有机电致发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，其中方法包括：步骤1、在基板上形成第一电极；步骤2、在基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用掩模板对正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形；步骤3、在经过步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光和显影，形成隔离柱图形；步骤4、在经过步骤3之后的基板上形成有机材料层；步骤5、在经过步骤4之后的基板上形成第二电极。该方法避免采用价格昂贵的光敏性有机绝缘材料，能够降低绝缘层的生产成本，并克服绝缘层和隔离柱之间由于材料差异导致的接触不稳定的问题。

权利要求

1.一种有机电致发光器件制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上形成第一电极；

步骤2、在形成有所述第一电极的基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形；

步骤3、在经过所述步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对所述步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光和显影，形成隔离柱图形；步骤3中形成的正性光刻胶的材料与步骤2中形成的正性光刻胶材料相同；

步骤4、在经过所述步骤3之后的基板上形成有机材料层；

步骤5、在经过所述步骤4之后的基板上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：在形成有所述第一电极的基板上形成非光敏性有机绝缘材料，对所述非光敏性有机绝缘材料预烘烤，再在所述非光敏性有机绝缘材料上形成正性光刻胶，对所述正性光刻胶进行预烘烤，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留所述正性光刻胶，形成绝缘层图形；

在220到300摄氏度的温度下对所述基板烘烤30到60分钟。

3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件制造方法，其特征在于，在所述非光敏性有机绝缘材料上形成正性光刻胶具体为：在所述非光敏性有机绝缘材料上旋涂正性光刻胶。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：在基板上形成相互平行的条状的第一电极。

5.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：

第一电极，设置在基板上；

绝缘层，设置在形成有所述第一电极的基板上，所述绝缘层的材料为非光敏性有机绝缘材料；

正性光刻胶，设置在所述绝缘层上；

隔离柱，设置在所述正性光刻胶上，所述隔离柱的材料与所述正性光刻胶相同；

有机材料层，形成在所述隔离柱、正性光刻胶以及所述第一电极上；

第二电极，形成在所述有机材料层上。

说明书

有机电致发光器件及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制造方法。 背景技术

[0002] 有机电致发光器件又称为有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，简称OLED)，是一种新型的平板显示器件，与液晶显示器件相比，OLED具有主动发光、高亮度、超薄、低功耗、大视角以及工作温度范围宽等诸多优点。

[0003] 在OLED器件的结构中，绝缘层是不可或缺的部分之一，绝缘层的作用包括限制像素面积大小、确定显示单元像素准确位置以及阻止阴极和阳极之间发生短路等。 [0004] 通常，在OLED器件的制备过程中，在基板上涂敷光敏性聚酰亚胺(ployimide，简称PI)，通过掩模板对光敏性PI曝光、显影，形成绝缘层图形，然后在绝缘层上制备隔离柱。PI是一种有机绝缘材料，可以用作OLED器件中的绝缘层。

[0005] 现有技术制备OLED器件的工艺，由于直接对形成绝缘层的材料曝光来获得绝缘层图形，所以需要用到光敏性有机绝缘材料，但是光敏性PI价格昂贵，对于降低OLED器件生产成本不利；并且，通常绝缘层和隔离柱的材料不同，会造成隔离柱和绝缘层之间的接触不稳定，从而影响OLED器件的稳定性。

发明内容

[0006] 本发明的目的在针对现有技术中存在的问题，提供一种OLED及其制造方法，避免采用价格昂贵的光敏性有机绝缘材料，并克服绝缘层和隔离柱之间由于材料差异导致的接触不稳定的问题。

[0007] 为了实现上述目的，本发明提供了一种有机电致发光器件制造方法，包括： [0008] 步骤1、在基板上形成第一电极；

[0009] 步骤2、在形成有所述第一电极的基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形；

[0010] 步骤3、在经过所述步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对所述步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光和显影，形成隔离柱图形；步骤3中形成的正性光刻胶的材料与步骤2中形成的正性光刻胶材料相同；

[0011] 步骤4、在经过所述步骤3之后的基板上形成有机材料层；

[0012] 步骤5、在经过所述步骤4之后的基板上形成第二电极。

[0013] 为了实现上述目的，本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括： [0014] 第一电极，设置在基板上；

[0015] 绝缘层，设置在形成有所述第一电极的基板上，所述绝缘层的材料为非光敏性有机绝缘材料；

[0016] 正性光刻胶，设置在所述绝缘层上；

[0017] 隔离柱，设置在所述正性光刻胶上，所述隔离柱的材料与所述正性光刻胶相同； [0018] 有机材料层，形成在所述隔离柱、正性光刻胶以及所述第一电极上； [0019] 第二电极，形成在所述有机材料层上。

[0020] 本发明提供的有机电致发光器件及其制造方法，在形成有第一电极的基板上连续形成普通的非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对正性光刻胶曝光，然后显影刻蚀，形成绝缘层图形，这样就避免了采用价格昂贵的光敏性有机绝缘层材料，可以降低有机电致发光器件中绝缘层部分的成本，从而降低整个有机电致发光器件的成本，并且隔离柱的材料与形成在隔离柱之下的正性光刻胶的材料是相同的，可以避免由于隔离柱和绝缘层材料差异导致的接触不稳定，有利于提高有机电致发光器件的稳定性。

[0021] 下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 附图说明

[0022] 图1所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成第一电极之后的结构示意图；

[0023] 图2所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成绝缘层之后的结构示意图； [0024] 图3所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成隔离柱之后的结构示意图； [0025] 图4所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成第二电极之后的结构示意图。

具体实施方式

[0026] 本发明提供的OLED制造方法包括如下步骤：

[0027] 步骤1、在基板上形成第一电极；

[0028] 步骤2、在形成有第一电极的基板上连续形成非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形成绝缘层图形的掩模板对所述正性光刻胶进行曝光，然后显影和刻蚀，并保留正性光刻胶，形成绝缘层图形；

[0029] 步骤3、在经过步骤2的基板上形成正性光刻胶，采用能够形成隔离柱的掩模板对步骤3中形成的正性光刻胶进行曝光，形成隔离柱图形；步骤3中形成的正性光刻胶的材料与步骤2中正性光刻胶的材料相同；

[0030] 步骤4、在经过步骤3之后的基板上形成有机材料层；

[0031] 步骤5、在经过步骤4之后的基板上形成第二电极。

[0032] 该方法与现有技术中的OLED制造方法的区别在于：本发明提供的OLED制造方法，在形成绝缘层时，先在形成有第一电极的基板上形成一层非光敏性的普通的有机绝缘材料，然后在非光敏性的普通有机绝缘材料上形成正性光刻胶，通过对正性光刻胶曝光，然后显影和刻蚀，来得到绝缘层的图形。采用这种方法，可以不需要采用价格昂贵的光敏性有机绝缘材料，而只是用价格相对较低的普通有机绝缘材料即可形成绝缘层，这样可以降低OLED中绝缘层部分的成本，从而降低整个0LED的成本。而现有技术中，在形成绝缘层时，只在基板上形成一层光敏性有机绝缘层材料，通过对光敏性有机绝缘层材料直接曝光，然后显影刻蚀，形成绝缘层图形，这样的工艺，必然要求绝缘层材料是光敏性的，从而造成了OLED中绝缘层部分成本的增加。另外，在步骤2中正性光刻胶需要保留，步骤3中在步骤2形成的正性光刻胶上形成隔离柱，而隔离柱的材料与步骤2中的正性光刻胶的材料是相同的，这样可以避免由于绝缘层与隔离柱的材料差异导致的接触不稳定。 [0033] 下面结合具体的工艺来说明本发明OLED制造方法的实现过程。 [0034] 步骤1具体为：在基板上制备一层厚度为50～200nm的氧化铟锡(ITO)薄膜，然后在ITO薄膜上涂布一层光刻胶，对光刻胶预烘烤，利用能够形成第一电极图形的掩模板对光刻胶进行曝光，再将感光部分的光刻胶通过显影去掉，显影后的光刻胶的图形与第一电极的图形是一致的。然后，将未被光刻胶保护的ITO薄膜刻蚀掉，形成第一电极的图形。第一电极是阳极，也可以是阴极，通常用ITO作为阳极材料。如图1所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成第一电极之后的结构示意图，第一电极2呈条形，平行设置在基板1上。

[0035] 步骤2具体为：在经过步骤1之后的基板上旋涂一层非光敏性的普通有机绝缘层材料，例如北京波米科技公司生产的EKPI-305 II B电子绝缘胶， 对该有机绝缘层材料预烘烤，再在非光敏性的普通有机绝缘层材料上旋涂一层正性光刻胶，对正性光刻胶预烘烤，然后采用能够形成绝缘层图形的掩模板对正性光刻胶进行曝光，再将感光部分的正性光刻胶显影去掉，显影后的正性光刻胶的图形与绝缘层图形是一致的。然后将未被正性光刻胶保护的非光敏性有机绝缘层材料刻蚀掉，形成绝缘层图形，并保留正性光刻胶。为了增强绝缘性能，可以继续在220～300摄氏度的温度下对基板进行固化烘烤30到60分钟。如图2所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成绝缘层之后的结构示意图，普通的非光敏性的有机绝缘层材料3和正性光刻胶4连续的形成在基板1上，绝缘层图形是形成在基板1上的与条形的第一电极2相垂直的条形图，另外在条形的第一电极2之间的空白区域也有绝缘层，正性光刻胶上的空白区域41即是通过绝缘层限定的像素区域，该区域41上刻蚀掉了正性光刻胶和有机绝缘层材料，暴露出了第一电极2。

[0036] 需要说明的是，步骤2中给出的绝缘层图形是一种示例，由于不同的OLED器件像素区域设计要求不同，而绝缘层是用来限定像素区域形状的，所以绝缘层图形也会不同。 [0037] 步骤3具体为：在经过步骤2之后的基板上旋涂一层正性光刻胶，在90到100摄氏度的温度下预烘烤，然后用能够形成隔离柱图形的掩模板对正性光刻胶进行曝光，将感光部分的正性光刻胶通过显影去掉，再清洗，之后烘烤10分钟，得到上大下小的倒梯形隔离柱图形。如图3所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成隔离柱之后的结构示意图，与第一电极2垂直的一组平行的隔离柱5形成在步骤2形成的正性光刻胶4上。隔离柱5和步骤2中的正性光刻胶的材料是相同的。

[0038] 步骤4、将经过步骤3之后的基板送入真空腔中，以倒梯形隔离柱为掩膜直接蒸镀有机材料层，或者对于彩色OLED，可以通过形状不同的掩模板，把R、G、B三色的有机材料蒸镀到指定的像素区域，像素区域即是步 骤2中通过绝缘层图形限定的像素区域。有机材料层可以是单层，也可以是多层，多层有机材料层可以包括空穴/电子注入层、空穴/电子传输层以及RGB发光层等。

[0039] 步骤5、将经过步骤4之后的基板送入真空腔中，在基板上上蒸镀一层金属薄膜，形成第二电极。金属薄膜的材料可以是铝、银或其他的稳定金属或合金。第二电极可以阳极，也可以是阴极，通常用金属作为阴极。如图4所示为本发明有机电致发光器件制造方法中形成第二电极之后的结构示意图，有机材料层6和第二电极7形成在隔离柱5、正性光刻胶4和第一电极2上，步骤2中刻蚀暴露出了一部分第一电极2，所以步骤5中有有机材料层6形成在第一电极2上，在有机材料层6上是第二电极7。

[0040] 在经过步骤1到步骤6之后，可以在基板上的显示区域之外涂布封框胶，然后将和显示区域尺寸相对应的玻璃或金属后封盖附在封框胶上进行固化封装。 [0041] 本发明提供的有机电致发光器件的结构如图4所示，该有机电致发光器件的结构为：第一电极2设置在基板1上，绝缘层3设置在形成有第一电极2的基板1上，正性光刻胶4设置在绝缘层3上，隔离柱5设置在正性光刻胶4上，有机材料层6形成在隔离柱5、正性光刻胶4和第一电极2上，第二电极7形成在有机材料层6上。其中，隔离柱5是正性光刻胶曝光显影刻蚀形成的，正性光刻胶4和隔离柱5的材料相同

[0042] 第一电极2的材料可以是ITO，绝缘层3的材料是非光敏性的普通的有机绝缘材料，例如可以是普通的非光敏性PI，正性光刻胶4和隔离柱5的材料相同，有机材料层6的材料可以是OLED器件中的有机电致发光材料，有机材料层6可以是单层，也可以是多层。第二电极7的材料可以是铝、银等稳定金属或合金。

[0043] 本发明提供的有机电致发光器件及其制造方法，在形成有第一电极的基板上连续形成普通的非光敏性有机绝缘材料和正性光刻胶，采用能够形 成绝缘层图形的掩模板对正性光刻胶曝光，然后显影刻蚀，形成绝缘层图形，这样就避免了采用价格昂贵的光敏性有机绝缘层材料，可以降低有机电致发光器件中绝缘层部分的成本，从而降低整个有机电致发光器件的成本，并且隔离柱的材料与形成在隔离柱之下的正性光刻胶的材料是相同的，可以避免由于隔离柱和绝缘层材料差异导致的接触不稳定，有利于提高有机电致发光器件的稳定性。

[0044] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。