降低水中二氧化硅的方法转让专利

申请号 : CN200810177687.0

文献号 : CN101734777B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 梁德明李茂松廖启钟彭淑惠陈致君

申请人 : 财团法人工业技术研究院

摘要 :

本发明提供一种降低水中二氧化硅的方法,包括下列步骤:将含有二氧化硅、镁离子与钙离子的原水导入一含担体的膨胀床反应槽内;添加一碱性溶液到该膨胀床反应槽内,使该膨胀床反应槽内的pH值约为11~13,其中该担体上形成一盐类结晶;将该膨胀床反应槽的流出水导入一后续处理系统。

权利要求 :

1.一种降低水中二氧化硅的方法,包括下列步骤:将含有二氧化硅、镁离子与钙离子的原水导入一含担体的膨胀床反应槽内;

添加一碱性溶液到该膨胀床反应槽内,使该膨胀床反应槽内的pH值为11~13,其中该担体上形成一盐类结晶或者氢氧化镁沉淀;以及将该膨胀床反应槽的流出水导入一后续处理系统。

2.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该盐类结晶为硅酸镁、硅酸钙、碳酸钙或上述的组合。

3.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该膨胀床反应槽的担体为石英砂、砖粉、活性碳或上述的组合。

4.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该膨胀床反应槽的担体粒径大小为0.1~1mm。

5.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该膨胀床反应槽内的温度为

20~35℃。

6.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该后续处理系统为电透析、或逆渗透。

7.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该后续处理系统为倒极式电透析。

8.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该碱性溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。

9.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,还包括将该盐类结晶排出,再补充该担体加入该膨胀床反应槽内。

10.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,还包括:添加一含碳酸根的溶液导入到该膨胀床反应槽内。

11.根据权利要求10所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该含碳酸根的溶液为碳酸钠溶液或碳酸氢钠溶液。

12.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该原水的二氧化硅浓度大于10mg/L。

13.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该流出水的二氧化硅去除率大于50%。

14.根据权利要求1所述的降低水中二氧化硅的方法,其中该原水是来自于冷却循环水。

说明书 :

降低水中二氧化硅的方法

技术领域

[0001] 本发明是涉及一种水回收处理的方法,且特别是涉及一种降低二氧化硅的方法。

背景技术

[0002] 随着工业的蓬勃发展,对于水资源的需求大量提高,建立经济有效的水回收处理系统是极为重要的。目前商业上最常用的水回收处理系统大多为逆渗透或电透析的方法,然而当水中的二氧化硅含量过高时,使用逆渗透法时,二氧化硅易于薄膜表面形成难以去除的结垢物,而使用电透析法时,又因为二氧化硅在中性pH时几乎不带电荷,因此同样无法有效去除二氧化硅。为了解决上述问题,势必需要一前处理方法,有效降低水中的二氧化硅含量。
[0003] 中国台湾专利公开号200604108提出二氧化硅去除装置与二氧化硅去除方法,其使用一种简单的装置,从逆渗透膜浓缩水将二氧化硅去除至饱和浓度以下,在有效防止逆渗透透膜浓缩水循环的二氧化硅剥落发生的同时,可以将原水的全部量可作为逆渗透膜透过水。
[0004] 中国台湾专利00585843提供一种硅石系积垢的防止方法及防止装置,其将冷却循环水通过填装1μm~10mm硅胶粒,由此去除水中的二氧化硅。
[0005] 德国专利DE3940464提出一种降低海水的二氧化硅的方法,通过控制碱剂用量,使其pH值小于9,生成碳酸钙与硅酸盐的沉淀物,但不产生氢氧化镁的沉淀物。
[0006] 美国专利US4276180提出一种降低工业废水的二氧化硅的方法,其通过活性铝选择性地移除二氧化硅。
[0007] 目前去除二氧化硅的方法有石灰软化法、阴离子交换树脂法、硅胶吸附法等,然而上述方法都有其应用的限制,无法被业界所采用。因此,业界亟需发展一种能有效降低水中二氧化硅的方法。

发明内容

[0008] 本发明的目的在于提供一种能有效降低水中二氧化硅的方法,该方法基本上克服了现有技术的局限性。
[0009] 本发明提供一种降低水中二氧化硅的方法,包括下列步骤:将含有二氧化硅、镁离子与钙离子的原水导入一含担体的膨胀床反应槽内;添加一碱性溶液到该膨胀床反应槽内,使该膨胀床反应槽内的pH值约为11~13,其中该担体上形成一盐类结晶;以及将该膨胀床反应槽的流出水导入一后续处理系统。
[0010] 通过本发明的方法,可有效降低水中二氧化硅的含量,使二氧化硅的去除率约大于50%,同时也能有效降低水中钙离子与镁离子的含量。

附图说明

[0011] 图1为一实施例的示意图,用以说明本发明的降低水中二氧化硅的方法。
[0012] 图2为另一实施例的示意图,用以说明本发明的降低水中二氧化硅的方法。
[0013] 其中,主要组件符号说明:
[0014] 12~原水 14~液碱
[0015] 16~担体 18~流出水
[0016] 22~原水 24~液碱
[0017] 26~含碳酸根的溶液 28~担体
[0018] 30~流出水 102~原水槽
[0019] 104~碱液槽 106~膨胀床反应槽
[0020] 202~原水槽 204~碱液槽
[0021] 206~含碳酸根的药液槽 208~膨胀床反应槽

具体实施方式

[0022] 为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下:
[0023] 本发明提供一种降低水中二氧化硅的方法,包括下述步骤,请参见图1,将含有二氧化硅、镁离子与钙离子的原水12导入一含有担体16的膨胀床反应槽106内,其中原水是来自于冷却循环水,原水中二氧化硅的浓度约大于10mg/L,而镁离子与二氧化硅的摩尔比≥1,钙离子与二氧化硅的摩尔比≥0.67。而膨胀床反应槽106的担体16包括石英砂、砖粉、活性碳或上述的组合,其粒径大小约为0.1~1mm,较佳范围约为0.2~0.5mm,其作用在于提供载体位置,让后续的盐类于此处形成结晶。
[0024] 接着添加一碱性溶液14到一碱液槽104中,碱性溶液例如氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)溶液,再将碱性溶液14导入膨胀床反应槽106中,使膨胀床反应槽106的pH值约为11~13,较佳的pH为12。由于二氧化硅在水中的溶解度和pH值有关,当pH值愈高,则溶解度愈大,而在中性时,二氧化硅的溶解度最低,因此,本发明通过控制膨胀床反应槽106的pH值,使二氧化硅于pH11~13的条件下离子化,再与水中的镁离子与钙离子反应,生成盐类结晶于担体上,盐类结晶包括硅酸镁(MgSiO3)、硅酸钙(Na2Ca2Si3O9)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)或上述的组合。上述担体中的反应可于室温下进行,温度可为约20~35℃,但不以此为限,因温度愈高时愈利于二氧化硅的离子化。此外,上述添加原水12与碱性溶液14的顺序,并不以此为限,此技术人员可依实际应用的需求,对添加顺序作适当的调整,例如同时添加原水12与碱性溶液14,或者是先添加碱性溶液14再添加原水12。
[0025] 本发明通过二氧化硅与钙离子与镁离子反应,于降低水中二氧化硅含量的同时,也能有效降低水中钙离子与镁离子的含量。
[0026] 之后,将膨胀床反应槽106的流出水18导入一后续处理系统(图中未标示),例如电透析(electrodialysis,ED)、倒极式电透析(electrodialysis reversal,EDR)或逆渗透(reverse osmosis,RO)。通过本发明的方法,可有效降低水中二氧化硅的含量,使二氧化硅的去除率约大于50%。
[0027] 当担体表面形成的结晶量逐渐增加,晶体粒径会愈大,通常靠近反应槽下方的晶体粒径较大,为了维持流化及提供足够结晶表面积,通过定期将反应槽下方较大粒径的盐类结晶排出,然后再补充一些新的担体至膨胀床反应槽内,以维持二氧化硅的处理效率。
[0028] 本发明的另一实施例,请参见图2,将含有二氧化硅、镁离子与钙离子的原水22导入一含有担体28的膨胀床反应槽208内,其中原水是来自于冷却循环水,原水中二氧化硅的浓度约大于10mg/L,而膨胀床反应槽208的担体28的种类与作用与第一实施例相同,在此不再赘述。
[0029] 接着添加一碱性溶液24与一含碳酸根的溶液26分别到一碱液槽204与一碳酸根药液槽206中,碱性溶液例如氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)溶液,而碳酸根的溶液例如碳酸钠溶液或碳酸氢钠溶液。再将两种溶液24、26导入膨胀床反应槽208中,使膨胀床反应槽208的pH值约为11~13,较佳的pH为12。添加碳酸根的溶液26的目的在于增加水中的碳酸根浓度。当碳酸根浓度提高时,更能有效帮助碳酸钙的沉淀,因此于降低水中二氧化硅的同时,也能达到有效降低水中钙离子的浓度。此处需注意的是,第一实施例主要是-通过增加氢氧根(OH)离子浓度而增加pH值,而本实施例添加碳酸根溶液的用意主要是增加碳酸根离子的浓度,以帮助碳酸钙结晶的生成。此外,上述添加原水12与碱性溶液14的顺序,并不以此为限,此技术人员可依实际应用的需求,对添加顺序作适当的调整,例如同时添加原水12与碱性溶液14,或者是先添加碱性溶液14再添加原水12。
[0030] 之后,将膨胀床反应槽208的流出水30导入一后续处理系统(图中未标示),例如电透析(electrodialysis,ED)、倒极式电透析(electrodialysis reversal,EDR)或逆渗透(reverse osmosis,RO)。通过本发明的方法,可有效降低水中二氧化硅的含量,二氧化硅的去除率约大于50%。
[0031] 本发明的实施例可应用于水中同时含有二氧化硅、钙离子与镁离子的废水中,例如应用于冷却循环水回收利用、废水处理或制备工艺排水处理。再者,本发明通过控制膨胀床反应槽的pH值,使得二氧化硅于pH约为11~13的条件子离子化,而生成各种盐类结晶,此方法不但能有效降低水中二氧化硅的含量,也同时能达到降低钙离子与镁离子的效果。
[0032] 【实施例1】人工配制的废水
[0033] 实验装置采用直径2cm,高120cm的透明玻璃管柱,内填装85cm高粒径0.1~0.3mm石英砂(SiO2)的担体。利用氯化钙、氯化镁、硅酸钠与碳酸氢钠药品配制含钙、镁、硅的溶液模拟冷却水原水,由反应槽下方导入,并同时注入氢氧化钠以提高其pH值,而S1-S7中并加入碳酸氢钠。数组实验结果(S1~S9)如表1所示。反应槽pH需在11以上时(如S4,S5,S8,S9)对钙、硅、镁才会有明显的处理效果。比较S4,S5与S8,S9(未添加碳酸氢钠)的实验结果,可知碱度会影响钙离子去除率,非氢氧根碱度愈高时钙离子去除率也较高。
[0034] 表1
[0035]
[0036] mg/L as CaCO3:意指计算浓度时,是将浓度值相对于CaCO3作计算。例如:Ca2+的浓度原为40mg/L,钙硬度(CaH)计算方法为40×100(CaCO3分子量)/40(Ca分子量)=100mg/L as CaCO3
[0037] 【实施例2】实厂冷却水
[0038] 实验装置采用直径2cm,高120cm的透明玻璃管柱,内填装85cm高粒径0.1~0.3mm石英砂的担体。取实厂冷却水塔冷却循环水由反应槽下方导入,并同时注入液碱以提高其pH值。数组实验结果(S10~S13)如表2所示。S10实验对二氧化硅、镁离子与钙离子都有明显的去除效果,硅离子去除率达88%。由于此冷却循环水中碳酸根浓度低,钙离子去除率也因而较低。在pH11以上,硅离子与镁离子去除率可达70%以上。
[0039] 表2
[0040]
[0041] mg/Las CaCO3:意指计算浓度时,是将浓度值相对于CaCO3作计算。
[0042] 虽然本发明已以数个较佳实施例公开如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作任意的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。