有机电界双面发光标示装置

摘要

本发明涉及主动有机发光技术。本发明公开了一种构造简单、像素开口率大的有机电界双面发光标示装置。其技术方案的要点是：包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件、第一电容和第二电容；第一晶体管的源极连接第一数据线，栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线，漏极连接第二晶体管的栅极；第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源，漏极接地；第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间；第三晶体管的源极连接第二数据线，漏极连接第四晶体管的栅极；第四晶体管的源极连接电源，漏极通过第二发光器件接地；第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间。本发明结构简单、稳定性高、像素开口率大。

权利要求

1.有机电界双面发光标示装置，其特征在于：包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件，第一电容及第二电容；所述第一晶体管的源极连接第一数据线，栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线，漏极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源，漏极接地，所述第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间；所述第三晶体管的源极连接第二数据线，漏极连接第四晶体管的栅极；所述第四晶体管的源极连接电源，漏极通过第二发光器件接地，所述第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间；所述第一晶体管、第二晶体管均为NMOS管，第三晶体管、第四晶体管均为PMOS管。

2.如权利要求1所述的有机电界双面发光标示装置，其特征在于：所述第一发光器件、第二发光器件均为有机发光器件。

3.如权利要求2所述的有机电界双面发光标示装置，其特征在于：所述有机发光器件为OLED。

说明书

有机电界双面发光标示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及主动有机发光技术，具体的说是涉及一种有机电界双面发光标示装置。

背景技术

[0002] 图1为传统的有机电界双面发光标示装置，它包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一电容C1、第二电容C2、第一发光器件D1及第二发光器件D2；第一晶体管T1的源极连接第一数据线DATA1，栅极连接第一信号扫描线SCAN1，漏极连接第二晶体管T2的栅极，并通过第一电容C1连接电源；第二晶体管T2的源极连接电源，漏极通过第一发光器件D1接地；第三晶体管T3的源极连接第二数据线DATA2，栅极连接第二信号扫描线SCAN2，漏极连接第四晶体管T4的栅极，并通过第二电容C2连接电源VDD；第四晶体管T4的源极连接电源VDD，漏极通过第二发光器件D2接地。

[0003] 其工作原理是：当第一信号扫描线SCAN1为低电平时，第一晶体管T1导通，数据信号经过第一晶体管T1进入第二晶体管T2的栅极，使得第二晶体管T2进入饱和状态，电源VDD为第一发光器件D1提供电压，第一发光器件D1发光，同时由第一晶体管T1输出的数据电压对第一电容充电；当第一信号扫描线SCAN1为高电平时，第一晶体管T1截止，但此时第一电容C1上存储的数据电压仍然保证第二晶体管T2进入饱和状态，第一发光器件D1发光。同理，当第二信号扫描线SCAN2为低电平时，第三晶体管T3导通，数据信号经过第三晶体管T3进入第四晶体管T4的栅极，使得第四晶体管T4进入饱和状态，电源VDD为第二发光器件D2提供电压，第二发光器件D2发光，同时由第三晶体管T3输出的数据电压对第二电容D2充电；当第二信号扫描线SCAN2为高电平时，第三晶体管T3截止，但此时第二电容C2上存储的数据电压仍然保证第四晶体管T4进入饱和状态，第二发光器件D2发光。传统的有机电界双面发光标示装置电路结构复杂，稳定性低，且由于采用了两根信号扫描线，降低了像素开口率。

发明内容

[0004] 本发明所要解决的技术问题是：针对传统的有机电界双面发光标示装置结构复杂、像素开口率低的不足，提出一种构造简单、像素开口率大的有机电界双面发光标示装置。

[0005] 本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：有机电界双面发光标示装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一发光器件、第二发光器件、第一电容及第二电容；所述第一晶体管的源极连接第一数据线，栅极连接第三晶体管的栅极且连接信号扫描线，漏极连接第二晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极通过第一发光器件接电源，漏极接地；所述第一电容连接在第二晶体管的栅极与地之间；所述第三晶体管的源极连接第二数据线，漏极连接第四晶体管的栅极；所述第四晶体管的源极连接电源，漏极通过第二发光器件接地；所述第二电容连接在第四晶体管的栅极与电源之间；所述第一晶体管、第二晶体管均为NMOS管，第三晶体管、第四晶体管均为PMOS管。

[0006] 所述第一发光器件、第二发光器件均为有机发光器件。

[0007] 所述有机发光器件为OLED。

[0008] 本发明的有益效果是：结构简单、稳定性高、像素开口率大。

附图说明

[0009] 图1为传统的有机电界双面发光标示装置电路结构图；

[0010] 图2为本发明的有机电界双面发光标示装置电路结构图。

具体实施方式

[0011] 下面结合附图对本发明作进一步的描述。

[0012] 如图2所示，本发明中的有机电界双面发光标示装置，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一发光器件D1、第二发光器件D2；所述第一晶体管T1的源极连接第一数据线DATA1，栅极连接第三晶体管T3的栅极且连接信号扫描线SCAN，漏极连接第二晶体管T2的栅极；所述第二晶体管T2的源极通过第一发光器件D1接电源VDD，漏极接地；所述第一电容C1连接在第二晶体管T2的栅极与地之间；所述第三晶体管T3的源极连接第二数据线DATA2，漏极连接第四晶体管T4的栅极；所述第四晶体管T4的源极连接电源VDD，漏极通过第二发光器件D2接地；所述第二电容C2连接在第四晶体管T4的栅极与电源VDD之间。第一晶体管T1、第二晶体管T2采用NMOS管，第三晶体管、第四晶体管采用PMOS管。第一发光器件D1、第二发光器件D2均可采用有机发光器件(如OLED)。

[0013] 其工作原理是：当信号扫描线SCAN为高电平时，第一晶体管T1导通，第一数据线DATA1上的数据信号通过第一晶体管T1进入第二晶体管T2的栅极，第二晶体管T2逐渐饱和，驱动电源VDD为第一发光器件D1供电，第一发光器件D1发光，同时，由第一晶体管T1输出的数据电压为第一电容C1充电；于此同时，第三晶体管T3处于截止状态，没有数据信号进入第四晶体管T4，第二发光器件D2不发光。当信号扫描线SCAN为低电平时，第三晶体管T3导通，第二数据线DATA2上的数据信号进入第四晶体管T4的栅极，第四晶体管T4逐渐饱和，驱动电源VDD为第二发光器件D2供电，第二发光器件D2发光，同时由第三晶体管T3输出的数据电压为第二电容C2充电；于此同时，第一晶体管T1处于截止状态，没有数据信号进入第二晶体管T2，但第一电容C1存储了数据信号，可继续驱动电源VDD为第一发光器件供电。当信号扫描线SCAN上的下一个电平到来时，第一晶体管T1导通，第一发光器件D1发光，第三晶体管T3截止，但第二电容C2存储了数据信号，可继续驱动电源VDD为第二发光器件供电，第三这样就能实现双面发光显示，由于只采用了一根信号扫描线，大大提高了像素开口率，且简化了电路，稳定性高。