本发明涉及引线框、半导体器件以及引线框和半导体器件的制造方法。一种引线框，其具有其上安装有半导体芯片的管芯焊盘、被设置成以便从管芯焊盘的前表面处内陷的第一凹部、和被设置成分别从引线的前表面和后表面处内陷的第二凹部和第三凹部(通孔)。分别使第一凹部、第二凹部和第三凹部(通孔)的内壁表面凹凸状。
多根引线，所述多根引线以距所述管芯焊盘一定距离的形式围绕所述管芯焊盘布置；
第一凹部，所述第一凹部被设置成从所述管芯焊盘的前表面处内陷；
多个第二凹部，所述多个第二凹部被设置成分别从所述多根引线的前表面处内陷；以及多个第三凹部，所述多个第三凹部被设置成分别从所述多根引线的后表面处内陷，其中，分别使所述第一凹部、所述多个第二凹部中的每个凹部和所述多个第三凹部中的每个凹部的各内壁表面形成为凹凸状。
2.根据权利要求1所述的引线框，其中，在所述多根引线中的每根引线中，将所述第二凹部和所述第三凹部设置成彼此连通，以生成从所述引线的前表面穿透至所述引线的后表面的通孔。
3.根据权利要求2所述的引线框，其中，在所述多根引线中的每根引线中，将所述第二凹部和所述第三凹部的位置设置成以使得所述第二凹部与所述第三凹部中的至少一部分在平面图中不相重叠。
4.根据权利要求1所述的引线框，其中，在所述多根引线中的每根引线中，将所述第二凹部和所述第三凹部设置在平面图中不同的位置，并且设置成彼此不连通。
5.根据权利要求1所述的引线框，其中，通过各向同性蚀刻来生成所述第一凹部、所述多个第二凹部中的每个凹部和所述多个第三凹部中的每个凹部，并且所述第一凹部、所述多个第二凹部中的每个凹部和所述多个第三凹部中的每个凹部分别具有下述一种形式，即，使得开口的宽度沿从表面朝生成有凹部的内部的方向而扩张。
6.根据权利要求1所述的引线框，还包括第四凹部，所述第四凹部被设置成从所述管芯焊盘的后表面处内陷。
7.根据权利要求1所述的引线框，还包括多个所述第一凹部，所述多个第一凹部设置在一区域中，使得该区域围绕其中在所述管芯焊盘上安装有所述半导体芯片的区域。
引线框，所述引线框包括：管芯焊盘，所述半导体芯片安装在所述管芯焊盘的前表面处；多根引线，所述多根引线以距所述管芯焊盘一定距离的形式围绕所述管芯焊盘布置；
第一凹部，所述第一凹部被设置成从所述管芯焊盘的前表面处内陷；多个第二凹部，所述多个第二凹部被设置成分别从所述多根引线的表面侧内陷；以及多个第三凹部，所述多个第三凹部被设置成分别从所述多根引线的后表面处内陷；以及密封树脂，所述密封树脂被设置在所述引线框的前表面处，以便密封所述半导体芯片并填充所述第一凹部、所述多个第二凹部和所述多个第三凹部，其中，分别使所述第一凹部、所述多个第二凹部中的每个凹部和所述多个第三凹部中的每个凹部的内壁表面形成为凹凸状。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，在所述多根引线中的每根引线中，将所述第二凹部和所述第三凹部设置成彼此连通，以生成从所述引线的前表面穿透至所述引线的后表面的通孔。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，在所述多根引线中的每根引线中，将所述第二凹部和所述第三凹部的位置设置成以使得所述第二凹部与所述第三凹部中的至少一部分在平面图中不相重叠。
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，在所述多根引线中的每根引线中，将所述第二凹部和所述第三凹部设置在平面图中不同的位置，并且设置成彼此不连通。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，通过各向同性蚀刻来生成所述第一凹部、所述多个第二凹部中的每个凹部和所述多个第三凹部中的每个凹部，并且所述第一凹部、所述多个第二凹部中的每个凹部和所述多个第三凹部中的每个凹部分别具有下述一种形式，即，使得开口的宽度沿从表面朝生成有凹部的内部的方向而扩张。
13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，还将所述密封树脂设置在所述引线框的后表面处。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述引线框还包括第四凹部，所述第四凹部被设置成从所述管芯焊盘的后表面处内陷，所述密封树脂填充所述第四凹部。
15.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述引线框包括多个所述第一凹部，所述多个第一凹部被设置在一区域中，使得该区域围绕其中在所述管芯焊盘上安装有所述半导体芯片的区域。
分别在引线框的前表面上和后表面上形成第一抗蚀剂膜和第二抗蚀剂膜，所述引线框包括在上面安装有半导体芯片的管芯焊盘和以距所述管芯焊盘一定距离的形式围绕所述管芯焊盘而布置的多根引线；
在所述第一抗蚀剂膜中，在与所述管芯焊盘对应的第一位置处生成第一开口，并且在分别与所述多根引线对应的多个第二位置处生成多个第二开口；
在所述第二抗蚀剂膜中，在分别与所述多根引线对应的多个第三位置处生成多个第三开口；
在所述引线框中，将所述第一抗蚀剂膜和第二抗蚀剂膜用作掩膜，通过各向同性蚀刻对所述引线框进行蚀刻来生成第一凹部、多个第二凹部和多个第三凹部，所述第一凹部被设置成从所述管芯焊盘的前表面处内陷，所述多个第二凹部被设置成分别从所述多根引线的前表面处内陷，而所述多个第三凹部被设置成分别从所述多根引线的后表面处内陷，其中，使得所述第一凹部、所述第二凹部和所述第三凹部分别生成为具有下述一种形式，即，使得开口的宽度沿着从表面朝生成有凹部的内部的方向而扩张。
17.根据权利要求16所述的引线框的制造方法，还包括：
在将所述第一抗蚀剂膜和第二抗蚀剂膜用作掩膜的各向同性蚀刻的所述步骤之后，分别在所述引线框的前表面上和后表面上形成第三抗蚀剂膜和第四抗蚀剂膜；
在所述第三抗蚀剂膜中，在与所述管芯焊盘对应的第四位置处生成宽于所述第一开口的第四开口，并且在分别与所述多根引线对应的多个第五位置处生成多个宽于所述多个第二开口的第五开口；
在所述第四抗蚀剂膜中，在分别与所述多根引线对应的多个第六位置处生成多个宽于所述多个第三开口的第六开口；以及将所述第三抗蚀剂膜和所述第四抗蚀剂膜用作掩膜，通过各向同性蚀刻对所述引线框进行蚀刻，其中，在将所述第三抗蚀剂膜和所述第四抗蚀剂膜用作掩膜来对所述引线框进行的所述蚀刻中，将用于蚀刻的时间设定成短于在将所述第一抗蚀剂膜和所述第二抗蚀剂膜用作掩膜来对所述引线框所进行的所述蚀刻的时间，以分别在所述第一凹部内、所述多个第二凹部中的每个凹部内和所述多个第三凹部中的每个凹部内形成有较宽开口的较浅凹部。
将半导体芯片安装在根据如权利要求16所述的制造引线框的方法所制造的所述引线框中的所述管芯焊盘的前表面上；以及通过密封树脂密封所述半导体芯片，并且同时，用所述密封树脂填充所述第一凹部、所述多个第二凹部和所述多个第三凹部。
引线框、半导体器件以及引线框和半导体器件的制造方法
[0001] 本申请基于日本专利申请No.2008-153473的优先权，该专利申请的内容通过引用合并于此。
技术领域
[0002] 本发明涉及一种引线框、半导体器件、该引线框的制造方法及该半导体器件的制造方法。
背景技术
[0003] 今年来，对于半导体器件的封装需要缩减尺寸、电阻和成本。为了满足这些需求，近年来使用将半导体芯片设置在引线框上并且将半导体芯片密封在密封树脂中的封装。然而，在形成引线框的金属与用于密封树脂的材料之间的热膨胀系数中存在大的差值。因此，在两者之间的粘附力不够的情况下，出现了与界面的剥离和密封树脂的破裂，这是产品可靠性下降的原因。因此，提出了增加引线框表面面积的技术，以便增加两者之间的粘附力。
[0004] 例如，日本未审查专利公布NO.2001-127232说明了一种引线框构造，其中，通过冲压工艺在安装有半导体元件的部分中生成多个通孔，以便增强密封树脂与该部分之间粘附力的强度，在该部分中，将半导体元件安装成使得通孔为设置成相互邻接的裂缝，并且形成夹在相邻通孔之间的小块(small piece)，以便相对于在其中冲压通孔的方向而被扭曲。结果，说明的是：能够增强安装有诸如管芯焊盘的半导体元件的部分与密封树脂之间粘附力的强度。
[0005] 另外，例如日本未审查专利公布NO.2007-258587说明了用于半导体器件的一种引线框，其中，将半导体芯片安装并密封在密封树脂中，并且使引线框的密封在密封树脂中的部分的表面凹凸状，使得形成在横过凹部深度的方向上延伸的挂钩(hook)。
[0006] 然而，本发明人发现了相关领域所具有的以下问题。
[0007] 例如，在如日本未审查专利公布NO.2007-258587所说明的使引线框的表面凹凸状的情形下，能够增强引线框与密封树脂之间的粘附力。然而，当如上所述使引线的部分表面凹凸状时，出现了引线容易从密封树脂脱落的问题。本发明人发现凹凸状的引线表面上的粘附力低，因此，引线可在引线框的厚度方向上旋转，使得引线容易从密封树脂脱落。尤其地，在引线露出并突出至密封树脂外部的这种半导体器件中，引线脱落的该问题很明显。在日本未审查专利公布NO.2001-127232说明的技术中，仅将通孔设置在管芯焊盘中，但是仍然存在引线脱落的问题。
发明内容
[0008] 在一个实施例中，提供一种引线框，包括：管芯焊盘，其上安装有半导体芯片；多根引线，其以距管芯焊盘一定距离的形式围绕管芯焊盘而布置；第一凹部，其被设置成以便从管芯焊盘的前表面处内陷；多个第二凹部，其被设置成以便分别从多根引线的前表面处内陷；以及多个第三凹部，其被设置成以便分别从多根引线的后表面处内陷，其中，分别使第一凹部、第二凹部中的每个凹部和第三凹部中的每个凹部的内壁表面凹凸状。
[0009] 在另一实施例中，提供一种半导体器件，包括：半导体芯片；引线框，其包括：管芯焊盘，所述半导体芯片安装在所述管芯焊盘的前表面处；多根引线，其以距管芯焊盘一定距离的形式围绕管芯焊盘而布置；第一凹部，其被设置成从管芯焊盘的前表面处内陷；多个第二凹部，其被设置成分别从多根引线的表面侧内陷；和多个第三凹部，其被设置成分别从多根引线的后表面处内陷；以及密封树脂，其被设置在引线框的前表面处，以便密封半导体芯片并填充第一凹部、多个第二凹部和多个第三凹部，其中，分别使第一凹部、第二凹部中的每个凹部和第三凹部中的每个凹部的内壁表面凹凸状。
[0010] 在另一实施例中，提供一种引线框的制造方法，包括：分别在引线框的前表面和后表面上形成第一抗蚀剂膜和第二抗蚀剂膜，该引线框包括其上安装有半导体芯片的管芯焊盘和以距管芯焊盘一定距离的形式围绕管芯焊盘布置的多根引线；在第一抗蚀剂膜中，在与管芯焊盘对应的第一位置处生成第一开口，并且在分别与多根引线对应的多个第二位置处生成多个第二开口；在第二抗蚀剂膜中，在分别与多根引线对应的多个第三位置处生成多个第三开口；在引线框中，将第一抗蚀剂膜和第二抗蚀剂膜用作掩膜，通过各向同性蚀刻来蚀刻引线框的方式生成第一凹部、多个第二凹部和多个第三凹部，其中，该第一凹部被设置成从管芯焊盘的前表面处内陷，该多个第二凹部被设置成分别从多根引线的前表面处内陷，而该多个第三凹部被设置成分别从多根引线的后表面处内陷，其中，分别生成第一凹部、第二凹部和第三凹部，以便于具有使得开口的宽度沿从表面朝生成凹部的内部的方向扩张的形式。
[0011] 在另一种实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，包括：将半导体芯片安装在根据引线框的制造方法制造的引线框的管芯焊盘的前表面上；以及通过密封树脂密封半导体芯片，同时用密封树脂填充第一凹部、多个第二凹部和多个第三凹部。
[0012] 在这些构造中，在引线的前表面和后表面上生成凹部，并使凹部的内壁表面凹凸状，因此，当将半导体芯片安装在引线框上并将该半导体芯片密封在密封树脂中时，管芯焊盘与密封树脂之间的粘附力较强，并且能有效地防止引线从密封树脂脱落。
[0013] 通过应用本发明的部件的任何组合以及方法和设备的任何更改同样被认为是本发明的方式。
[0014] 根据本发明，当将半导体芯片安装在引线框上，并且将该半导体芯片密封在密封树脂中时，管芯焊盘与密封树脂之间的粘附力较强并且能防止引线从密封树脂脱落。
附图说明
[0015] 结合附图，通过以下的某些优选实施例的说明，本发明的以上和其它目的、优点和特征将更明显，其中：
[0016] 图1是俯视图，示出根据本发明实施例的引线框的构造；
[0017] 图2是沿图1中的线A-A′的横截面图；
[0018] 图3是俯视图，示出根据本发明实施例的半导体器件的构造；
[0019] 图4是沿图3中的线B-B′的横截面图；
[0020] 图5A至5D、6A至6D和7A至7E是横截面图，示出用于在根据本发明实施例的引线框中生成凹部的工艺中的步骤；
[0021] 图8A、8B和9A、9B是横截面图，示出在根据本发明的实施例制造半导体器件的工艺中的步骤；
[0022] 图10A至10C是横截面图，示出根据本发明实施例的半导体器件的构造的其它实例；
[0023] 图11是俯视图，示出根据本发明实施例的半导体器件的构造的又一实例；
[0024] 图12是俯视图，示出根据本发明实施例的半导体器件的构造的又一实例；
[0025] 图13是俯视图，示出根据本发明实施例的半导体器件的构造；
[0026] 图14是沿图13中的线C-C′的横截面图；以及
[0027] 图15是横截面图，示出图13所示的半导体器件的又一实例。
具体实施方式
[0028] 现在将参考说明性的实施例来说明本发明。本领域的技术人员将认识到的是，利用本发明的指导可以实现许多可选择的实施例，并且本发明不限于为解释性目的而说明的实施例。
[0029] 在下文中，将参考附图来说明本发明的实施例。在附图中，相同的附图标记指示相同的部件，并且将不重复对其的说明。
[0030] (第一实施例)
[0031] 图1是俯视图，示出根据本实施例的引线框的构造。
[0032] 引线框200包括在其前表面上要安装半导体芯片的管芯焊盘202、支承引线204、多根引线206和外框架208。管芯焊盘202具有矩形形式。支承引线204设置在管芯焊盘202的四个角部处。管芯焊盘202经由支承引线204连接至外框架208。另外，多根引线206也连接至外框架208。在该状态下，管芯焊盘202、支承引线204、引线206和外框架208整体地形成。在此，引线206具有靠近管芯焊盘202的一侧较宽的T形形状。该形状使得当稍后将引线密封在密封树脂中时，引线206难于脱落。
[0033] 在本实施例中，要将半导体芯片设置在管芯焊盘202的芯片放置区域203(在下文中，其仅被称作“区域203”)中。在此，围绕管芯焊盘202的区域203设置有多个凹部210(第一凹部)。另外，在相应的多根引线206中设置有从引线框200的前表面穿透至后表面的多个通孔212(第二凹部和第三凹部)。
[0034] 图2是沿图1中的线A-A′的横截面图。
[0035] 在本实施例中，使凹部210和通孔212的内壁表面凹凸状。在此，可通过在内壁表面的一部分中形成至少一个从其余部分突出的突起，或者通过在内壁表面的一部分中生成至少一个从其余部分内陷的凹部来使它们凹凸状。换句话说，凹凸状可包括以下表面，其中，所述表面面对从该表面至引线框200的内部的方向(生成凹部的方向)。在该构造中，当用密封树脂填充凹部210和通孔212时，面对从表面至引线框200的内部的方向的该表面变成挂钩部，使得能增强密封树脂与引线框200之间的粘附力。
[0036] 图3是俯视图，示出根据本实施例的半导体器件100的构造。图4是沿图3中的线B-B′的横截面图。
[0037] 在此，将半导体芯片102安装在引线框200的管芯焊盘202上，并借助于管芯焊接材料112将其粘贴至管芯焊盘202。经由焊线110使半导体芯片102的多个电极焊盘(未示出)与多根引线206电连接。将引线框200、半导体芯片102和焊线110埋入并密封在密封树脂120中。例如，密封树脂120可由环氧树脂制成。此时，还用密封树脂120填充凹部210和通孔212。
[0038] 图5A至5D、6A至6D和7A至7E是横截面图，示出用于在根据本实施例的引线框200中生成凹部210和通孔212的工艺中的步骤。图5A是示出在生成凹部210和通孔212之前的引线框200的图。在此，引线框200具有如图1所示的平面形状，但尚未设置凹部
210和通孔212。
[0039] 在本实施例中，可通过半蚀刻生成凹部210和通孔212，利用其能通过沿从表面至内部的方向蚀刻引线框200来在该引线框200中生成凹部。可通过从引线框200的前表面和后表面半蚀刻引线框200来生成通孔212。
[0040] 首先，在引线框200上进行预处理，例如洗涤和焙烧。通过将引线框200浸入清洗液来去除淀积在引线框200上的诸如杂质、油或氧化膜的淀积材料201(图5A至5C)。之后，进行焙烧以通过将用于后续步骤的抗蚀剂来改善粘附力。
[0041] 接下来，在预焙烧(图5D)之后，分别用抗蚀剂230a和抗蚀剂230b涂覆引线框200的前表面(附图中的上侧)和后表面(附图中的下侧)。抗蚀剂中的溶剂在预焙烧期间蒸发，使得抗蚀剂230a和抗蚀剂230b的密度增加。
[0042] 接下来，分别将用于曝光的掩膜232a和用于曝光的掩膜232b放置在抗蚀剂230a和抗蚀剂230b上(图6A)。用于曝光的掩膜232a具有在与图1所示的管芯焊盘202中的凹部210对应的位置处设置的开口234a，和在与图1所示的引线206中的通孔212对应的位置处设置的开口234b。用于曝光的掩膜232b具有在与图1所示的引线206中的通孔212对应的位置处设置的开口234c。换句话说，用于曝光的掩膜232a中的开口234b与用于曝光的掩膜232b中的开口234c设置在彼此相对的位置。
[0043] 分别将用于曝光的掩膜232a和用于曝光的掩膜232b用作掩膜来使抗蚀剂230a和抗蚀剂230b曝光并显影。结果，分别将用于曝光的掩膜232a和用于曝光的掩膜232b的图案转印至抗蚀剂230a和抗蚀剂230b。换句话说，在抗蚀剂230a中，分别在与用于曝光的掩膜232a中的开口234a和开口234b对应的位置处生成开口236a和236b。另外，在抗蚀剂230b中，在与用于曝光的掩膜232b中的开口234c对应的位置处生成开口236c(图6B)。在本实施例中，开口234a、开口234b和开口234c在平面图中可为圆形的。因此，在抗蚀剂
230a和抗蚀剂230b中生成的开口236a、开口236b和开口236c在平面图中也可为圆形的。
[0044] 在此，在显影之后检查抗蚀剂230a和抗蚀剂230b的图案，除非有问题，否则进行后焙烧。进行后烘焙，以便去除残余的显影剂和冲洗溶液(rinsing solution)中的水，以及以便增强抗蚀剂230a和抗蚀剂230b与引线框200的粘附力，和对后续步骤中的蚀刻的抵抗力。
[0045] 接下来，将抗蚀剂230a和抗蚀剂230b用作掩膜来半蚀刻引线框200，使得在引线框200中生成凹部238、凹部240a和凹部240b(图6C)。在此，凹部238、凹部240a和凹部240b具有的形式使得宽度(直径)沿从表面朝生成凹部的内部的方向扩张。换句话说，在本实施例中，凹部238、凹部240a和凹部240b具有的形式使得引线框200内的直径分别大于在用作掩膜的抗蚀剂230a和抗蚀剂230b中生成的开口236a、开口236b和开口236c的直径。为了获得这样的形式，可通过各向同性蚀刻、例如通过湿法蚀刻来生成凹部238、凹部
240a和凹部240b。结果，蚀刻以各向同性的方式进行，出现侧面蚀刻，并且能生成具有更大内径的凹部，使得距表面的较深部分鼓起(bulge out)。例如，可将氯化铁溶液用作蚀刻剂。
[0046] 之后，利用剥离溶液去除抗蚀剂230a和抗蚀剂230b。在本实施例中，通过各向同性蚀刻生成凹部238，因此，凹部238具有的形式使得在引线框200的表面上的部分中形成突起239。同样地，凹部240a具有的形式使得在引线框200的表面上的部分中形成突起241a。另外，凹部240b具有的形式使得在引线框200的后表面上的部分中形成突起241c。
此外，在本实施例中，将每个凹部240a和每个凹部240b设置成彼此连通，以便在引线206中生成通孔(图6D)。此外，通过从引线框200的前表面和后表面的各向同性蚀刻生成凹部
240a和240b，以如下形式生成通孔，使得在两个凹部之间的边界部分中形成突起241b。通过处理，使凹部238和如凹部240a与凹部240b而生成的通孔的内壁表面凹凸状。
[0047] 此外，可重复半蚀刻步骤，以便形成多个突起。
[0048] 如图7A所示，再次分别将抗蚀剂242a和抗蚀剂242b设置在引线框200的前表面(附图中的上侧)和后表面(附图中的下侧)上。在此，已在引线框200中生成凹部，并且因此可将膜用作抗蚀剂242a和抗蚀剂242b，使其不被填充入凹部中。
[0049] 接下来，分别将用于曝光的掩膜244a和用于曝光的掩膜244b设置在抗蚀剂242a和抗蚀剂242b上(图7B)。用于曝光的掩膜244a分别在与用于曝光的掩膜232a中的开口234a和开口234b对应的位置处设置有开口246a和开口246b。另外，用于曝光的掩膜244b在与用于曝光的掩膜232b中的开口234c对应的位置处设置有开口246c。在此，用于曝光的掩膜244a中的开口246a比用于曝光的掩膜232a中的开口234a宽。同样地，用于曝光的掩膜244a中的开口246b比用于曝光的掩膜232a中的开口234b宽。另外，用于曝光的掩膜244b中的开口246c比用于曝光的掩膜232b中的开口234c宽。
[0050] 分别将用于曝光的掩膜244a和用于曝光的掩膜244b用作掩膜来使抗蚀剂242a和抗蚀剂242b曝光和显影。结果，分别将用于曝光的掩膜244a和用于曝光的掩膜244b的图案转印至抗蚀剂242a和抗蚀剂242b。换句话说，在抗蚀剂242a中，分别在与用于曝光的掩膜244a中的开口246a和开口246b对应的位置处生成开口248a和开口248b。另外，在抗蚀剂242b中，在与用于曝光的掩膜244b中的开口246c对应的位置处生成开口248c(图7C)。
[0051] 将抗蚀剂242a和抗蚀剂242b用作掩膜来蚀刻引线框200。在此，可执行例如湿法蚀刻的各向同性蚀刻。另外，可使用于蚀刻的时间大约为用于生成凹部238、凹部240a和凹部240b的时间的一半。结果，能在凹部238内生成凹部250，该凹部250具有比凹部238大的直径并且比凹部238浅。同时，能在凹部240a内生成凹部252a，该凹部252a具有比凹部240a大的直径并且比凹部240a浅。另外，能在凹部240b内生成凹部252b，该凹部252b具有比凹部240b大的直径并且比凹部240b浅(图7D)。
[0052] 之后，利用剥离溶液等去除抗蚀剂242a和抗蚀剂242b。因此，能在引线框200的前表面侧生成凹部210。另外，能在引线框200中生成通孔212。在本实施例中，重复通过各向同性蚀刻的半蚀刻，以逐步地生成凹部和通孔，因此，能在凹部210和通孔212内形成多个突起。如图6D所示，除突起239以外，在凹部210内的凹部238与凹部250之间的边界部分中形成突起251。同样地，如图6B所示，除突起241a、突起241b和突起241c以外，在通孔212内形成突起253a和突起253b(图7E)。通过处理，使凹部210和通孔212的内壁表面凹凸状。
[0053] 另外，重复相同的半蚀刻步骤，因此，能使凹部210和通孔212的内壁表面非常地凹凸状。因此，通过半蚀刻生成凹部和通孔，并且能在不利用任何特殊的冲模等的情况下根据需要地使内壁表面凹凸状。另外，在不影响相对侧的情况下，能从引线框200的前表面和后表面同时生成凹部。
[0054] 图8A至9B是横截面图，示出在通过将半导体芯片102安装在引线框200上、然后将其密封在密封树脂120中来制造半导体器件100的工艺中的步骤。
[0055] 首先，利用管芯焊接材料112将半导体芯片102安装在管芯焊盘202上(图8A)。接下来，利用焊线110使半导体芯片102和引线206电连接(图8B)。接下来，将引线框
200、半导体芯片102和焊线110密封在密封树脂120中(图9A)。此时，用密封树脂120填入引线框200中的凹部210和通孔212。结果，增加了引线框200与密封树脂120之间的粘附面积，使得两者之间的粘附力增加。之后，利用刀片或冲模，沿虚线300从引线框200切割出半导体器件(图9B)。此时，切割并去除引线框200的外框架，使得引线206与管芯焊盘202分离。通过处理，能获得根据本实施例的半导体器件100。
[0056] 图10A至10C是横截面图，示出根据本实施例的半导体器件100的构造的其它实例。
[0057] 图10A是横截面图，示出在管芯焊盘202的区域203中生成凹部210的实例(见图1)。在此，尽管为简化起见，示出的是在半导体芯片102的下方只生成一个凹部210的实例，但根据半导体芯片102的尺寸和凹部210的尺寸，可在半导体芯片102的下方设置多个凹部210。与在本实例中一样，凹部210设置在区域203中，因此，能增强管芯焊盘202与管芯焊接材料112之间的粘附力。
[0058] 图10B是横截面图，示出通过仅执行一次半蚀刻步骤以便在引线框200中生成凹部和通孔，从而生成凹部210和通孔212的实例。这是在如图6D中的生成凹部238、凹部240a和凹部240b的状态下，完成引线框200的蚀刻的情形的实例。因此，在凹部210和通孔212中，形成例如突起239、突起241a、突起241b和突起241c的突起，使得能够使密封树脂120与引线框200之间的粘附力合适。考虑到所使用的引线框材料与密封材料之间的粘附力和成本，能进行任意次数的半蚀刻。在此，尽管示出了在如图10A中的设置有芯片的管芯焊盘202的区域203中生成凹部210的实例，但是也可以使用如在图1和9A至9B所示的实例中的在区域203中不生成凹部210的构造。
[0059] 图10C是横截面图，示出通过从引线框200的前表面形成的凹部和从后表面形成的凹部生成通孔212的实例，其中，所述从前表面形成的凹部和从后表面形成的凹部的一部分在平面图不重叠。在该构造中，通孔212的轴线不是直线的。结果，能使通孔212的内部更加凹凸状，使得能增强引线框200与密封树脂120之间的粘附力。在此，如图10A所示，尽管示出了管芯焊盘202的区域203中生成凹部210的实例，但是也可以使用如在图1至9(b)所示的实例中的在区域203中不生成凹部210的构造。
[0060] 图11是俯视图，示出根据本实施例的半导体器件100的构造的又一实例。
[0061] 在本实例中，在管芯焊盘202的区域203的外周部分中设置有连续的凹部。因此，凹部210被布置成使得在设置有芯片的管芯焊盘202的区域203的外周部分中以环形形式而被连接。在此，用密封树脂120填充入环形形式的凹部210中。
[0062] 图12是俯视图，示出根据本实施例的半导体器件100的构造的又一实例。
[0063] 在本实例中，引线206呈矩形形式。在本实施例中，在引线206中生成通孔212，使得用密封树脂120填充入通孔212，因此，能增强引线206与密封树脂120之间的粘附力。因此，即使当引线206为矩形形式时，也能防止引线206从密封树脂120脱落。因此，能减小引线206的尺寸，同时，变得能够减小引线节距，使得封装的小型化成为可能。
[0064] 以下效果能通过根据本实施例的引线框实现。
[0065] 在本实施例中，在引线206中生成使内壁表面凹凸状的通孔212，因此，在前表面和后表面，引线206与密封树脂120之间的粘附力在引线206的两侧变高。因此，能防止引线206从密封树脂120脱落。
[0066] 另外，在管芯焊盘202中生成不是通孔并且不穿透的凹部210。因此，能防止管芯焊接材料112从引线框200的后表面流出。因此，安装在管芯焊盘202上的半导体芯片102可具有任何尺寸。此外，凹部210不是通孔，因此，在凹部210的布置方面不存在任何限制。因此，如图10A至10C所示，能将凹部210布置在管芯焊盘202前表面的整个表面上。
[0067] 此外，在本实施例中，能通过半蚀刻生成凹部和通孔，因此，在不利用日本未审查专利公布NO.2001-127232和日本未审查专利公布NO.2007-258587中说明的冲模等的情况下，能在简单的工艺中使内壁表面如所需的凹凸状。
[0068] (第二实施例)
[0069] 图13是俯视图，示出根据本实施例的半导体器件的构造。图14是沿图13中的线C-C′的横截面图。
[0070] 本实施例中的半导体器件的构造与第一实施例中的半导体器件100的构造的不同之处在于引线206从密封树脂120露出，另外，密封树脂120覆盖引线框200的后表面。
[0071] 在该构造的情形下，同样能将凹部210设置在管芯焊盘202的后表面侧。结果，用密封树脂120填充入从管芯焊盘202的后表面形成的凹部210，使得能在管芯焊盘202的后表面处增加引线框200与密封树脂120之间的粘附面积。结果，在具有如下构造的封装中，可以增强引线框200与密封树脂120之间的粘附力，其中，在所述构造中，管芯焊盘202的后表面不露出、而是密封在密封树脂120中。
[0072] 图15是横截面图，示出根据本实施例的半导体器件100的构造的又一实例。在密封树脂120设置在引线框200的后表面处的情形下，如在根据本实施例的半导体器件100中，取代通孔212，引线206可分别在前表面和后表面处设置有凹部214a和凹部214b。同样，在该构造中，在前表面和后表面中，引线206与密封树脂120之间的粘附力在引线206的两侧都高。因此，能防止引线206从密封树脂120脱落。
[0073] 尽管在上文中参考附图说明了本发明的实施例，但根据本发明，它们是示范性的并且可以采用不同于上述构造的各种构造。
[0074] 在上述所有实例中，引线206可与参考图12的说明一样地为矩形形式。
[0075] 另外，当进行两次或更多次的半蚀刻步骤时，用于半蚀刻的掩膜可具有其的中心位置从先前生成的开口的中心位置偏移的开口，因此，凹部或通孔可处于轴线不为直线的形式。
[0076] 以上实施例示出的是其中在管芯焊盘202中生成不是通孔并且不穿透衬底的凹部210的实例。然而，可将通孔设置在管芯焊盘202中。换句话说，可从引线框200的后表面生成凹部，以便连接至管芯焊盘202中的凹部210。尤其地，在围绕区域203的范围中的管芯焊盘202中可以设置该种通孔。
[0077] 显然的是，本发明不局限于以上实施例，并且在不偏离本发明的范围和精神的情况下可以对其进行更改和改变。
