一种制备过孔的方法

摘要

本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金属；剥离后再淀积栅介质材料；再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。本发明省掉了刻蚀栅介质这步工艺过程，是在完成了器件的栅电极制备后，为达到栅电极与随后要生长的栅介质上面的引线互连，先在栅电极上光刻出过孔图形，然后再蒸互连金属，最后再生长栅介质材料。本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。

权利要求

1.一种制备过孔的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；

步骤2、光刻得到栅电极图形；

步骤3、电子束蒸发或者PECVD沉积金薄膜；

步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；

步骤5、在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；

步骤6、电子束蒸发过孔金属；

步骤7、剥离后再淀积栅介质材料；

步骤8、再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；

步骤9、电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。

2.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤1中所述绝缘衬底是有机塑料衬底，或是无机绝缘衬底。

3.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤1中所述涂敷光刻胶是采用匀胶台旋涂并在85℃热板烘烤实现的。

4.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，所述栅电极图形和过孔图形是通过光刻得到的。

5.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤6中所述过孔金属是金属铝，过孔的高度为600nm。

6.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤7中所述栅介质材料是采用电子束蒸发或者PECVD沉积得到的。

7.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤7中所述栅介质材料的厚度为250nm。

说明书

一种制备过孔的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及有机半导体学中的微细加工技术领域，特别是一种在有机场效应晶体管的制作中制备过孔的方法。

背景技术

[0002] 随着信息技术的不断深入，电子产品已经进入人们生活工作的每个环节；在日常生活中人们对低成本、柔性、低重量、便携的电子产品的需求越来越大；传统的基于无机半导体材料的器件和电路很难满足这些要求，因此可以实现这些特性的基于有机聚合物半导体材料的有机微电子技术在这一趋势下得到了人们越来越多的关注。

[0003] 提高有机场效应管的性能一直是该领域追求的目标。除了材料和器件结构对有机场效应晶体管的性能有很大影响外，工艺过程对器件也有很大的影响，减少工艺过程是得到高性能有机场效应晶体管的保障。

[0004] 在器件制备过程中，为了实现电极导线的互连，一般要通过刻蚀的方法在介质上打孔。这个刻蚀工艺在介质上刻出过孔的同时也对介质表面造成损害。这种工艺刻蚀的深度也不好控制，很容易造成刻过了和没刻透的情况。为了消除这种刻蚀工艺的影响，本发明提供了一种简单的过孔制备工艺，省去了昂贵的刻蚀步骤。

发明内容

[0005] (一)要解决的技术问题

[0006] 有鉴于此，本发明的主要目的是提供一种制备过孔的方法，以避免刻蚀工艺对器件制备的影响。

[0007] (二)技术方案

[0008] 为达到上述目的，本发明提供了一种制备过孔的方法，该方法包括：

[0009] 步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；

[0010] 步骤2、光刻得到栅电极图形；

[0011] 步骤3、电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；

[0012] 步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；

[0013] 步骤5、在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；

[0014] 步骤6、电子束蒸发过孔金属；

[0015] 步骤7、剥离后再淀积栅介质材料；

[0016] 步骤8、再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；

[0017] 步骤9、电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。

[0018] 上述方案中，步骤1中所述绝缘衬底是有机塑料衬底，或是无机绝缘衬底。

[0019] 上述方案中，步骤1中所述涂敷光刻胶是采用匀胶台旋涂并在85℃热板烘烤实现的。

[0020] 上述方案中，所述栅电极图形和过孔图形是通过光刻得到的。

[0021] 上述方案中，步骤1中所述金属电极使用的材料是金。

[0022] 上述方案中，步骤6中所述过孔金属是金属铝，过孔的高度为600nm。

[0023] 上述方案中，步骤7中所述栅介质材料是采用电子束蒸发或者PECVD沉积得到的。

[0024] 上述方案中，步骤7中所述栅介质材料的厚度为250nm。

[0025] (三)有益效果

[0026] 从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：

[0027] 本发明提供的这种制备过孔的方法，过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，省掉了传统的通过刻蚀工艺来制备过孔的工艺，降低了工艺成本。

附图说明

[0028] 图1是本发明提供的制备过孔的方法流程图；

[0029] 图2-1至图2-9是本发明提供的制备过孔的工艺流程图；

[0030] 图3-1至图3-9是依照本发明实施例提供的制备过孔的工艺流程图。

具体实施方式

[0031] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

[0032] 本发明提供的这种制备过孔的方法，是通过光刻的方法来实现的，且省掉了刻蚀栅介质这步工艺过程。该工艺是在完成了器件的栅电极制备后，为达到栅电极与随后要生长的栅介质上面的引线互连，先在栅电极上光刻出过孔图形，然后再蒸互连金属，最后再生长栅介质材料。金属过孔的厚度大于栅介质的厚度，因而可露出栅介质。这样就很方便和后面蒸的源漏电极连接起来。

[0033] 如图1所示，图1是本发明提供的制备过孔的方法流程图，该方法包括以下步骤：

[0034] 步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；

[0035] 步骤2、光刻得到栅电极图形；

[0036] 步骤3、电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；

[0037] 步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；

[0038] 步骤5、在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；

[0039] 步骤6、电子束蒸发过孔金属；

[0040] 步骤7、剥离后再淀积栅介质材料；

[0041] 步骤8、再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；

[0042] 步骤9、电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。

[0043] 图2-1至图2-9示出了本发明提供的制备过孔的工艺流程图，具体包括：

[0044] 如图2-1所示，在绝缘衬底上涂敷光刻胶。

[0045] 如图2-2所示，光刻得到栅电极图形。

[0046] 如图2-3所示，电子束蒸发金属电极。

[0047] 如图2-4所示，用丙酮剥离不需要的金属薄膜得到器件的栅电极图形。

[0048] 如图2-5所示，在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形。

[0049] 如图2-6所示，电子束蒸发过孔金属。

[0050] 如图2-7所示，剥离后再淀积栅介质材料。

[0051] 如图2-8所示，再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形。

[0052] 如图2-9所示，电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。

[0053] 图3-1至图3-9是依照本发明实施例提供的制备过孔的工艺流程图，具体包括：

[0054] 如图3-1所示，在绝缘衬底上涂敷AZ9918光刻胶，85oC热板烘烤。

[0055] 如图3-2所示，光刻得到栅电极图形。

[0056] 如图3-3所示，电子束蒸发50nm金电极。

[0057] 如图3-4所示，用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形。

[0058] 如图3-5所示，在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形。

[0059] 如图3-6所示，电子束蒸发600nm过孔金属铝。

[0060] 如图3-7所示，剥离后再淀积250nm栅介质材料氧化硅。

[0061] 如图3-8所示，再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形。

[0062] 如图3-9所示，电子束蒸发50nm金薄膜，剥离后实现栅介质上下导线的互连。

[0063] 以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。