使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法

摘要

本发明公开了一种使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法；包括电压泵模块，电压泵模块连接有耗尽型PMOS管，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；耗尽型PMOS管连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD。它可以使得汽车传感器芯片具有开路检测功能，提高系统可靠性。

权利要求

1.一种使用耗尽型晶体管的开路检测器；其特征在于，包括：电压泵模块，电压泵模块连接耗尽型PMOS管的栅极和漏极，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；

耗尽型PMOS管的栅极连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD；

耗尽型PMOS管的源极连接开路检测模块。

2.如权利要求1所述的使用耗尽型晶体管的开路检测器的使用方法；其特征在于，包括：当在芯片地与外部地连接时，所述耗尽型PMOS管处于关断状态，开路检测模块保持关断；

当芯片的地与外部的地断开时，电压泵停止工作，开路检测模块把电压泵上的电位下拉到基准电压VDD，此时耗尽型PMOS管打开，把芯片的输出接至VDD，超过芯片正常输出电压，判断出此时芯片处于开路状态。

说明书

使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体集成电路设计领域。

背景技术

[0002] 目前，公知的汽车传感器芯片无开路检测电路。当芯片地断开时，芯片的总体等效阻抗与负载电阻串联，使得芯片输出处于一个高阻状态，处于正常输出电压的范围，系统便会做出错误判断。

发明内容

[0003] 本发明所要解决的技术问题是提供一种使用耗尽型晶体管的开路检测器，它可以使得汽车传感器芯片具有开路检测功能，提高系统可靠性。

[0004] 为了解决以上技术问题，本发明提供了一种使用耗尽型晶体管的开路检测器；包括电压泵模块，电压泵模块连接有耗尽型PMOS管，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；耗尽型PMOS管连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD。

[0005] 本发明的有益效果在于：当带有上述开路检测电路后，系统检测到一个超过正常输出电压范围电压，作出芯片异常的正确判断，保证整个系统的安全运行。

[0006] 该使用耗尽型晶体管的开路检测器的使用方法，当在芯片地与外部地连接时，所述耗尽型PMOS管处于关断状态，开路检测模块保持关断；当芯片的地与外部的地断开时，电压泵停止工作，开路检测模块把电压泵上的电位下拉到基准电压VDD，此时耗尽型PMOS管打开，把芯片的输出接至VDD，超过芯片正常输出电压，判断出此时芯片处于开路状态。

附图说明

[0007] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

[0008] 图1是本发明实施例的示意图；

[0009] 图2是本发明应用时的波形图。

具体实施方式

[0010] 如图1所示，本发明提供了一种使用耗尽型晶体管的开路检测器；包括电压泵模块，电压泵模块连接有耗尽型PMOS管，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；耗尽型PMOS管连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD。

[0011] 如图1、图2所示，芯片正常工作时，电压泵模块输出一个高于VDD的电平(2VDD-VTH)，控制一个的耗尽型PMOS管(图中的P1)，这个特殊设计的耗尽型PMOS管的VT是0.3V左右，使得P1处于关断状态，开路检测模块关断，不影响芯片的正常工作，当芯片的地与外部的地断开时，芯片的地被上拉，电压泵电路停止工作，开路检测模块迅速把电压泵上的电位下拉到VDD，此时由于P1的VT为正，P1的VGS接近于0，P1打开，把芯片的输出接至接近VDD的水平，超过芯片正常输出电压，系统检测到这一异常电平，便能判断出此时芯片处于开路状态。若无开路检测电路。当芯片地断开时，芯片的总体等效阻抗与负载电阻串联，使得芯片输出处于一个高阻状态，处于正常输出电压的范围，系统便会做出错误判断。

[0012] 在一款车用线性型的磁传感器中VDD＝5V时，其正常输出范围为0.5V到4.5V，当RL＝10K，如果芯片的地与外部断开，此时芯片输出为3.6V，实际芯片已经无法正常工作了，但是系统接收的状态却是一个正常的工作电平，当我们在此芯片中加入上述的开路检测模块后，当芯片地与外部部断开时，输出为4.9V，超出了芯片的正常输出范围，系统判断芯片在非正常工作状态。

[0013] 当带有上述开路检测电路后，系统检测到一个超过正常输出电压范围电压，作出芯片异常的正确判断，保证整个系统的安全运行。