高性能多层复合太阳选择性吸收涂层及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能集热器技术领域，具体涉及一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法。一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，包括有在基体(1)上顺序设有远红外反射层(2)、复合热吸收层(4)和抗氧化和减反射层(5)，其主要特点在于：远红外反射层(2)为溅射沉积在基体(1)上的Al层；复合热吸收层(4)为溅射沉积在远红外反射层(2)上的TiNOx层，抗氧化和减反射层(5)为溅射沉积在复合热吸收层(4)上的SiO2层。本发明的优点是：本发明的太阳光吸收率高达90～95％，红外发射率为6％。本发明在反射层和吸收层之间有一层Ti+TiC稳定层，该层可以显著提高涂层的结合力，同时由于TiC具有耐高温和抗氧化性能，因此可以显著提高涂层的耐蚀性和抗高温性能。

权利要求

1.一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，包括有在基体(1)上顺序设有远红外反射层(2)、复合热吸收层(4)和抗氧化和减反射层(5)，远红外反射层(2)为溅射沉积在基体(1)上的Al层；复合热吸收层(4)为溅射沉积在远红外反射层(2)上的TiNOx层，抗氧化和减反射层(5)为溅射沉积在复合热吸收层(4)上的SiO2层；其特征在于：还包括有在远红外反射层(2)与复合热吸收层(4)之间设有稳定层(3)；稳定层(3)为溅射沉积在远红外反射层(2)上的Ti+TiC层。

2.如权利要求1所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，其特征在于：所述的基体(1)为磷脱氧铜带或无氧铜带或铝带。

3.如权利要求1所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，其特征在于：所述远红外反射层(2)的厚度为100～200nm。

4.如权利要求1所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，其特征在于：所述稳定层(3)的厚度为50～100nm。

5.如权利要求1所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，其特征在于：所述复合热系数层(4)的厚度为100～200nm。

6.如权利要求1所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，其特征在于：所述抗氧化和减反射层(5)的厚度为60～100nm。

7.如权利要求1至6所述的一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其特征是步骤为：①将进行预处理后的基体装入卧式磁控溅射镀膜机中，并将卧式磁控溅射镀膜机的真-2 -3空室的真空度抽至2.0×10 ～8.0×10 Pa；

-2 -2

②向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，使真空度为6.5×10 ～9.0×10 Pa，在氩气气氛中接通直流负电压轰击清洗基体4-6min，去除基体表面杂质，活化基体表面；

③向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启铝靶，在基体(1)上沉积Al层，其中氩-2 -2气流量为100～300sccm，气压为6×10 ～10×10 Pa，直流电压为500～600V，电流为

70～100A，沉积时间为200～300s，Al层的厚度为100～200nm；

⑤向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气、氧气和氮气，开启钛靶，在基体上沉积TiNOx层，其中氩气流量为50～100sccm，N2流量为90～200sccm，O2流量为100～200sccm，气压为0.1～0.2Pa，直流电压为400～500V，电流为35～45A，时间为20～30min，TiNOx层的厚度为100～200nm；

⑥向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和氧气，开启硅靶，在基体上沉积SiO2层，其中氩气流量为50～100sccm，O2流量为100～200sccm，气压为0.2～0.3Pa，直流电压为400～500V，电流为35～40A，时间为10～15min，SiO2层的厚度为60～100nm；步骤③与步骤⑤之间还包括有步骤④向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启钛靶，在基体-2 -2上沉积Ti层，其中氩气流量为100～200sccm，气压为5.0×10 ～10×10 Pa，直流电压为

500～800V，电流为30～40A，沉积时间为200～300s；然后向真空室内再通入纯度均为

99.95％的氩气和乙炔，开启钛靶，在基体上沉积TiC层，其中氩气流量为100～200sccm，-2 -2C2H2流量为100～200sccm，气压为5×10 ～10×10 Pa，直流电压为600～700V，电流为

30～40A，时间为200～300s，Ti+TiC层的厚度为50～100nm。

8.如权利要求7所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其特征是步骤为：步骤①中所述的预处理为高压离子清洁，充入氮气，压力2～5Pa，电压轰击2000～

3500V，电流2～4A。

说明书

高性能多层复合太阳选择性吸收涂层及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及太阳能集热器技术领域，具体涉及一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法。

背景技术

[0002] 目前，太阳能低温热利用所使用的集热器主要有平板集热器、真空管集热器和无盖板塑料集热器。平板集热器是在17世纪后期发明的，但直至1960年以后才真正进行深入研究和规模化应用。平板型太阳集热器是太阳集热器中一种最基本的类型，其结构简单、运行可靠、成本适宜，还具有承压能力强、吸热面积大等特点，是太阳能与建筑结合最佳选择的集热器类型之一。

[0003] 根据IEA报告，截止到2004年底，平板型集热器占总市场份额的35％，真空管集热器占41％。如果不统计无盖板的太阳能集热器，欧洲、日本和以色列等国家均是以平板型集热器为主，约占市场份额的90％；国内市场以真空管为主，2005年约占市场份额的87％，平板型集热器只占12％。

[0004] 国内太阳能市场与世界太阳能市场主流出现如此反差有很多原因。随着太阳能在住宅建筑中的扩大应用，和适应太阳能与建筑结合要求，业界近年来对平板型集热器给予高度关注，充分认识到其固有的优势。很多企业和研究机构积极开展高效平板集热器的研究和产业化，促进平板型集热器从受冷遇迈向新的发展。

[0005] 随着太阳能热利用技术的发展，我国对选择性吸收材料的研究工作已有二十年的历史了。太阳集热器的发展过程也是涂层技术的发展过程。期间经历了从非选择性的普通黑漆到选择性的硫化铅、金属氧化物涂料，从黑镍、黑铬到铝阳极化涂层等一代接一代的更新换代过程。随着涂层技术的不断进步涂层性能得到了很大的提高。目前我国平板集热器吸收表面主要采用铝条带上阳极化着色和铜条带上黑铬选择性涂层。

[0006] 磁控溅射铝-氮-铝材料选择性吸收涂层的镀膜生产技术是随着真空管集热器的产生而发展起来的，基本上代表了当前我国中低温选择性吸收材料的生产水平。由于该涂层耐候性能较差，不适于平板集热器的使用。

[0007] 目前，国际上发达国家，尤其是欧洲，选择性吸收涂层的生产主要采用真空镀膜技术。真空镀膜技术生产工艺不存在污染问题，涂层光学性能优良。

[0008] 中国专利CN101250688A公开了一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，该吸收涂层包括吸收层和减反射层，吸收层由溅射沉积在基体上的TiN层，TiO层和TiO2层构成，减反射层为溅射沉积在TiO2层上的SiO2层，其太阳光的吸收率为95％～96％，发射率为6％～8％，用于制造平板太阳能集热器。

发明内容

[0009] 本发明的目的在于避免现有技术的不足之处提供一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层。以解决目前我国平板太阳能集热器吸收涂层耐候性差，吸热效率低等技术方面的问题，提出一种适用于平板集热器的耐高温，耐潮湿，吸收效率高的多层复合太阳选择性吸收涂层。

[0010] 为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，包括有在基体(1)上顺序设有远红外反射层(2)、复合热吸收层(4)和抗氧化和减反射层(5)，其主要特点在于：远红外反射层(2)为溅射沉积在基体(1)上的Al层；复合热吸收层(4)为溅射沉积在远红外反射层(2)上的TiNOx层，抗氧化和减反射层(5)为溅射沉积在复合热吸收层(4)上的SiO2层。

[0011] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，还包括有在远红外反射层(2)与复合热吸收层(4)之间设有稳定层(3)；稳定层(3)为溅射沉积在远红外反射层(2)上的Ti+TiC层。

[0012] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，所述的基体(1)为磷脱氧铜带或无氧铜带或铝带。

[0013] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，所述远红外反射层(2)的厚度为100～200nm。

[0014] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，所述稳定层(3)的厚度为50～100nm。

[0015] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，所述复合热系数层(4)的厚度为100～200nm。

[0016] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，所述抗氧化和减反射层(5)的厚度为60～100nm。

[0017] 一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其主要特点是步骤为：

[0018] ①将进行预处理后的基体装入卧式磁控溅射镀膜机中，并将卧式磁控溅射镀膜机-2 -3的真空室的真空度抽至2.0×10 ～8.0×10 Pa；

[0019] ②向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，使真空度为6.5×10-2～9.0×10-2Pa，在氩气气氛中接通直流负电压轰击清洗基体4-6min，去除基体表面杂质，活化基体表面；

[0020] ③向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启铝靶，在基体(1)上沉积Al层，其-2 -2中氩气流量为100～300sccm，气压为6×10 ～10×10 Pa，直流电压为500～600V，电流为70～100A，沉积时间为200～300s，Al层的厚度为100～200nm；

[0021] ⑤向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气、氧气和氮气，开启钛靶，在基体上沉积TiNOx层，其中氩气流量为50～100sccm，N2流量为90～200sccm，O2流量为100～200sccm，气压为0.1～0.2Pa，直流电压为400～500V，电流为35～45A，时间为20～
30min，TiNOx层的厚度为100～200nm；

[0022] ⑥向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和氧气，开启硅靶，在基体上沉积SiO2层，其中氩气流量为50～100sccm，O2流量为100～200sccm，气压为0.2～0.3Pa，直流电压为400～500V，电流为35～40A，时间为10～15min，SiO2层的厚度为60～100nm。

[0023] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：步骤③与步骤⑤之间还包括有步骤④向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启钛靶，在基体上沉积-2 -2Ti层，其中氩气流量为100～200sccm，气压为5.0×10 ～10×10 Pa，直流电压为500～
800V，电流为30～40A，沉积时间为200～300s；然后向真空室内再通入纯度均为99.95％的氩气和乙炔，开启钛靶，在基体上沉积TiC层，其中氩气流量为100～200sccm，C2H2流量-2 -2
为100～200sccm，气压为5×10 ～10×10 Pa，直流电压为600～700V，电流为30～40A，时间为200～300s，Ti+TiC层的厚度为50～100nm。

[0024] 所述的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤①中所述的预处理为高压离子清洁，充入氮气，压力2～5Pa，电压轰击2000～3500V，电流2～4A。

[0025] 本发明的有益效果是：(1)本发明的多层复合太阳选择性吸收涂层的太阳光吸收率高达90～95％，红外发射率为6％。(2)本发明的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层在反射层和吸收层之间有一层Ti+TiC稳定层，该层可以显著提高涂层的结合力，同时由于TiC具有耐高温和抗氧化性能，因此可以显著提高涂层的耐蚀性和抗高温性能。(3)本发明的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层由四层结构，通过各单层组分和厚度的精确控制，可显著提高涂层的热吸收性能，尤其能显著降低涂层的红外发射率。(4)本发明的高性能多层复合太阳选择性吸收涂层可用于槽式太阳能热发电的集热管上、CPC式平板太阳能集热器的集热管上和普通平板太阳能集热器的集热板芯上。

附图说明

[0026] 图1为本发明太阳选择性吸收涂层的结构示意图。

具体实施方式

[0027] 以下结合实施例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

[0028] 实施例1：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，包括有在基体1上顺序设有远红外反射层2、复合热吸收层4和抗氧化和减反射层5，远红外反射层2为溅射沉积在基体1上的Al层；复合热吸收层4为溅射沉积在远红外反射层2上的TiNOx层，抗氧化和减反射层5为溅射沉积在复合热吸收层4上的SiO2层。所述的基体1为磷脱氧铜带或无氧铜带或铝带。所述远红外反射层2的厚度为100～120nm。所述复合热系数层4的厚度为100～120nm。所述抗氧化和减反射层5的厚度为60～70nm。

[0029] 实施例2：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，包括有在基体1上顺序设有远红外反射层2、复合热吸收层4和抗氧化和减反射层5，远红外反射层2为溅射沉积在基体1上的Al层；复合热吸收层4为溅射沉积在远红外反射层2上的TiNOx层，抗氧化和减反射层5为溅射沉积在复合热吸收层4上的SiO2层。所述的基体1为磷脱氧铜带或无氧铜带或铝带。所述远红外反射层2的厚度为120～170nm。所述复合热系数层4的厚度为120～170nm。所述抗氧化和减反射层5的厚度为70～90nm。

[0030] 实施例3：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，包括有在基体1上顺序设有远红外反射层2、复合热吸收层4和抗氧化和减反射层5，远红外反射层2为溅射沉积在基体1上的Al层；复合热吸收层4为溅射沉积在远红外反射层2上的TiNOx层，抗氧化和减反射层5为溅射沉积在复合热吸收层4上的SiO2层。所述的基体1为磷脱氧铜带或无氧铜带或铝带。所述远红外反射层2的厚度为170～200nm。所述复合热系数层4的厚度为170～200nm。所述抗氧化和减反射层5的厚度为90～100nm。

[0031] 实施例4：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，还包括有在远红外反射层2与复合热吸收层4之间设有稳定层3；稳定层3为溅射沉积在远红外反射层2上的Ti+TiC层。所述稳定层3的厚度为50～60nm。其余与实施例1相同。

[0032] 实施例5：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，还包括有在远红外反射层2与复合热吸收层4之间设有稳定层3；稳定层3为溅射沉积在远红外反射层2上的Ti+TiC层。所述稳定层3的厚度为60～80nm。其余与实施例1相同。

[0033] 实施例6：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层，还包括有在远红外反射层2与复合热吸收层4之间设有稳定层3；稳定层3为溅射沉积在远红外反射层2上的Ti+TiC层。所述稳定层3的厚度为80～100nm。其余与实施例1相同。

[0034] 实施例7：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：

[0035] ①将进行预处理后的基体装入卧式磁控溅射镀膜机中，并将卧式磁控溅射镀膜机-2 -2的真空室的真空度抽至2.0×10 ～9×10 Pa。所述的预处理为高压离子清洁，充入氮气，压力2～5Pa，电压轰击2000～2800V，电流2～4A。

[0036] ②向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，使真空度为6.5×10-2～9.0×10-2Pa，在氩气气氛中接通直流负电压轰击清洗基体4min，去除基体表面杂质，活化基体表面。

[0037] ③向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启铝靶，在基体(1)上沉积Al层，其-2 -2中氩气流量为100～150sccm，气压为6×10 ～10×10 Pa，直流电压为500～540V，电流为70～80A，沉积时间为200～240s，Al层的厚度为100～130nm。

[0038] ⑤向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气、氧气和氮气，开启钛靶，在基体上沉积TiNOx层，其中氩气流量为50～60sccm，N2流量为90～120sccm，O2流量为100～120sccm，气压为0.1～0.2Pa，直流电压为400～450V，电流为35～38A，时间为20～
22min，TiNOx层的厚度为100～120nm。

[0039] ⑥向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和氧气，开启硅靶，在基体上沉积SiO2层，其中氩气流量为50～60sccm，O2流量为100～120sccm，气压为0.2～0.3Pa，直流电压为400～450V，电流为35～40A，时间为10～12min，SiO2层的厚度为60～70nm。

[0040] 实施例8：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：

[0041] ①将进行预处理后的基体装入卧式磁控溅射镀膜机中，并将卧式磁控溅射镀膜机-2 -3的真空室的真空度抽至9×10 ～2.0×10 Pa。所述的预处理为高压离子清洁，充入氮气，压力2～5Pa，电压轰击2800～3200V，电流2～4A。

[0042] ②向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，使真空度为6.5×10-2～9.0×10-2Pa，在氩气气氛中接通直流负电压轰击清洗基体5min，去除基体表面杂质，活化基体表面。

[0043] ③向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启铝靶，在基体(1)上沉积Al层，其-2 -2中氩气流量为150～220sccm，气压为6×10 ～10×10 Pa，直流电压为540～560V，电流为80～90A，沉积时间为240～280s，Al层的厚度为130～160nm。

[0044] ⑤向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气、氧气和氮气，开启钛靶，在基体上沉积TiNOx层，其中氩气流量为60～80sccm，N2流量为120～150sccm，O2流量为120～150sccm，气压为0.1～0.2Pa，直流电压为450～480V，电流为38～42A，时间为22～
26min，TiNOx层的厚度为120～160nm。

[0045] ⑥向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和氧气，开启硅靶，在基体上沉积SiO2层，其中氩气流量为60～80sccm，O2流量为120～160sccm，气压为0.2～0.3Pa，直流电压为450～480V，电流为35～40A，时间为12～14min，SiO2层的厚度为70～90nm。

[0046] 实施例9：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：

[0047] ①将进行预处理后的基体装入卧式磁控溅射镀膜机中，并将卧式磁控溅射镀膜机-3 -3的真空室的真空度抽至2.0×10 ～8.0×10 Pa。所述的预处理为高压离子清洁，充入氮气，压力2～5Pa，电压轰击3200～3500V，电流2～4A。

[0048] ②向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，使真空度为6.5×10-2～9.0×10-2Pa，在氩气气氛中接通直流负电压轰击清洗基体6min，去除基体表面杂质，活化基体表面。

[0049] ③向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启铝靶，在基体(1)上沉积Al层，其-2 -2中氩气流量为220～300sccm，气压为6×10 ～10×10 Pa，直流电压为560～600V，电流为90～100A，沉积时间为280～300s，Al层的厚度为160～200nm。

[0050] ⑤向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气、氧气和氮气，开启钛靶，在基体上沉积TiNOx层，其中氩气流量为80～100sccm，N2流量为150～200sccm，O2流量为150～200sccm，气压为0.1～0.2Pa，直流电压为480～500V，电流为42～45A，时间为26～
30min，TiNOx层的厚度为160～200nm。

[0051] ⑥向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和氧气，开启硅靶，在基体上沉积SiO2层，其中氩气流量为80～100sccm，O2流量为160～200sccm，气压为0.2～0.3Pa，直流电压为480～500V，电流为35～40A，时间为14～15min，SiO2层的厚度为90～100nm。

[0052] 实施例10：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：步骤③与步骤⑤之间还包括有步骤④向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启钛靶，在基-2 -2体上沉积Ti层，其中氩气流量为100～120sccm，气压为5.0×10 ～10×10 Pa，直流电压为500～580V，电流为30～35A，沉积时间为200～240s；然后向真空室内再通入纯度均为
99.95％的氩气和乙炔，开启钛靶，在基体上沉积TiC层，其中氩气流量为100～120sccm，-2 -2
C2H2流量为100～120sccm，气压为5×10 ～10×10 Pa，直流电压为600～620V，电流为
30～35A，时间为200～220s，Ti+TiC层的厚度为50～60nm。其余步骤同实施例7。

[0053] 实施例11：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：步骤③与步骤⑤之间还包括有步骤④向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启钛靶，在基-2 -2体上沉积Ti层，其中氩气流量为120～160sccm，气压为5.0×10 ～10×10 Pa，直流电压为580～680V，电流为35～38A，沉积时间为240～280s；然后向真空室内再通入纯度均为
99.95％的氩气和乙炔，开启钛靶，在基体上沉积TiC层，其中氩气流量为120～160sccm，-2 -2
C2H2流量为120～160sccm，气压为5×10 ～10×10 Pa，直流电压为620～660V，电流为
35～38A，时间为220～260s，Ti+TiC层的厚度为60～80nm。其余步骤同实施例8。

[0054] 实施例12：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其步骤为：步骤③与步骤⑤之间还包括有步骤④向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，开启钛靶，在基-2 -2体上沉积Ti层，其中氩气流量为160～200sccm，气压为5.0×10 ～10×10 Pa，直流电压为680～800V，电流为38～40A，沉积时间为280～300s；然后向真空室内再通入纯度均为
99.95％的氩气和乙炔，开启钛靶，在基体上沉积TiC层，其中氩气流量为160～200sccm，-2 -2
C2H2流量为160～200sccm，气压为5×10 ～10×10 Pa，直流电压为660～700V，电流为
38～40A，时间为260～300s，Ti+TiC层的厚度为80～100nm。其余步骤同实施例9。

[0055] 实施例13：一种高性能多层复合太阳选择性吸收涂层的制备方法，其特征是步骤为：

[0056] ①将进行预处理后的基体装入卧室磁控溅射镀膜机中，并将卧室磁控溅射镀膜机-2 -3的真空室的真空度抽至2.0×10 ～8.0×10 ；所述的预处理为高压离子清洁，充入氮气，压力2～5Pa，电压轰击3200～3500V，电流2～4A。

[0057] ②向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，使真空度为6.5×10-2～9.0×10-2Pa，在氩气气氛中接通直流负电压轰击清洗基体5min，去除基体表面杂质，活化基体表面；

[0058] ③向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，起铝靶，在基体上沉积Al层，其中Ar流-2量为260sccm，气压为6.5×10 Pa，直流电压为580V，电流为100A，沉积时间为300s，Al层的厚度为100～200nm；

[0059] ④向真空室内通入纯度为99.95％的氩气，起钛靶，在基体上沉积Ti层，其中Ar流-2量为170sccm，气压为7.5×10 Pa，直流电压为640V，电流为35A，沉积时间为300s；然后向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和乙炔，起钛靶，在基体上沉积TiC层，其中Ar流量-2
为170sccm，C2H2流量为120sccm，气压为5.7×10 Pa，直流电压为660V，电流为29A，时间为300s，Ti+TiC层的厚度为50～100nm；

[0060] ⑤向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气、氧气和氮气，起钛靶，在基体上沉积TiNOx层，其中Ar流量为60sccm，N2流量为90sccm，O2流量为100sccm，气压为0.11Pa，直流电压为440～490V，电流为37A，时间为30min，TiNOx层的厚度为100～200nm；

[0061] ⑥向真空室内通入纯度均为99.95％的氩气和氧气，起硅靶，在基体上沉积SiO2层，其中Ar流量为60sccm，O2流量为120sccm，气压为0.2Pa，直流电压为400～450V，电流为39A，时间为10min，SiO2层的厚度为60～100nm。

[0062] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。