用于写同步校正的时移位

摘要

提供了用于对于磁存储介质及其对应的可写磁位或点校正磁存储设备的写同步的系统和方法。具体而言，这些系统和方法涉及使用时移原理来校准磁存储设备以校正读写器定时的缓慢漂移。可以理解，时移技术能够以各种方式应用。例如，介质上的非常点能够以时移方式定位。在另一示例中，可时移对点的写入。

权利要求

1.一种校正磁存储设备的写同步的方法，所述方法包括：

向所述磁存储设备中的磁存储介质的一个数据阵列写入已知代码序列，所述一个数据阵列具有位于其上的多个位分组中提供的位，所述多个位分组沿所述一个数据阵列延伸，每一个位分组的位具有第一间隔而所述位分组具有第二间隔，所述第一间隔和所述第二间隔是不同的；

在向所述一个数据阵列写入已知代码序列后读取所述一个数据阵列；

基于所读取的信息来判定是否需要校正所述磁存储设备的写同步；以及如果判定指示需要这一校正，则对于所述一个数据阵列校正所述磁存储设备的写同步，其中这一校正包括沿着所述一个数据阵列将写定时窗口前移或后移至少一个位分组。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁存储设备包括盘驱动器，并且所述磁存储介质是磁存储盘，其中向所述一个数据阵列写入包括向所述磁存储盘的数据磁道写入。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，向所述一个数据阵列写入所述已知代码序列包括基于所述已知代码序列来倒置沿所述一个数据阵列的位分组中的一个或多个位分组的磁化方向，其中读取所述一个数据阵列包括读取所述一个或多个位分组的倒置的磁化方向。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述判定包括将所述一个数据阵列的读取的磁化模式与所述一个数据阵列的期望的磁化模式进行比较，其中所述一个数据阵列的读取的磁化模式对应于从所述一个数据阵列中读取的已知代码序列。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述读取的磁化模式与所述期望的磁化模式进行比较由所述磁存储设备的控制器来执行，其中所述控制器具有其中存储所述期望的磁化模式的存储器。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述读取的磁化模式与所述期望的磁化模式之间的差别对应于在校正所述磁存储设备的写同步时所述写定时窗口的移位。

说明书

用于写同步校正的时移位

技术领域

[0001] 本发明涉及磁存储，具体而言，涉及磁存储设备以及用于校正磁存储设备的写同步的方法。

背景技术

[0002] 使用磁存储设备来通过使用在介质上读写磁数据的换能器将数据存储在磁存储介质上。例如，盘存储设备一般适用于与同轴地安装在设备的主轴电动机上以便高速旋转的一个或多个磁记录盘一起工作。在这些盘旋转时，对应的换能器，即读/写磁头，由致动器组件来在盘的表面上移动以便在这些盘上读写数字信息。

[0003] 在一般需要存储数量不断增长的数字信息的情况下，磁存储设备的设计者和制造商不断尝试增加磁存储介质的位密度。在磁记录盘中，这意味着增加面密度，即，盘上的磁道数量和/或沿给定磁道的位的线密度。一种增加面密度的方式涉及使用位规则介质（BPM）。

[0004] 在BPM中，磁记录表面被图案化以提供彼此分开的多个离散的单畴磁岛（通常每位一个岛）。在对位记录和读回数据期间，位的分开极大地限制了位之间的交换耦合。结果，可在使用BPM时将位靠一起定位，同时防止位之间的干扰。通常在BPM中包括伺服信息以便为伺服控制系统提供定位信息。为此，在BPM上的写操作期间，能够将写或记录磁头精确地定位在给定的数据阵列（例如，数据磁道）的上方，以便磁化其上的位，其中这些位通常也被称为点。由此，例如在磁记录盘旋转期间，磁头可被仔细地对准在其经过的点的上方以便于数据记录和数据读回过程。

[0005] 然而，即使在磁头和磁点之间具有这样的一般对准，BPM也向盘驱动器操作提出了其他挑战。这些挑战中的一个涉及将盘存储设备的写定时与盘及其现有点同步。基于初步建模结果，一般可发现对盘的成功写入的窗口在位长度的30％以内。给定每平方英尺1万亿位的一般密度，这一30％的长度转换为大约4纳米。取决于驱动器操作的RPM（每分钟转数）和半径，这还可转换为每秒10次数量级的写周期。因此，一般写操作准许对盘存储设备的反馈的有限机会。此外，普遍认为写磁头（或录写器）无法自己提供位置反馈。换言之，录写器不像传感器那样注册其在盘上相对于‘可写’点的位置。因此，在定位传感装置以便于校正写定时同步以及向盘存储系统提供对位置信息的及时反馈方面存在挑战。本发明的各实施例着重解决这些挑战。

发明内容

[0006] 本发明的某些实施例提供涉及对于磁存储介质及其对应的可写磁位或点校正磁存储设备的写同步的系统和方法。具体而言，这些系统和方法涉及校准磁存储设备以校正写定时的缓慢漂移。在某些实施例中，磁存储介质可以是磁存储盘，由此该同步涉及对盘上的点使用时移原理。

[0007] 可以理解，时移技术能够以各种方式应用。例如，在某些实施例中，介质上的非常点能够以时移方式定位。当涉及磁存储盘时，某些实施例可涉及制造点以使得在盘的数据阵列中的多个分组或群集中提供这些点。由此，在对数据阵列中的点分组写入时，只对某些点分组写入。进而，在随后读取点分组时，可使用磁存储设备的控制系统来区分哪些分组已被写入哪些分组未被写入。此外，在校正磁存储设备的写同步时，该控制系统可将点分组共同用作计数器，从而方便了可相对于数据阵列的点分组前移或后移写入过程以便将来对该阵列的记录的方式。

[0008] 例如，在某些其他实施例中，可时移对点的写入。这些实施例可涉及制造点以使其均匀地分隔在盘的每一个数据阵列中。由此，在通过对于数据阵列中的点的多次写迭代来移位写定时时，每一次写迭代都导致对阵列的点的不同写入。在每一次写迭代后读取写入的点时，可使用磁存储设备的控制系统来确定哪一写定时产生对于点的最小写定位误差。在这一判定后，控制系统可使用对应于最小写误差的时移来对于数据阵列的点前移或后移写入过程，以便将来对该阵列的记录。

[0009] 通过阅读下面的详细描述，这些以及各种其它的特征和优点将会显而易见。

附图说明

[0010] 图1是根据本发明的某些实施例的磁存储设备的俯视图。

[0011] 图2是根据本发明的某些实施例的磁存储介质的数据位图案的俯视图。

[0012] 图3是根据本发明的某些实施例的伺服控制系统的框图。

[0013] 图4是根据本发明的某些实施例的校正写时间同步的示例性方法中所使用的磁存储介质的一部分上的数据阵列的俯视图。

[0014] 图5是根据本发明的某些实施例的写入过程之后的图4的数据阵列的俯视图。

[0015] 图6是描绘根据本发明的某些实施例的校正对应于图4的磁存储介质的写同步的示例性方法的步骤的流程图。

[0016] 图7是根据本发明的某些实施例的校正写同步的其他示例性方法中所使用的磁存储介质的一部分上的数据阵列的俯视图。

[0017] 图8是根据本发明的某些实施例的写入过程之后的图7的数据阵列的俯视图。

[0018] 图9是描绘根据本发明的某些实施例的校正对应于图7的磁存储介质的写同步的其他示例性方法的步骤的流程图。

具体实施方式

[0019] 应参考附图阅读以下的详细描述，在不同的附图中相似的元件被相同地编号。附图中所示的实施例不一定是按比例的，除非另外指出。应该理解附图中所示和本文所述的实施例仅仅是出于说明的目的且不旨在将本发明限于任何实施例。相反，旨在覆盖可包括在如所附权利要求定义的本发明的范围内的选择、修改和等价方案。例如，虽然此处所描述的实施例涉及磁存储设备和图案化磁介质，但这些实施例也可很好地应用于任何记录存储设备和/或任何图案化记录介质。

[0020] 图1是根据本发明的某些实施例的磁存储设备10的俯视图。在所示的实施例中，设备10采取用于与主机计算机接口的类型的盘驱动器的形式，以便磁存储和检索用户数据。盘驱动器包括安装在底座12上的各种组件。顶盖14（以部分剖开的形式示出）与底座12协作以形成用于盘驱动器的内部密封环境。

[0021] 磁存储设备10包括用于记录数据的磁存储介质。在图1所示的实施例中，介质采取被安装到主轴电动机（概括地在20处示出）以便于沿旋转方向22以一速度旋转的多个轴向对准的磁记录盘16的形式。使用围绕定位在盘16附近的承轴组件24旋转的致动器23来对盘16上的磁道（未指定）读写数据。

[0022] 致动器23包括多个刚性致动臂26。柔性悬挂组件28被附连到致动臂26的末端以支撑对应的换能器（例如，读写磁头）30阵列，且每一个盘表面邻近一个换能器。每一个换能器30都包括浮动块组件（未单独指定），其被设计成与相关联的盘16的对应表面极接近地漂浮。在停用盘驱动器10后，换能器30即停留在外停止区32上并且磁锁存器34保护致动器23。

[0023] 音圈电机（VCM）36用于移动致动器23并且包括致动器线圈38和永磁体40。向线圈38施加电流引起致动器23围绕枢轴组件24旋转。柔性电路组件42提供致动器23和安装到底座12的下侧的盘驱动器印刷电路板组件（PCBA）。柔性电路组件42包括前置放大器/驱动器电路44，其向换能器30施加电流以读写数据。

[0024] 图2是根据本发明的某些实施例的具有示出数据位图案50的放大区域的一个磁存储盘16的俯视图。磁存储盘16被示为位规则介质（BPM），其中数据位图案包括以交错的位图案组织的多个单独且离散的记录位或点52。根据某些实施例，BPM一般包括非磁性衬底，其上覆盖有具有垂直各向异性的磁记录层，以及该衬底和磁层之间的一个或多个中间层。该磁层通过例如光刻图案化或自组织纳米颗粒阵列被图案化以形成离散且单独的点52。在某些实施例中，磁存储盘16在其被安装在磁存储设备中之前是DC已擦除的。

[0025] 点52在盘16上延展并且被分成多个数据阵列。在某些实施例中，如图所示，数据阵列可采取同心隔开的数据磁道的形式，例如，数据磁道54、54’和54’’，其各自由边界虚线56来定义并且一般垂直于盘半径。尽管在该实施例中的磁存储介质中数据阵列包括同心数据磁道，但应当理解，数据阵列当在其他数据存储介质中提供时可具有替换配置和几何形状。

[0026] 进一步参考图2，该实施例中的每一个数据阵列都包括在盘上延展的多个交错点52。如示例性地示出的，这些数据阵列包括交错的、两位宽的点图案，每一个数据阵列具有至少点52的第一分组58和点52的第二分组59，然而，本发明不应限于此。在某些实施例中，第一分组58涉及一行外径点52而第二分组59涉及一行内径点52。尽管图2中的数据阵列被描绘为两位宽，但可以构想这些阵列根据某些实施例也可以比两位宽。

[0027] 图2的数据阵列还被组织成一个或多个数据扇区，其具有由换能器30磁化以记录数据的多个记录位。术语“记录位”此处用于表示换能器（例如，读/写磁头）可在其中重复记录和/或盖写诸如例如，从计算机操作系统路由至存储设备的数据（此处有时被称为“用户数据”）等数据的点52。相反，位置信息可在最初被记录在“伺服”扇区或伺服位（未示出）中，但通常不以与在记录位中记录数据相同的方式在伺服位中重复记录和/或盖写。伺服扇区可包括扇区和磁道标识码以及用于将磁头的位置维持在数据磁道中心的上方的伺服脉冲图案。

[0028] 磁存储设备一般包括用于准确且可靠地记录和读取数据的控制系统。例如，诸如图1所例示的设备10等盘存储设备通常包括闭环伺服控制系统（未在可视地示出），其用于控制换能器30在其相关联的磁记录盘16的表面上的移动。例如，参考图1和2，为了便于可靠地对磁记录盘16中的一个上的指定数据阵列（例如，数据磁道54）读写数据，一般在数据阵列在相关联的换能器30之下移动时将换能器30定位在该阵列的中心的上方。为了在一个操作期间定位换能器30，伺服控制系统通常首先执行寻道功能，其中将换能器30从其当前位置移至指定数据阵列。在到达目的地数据阵列后，伺服控制系统然后执行跟踪功能，其中监视换能器30的位置并对其进行调整以确保其跟随数据阵列。

[0029] 继续以上示例，伺服控制系统一般从换能器30接收指示该换能器在对应的盘16上的一个或多个伺服扇区的上方通过时的位置的伺服信息信号。该伺服控制系统然后处理该伺服信息信号以确定换能器30的当前位置以及用于在必要时调整该换能器30的位置的移动。诸如图1所例示的设备10等盘存储设备一般或者采用专用伺服系统，其中单独的盘专用于存储伺服信息，或者采用嵌入式伺服系统，其中伺服扇区被定位在单个盘上的数据扇区之间。伺服扇区可包括扇区和阵列标识码以及用于将换能器的位置维持在数据阵列中心的上方的伺服脉冲图案。

[0030] 图3示出根据本发明的某些实施例的伺服控制系统60的功能框图。如以上参考图2所描述的，系统60能够与盘存储设备10一起操作以便为一个或多个换能器30提供位置控制，这些换能器30各自具有拥有读/写能力的一个或多个磁头61。虽然此处单独引用读和写磁头，但这样做仅仅是出于清楚的目的。由此，本发明的实施例不应限于此。相反，应当理解，这些磁头可涉及同时具有读写能力的单一主体或者相互偏移的单独主体，一个主体具有读功能而另一个主体具有写功能。

[0031] 继续参考图3，根据本发明的某些实施例，伺服控制系统60一般包括控制器62（例如，数字信号处理器），其从主机系统（例如，个人计算机）接收命令信号并且从伺服位置检测器64接收一个或多个位置信号63。在某些实施例中，位置检测器64从磁头61接收读回信号65，并从该读回信号65中提取或生成一个或多个位置信号63。进而，控制器62处理该一个或多个位置信号63以及来自主机系统的任何命令信号并且向VCM36发送相应的控制信号66以移动致动器23和换能器30或磁头61。

[0032] 如上所述，本发明的实施例涉及对于磁存储介质及其上的现有点校正磁存储设备的写同步。例如，参考图1和2，在某些实施例中，磁存储设备可涉及具有对应的盘16及其上的现有点52的盘记录设备10。对于盘16中的任一个，虽然可使用上述伺服控制系统60来对盘的数据阵列精确地定位致动器23和对应的换能器30（读/写磁头61），但同步磁头61相对于数据阵列的点52的写定时是需要进一步考虑的事项。

[0033] 如上所述，因为每一个换能器30的写磁头（或录写器）无法自己提供位置反馈，所以一种想法是将读磁头（或读取器）用作检测器以便进行写定时调整。然而，在这样做时的一个挑战涉及确定存储设备系统能够如何处理读回信号和与写磁头相关联的写定时门之间的时间等待，这在很大程度上是因为写磁头不反馈任何定时信息。另外，从读回信号到写门控制器的电路中的时间等待可随时间而变化。取决于这些变化的源，可能需要用于调整写时间同步的不同频率的校准。因为写磁头不是传感器，所以一般将不清楚驱动器将如何处理读和写定时之间的变化并相应地作出调整。本发明的实施例涉及在将时移原理应用于写同步校正时克服这些限制。

[0034] 应当理解，此处所包含的系统和方法可用作用于校正由于读到写定时关系的改变而引起的误差的写时间校准过程。进而，如果发现定时关系漂移，则磁存储设备可使用所包含的用于重新校准的系统/方法中的一种。

[0035] 回头参考图1，如上所述，柔性电路组件42提供致动器23和PCBA（被安装到盘驱动器底座12的下面）之间的电子接口，并且还包括前置放大器/驱动器电路44，其向换能器30施加电流以读写数据。在某些实施例中，PCBA和前置放大器/驱动器电路44协同工作以便于此处所描述的时移技术。这些时移技术可以在磁存储设备不活动，即，未与对应的盘进行活动操作时执行。

[0036] 可以理解，能够在校正磁存储设备的写同步时以各种方式应用时移技术。例如，在某些实施例中，这一校正可涉及对磁存储介质上的点的时移。为了帮助示出这种类型的时移，图4和5各自示出根据本发明的某些实施例的磁存储介质的一部分上的数据阵列的俯视图。图4示出在写入过程之前的数据阵列，而图5示出该写入过程之后的阵列。图6与图4和5对应，并且是根据本发明的某些实施例的时移方法的流程图。

[0037] 参考图4，如图所示，数据阵列70的点52在多个分组72中提供，其中每一个分组72都包括多个点52。在某些实施例中，如图所示，每一个分组72都可示例性地涉及八个点
52；然而，本发明不应限于此。在某些实施例中，每一个分组72的点52可在一个或多个行中提供。例如，如图所示，每一个分组72的点252可在两行，即顶行74和底行76中提供。
如图所示，每一个分组72的相邻点52（在每一行74、76中）隔开第一距离18，而沿着数据阵列70的相邻点分组72隔开第二距离80。在某些实施例中，第二距离80可以是第一距离
78（例如，1T）的偏差（例如，(2+x%)1T）。因此，所得到的是沿数据阵列70均匀地提供的一系列点分组72，在每一个分组72的相邻点52之间使用第一间隔而在相邻的点分组72之间使用第二间隔。在某些实施例中，如图4所示，第二间隔，即距离80大于第一间隔，即距离
78）。

[0038] 将数据阵列70的每一个点52磁化成或者正极（被示为具有“+”标记）或者负极（被示为具有“－”标记）。在某些实施例中，如图4所示，数据阵列70的每一个点分组72的顶行74可被磁化成正极，而阵列70的每一个点分组72的底行76可被磁化成负极。应当理解，点分组72的磁化模式可采取各种各样形式中的任一种，并且本发明的实施例不应限于任何这样的形式。如图所示，在被写入时，位倒置其极化或磁化。存在可例如或者垂直或者纵向地向磁存储介质记录的各种技术，这两种技术在本领域都是公知的。无论是哪一种记录技术，此处所提供的实施例都是适用的。

[0039] 继续参考图4，在向点分组72写入时，写磁头61a将只向特定百分比的点52写入，或只在数据阵列70的特定写定时窗口中写入。结果，在某些实施例中，将只向特定点分组72写入。例如，虽然本发明的实施例不应限于此，但如果初始记录模式涉及连续范围的点
52的交替磁化，则写入点的磁化将被反映为数据阵列70的一个段，该段中的点52倒置其磁化。图5描绘根据本发明的某些实施例的这一写入过程之后的图4的数据阵列70。如上所述，操作系统知道向点写入的初始模式（或已知代码序列），并且在特定写定时窗口82中写入。因此，如图5所描绘的，窗口82中的这些点分组72倒置其磁化，即，翻转磁化方向。

[0040] 进一步参考图5，其示例性地示出写操作（窗口82中）导致对于从初始点分组72移位2x%、3x%和4x%的点分组72的磁化倒置。在该写入过程之后，读磁头61b读取数据阵列70的点分组72并将这一读取信息发送到磁存储系统的控制系统。在涉及图1-3的盘驱动器10和对应的盘16的某些实施例中，这一信息经由柔性电路组件42发送到PCBA的控制器（例如，微处理器）。在这些实施例中，该控制器将写入过程之后的点分组72的磁化模式与所期望的磁化模式进行比较。因此，经由前置放大器/驱动器电路44的写定时门（未示出），该控制器进而可引导写电流以提供对写定时的对应的同步校正。在某些实施例中，这一校正基于数据阵列70的时移点分组72。例如，参考图5，可提供对写电流的-2x%的校正以使写入过程与数据阵列70的第一点分组72同相以便于对阵列70的后续记录。

[0041] 如上所述，图6是根据本发明的某些实施例的对于图4和5示例性地示出的时移方法的流程图。步骤90涉及制造具有点分组72的磁存储介质，由此沿着一个或多个数据阵列70创建分组72。例如，在参考图2的某些实施例中，当该介质是磁记录盘16时，沿着盘16上的同心数据磁道中的一个或多个（例如，54、54’等）提供点分组72。如以上参考图4所描述的，每一个点分组72的点52以及点分组72是不同地隔开的。虽然图4示例性地描绘了一个数据阵列70及其上的点分组72，但在某些实施例中，也可类似地构造介质上的其他数据阵列中的任一个。

[0042] 步骤92涉及磁存储设备的就绪状态。由此，将步骤90的磁存储介质加载到设备中，在此之后可在需要时对于该介质及其点校正该设备的写同步。可以理解，对设备的写同步的校正在对数据阵列70的每一次写功能之后将很有可能是不必要的。因此，在某些实施例中，可使用触发事件来发起磁存储设备的控制系统对磁存储设备的写同步的检查。由此，对设备的写同步的检查的频率可按需控制。例如，这一触发事件可涉及达到特定数量的对数据阵列70的写入。在某些实施例中，参考图1的盘驱动器10，这些写入量可由PCBA控制器来跟踪，并且一旦达到特定数量的写操作，就提示控制系统检查写同步，且该流程图继续至步骤94。

[0043] 步骤94涉及向数据阵列70的点分组52写入。这一步骤最初涉及将写磁头61a定位在数据阵列70的上方。在某些实施例中，如以上参考图1和3所描述的，对应的致动臂26由VCM36经由来自控制系统60的信号来定位。该控制系统60从由读磁头61b从数据阵列70上的伺服扇区读取的信号中取得其提示。进而，可将致动臂26的换能器30精确地定位在该数据阵列70的上方以便于向其点分组72写入。一旦如此定位，写磁头61a就准备好开始向点分组72写入。如上所述，在某些实施例中，写磁头61a从盘驱动器10的PCBA的控制器取得其提示。该PCBA结合柔性电路组件42来工作以控制来自前置放大器/驱动器电路44的写电流的定时。因此，在某些实施例中，PCBA的控制器向写磁头61a发送信号以便于对于数据阵列70的点分组72的初始写模式（已知代码序列）。如上所述，只向落在写定时窗口82内的点分组72记录，从而导致其磁化被倒置。

[0044] 步骤96涉及读取数据阵列70的点分组72并且将该读取信息发送到磁存储操作系统。在某些实施例中，这一信息由读磁头61b来读取并从磁头61b发送到盘驱动器10的控制系统。如上所述，在某些实施例中，这一传输由柔性电路组件42来促进并涉及将读数据信号路由至盘驱动器10的PCBA控制器。

[0045] 步骤98涉及基于读数据来确定是否需要写同步校正。在某些实施例中，PCBA控制器将写入过程之后的点分组72的读磁化模式与所期望的点分组72的磁化模式进行比较。在某些实施例中，这一期望的磁化模式可被存储在PCBA控制器的存储器中。如果读磁化模式不同于所期望的磁化模式，则写定时或同步需要校正。因此，该流程图继续至步骤100，由此进行写定时校正。在某些实施例中，如以上参考图5所描述的，这一校正基于数据阵列
70的时移点分组72并经由PCBA控制器来促进。在这一校正之后，该流程图循环回到步骤
92。相反，如果写定时不需要校正（例如，其中发现写定时在数据阵列70的第一点分组72处发起），则该流程图从步骤98循环回到步骤92。

[0046] 如上所述，能够在校正磁存储设备的写同步时以各种方式应用时移技术。例如，在某些实施例中，这一校正可涉及时移对于磁存储介质上的被写入点的写入过程。为了帮助示出这种类型的时移，图7和8各自示出根据本发明的某些实施例的磁存储介质的一部分上的数据阵列的俯视图。类似于以上参考图4和5所描述的，图7示出写入过程之前的数据阵列，而图8示出一个时移写入过程之后的阵列。此外，类似于上述图6，图9与图7和8对应并且是根据本发明的某些实施例的时移方法的流程图。

[0047] 参考图7，数据阵列110的点52可被定位在一个或多个行中。例如，如图所示，点52在两行，即顶行112和底行114中示例性地提供。如图所示，每一行112和114的点52沿着数据阵列110的长度均匀地隔开特定距离116，例如，1T。类似于以上参考图4的点52描述的，将数据阵列110的每一个点52磁化成或者正极（被示为具有“+”标记）或者负极（被示为具有“－”标记）。在某些实施例中，如图7所示，数据阵列110的顶行112可被磁化成正极，而阵列110的底行114可被磁化成负极。然而，类似于以上参考图4所描述的，应当理解，点52的磁化模式可采取各种各样形式中的任一种。此外，无论在向磁存储介质的点52记录时使用什么技术，此处所提供的实施例都是适用的。

[0048] 在某些实施例中，通过对于写入过程的多个时移来向数据阵列110的点52写入已知代码。因此，每一个时移写入过程都将产生其自己的对沿阵列110的点52的不同代码记录。结果，取决于时移的大小，大多数写入过程产生偏离代码对于阵列110的点52的所期望的写模式的写模式。因此，通过时移写入过程，可在所得的代码的写模式和所期望的代码的写模式之间进行比较。在确定哪一个时移产生代码的最小写定位误差，即与所期望的写模式的最接近的对准时，磁存储设备进而可使用这一时移来相应地将写电流移位至写磁头以便于将来的写入过程。

[0049] 进一步参考图7，在向数据阵列110的点52写入时，写磁头61a将只向特定百分比的点52或在阵列110的特定写定时窗口中写入。结果，类似于以上参考图4-6所描述的，将只向阵列110的特定点52写入。例如，虽然本发明的实施例不应限于此，但如果初始记录模式涉及连续范围的点52的交替磁化，则写入点的磁化将被反映为数据阵列110的一个段，该段中的点52颠倒其磁化。

[0050] 图8描绘根据本发明的某些实施例的初始写入过程之后的图7的数据阵列110。如上所述，虽然操作系统知道向点写入的初始写模式（已知代码序列），但一般不时移第一写入过程的定时。如图所示，写磁头61a在写定时窗口82’写入。因此，如图5所示，仅落在窗口82’内的点52倒置其磁化，即，翻转磁化方向。在该初始写入过程之后，读磁头61b读取数据阵列110的点52并将这一读取信息发送到磁存储系统的控制系统。在涉及图1-3的盘驱动器10和对应的盘16（并且类似于对于图4-6所描述）的某些实施例中，这一信息经由柔性电路组件42来发送到PCBA的控制器（例如，微处理器）。在这些实施例中，控制器将初始写入过程之后的点52的写模式与所期望的写模式（例如，存储在该控制器的存储器中）进行比较，并且确定在这两个写模式之间是否存在任何差异，即误差。如果确定有误差，则这一误差将对应于该初始写入过程并被存储在控制器存储器中。

[0051] 可按需重复这一写入过程，且从该初始写入过程时移其他写入过程。例如，在某些实施例中，后续写入过程可涉及具有初始写入过程的x％的写入时移的写入过程，然后是具有初始写入过程的2x％的写入时移的写入过程，然后是具有初始写入过程的3x％的写入时移的写入过程，依此类推。在从这些时移写入过程中进一步读取写模式之后，计算这些写模式和所期望的写模式之间的写定位误差，并将这些误差连同其对应的写入过程时移一起存储在PCBA控制器存储器中。

[0052] 进而，经由前置放大器/驱动器电路44的写定时门（未示出），该PCBA控制器可引导写电流以提供对应的写同步校正。在某些实施例中，这一校正可基于产生最小误差的写入过程的特定时移。例如，在将写模式移位2％的初始写入过程的时移并计算对应的写定位误差后，可发现这一2％的时移在与所期望的写模式进行比较时产生最小的写误差（与对数字阵列110的其他时移写入或初始写入过程形成对比）。因此，将写电流移位-2x%以使得写入过程如所期望地与数据阵列110的点52同相。

[0053] 如上所述，图9是根据本发明的某些实施例的对于图7和8示例性地示出的时移方法的流程图。步骤120涉及制造具有沿一个或多个数据阵列70创建的点52的磁存储介质。例如，在参考图2的某些实施例中，当该介质是磁记录盘16时，沿着盘16上的同心数据磁道中的一个或多个（例如，54、54’等）提供点52。如以上参考图7所描述的，点52是均匀地隔开的。虽然图7示例性地描绘了一个数据阵列70及其上的点分组52，但在某些实施例中，也可类似地构造介质上的其他数据阵列中的任一个。

[0054] 步骤122涉及磁存储设备的就绪状态，并且类似于参考图6中的步骤92所描述的内容。步骤124涉及对数据阵列110的点52的初始写入。这一步骤最初涉及将写磁头61a定位在数据阵列110的上方，这类似于参考图6中的步骤94所描述的内容。一旦如此定位，写磁头61a就准备好开始向点52写入。如上所述，在某些实施例中，写磁头61a从盘驱动器10的PCBA的控制器中取得其提示。该PCBA结合柔性电路组件42来工作以控制来自前置放大器/驱动器电路44的写电流的定时。因此，在某些实施例中，PCBA的控制器向写磁头61a发送信号以便于对于数据阵列70的点分组72的初始写图案。如上所述，只向落在写定时窗口82内的点分组72记录，从而导致其磁化被倒置。如上所述，对于初始写入过程无需时移。

[0055] 步骤126涉及读取数据阵列110的点52并将该读信息发送到磁存储操作系统，这类似于参考图6中的步骤96所描述的内容。步骤128涉及通过PCBA控制器来确定初始写入过程后的点52的写模式和所期望的写模式（例如，存储在该控制器的存储器中）之间是否存在差异，即，写定位误差。如果确定有误差，则这一误差将对应于该初始写入过程，并且将这一数据记录在控制器存储器中，且该流程图继续至步骤130。然而，如果确定没有误差，则该流程图循环返回至步骤122。

[0056] 步骤130涉及对数据阵列110的点52的进一步的写入过程。因此，如上所述，这一进一步的写入过程涉及与在步骤124中最初写入的相同的所提示的写模式，但具有该初始写入过程的已知时移。如上所述，在某些实施例中，该进一步的写入过程的已知时移可开始于x％的初始写入过程的写入时移，并且顺序地前进至该初始写入过程的其他偏差，例如，2x%、3x%等，并且在某些实施例中在PCBA控制器中对这些偏差进行编程。然而，这些偏差可按需编程，并且不应限制此处所描述的实施例。

[0057] 步骤132涉及读取数据阵列70的点52并且将该读信息发送到磁存储操作系统（类似于上文中的步骤126）。步骤132还涉及通过PCBA控制器来确定该进一步的写入过程后的点52的写模式与所期望的写模式（例如，存储在该控制器的存储器中）之间是否存在任何差异，即，写定位误差。如果确定有误差，则这一误差将对应于该进一步的写入过程并将这一数据记录在控制器存储器中。

[0058] 步骤134涉及确定是否需要执行进一步的时移写入过程。在某些实施例中，这一判定由PCBA控制器来提供。例如，在某些实施例中，需要在触发系统继续确定时移写入校正（步骤136）之前执行特定数量的写入过程迭代（例如，在PCBA控制器中编程）。或者，在某些实施例中，在初始写入过程之后激活定时器（例如，作为PCBA控制器的一部分），其中在特定时间段后，触发系统继续确定校正。在某些实施例中，触发器可以是以上参数或其他类似参数的组合。如果确定需要执行进一步的时移写入过程，则该流程图循环返回至步骤128；否则，该流程图继续至步骤136。

[0059] 步骤136涉及校正写同步。在某些实施例中，如以上参考图8所描述的，这一校正基于对应于最小写定位误差的写入过程的特定时移，并经由PCBA控制器来促进。在这一校正之后，该流程图循环返回至步骤122。

[0060] 虽然已参考特定公开的实施例对本发明进行了描述，但是本领域的技术人员将认识到可作出形式或细节上的改变而不背离本发明的精神和范围。