一种低卤素含量的导电银浆转让专利

申请号 : CN200910305761.7

文献号 : CN101650982B

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发明人 : 高官明刘侦德李夏林李清湘黄建民吴涛伏志宏周少强林兴铭程玉才黄培德何其飞阎耿

申请人 : 深圳市中金岭南科技有限公司

摘要 :

本发明涉及一种低卤素含量的导电银浆。所述低卤素含量的导电银浆包括(以下各成分所占百分比为重量比):聚酯树脂1-25%;银粉20-55%;分散剂0.1-9%;附着力促进剂0.1-8%;流平剂0-6%;石墨粉0-8%;有机溶剂20-60%。相比于先前的导电银浆,本发明的导电银浆有较低的卤素含量,满足欧盟环保要求,是绿色环保产品。银浆的烘烤温度低,对PET薄膜有较强的附着力,电阻率低,弯折性和硬度适中,是制作环保型印刷电路的优选材料。

权利要求 :

1.一种低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述低卤素含量的导电银浆包括:聚酯树脂 1-25%, 银粉 20-55%, 醋酸丁酸纤维素 0.1-9%, 聚氨酯丙烯酸树脂 0.1-8%, 有机硅流平剂 0-6%, 石墨粉 0-8%, 特慢型783溶剂 20-60%;

其中所述聚酯树脂为由多元醇和多元酸酯化合而成,所述银粉为超细片状银粉,银粉的平均粒度2-3μm,松装密度0.6-0.8g/ml。

2.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述聚酯树脂的含量为

8%。

3.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述银粉的含量为50%。

4.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述醋酸丁酸纤维素的含量为6%。

5.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述聚氨酯丙烯酸树脂的含量为1%。

6.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述有机硅流平剂的含量为0.5%。

7.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述石墨粉的平均粒径为12μm的石墨粉,含量为3.5%。

8.根据权利要求1所述低卤素含量的导电银浆,其特征在于:所述特慢型783溶剂的含量为31%。

说明书 :

一种低卤素含量的导电银浆

【技术领域】

[0001] 本发明技术方案设计一种低卤素含量的低温烘烤型导电银浆,主要用于PET等柔性基材上制作薄膜开关,导电线路和发热元器件。【背景技术】
[0002] 目前用于PET薄膜上制作薄膜开关,电脑键盘线路,发热组件的低温导电银浆,主要由导电填料银粉、三元氯聚合物树脂、有机溶剂等组成,性能指标能满足元器件的需求,组成中的聚合物树脂中含有一定量卤素,在产品使用后回收时对环境会造成污染,随着世界各国对环境污染的重视,欧盟要求进入市场销售的产品卤素含量必须小于900ppm,市场急需一种无毒环保烘烤温度适中低卤素含量的导电银浆。
[0003] 在低温导电银浆的制作过程中,不采用含卤素的三元氯-醋聚合物树脂或含氯元素添加剂,导电银浆在PET薄膜材料上附着力就达不到产品的要求,烘烤温度高,银浆的电阻大,不能满足薄膜开关和电脑键盘线路要求。【发明内容】
[0004] 为了配制出一种无毒无害绿色环保低温烘烤型导电银浆,满足市场对环保产品需求,本发明技术方案提供了一种低卤素含量的导电银浆。
[0005] 本发明解决现有技术问题所采用的技术方案为:提供了一种低卤素含量的导电银浆,所述低卤素含量的导电银浆包括(以下各成分所占百分比为重量比):聚酯树脂1-25%;银粉20-55%;分散剂0.1-9%;附着力促进剂0.1-8%;流平剂0-6%;石墨粉0-8%;
有机溶剂20-60%。
[0006] 根据本发明的一优选技术方案:所述聚酯树脂为由多元醇和多元酸酯化合而成,含量为8%。
[0007] 根据本发明的一优选技术方案:所述银粉为超细片状银粉,银粉的平均粒度2-3μm,松装密度0.6-0.8g/ml,含量为50%。
[0008] 根据本发明的一优选技术方案:所述分散剂为醋酸丁酸仟维素,含量为6%。
[0009] 根据本发明的一优选技术方案:所述附着力促进剂为聚氨酯丙烯酸树脂,含量为1%。
[0010] 根据本发明的一优选技术方案:所述流平剂为有机硅流平剂,含量为0.5%。
[0011] 根据本发明的一优选技术方案:所述石墨粉的平均粒径为12μm的石墨粉,含量为3.5%。
[0012] 根据本发明的一优选技术方案:所述有机溶剂为特慢型783溶剂,含量为31%。
[0013] 本发明技术方案的有益效果在于:相较于先前的导电银浆,本发明的导电银浆进行无毒无害测试,结果与欧盟RoHS指令2002/95/EC以及后续修正指令的要求相符,卤素含量=500ppm,满足欧盟环保要求,是绿色环保产品。银浆的烘烤温度低,对PET薄膜有较强的附着力,电阻率低,弯折性和硬度适中,性能指标能满足电子元器件要求,是制作环保型印刷电路的优选材料。【具体实施方式】
[0014] 以下结合实施例对本发明技术方案进行详细说明:
[0015] 本发明提供了低卤素含量的导电银浆及其制造方法。所述低卤素含量的导电银浆包括(以下各成分所占百分比为重量比):聚酯树脂1-25%;银粉20-55%;分散剂0.1-9%;附着力促进剂0.1-8%;流平剂0-6%;石墨粉0-8%;有机溶剂20-60%。
[0016] 在本发明的优选技术方案中:所述聚酯树脂为由多元醇和多元酸酯化而成,纯线型结构树脂制备的膜有较好的柔韧性。
[0017] 所述银粉为特制超细片状银粉,平均粒度2-3μm,松装密度0.6-0.8g/ml。
[0018] 所述分散剂为醋酸丁酸仟维素。
[0019] 所述附着力促进剂为聚氨酯丙烯酸树脂。
[0020] 所述流平剂为有机硅流平剂。
[0021] 所述石墨粉为平均粒径12μm石墨粉。
[0022] 所述有机溶剂为特慢型783溶剂。
[0023] 本发明技术方案中所述低卤素含量的导电银浆的优选配方以重量百分比表示如下:聚酯树脂8%;银粉50%;分散剂6%;附着力促进剂1%;流平剂0.5%;石墨粉3.5%;有机溶剂31%。
[0024] 本发明技术方案中所述低卤素含量的导电银浆各成分的配比还可以为:
[0025] 实例1:聚酯树脂 10%
[0026] 银粉 45%
[0027] 分散剂 3%
[0028] 附着力促进剂 3%
[0029] 流平剂 2%
[0030] 石墨粉 5%
[0031] 有机溶剂 32%。
[0032] 实例2:聚酯树脂 15%
[0033] 银粉 40%
[0034] 分散剂 8%
[0035] 附着力促进剂 5%
[0036] 流平剂 3%
[0037] 石墨粉 6%
[0038] 有机溶剂 23%。
[0039] 实例3:聚酯树脂 18%
[0040] 银粉 35%
[0041] 分散剂 5%
[0042] 附着力促进剂 6%
[0043] 流平剂 5%
[0044] 石墨粉 7%