采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法

摘要

本发明公开了一种采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，其采用金属栅极取代传统工艺中的多晶硅栅极，且通过两次光刻和刻蚀，以及湿法可显影的填充材料实现了采用大马士革工艺制备金属栅极中的接触孔和金属连线，简化了制备流程。

权利要求

1.一种采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，在硅片上完成金属栅极制备之后，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备侧墙之后进行源漏离子注入形成源漏区，然后在源漏区硅表面上形成金属硅化物；

(2)在硅片上淀积第一介质层，至覆盖金属栅极台阶；

(3)采用化学机械研磨法研磨第一介质层材料至金属栅极上表面，后在第一介质层上淀积一层第二介质层；

(4)接着在所述第二介质层上淀积第三介质层；

(5)进行光刻工艺曝出源漏极接触孔的位置，之后依次刻蚀第三介质层、第二介质层和第一介质层至金属硅化物表面，形成源漏极接触孔，之后去除光刻胶并清洗硅片；

(6)用湿法可显影的填充材料涂覆硅片以填充步骤五中刻蚀出的接触孔；

(7)用显影液显影步骤6中填充后的硅片，去除第三介质层表面的填充材料形成平整的硅片表面；

(8)进行第二次光刻曝出栅极接触孔的位置以及在所述源漏极接触孔上的金属线位置，依次刻蚀第三介质层和第二介质层，至第一介质层表面，刻蚀出金属线区域和栅极接触孔；

(9)去除硅片上的光刻胶和源漏极接触孔内的湿法可显影材料，后用常规工艺清洗硅片；

(10)淀积互连金属，填充所刻蚀出的金属线区域、栅极接触孔和源 漏极接触孔，后采用化学机械研磨法平整化去除高于第三介质层上的互连金属。

2.按照权利要求1所述的采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，其特征在于：所述第一介质层与第三介质层相同，为TEOS二氧化硅或硼酸盐玻璃；所述第二介质层为低K介电常数介质，其中K值在1.0～3.5之间，第二介质层厚度为50-5000埃。

3.按照权利要求2所述的采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，其特征在于：所述第二介质层为碳化硅层。

4.按照权利要求1或2所述的采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，其特征在于：所述湿法可显影的填充材料由酮类，醚类，烷烃类有机溶剂、抗反射吸收材料、可与标准四甲基氢氧化铵显影液反应的有机酸基团树脂以及含氧、氟元素的有机基团树脂构成，分子量在1000到50000之间。

5.按照权利要求1或2所述的采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，其特征在于：所述金属栅极在NMOS晶体管中为氮化钽和二氧化铪，在PMOS晶体管中为氮化钛和二氧化铪。 

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件制备方法，特别涉及一种半导体器件的金属栅极中接触孔的制备方法。

背景技术

在目前传统的半导体工艺中，普遍使用多晶硅作为栅极材料。但现在已经开始使用金属栅电极的工艺。目前的金属栅极工艺，与传统工艺中的基本相同，而将其中的多晶硅栅极用金属材料来代替。作为金属栅电极使用的材料，在NMOS管(n型场效应晶体管)中可为氮化钽(TaN)和二氧化铪(HfO2)材料，而在PMOS管(p型场效应晶体管)中可为氮化钛(TiN)和二氧化铪(HfO2)材料。同时，目前半导体制备中采用大马士革工艺主要停留在以通孔为主的流程中。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，其简化了制备工艺。
为解决上述技术问题，本发明的采用大马士革工艺制备金属栅电极中接触孔的方法，在完成金属栅极制备之后，包括如下步骤：
(1)在制备侧墙之后进行源漏离子注入形成源漏区，然后在源漏区硅表面上形成金属硅化物；
(2)在硅片上淀积第一介质层，至覆盖金属栅极台阶；
(3)采用化学机械研磨法研磨第一介质层材料至金属栅极上表面，后在第一介质层上淀积一层第二介质层；
(4)接着在所述第二介质层上淀积第三介质层；
(5)进行光刻工艺曝出源漏极接触孔的位置，之后依次刻蚀第三介质层、第二介质层和第一介质层至金属硅化物表面，形成源漏极接触孔，后去除光刻胶并清洗硅片；
(6)用湿法可显影的填充材料涂覆硅片以填充所述步骤五中刻蚀出的接触孔；
(7)用显影液显影步骤6中的硅片，去除第三介质层表面的填充材料形成平整的硅片表面；
(8)进行第二次光刻曝出栅极接触孔的位置以及在所述源漏极接触孔上的金属线位置，依次刻蚀第三介质层和第二介质层，至第一介质层表面，刻蚀出金属线区域和栅极接触孔；
(9)去除硅片上的光刻胶和源漏极接触孔内的湿法可显影材料，后用常规工艺清洗硅片；
(10)淀积互连金属，填充所刻蚀出的金属线区域、栅极接触孔和源漏接触孔，后采用CMP法平整化去除高于第三介质层上的互连金属。
本发明的采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法，在实现金属栅极制作完成后，采用大马士革工艺，实现了接触孔填充和互连金属线的制备，简化了工艺流程。同时，由于采用了金属栅极工艺，器件的性能可以得到大幅度提高。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为本发明具体实施例中完成金属硅化物后结构示意图；
图2为本发明具体实施例中淀积第一介质层后的结构示意图；
图3为本发明具体实施例中淀积第二介质层后的结构示意图；
图4为本发明具体实施例中淀积第三介质层后的结构示意图；
图5为本发明具体实施例中刻蚀形成源漏接触孔后的结构示意图；
图6为本发明具体实施例中去除光刻胶后的结构示意图；
图7为本发明具体实施例中填充湿法可显影材料后的结构示意图；
图8为本发明具体实施例中湿法去除第三介质层上湿法可显影材料后的结构示意图；
图9为本发明具体实施例中刻蚀出金属线区域和栅极接触孔后的结构示意图；
图10为本发明具体实施例中去除图9中光刻胶和填充材料后的结构示意图；
图11为本发明具体实施例中用互连金属填充接触孔和金属线位置后的结构示意图；
图12为本发明的实施框图。

具体实施方式

本发明的采用大马士革工艺制备金属栅极中接触孔的方法中，具体流程可为(见图12)：
1、对将传统工艺中的多晶硅栅极用金属栅极替代后的硅片，在制备侧墙之后进行源漏离子注入形成源漏区，然后在源漏区硅表面上形成金属硅化物。在金属栅极使用的材料，在NMOS晶体管中可为氮化钽(TaN)和二氧化铪(HfO2)，为先淀积二氧化铪，再淀积氮化钽；而在PMOS管可为氮化钛(TiN)和二氧化铪(HfO2)，为先淀积二氧化铪再淀积氮化钛。金属栅极的侧墙工艺与传统工艺中的侧墙工艺相同，而在金属硅化物工艺中需要注意的是在金属栅电极上不再需要形成金属硅化物(见图1)，这是与传统工艺不太一样的地方。
2、淀积第一介质层，所淀积的第一介质层厚度大于金属栅极厚度，完全覆盖住金属栅极台阶，该位置的介质层通常被称为金属前电介质(PMD，Pre-metal Dielectric)(见图2)，常用作金属前电介质的材料有TEOS二氧化硅(二氧化硅的一种)和硼酸盐玻璃(BPSG)。
3、采用化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Planarization)法平整化去除高出金属栅极高度的第一介质层，在研磨过程中采用终点监测方法来检测研磨终点(EPD：End Point Detect)；然后再淀积第二介质层，用作后续刻蚀工艺中的刻蚀终止层。该层采用低K介电常数介质，厚度可为：50-5000埃，低K介电常数介质在业界有统一的认识，一般为K值在1.0到3.5之间的介质材料，在本发明中常用的为碳化硅层(见图3)。
4、接着再淀积第三介质层，该第三介质层中所用介质材料与第一介质层相同(见图4)，厚度可为：100-10000埃。
5、进行一次光刻工艺(包括涂光刻胶、光刻以及显影)曝出源漏极的接触孔位置，然后依次刻蚀第三介质层、第二介质层和第一介质层至金属硅化物表面，形成源漏极接触孔(见图5)。后去除光刻胶并进行硅片清洗(见图6)。
6、用湿法可显影的填充材料涂覆硅片以填充步骤5中所刻蚀出的接触孔，要求完全填满所述接触孔。其中需要检测涂覆表现，如不能完全填充接触孔，则需要进行多次涂覆，直至满足要求为止(见图7)。湿法可显影的填充材料(Nissan Chemical公司有生产)，主要由酮类、醚类、烷烃类有机溶剂，抗反射吸收材料，可与标准四甲基氢氧化铵显影液反应的有机酸基团树脂以及含氧、氟元素的有机基团树脂，交联成树脂构成，分子量在1000到50000之间，其折射率在1.0到3.0之间，消光系数在0.1到3.0之间。
7、显影涂覆后的硅片，完全去除第三介质层表面的填充材料，实现硅片的表面平整，之后检测显影表现，如发现第三介质层仍然存在填充材料，则需要进行多次显影，直至满足要求为止(见图8)。
8、进行第二次光刻工艺(包括涂光刻胶、光刻以及显影)曝出栅极接触孔的位置以及在所述源漏极接触孔上的金属线位置，然后依次刻蚀第三介质层和其下的第二介质层至第一介质层表面，刻蚀出金属线区域和栅极接触孔，刻蚀过程中位于金属线位置处的湿法可显影材料也一并被去除(见图9)。
9、去除光刻胶和剩余的湿法可显影材料，后用常规清洗工艺清洗硅片(见图10)。
11、淀积互连金属(一般为铜)，填充所刻蚀出的金属线区域、栅极接触孔和源漏极接触孔，然后通过化学机械研磨法CMP平整化去除高于第三介质层上互连金属(见图11)。