一种延长单晶炉真空泵寿命的方法转让专利

申请号 : CN200910111783.X

文献号 : CN101709503B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 南毅马殿军张伟娜郑智雄林霞胡满根

申请人 : 南安市三晶阳光电力有限公司

摘要 :

本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的方法。本发明的方法是在真空泵和炉室之间的真空抽气管道上安置一个油过滤器,过滤掉气流从炉室中携带出的各种杂质。当气流携带各种杂质从炉室离开进入真空泵之前,先经油过滤器将杂质过滤,就不会危害到真空泵油,也就相应提高了真空泵的使用寿命。

权利要求 :

1.一种延长单晶炉真空泵寿命的方法,其特征在于:在真空泵和炉室之间的真空抽气管道上安装油过滤器,从炉室中排出的携带各种杂质的气流经该油过滤器过滤杂质后,再进入真空泵,其中,所述的油过滤器包括一过滤器腔体,一位于腔体顶部的过滤器盖,一位于过滤器中央的进气管道,一位于过滤器腔体侧面的排气管道,所述的过滤器腔体内底部有一有机硅油层,有机硅油层上方有一滤网,所述的进气管道出口位于所述的有机硅油层与滤网之间。

2.如权利要求1所述的一种延长单晶炉真空泵寿命的方法,其特征在于:所述的有机硅油为真空泵油。

说明书 :

一种延长单晶炉真空泵寿命的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种延长真空泵寿命的方法,具体地涉及一种延长单晶炉中所用的真空泵寿命的方法。

背景技术

[0002] 直拉法是生产硅单晶的主要方法。在拉晶过程中,由于炉内高温而挥发出来的杂质和硅氧化物会被吸收到真空泵油中,与泵油混合在一起。随着工作时间的增长,真空泵油的粘稠度会不断增大,导致抽真空的效率降低。到一定程度,真空泵必须定期更换泵油。尽管经常换泵油,但是真空泵的效率还是会随使用率的增加而有明显的下降,这主要是由于抽真空过程中的杂质过多引起的。另外,由于真空泵油的粘稠度也越来越大,导致真空泵负荷增大,抽速下降,严重的会造成真空泵不能正常工作,从而影响真空泵的寿命。
[0003] 传统采用的方法是定期更换真空泵油,这样可以除去真空泵腔中的杂质,减轻真空泵负荷,维持正常抽速。但频繁的更换真空泵油,不但维护费用高而且维修时间长。所以现在一般采用在真空系统中安装真空过滤器,真空过滤器安装在真空泵和单晶炉之间,从炉膛里抽出的杂质先通过真空过滤器再到真空泵,这样大部分的杂质就被过滤到真空过滤器里,以降低对真空泵的影响。但是,普通真空过滤器里面只有一层细小的金属网,只能过滤颗粒较大的杂质,而对于气流中的较小颗粒的杂质,如粉尘等难以去除,因此,仍然难以避免微细杂质进入真空泵油中。
[0004] 因此,定期更换真空泵油和安装真空过滤器可以在一定程度上提高真空泵抽速的稳定性,但还是有很多缺陷,特别是对在硅单晶生长过程中真空泵抽速的下降毫无办法。在-1实际生产中,一台真空泵原先在半个小时内,可以将炉室内的真空度抽为10 ,而经一年运-1
行后,在一个半小时,只能将真空度抽为3×10 。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于克服背景技术中的缺陷,提供一种延长单晶炉真空泵寿命的方法。
[0006] 本发明提供的技术方案如下:
[0007] 一种延长单晶炉真空泵寿命的方法,在真空泵和炉室之间的真空抽气管道上安置油过滤器,从炉室中排出的携带各种杂质的气流经该油过滤器过滤杂质后,再进入真空泵。
[0008] 所述的油过滤器中,含有用于吸附杂质、过滤气体的有机硅油层。
[0009] 所述的有机硅油优选为真空泵油。
[0010] 由上述描述可知,本发明具有以下优点:
[0011] 1、当气流携带各种杂质离开炉室进入真空泵之前,先经过油过滤器,将杂质过滤,就不会危害到真空泵油,相应也就提高了真空泵的使用寿命。
[0012] 2、本发明与原有的真空过滤器相比,仅相当于在原有真空过滤器内添加一层用于吸附杂质的油层,油过滤器中真空泵油的使用量大约为5kg左右,而真空泵的真空泵油的使用量约为30kg左右,在原有设备结构无需大的改动的前提下,即可节约大量的真空泵油成本,且不改变真空泵的速率。

附图说明

[0013] 图1为油过滤器示意图。其中,1、进气管道,2、过滤器盖,3过滤器腔体,4过滤网,5、有机硅油层,6、排气管道。

具体实施方式

[0014] 参照图1,本发明的油过滤器,安装于真空泵与炉体之间,包括一过滤器腔体3,一位于腔体顶部的过滤器盖2,一位于过滤器中央的进气管道1,用于连接炉室的出气管;一位于过滤器腔体侧面的排气管道6,连接真空泵。其中所述的过滤器腔体3内底部有一有机硅油层5,该有机硅油层为真空泵油组成,用于吸附气体中的微细杂质;有机硅油层5上方有-不锈钢滤网4,用于过滤较粗的颗粒杂质,所述的进气管道1出口位于所述的有机硅油层5与滤网4之间。图中的箭头表示气体流动方向。
[0015] 上述仅为本发明的一个具体实施例,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。