半导体装置

摘要

一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。

权利要求

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型半导体基板，其构成集电极区域；

第二导电型基极区域，其设于所述基板上；

第一导电型发射极区域，其呈格子状地设于所述基极区域表面；

第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；

基极接触孔，其与岛状的所述基极区域分别对应且以相同的大小设于所述第一绝缘膜；

多个发射极接触孔，其以相同的大小设于所述发射极区域上的所述第一绝缘膜；

长条状的第一基极电极，其与自所述基极接触孔露出的多个所述基极区域接触；

长条状的第一发射极电极，其与自所述发射极接触孔露出的所述发射极区域接触；

第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；

基极通孔，其与一部分所述基极接触孔对应且设于所述第二绝缘膜；

多个发射极通孔，其以均等的大小设于所述第一发射极电极上方的所述第二绝缘膜；

平板状的第二发射极电极，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，且与所述第一发射极电极接触；

平板状的第二基极电极，其比所述第二发射极电极小，设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，且与所述第一基极电极接触；

导电性粘合剂，其设于所述第二发射极电极上；以及金属片，其粘合于该导电性粘合剂；

在一个所述第一发射极电极上，形成于其上下的所述发射极接触孔和所述发射极通孔分开而交替地配置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基极电极分别与配置于该第一基极电极延伸方向的多个所述基极区域的全部接触。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二基极电极的面积为所述第二发射极电极的面积的三分之一以下。

说明书

半导体装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种半导体装置，特别涉及可以实现晶体管的电极的平坦化、安全动作区域的扩大和热散逸的避免、以及电阻成分的降低的半导体装置。

背景技术

[0002] 作为分立式双极型晶体管，公知有如下的双极型晶体管，其在由格子状的发射极区域和岛状的基极区域构成的动作区域上分别配置有两层基极电极及发射极电极(例如参照专利文献1)。

[0003] 参照图6，以npn型晶体管为例说明现有的半导体装置。

[0004] 图6(A)是半导体装置100整体的平面图，图6(B)是图6(A)的j-j线剖面图，图6(C)是图6(A)的k-k线剖面图。另外，在图6(A)中，由虚线表示第二层电极。 [0005] 在n+型硅半导体基板51a上例如层叠n-型半导体层51b等而设置集电极区域。
在n-型半导体层51b表面设置作为p型杂质区域的基极区域53，在基极区域53表面呈格子状地扩散n+型杂质而形成有发射极区域54。由此，基极区域53被分离为岛状，与发射极区域54交替地配置。另外，被分离为岛状的结构是表面的结构，比发射极区域54更深地形成的基极区域53在深区域构成一个连续的区域。以下将在如上所述被分割为岛状的基极区域和其周边的发射极区域形成的晶体管称为单元，将配置有多个单元的区域称为动作区域58。

[0006] 与基极区域53及发射极区域54连接的基极电极及发射极电极分别构成两层结构。第一层基极电极由岛状的第一基极电极56a和长条状(日文：短 状)的第一基极电极56b构成，并经由设于第一绝缘膜61的接触孔CHB与基极区域53接触。岛状的第一基极电极56a和长条状的第一基极电极56b分别配置于在大致中央将动作区域58分成两部分的区域。

[0007] 第一发射极电极57呈格子状地设于第一基极电极56a、56b之间，并 经由设于第一绝缘膜61的接触孔CHE与发射极区域54接触。

[0008] 在第一基极电极56a、56b及第一发射极电极57上设有第二绝缘膜62，进而，在其上设有成为第二层的平板状第二基极电极66及第二发射极电极67。第二基极电极66经由设于第二绝缘膜62的通孔THB与岛状的第一基极电极56a及长条状的第一基极电极56b的端部接触(图6(A))。第二发射极电极67经由设于第二绝缘膜62的通孔THE与第一发射极电极57接触(图6(B))。平板状的第二基极电极66和第二发射极电极67的面积相等，金(Au)等接合线(未图示)与第二基极电极66及第二发射极电极67连接。 [0009] 专利文献1：(日本)特开2000-40703号公报

[0010] 参照图6(C)，在第二基极电极66下方，集电极电流经由第二基极电极66下方的第一发射极电极57流向第二发射极电极。此时，由于第一层电极(第一发射极电极57)的厚度比第二层电极(第二发射极电极67)的厚度薄，因此存在如下问题，即到第二发射极电极67的距离长的电流路径CP2′、CP3′，相比第二发射极电极67下方的电流路径CP1′，电阻增大。

[0011] 因此，形成集电极电流集中于电流路径CP1′的倾向，存在芯片的电流密度变得不均匀的问题。一旦电流密度变得不均匀，则热散逸的危险增大，从而产生安全动作区域变窄的问题。另外，根据在接通时产生不动作的单元这一情况，电阻成分进一步增大，也产生电流密度的不均匀化加重的问题。

[0012] 于是，为了解决这些问题，考虑如下结构的半导体装置150，即扩展第二发射极电极的面积，作为外部连接部件而采用金属片。

[0013] 图7及图8是表示将第二发射极电极的面积扩展后的半导体装置150的一例的图。图7(A)是平面图，图7(B)是图7(A)的1-1线剖面图，图8(A)是图7(A)的m-m线剖面图。另外，在图7(A)中省略了外部连接部件。

[0014] 在高浓度n+型半导体基板101a上设置n-型半导体层101b而构成集电极区域，在其表面设置p型基极区域103(点划线)，在基极区域103表面呈格子状地形成n+型发射极区域104。岛状基极区域103都具有相同的形状及面积，且呈矩阵状地配置于半导体基板(芯片)上。

[0015] 由虚线表示的第一层电极结构如下所示。在动作区域108(基极区域 103及发射极区域104)表面设有第一绝缘膜121(参照图7(B))，在其上设有第一基极电极106及第一发射极电极107。第一基极电极106呈长条状地设置，且与其下方的多个基极区域103连接。第一发射极电极107也呈长条状地设置，与发射极区域104连接。第一发射极电极107与第一基极电极106平行地与它们交替配置。

[0016] 在第一绝缘膜121设有与基极区域103、发射极区域104分别对应的基极接触孔CH1′、发射极接触孔CH2′。基极接触孔CH1′在第一基极电极106的下方与基极区域103重叠，且以相互分开的方式在第一绝缘膜121设有多个。发射极接触孔CH2′设置成在第一发射极电极107的下方与其重叠的长条状。

[0017] 在第一基极电极106及第一发射极电极107上设有第二绝缘膜122(参照图7(B))，在其上分别设有一个平板状第二基极电极116及第二发射极电极117。在第二基极电极116下方的第二绝缘膜122仅设有基极通孔TH1′，在第二发射极电极117下方的第二绝缘膜122仅设有发射极通孔TH2′。多个第一基极电极106在端部经由基极通孔TH1′与平板状的第二基极电极116接触(参照图8(A))。

[0018] 第二发射极电极117经由与各列的第一发射极电极107重叠的发射极通孔TH2′与第二发射极电极117接触。第二发射极电极117具有比第二基极电极116大的面积。而且，在第二发射极电极117表面，利用焊料130等导电性粘合剂粘合构成外部连接部件的金属片131。

[0019] 由此，如电流路径CP1′、CP2′所示，可以增加电阻低的区域，并且如电流路径CP3′所示，可以缩小电阻高的区域。可以抑制电流集中。另外，使用金属片131作为外部连接部件，从而实现发射极电极部的电阻降低。

[0020] 但在图7所示的结构中，第二发射极电极117表面的凹凸增大，焊料130的润湿性差，从而产生金属片131不能良好地粘合的问题。

[0021] 图8(B)是图7(A)的n-n线剖面图。

[0022] 在长条状的第一发射极电极107上，形成于第一绝缘膜121的发射极接触孔CH2′与形成于第二绝缘膜122的发射极通孔TH2′重叠。

[0023] 即，发射极接触孔CH2′形成于基板表面和第一层电极之间的第一绝缘膜121，发射极通孔TH2′形成于第一层电极和第二层电极之间的第二绝缘膜122，因此，在发射极接触孔CH2′和发射极通孔TH2′的重叠部，产生第 一绝缘膜121的膜厚d1和第二绝缘膜122的膜厚d2的合计膜厚度的高度差d3(＝d1+d2)。由于该高度差也形成为例如3μm左右，因此，导致在形成于其上的第二发射极电极117表面也产生大的高度差。因此，涂敷于其表面的焊料130的润湿性变差，从而存在产生金属片131的不良粘合的问题。 发明内容

[0024] 本发明是鉴于上述各种问题而作出的，通过如下构成来解决上述问题，第一方面发明的半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型半导体基板，其构成集电极区域；第二导电型基极区域，其设于所述基板上；第一导电型发射极区域，其呈格子状地设于所述基极区域表面；第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；基极接触孔，其与岛状的所述基极区域分别对应且以相同的大小设于所述第一绝缘膜；多个发射极接触孔，其以相同的大小设于所述发射极区域上的所述第一绝缘膜；长条状的第一基极电极，其与自所述基极接触孔露出的多个所述基极区域接触；长条状的第一发射极电极，其与自所述发射极接触孔露出的所述发射极区域接触；第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；基极通孔，其与一部分所述基极接触孔对应且设于所述第二绝缘膜；多个发射极通孔，其以均等的大小设于所述第一发射极电极上方的所述第二绝缘膜；平板状的第二发射极电极，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，且与所述第一发射极电极接触；平板状的第二基极电极，其比所述第二发射极电极小，设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，且与所述第一基极电极接触；导电性粘合剂，其设于所述第二发射极电极上；以及金属片，其粘合(固着)于该导电性粘合剂(接着剤)，所述发射极接触孔和所述发射极通孔分开地交替配置于一个所述第一发射极电极上

[0025] 根据本发明，能得到以下效果。

[0026] 第一，通过使在第一发射极电极上下配置的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，可以减少第二发射极电极表面的凹凸。由此，在利用焊料等导电性粘合剂将构成外部连接部件的金属片粘合于第二发射极电极表面时，可以抑制产生焊料的润湿性不良。 [0027] 以往，由于构成为在第一发射极电极上发射极接触孔和发射极通孔重 叠的图案，因此存在如下问题，即在形成于第一发射极电极上的第二发射极电极表面形成大的高度差的问题。由于在第二发射极电极表面利用焊料等导电性粘合剂粘合构成外部连接部件的金属片，因此，若第二发射极电极表面的高度差大，则产生焊料未在整个面均匀地涂敷的焊料润湿性不良情况。

[0028] 但是，根据本实施例，由于第二发射极电极表面的平坦性提高，因此，焊料润湿性及金属片的粘合变得良好。

[0029] 由于在第二发射极电极上粘合构成外部连接部件的金属片，因此，作为外部连接部件，与使用接合线的现有结构相比，可以降低电阻。

[0030] 第二，通过使平板状第二发射极电极的面积比第二基极电极的面积大，从而可以增加配置于第二发射极电极正下方的第一发射极电极的总面积。由此，可以增加电流路径的电阻值低的区域，可以抑制电流密度的集中。因此，可谋求芯片的电流密度的均匀化，并可以减小热散逸的危险、防止安全动作区域的狭小化。

[0031] 另外，由于电流密度分散，因此，可以减少在接通时不动作的单元，可以避免因不动作单元的存在而导致的电流集中及电阻成分的增加。

[0032] 第三，在实现与现有构成相同的ASO(Area of Safe Operating：安全动作区域)及电阻值的情况下，可以使芯片尺寸小型化。

附图说明

[0033] 图1(A)是用于说明本发明的实施例的平面图，(B)是剖面图，(C)是剖面图； [0034] 图2(A)是用于说明本发明的实施例的平面图，(B)是剖面图，(C)是剖面图； [0035] 图3(A)是用于说明本发明的实施例的平面图，(B)是剖面图，(C)是剖面图； [0036] 图4(A)是用于说明本发明的实施例的平面图，(B)是剖面图；

[0037] 图5是将本发明的实施例与现有技术进行比较的剖面图；

[0038] 图6(A)是用于说明现有技术的平面图，(B)是剖面图，(C)是剖面图； [0039] 图7(A)是用于说明现有技术的平面图，(B)是剖面图；

[0040] 图8(A)是用于说明现有技术的剖面图，(B)是剖面图。

[0041] 附图标记说明

[0042] 1半导体基板 1a n+型半导体基板

[0043] 1b n-型半导体层 3基极区域

[0044] 4发射极区域 6第一基极电极

[0045] 7第一发射极电极 8动作区域

[0046] 10半导体元件 16第二基极电极

[0047] 17第二发射极电极 21第一绝缘膜

[0048] 22第二绝缘膜 30焊料

[0049] 33金属片 34接合线

[0050] 51半导体基板 52n型半导体层

[0051] 53基极区域 54发射极区域

[0052] 56第一基极电极 57第一发射极电极

[0053] 58动作区域 66第二基极电极

[0054] 67第二发射极电极 100半导体元件

[0055] 150半导体元件 101半导体基板

[0056] 101a n+型半导体基板 101b n-型半导体层

[0057] 103基极区域 104发射极区域

[0058] 106第一基极电极 107第一发射极电极

[0059] 108动作区域 116第二基极电极

[0060] 117第二发射极电极 121第一绝缘膜

[0061] 122第二绝缘膜 130焊料

[0062] 131金属片 CH1基极接触孔

[0063] CH2发射极接触孔 TH1基极通孔

[0064] TH2发射极通孔

具体实施方式

[0065] 参照图1～图5详细说明本发明的实施例。在本实施例中，作为半导体装置10，以分立元件的npn型双极型晶体管为例进行说明。

[0066] 图1是表示作为本实施例的半导体装置10的构造的图。图1是表示动作区域的图，图1(A)是平面图，图1(B)是图1(A)的a-a线剖面图， 图1(C)是图1(A)的b-b线剖面图。

[0067] 半导体装置10由如下部件构成：第一导电型半导体基板、基极区域、发射极区域、第一绝缘膜、基极接触孔、发射极接触孔、第一基极电极、第一发射极电极、第二绝缘膜、基极通孔、发射极通孔、第二发射极电极、第二基极电极、导电性粘接材料、金属片。 [0068] 半导体基板1是例如通过外延生长等在高浓度n+型半导体基板1a上设置了n-型半导体层1b的基板，其构成双极型晶体管的集电极区域。

[0069] 基极区域3是设于集电极区域表面的p型扩散区域。在基极区域3的表面呈格子状扩散n+型杂质而形成发射极区域4。由此，基极区域3被分离为图中正方形形状所示的岛状。另外，被分离为岛状的结构是表面的结构，比发射极区域4更深地形成的基极区域3在深区域构成一个连续的区域(图1(C))。配置有多个在被分割为岛状的基极区域3和其周边的发射极区域4形成的单元而构成动作区域8。在本实施例中，岛状基极区域3都具有相同的形状及面积，且呈矩阵状地配置于半导体基板(芯片)上。

[0070] 图2是表示第一层电极结构及动作区域的图，图2(A)是平面图，图2(B)是图2(A)的c-c线剖面图，图2(C)是图2(A)的d-d线剖面图。另外，在图2(A)中虚线表示的是第二层电极。

[0071] 参照图2(A)，在动作区域8(基极区域3及发射极区域4)表面设有第一绝缘膜(在此不图示)，在其上设有第一基极电极6及第一发射极电极7。

[0072] 第一基极电极6设置成长条形，与多个基极区域3连接。一个第一基极电极6在排列于与半导体基板(芯片)的一边平行的方向上的一行或一列(在此为一列)基极区域3(以及它们之间的发射极区域4)上延伸，且与在延伸方向上排列的全部基极区域3接触。 [0073] 第一发射极电极7也设置成长条形，与发射极区域4连接。发射极区域4为格子状(图1(A))，第一发射极电极7仅在与半导体基板的一边平行的一方向上延伸。即，与第一基极电极6平行地与它们交替配置。

[0074] 参照图2(B)、(C)，在第一绝缘膜21设有分别与基极区域3、发射极区域4对应的基极接触孔CH1、发射极接触孔CH2。基极接触孔CH1在第一基极电极6的下方与基极区域3重叠，且以相互分开的方式在第一绝缘膜21设有多个。基极接触孔CH1都为同样大小的例如矩形。一个第一基极 电极6与自多个基极接触孔CH1露出的基极区域3接触(图2(B))。

[0075] 发射极接触孔CH2在第一发射极电极7的下方与其重叠，且以相互分开的方式在第一绝缘膜21设有多个。发射极接触孔CH2都为同样大小的例如矩形。一个第一发射极电极7与自其下方的多个发射极接触孔CH2露出的发射极区域4接触(图2(C))。 [0076] 图3是表示第二层电极结构的图，图3(A)是平面图，图3(B)是图3(A)的e-e线剖面图，图3(C)是图3(A)的f-f线剖面图。另外，在图3(A)中，虚线表示的为第一层第一基极电极6、第一发射极电极7，基极区域3由点划线表示。

[0077] 参照图3(A)，覆盖第一基极电极6及第一发射极电极7而设有第二绝缘膜(在此不图示)，在其上分别设有一个平板状的第二基极电极16及第二发射极电极17。 [0078] 第二基极电极16与多个第一基极电极6连接。即，第二基极电极16在此沿长度方向(日文：行方向)延伸且覆盖配置于半导体基板(芯片)上的全部的第一基极电极6及第一发射极电极7的端部之上，并与全部的第一基极电极6的端部接触。 [0079] 第二发射极电极17与第二基极电极16邻接地设置，与第一发射极电极7连接。即，第二发射极电极17覆盖配置于半导体基板(芯片)上的全部第一基极电极6及第一发射极电极7上，且与全部的第一发射极电极7接触。

[0080] 第二基极电极16和第二发射极电极17的分界部S以所希望的30μm左右的距离分开。分界部S在与第一基极电极6和第一发射极电极7延伸的方向垂直的方向上延伸。 [0081] 参照图3(B)、(C)，在第二绝缘膜22设有基极通孔TH1、发射极通孔TH2。 [0082] 在第二基极电极16下方的第二绝缘膜22仅设有基极通孔TH1。详细地说，与各列的第一基极电极6对应地设有矩形基极通孔TH1，经由基极通孔TH1，多个第一基极电极6在端部与一个平板状的第二基极电极16接触。即，如图3(B)所示，第二基极电极16下方的基极区域3通过与其重叠的基极接触孔CH1、基极通孔TH1，与配置于基极区域3正上方的第一基极电极6及第二基极电极16直接连接。

[0083] 在第二发射极电极17下方的第二绝缘膜22仅设有发射极通孔TH2。详细地说，与各列的第一发射极电极7重叠地设有多个矩形发射极通孔TH2，经由发射极通孔TH2，第一发射极电极7与一个平板状的第二发射极电极17接触。与一个第一发射极电极7对应地配置有多个发射极通孔TH2，各发射极通孔TH2具有相同的大小。另外，在图3(A)中，为了便于说明，发射极接触孔CH2也与发射极通孔TH2(以及基极通孔TH1)同样地由实线表示。但是，发射极接触孔CH2是与由虚线所示的基极接触孔CH1同样地形成于第一绝缘膜21的接触孔。

[0084] 在本实施例中，在一个第一发射极电极7的上下，不重叠地配置有在第二绝缘膜22设置的发射极通孔TH2和在第一绝缘膜21设置的发射极接触孔CH2。

[0085] 即，虽然一个第一发射极电极7经由多个发射极接触孔CH2与发射极区域4接触，并经由多个发射极通孔TH2与第二发射极电极17连接，但在图3(A)所示的平面图案中，将发射极接触孔CH2和发射极通孔TH2相互分开地交替配置。由此，可以使第二发射极电极17表面的平坦性良好，关于这种情况将在后面叙述。

[0086] 第二基极电极16的面积为第二发射极电极17的面积的三分之一以下。更优选为，由于第二基极电极16只要能在其表面的一个部位或两个部位粘合接合线34即可，因此，第二基极电极16的面积设为至少确保引线接合所需面积(例如60μm～100μm的宽度W(参照图3(A)))的最小限度的面积。由此，相比现有结构，可以扩展第二发射极电极17的面积。

[0087] 以往(参照图6)，第一发射极电极的至少一部分设置成格子状，但在本实施例中，通过将全部的第一发射极电极7设置成长条状，从而可以将第二发射极电极17的面积扩展到最大限度。

[0088] 参照图3(C)，通过扩展第二发射极电极17的面积，在其下方的动作区域8，如电流路径CP1、CP2所示，集电极电流向大致正上方被拾取(引き上げられる)，可谋求电流路径的低电阻化。而且，由于可以减小位于第二基极电极16下方的动作区域8的面积，因此，如电流路径CP3所示，可以减少自动作区域8在薄的第一发射极电极7沿其延伸方向流动而被拾取到第二发射极电极17的电阻高的电流路径。

[0089] 图4是表示外部连接部件的图，图4(A)是平面图，图4(B)是图4 (A)的i-i线剖面图。

[0090] 半导体装置10在其背面形成有集电极电极18，并粘合于例如铜(Cu)的冲压框架31的头部上。在第二发射极电极17表面涂敷有导电性粘合剂(例如焊料或银(Ag)膏等)30，从而粘合有金属片33。金属片(例如铜(Cu))的另一端粘合于框架31。在第二基极电极16上粘合有例如金(Au)等接合线34，另一端粘合于框架31。

[0091] 在本实施例中，即便为具有两层电极结构的晶体管，第二发射极电极17表面的平坦性也变得良好，可以避免粘合于其表面的金属片33的不良粘合。这是因为，在一个电极发射极电极7中，形成于其上下的发射极接触孔CH2和发射极通孔TH2不重叠地配置。由此，与发射极接触孔CH2′和发射极通孔TH2′重叠地配置的现有结构(图8(B))相比，可以使第二发射极电极2表面的凹凸平坦。

[0092] 图5是用于说明上述情况的剖面图。图5(A)是图3(A)的g-g线剖面图，图5(B)是图3(A)的h-h线剖面图。另外，图5(C)是现有的第一发射极电极部分的剖面图，是与图8(B)相同的剖面图。

[0093] 如图5(A)所示，在一个发射极电极7上，在发射极接触孔CH2的形成部位未形成发射极通孔TH2。因此，形成于发射极接触孔CH2上的第一发射极电极7、第二绝缘膜22及第二发射极电极17仅影响由发射极接触孔CH2形成的高度差d1(第一绝缘膜21的厚度部分的高度差)。

[0094] 另外，如图5(B)所示，在一个发射极电极7上，在发射极接触孔CH2的形成部位未形成发射极接触孔CH2。因此，形成于发射极接触孔CH2上的第一发射极电极7、第二绝缘膜22及第二发射极电极17仅影响由发射极通孔TH2形成的高度差d2(第二绝缘膜22的厚度部分的高度差)。

[0095] 另一方面，如图5(C)所示，在现有结构(参照图7)中，在一个第一发射极电极7上，发射极接触孔CH2′和发射极通孔TH2′重叠地配置。因此，第一绝缘膜121和第二绝缘膜122的厚度分别与本实施例的情况相同时，重叠部的高度差d3成为发射极接触孔CH2′的高度差d1和发射极通孔TH2′的高度差d2的合计值(高度差d3)，第二发射极电极117表面的凹凸大。由此，在将金属片粘合时，存在焊料的润湿性变差的问题。 [0096] 根据本实施例，第二发射极电极17表面的凹凸仅构成为高度差d2或高度差d1。即，即便为最大的情况，也构成为高度差d2，与现有的高度差 d3相比，可以降低高度差。因此，由于第二发射极电极17表面的平坦性良好，故可以改善焊料的润湿不良性，可以将金属片33良好地粘合。

[0097] 由此，芯片整体的电流密度的不均匀性被消除，热散逸的危险减小，可以扩大ASO。并且，由于可以抑制不动作单元的产生，因此，可以避免因不动作单元的存在而导致的电阻成分的进一步增大。

[0098] 以上，在本实施例中，以npn型双极型晶体管为例进行了说明，但即便为导电型相反的pnp型双极型晶体管，同样地也能实施，可得到同样的效果。