结构体和芯片部件，被安装到主电路板上。在这种情况下，主电路板的尺寸变得相对大。
[0005] 同时，为了减小主电路板的尺寸，可以考虑在传统半导体装置的基板下安装这样的电子部件，包括其他半导体结构体和芯片部件。在这种半导体装置中，为了将设在基板下面的焊球与主电路板上的连接端子相结合，有必要使每个焊球的高度都大于安装在基板下面的电子部件的高度，而且还存在这样的问题，即，焊球直径增加，焊球的布置的间距(pitch)增加，且间距的减小受到限制。
发明内容
[0006] 本发明的目的是提供一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其能在即使半导体结构体或类似物被安装在基板下面的情况下也能减小设在基板下面的外部连接布线的连接焊盘部分的布置的间距。
[0007] 根据本发明的一方面，提供一种半导体装置，包括：
[0008] 上电路板，其包括多个上层布线，所述上层布线包括多个第一上层布线，且所述上电路板还包括多个第一和第二下层布线；
[0009] 第一半导体结构体，其设在上电路板的上侧上，并与第一上层布线电连接；
[0010] 下电路板，其设在上电路板的下侧的边缘部分上，下电路板包括多个电连接到第一下层布线的外部连接布线，以及暴露出第二下层布线的开口部分；以及[0011] 第二半导体结构体，其设置于下层电路板的开口部分中，第二半导体结构体包括多个电连接到上电路板的第二下层布线的外部连接电极。
[0012] 根据本发明的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，包括：
[0013] 准备上电路板，其包括上层布线和下层布线；
[0014] 准备下电路板，其包括连接到部分下层布线且具有连接焊盘部分的外部连接布线，并包括开口部分，所述开口部分将下层布线的其他部分暴露出来；
[0015] 在上电路板上整体地提供下电路板，从而外部连接布线与上电路板的部分下层布线相连；
[0016] 将第一半导体结构体安装到上电路板上，并将第一半导体结构体连接到上层布线；以及
[0017] 将第二半导体结构体安装到下电路板的开口部分中，从而第二半导体结构体与下层布线的其他部分相连。
附图说明
[0018] 图1A是根据本发明的实施例的半导体装置的剖视图；
[0019] 图1B是一放大的剖视图，用于详细示出图1A所示的半导体装置的上电路板；
[0020] 图2是表示制造图1A所示半导体装置的方法示例的初始制作步骤剖视图；
[0021] 图3是表示接着图2所示步骤的制造步骤的剖视图；
[0022] 图4是表示接着图3所示步骤的制造步骤的剖视图；
[0023] 图5是表示接着图4所示步骤的制造步骤的剖视图；
[0024] 图6是表示接着图5所示步骤的制造步骤的剖视图；以及
[0025] 图7是表示接着图6所示步骤的制造步骤的剖视图。
具体实施方式
[0026] 图1A是根据本发明实施例的半导体装置的剖视图。该半导体装置包括在平面上具有矩形形状的上电路板1。上电路板1包括具有多层布线结构的多层布线板2，其中堆叠有多个层叠衬底2a(图1A中为4个，但数量并不限于4)，每个层叠衬底都是由混有增强材料(如玻璃纤维)的热固有机树脂材料制成。如图1B中的放大图显示的，多层布线板2具有公知的结构，其中设于相邻衬底2a之间的内部布线2a1通过通路孔2a2彼此电连接，该通路孔垂直穿过各衬底2a，从而构成预设的电路。具有连接焊盘部分的多个第一上层布线3设在多层布线板2的上表面的中央部分上，而具有连接焊盘部分的多个第二上层布线4设在多层布线板2上表面的边缘部分上。具有连接焊盘部分的多个第一下层布线5设在多层布线板2的下表面的中央部分上，而具有连接焊盘部分的多个第二下层布线6设在多层布线板2的下表面的边缘部分上。布线3到6由例如铜箔或铝箔形成。
[0027] 第一和第二上层布线3和4以及第一和第二下层布线5和6通过多层布线板2中的内部布线2a1和通路孔2a2电连接，从而构成预设电路。由例如阻焊剂形成的上层绝缘膜7设在第一和第二上层布线3和4以及多层布线板2的上表面上。第一和第二开口部分8和9形成于上层绝缘膜7的那些与第一和第二上层布线3和4的连接焊盘部分相对应的部分中。
[0028] 在平面上具有矩形形状的第一半导体结构体11被安装到上电路板1的上层绝缘膜7的上表面的大体中央部分。半导体结构体11包括硅衬底(半导体衬底)12。具有预设功能的集成电路(未示出)设在硅衬底12的下表面上，由例如铝基金属形成的多个连接焊盘13设在硅衬底12下表面的边缘部分上，并且与集成电路电连接。由无机材料(例如氧化硅)形成的绝缘膜14设在连接焊盘13的除其中央部分外的下表面上和硅衬底12的下表面上。由有机材料(例如聚酰亚胺树脂)形成的电绝缘保护膜15设在绝缘膜14的下表面上。连接焊盘13的中央部分通过形成于绝缘膜14和保护膜15中的开口部分16暴露出来。
[0029] 布线17设在保护膜15的下表面上。每个布线17具有双层结构，包括基础金属层18和覆层金属层19，基础金属层由例如铜形成于保护膜15的下表面上，覆层金属层由例如铜形成于基础金属层18的下表面上。布线17的一个端部通过绝缘膜14和保护膜15中的开口部分16电连接到连接焊盘13。由例如阻焊剂形成的外套膜20被设在布线17和保护膜15的下表面上。开口部分21在与布线17的连接焊盘部分相对应的部分形成于外套20中。
[0030] 第一半导体结构体11的布线17的连接焊盘部分与电路板1的第一上层布线3的连接焊盘部分通过设在外套膜20的开口部分21和电路板1的上层绝缘膜7的第一开口部分8中的焊料层22相结合。因此，第一半导体结构体11被面朝下地安装到电路板1的上层绝缘膜7上表面的中央部分上。
[0031] 由电容、电阻等组成的多个无源型芯片部件23被安装到上电路板1的上层绝缘层7上表面的边缘部分上。芯片部件23的两个电极(未示出)通过像焊料这样的导电材料24与电路板1的第二上层布线4的连接焊盘部分相结合，该导电材料设在形成于电路板1的上层绝缘膜7的第二开口部分9中。因此，芯片部件23被安装到电路板1的上层绝缘膜7的上表面的边缘部分上。由有机材料例如环氧树脂形成的密封膜25设在第一半导体结构体11、芯片器件23、和电路板1的上层绝缘膜7的上表面上。
[0032] 平面上具有矩形框形状的下电路板31设在电路板1的第二下层布线6的连接焊盘部分上以及多层布线板2下表面的边缘部分上，多个矩形开口以矩阵形成在下电路板中。下电路板31包括第一下层绝缘片(下层绝缘膜)32、第二下层绝缘片(下层绝缘膜)33和外套膜34，它们是堆叠的，且具有矩形框形状。第一和第二下层绝缘片32和33由这样的材料形成，该材料中，一基础材料(例如玻璃布)浸有由例如环氧树脂这样的有机树脂组成的热固树脂。外套膜34由例如阻焊剂形成。具有相同形状和相同大小的各矩形开口部分35设在第一下层绝缘片32、第二下层绝缘片33和外套膜34的中央部分中。下电路板31通过紧密地堆积第一下层绝缘片32、第二下层绝缘片33和外套膜34而构成，它们的开口部分35的端部对齐。
[0033] 通孔38形成于第二下层绝缘片33的多个预设部分。由例如金属膏或导电销形成的多个竖直传导部分39分别设在通孔38中。由例如铜箔或铝箔形成的多组连接焊盘40和外部连接布线41设在第二下层绝缘片33的上、下表面上。每组的连接焊盘40和相应的外部连接布线41通过竖直传导部分39相互连接。均具有截头圆锥形状的突出电极42分别设在连接焊盘40的上表面上。连接焊盘40和突出电极42被置于第一下层绝缘片32中，而突出电极42的上端部分别与电路板1的第二下层布线6的连接焊盘部分的下表面连接。
[0034] 多个开口部分43穿过外套膜34在与外部连接布线41的连接焊盘部分相对应的部分处形成。多个焊球或导电实体44被设在外套膜34的开口部分43中以及开口部分43的下方(从开口部分43向外延伸)，并且与外部连接布线41的连接焊盘相连。
[0035] 第二半导体结构体51被安装到上电路板1的多层布线板2下表面的中央部分上。结构体51位于下电路板31的第一和第二下层绝缘片32和33的开口部分35内。第二半导体结构体51包括硅衬底(半导体衬底)52。具有预设功能的集成电路(未示出)设在硅衬底52的上表面上。多个由例如铝基金属形成的连接焊盘53设在硅衬底52上表面的边缘表面上，并且与集成电路电连接。由例如氧化硅这样的无机材料形成的绝缘膜54设在硅衬底52的上表面上和连接焊盘53的除其中央部分外的部分上。连接焊盘53的中央部分通过形成于绝缘膜54中的开口部分55暴露出来。该绝缘膜54可以由包括如氧化硅形成的无机绝缘膜和形成于该无机绝缘膜上的如聚酰亚胺形成的有机绝缘膜的多层结构形成。
[0036] 多个由例如铜形成的基础金属层56分别设在连接焊盘53的上表面上。金属层56通过绝缘膜54的开口部分55被暴露出或向上突起，并且在位于其周围的绝缘膜54的上表面上。多个由铜形成的突出电极(外部连接电极)57分别设在基础金属层56的整个上表面上。由有机材料如环氧树脂形成的密封膜58设在突出电极57周围的绝缘膜54的上表面上。多个焊球59设在突出电极57的上表面上。
[0037] 焊球59分别与电路板1的第一下层布线5的连接焊盘部分结合。因此，第二半导体结构体51按面朝下的方法在下电路板31的第一和第二下层绝缘片32和33的开口部分35内安装到电路板1的多层布线板2的下表面的中心部分中。在这种状态下，下电路板31的外套膜34的下表面位于第二半导体结构体51的硅衬底52的下表面之下。换言之，下电路板31的外套膜34的下表面比第二半导体结构体51的硅衬底52的下表面从电路板1突出得更多。相应地，设在外套膜34下面的焊球44位于第二半导体结构体51的硅衬底52的下表面之下。
[0038] 在上述半导体装置中，焊球或金属球44与设在主电路板(未示出)上的连接端子结合。因此，该半导体装置被安装到主电路板上。这种情况下，由于设在下电路板31的外套膜34下面的焊球44被定位于第二半导体结构体51的硅衬底52的下表面之下，每个焊球44的尺寸可以大大缩小。因此，尽管安装了第二半导体结构体51，焊球44和外部连接布线
41的连接焊盘部分的布置的间距可以设置为足够小的间距，相应地整个半导体装置的尺寸能够缩小。
[0039] 在上述例子中，下电路板31的外套膜34的下表面位于第二半导体结构体51的硅衬底52的下表面之下。然而，即使在下电路板31的外套膜34的下表面位于第二半导体结构体51的硅衬底52的下表面同一水平或之上的情况下仍然可以获得上述有利效果，只要与外部端子结合且在此状态下变形为非球状的焊球44的下表面位于第二半导体结构体51的下表面之下。
[0040] 下面描述制造上述半导体装置的方法的例子。首先，如图2所示，准备上电路板1、第一下层绝缘片32a和第二下层绝缘片33。在这种情况下，所准备部件的尺寸被确定为能形成多个每个都如图1所示的完整的半导体装置。
[0041] 如前面所描述的，电路板1包括具有多层布线结构的多层布线板2，其中堆叠有多个具有内部布线2a1和通路孔2a2的衬底2a。第一和第二上层布线3和4以及第一和第二下层布线5和6通过对例如铜箔进行构图而形成于多层布线板2的上表面和下表面上，所述铜箔堆叠于多层布线板2的上表面和下表面上。通过丝网印刷或类似手段将例如阻焊剂涂覆在多层布线板2的上表面上，从而在包括第一和第二上层布线3和4的多层布线板2的上表面形成上层绝缘膜7。第一和第二开口部分8和9通过例如使用激光辐射的激光处理而形成于上层绝缘膜7的与第一和第二上层布线3和4的连接焊盘部分相对应的部分处。
[0042] 第二下层绝缘片33按如下方式形成。例如玻璃布这样的基础材料被浸有由例如环氧树脂组成的热固树脂。该热固树脂固化成片状。通过例如冲压的方法在该片状结构中形成多个矩形开口部分35，而通过例如使用激光辐射的激光处理形成多个通孔38。
[0043] 由例如金属膏或导电销形成的竖直传导部分39设在第二下层绝缘片33的通孔38中。连接焊盘40和外部连接布线41通过对例如铜箔进行构图而形成于第二下层绝缘片33的上表面和下表面上，所述铜箔堆叠于第二下层绝缘片33的上、下表面上，连接焊盘40和外部连接布线41通过竖直传导部分39相互链接。
[0044] 通过例如丝网印刷涂覆导电膏并固化该导电膏，将每个都具有圆锥形形状的突出电极42设在连接焊盘40的上表面上，在该导电膏中，金属填料或其类似物分散于热固树脂中。通过用丝网印刷或其类似方法涂覆例如阻焊剂，而在包括外部连接布线41的下层绝缘片33的下表面上形成具有开口部分35的外套膜34。通过例如使用激光辐射的激光处理方法，开口部分43形成于外套膜34的与外部连接布线41的连接焊盘部分相对应的部分处。
[0045] 第一下层绝缘片32a按如下方法形成。例如玻璃布这样的基础材料被浸有由例如环氧树脂组成的热固树脂。该热固树脂被半固化成片状。通过例如冲压的方法在该片状结构中形成多个矩形开口部分35，在第一下层绝缘片32a被加热的状态下，第一下层绝缘片32a和第二下层绝缘片33被压力结合，而圆锥形突出电极42则被用来刺穿第一下层绝缘片
32a。因此，第一下层绝缘片32a被临时固定于第二下层绝缘片33的上侧。
[0046] 当前述结构准备好后，如图2所示，电路板1在利用例如销对齐的同时被置于临时固定于第二下层绝缘片33上侧的第一下层绝缘片32a的上表面上。随后，如图3所示，第一下层绝缘片32a在某温度下通过使用一对热压板61和62从上面和下面被加热和加压，该温度是固化温度或更高。
[0047] 第一下层绝缘片32a通过热压熔化，并且通过随后的冷却而固化。从而，第一下层绝缘片32形成于包括电路板1的第二下层布线6的连接焊盘部分的多层布线板2的下表面上，而包括连接焊盘40的第二下层绝缘片33的上表面固定于第一下层绝缘片32的下表面。突出电极42的上面部分被按压到第二下层布线6的连接焊盘部分的下表面上，并被适当地挤压，而突出电极42与第二下层布线6的连接焊盘部分的下表面连接。在这种状态下，具有开口部分35的下电路板31形成于电路板1下表面的边缘部分上。
[0048] 随后，如图4所示，焊料层22被印刷或涂布到电路板1的上层绝缘膜7的开口部分8处或第一半导体结构体11的外套膜20的开口部分21处。使用适当的方法，如软熔，第一半导体结构体11的布线17的连接焊盘部分被结合到电路板1的第一上层布线3的连接焊盘部分。用这种方式，第一半导体结构体11被面朝下地安装到电路板1的上层绝缘膜7的上表面的中央部分上。另外，芯片部件23的两个电极(未示出)均通过设在电路板1的上层绝缘膜7的第二开口部分9处的焊料24结合到电路板1的第二上层布线4的连接焊盘部分。因此，芯片部件23被安装到电路板1的上层绝缘膜7的上表面的边缘部分上。
如果将第一半导体结构体11安装到电路板1的步骤以及将芯片部件23安装到电路板1的步骤能通过使用软熔的方法同时进行，那么制造的效率将得到提高。
[0049] 接下来，一层树脂材料膜(如环氧树脂)通过例如丝网印刷方法或旋涂方法形成于包括第一半导体结构体11和芯片部件23的电路板1的上层绝缘膜7的上表面上。该树脂材料膜被固化，从而形成密封膜25。随后，如图6所示，第二半导体结构体51的焊球59与电路板1的第一下层布线5的连接焊盘部分结合。该结合能这样实现，即，将密封膜25向下放置，将整个结构置于软熔装置中，处于其中第二半导体结构体51的焊球59与电路板1的第一下层布线5的连接焊盘部分对齐的状态。通过这种方法，第二半导体结构体51被面朝下地安装到电路板1的多层布线板2的下表面的中央部分中，位于下电路板31的第一和第二下层绝缘片32和33的开口部分35内。
[0050] 随后，如图7所示，焊球44形成于下电路板31的外套膜34的开口部分43内以及开口部分43下面，并且与外部连接布线41的连接焊盘部分相连。之后，密封膜25、电路板1和下电路板31在相邻的第一和第二半导体结构体11，51之间被切块，并且获得多个每个如图1所示的半导体装置。
[0051] 在上述的实施例中，焊球44形成于下电路板31的外套膜34下面。然而，焊球44并非必须形成。在可选的应用方法中，例如，焊料层被涂布在主电路板的连接端子上，本发明的半导体装置被安装于其上。外套膜34的开口部分43与焊料层对齐并置于焊料层上。焊料层通过软熔熔化，并被填充进开口部分43，从而该焊料层与外部连接布线41相连。另外，在上述的实施例中，露出外部连接布线41的连接焊盘部分的开口部分43被设在下电路板31的外套膜34中，接着下电路板31和电路板1结合起来。在可选的方法中，下电路板
31和电路板1可以相结合而不具有露出外部连接布线的连接焊盘部分的开口部分43。在随后的适当的制造步骤中，露出外部连接布线41的连接焊盘部分的开口部分43可以设在下电路板31的外套膜34中。另外，在上述的实施例中，电路板1和下电路板31包括多层布线板。可选地，多层布线板可以用单层布线板替换。
[0052] 根据本发明，具有开口部分的下电路板设在上电路板下面。一半导体结构体设在电路板下方，位于下电路板的开口部分内。外部连接布线被设在下电路板上。因此，下电路板的外部连接布线的连接焊盘部分的布置的间距能不需考虑半导体结构体存在/不存在于电路板下面而进行设置。另外，即使当半导体结构体被安装到电路板下面时，下电路板的外部连接布线的连接焊盘部分的布置的间距也可以得到减少。
